Marktgröße und Marktanteil für Leistungshalbleiter
Marktübersicht
| Studienzeitraum | 2019 - 2030 |
|---|---|
| Marktgröße (2025) | 56.87 Milliarden US-Dollar |
| Marktgröße (2030) | 74.36 Milliarden US-Dollar |
| Wachstumsrate (2025 - 2030) | 5.51% CAGR |
| Schnellstwachsender Markt | Asien-Pazifik |
| Größter Markt | Asien-Pazifik |
| Marktkonzentration | Mittel |
Hauptakteure
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert Bild © Mordor Intelligence. Wiederverwendung erfordert Namensnennung gemäß CC BY 4.0. |
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Leistungshalbleitermarktanalyse von Mordor Intelligence
Die Marktgröße für Leistungshalbleiter beträgt 56,87 Milliarden USD im Jahr 2025 und ist auf dem Weg, bis 2030 74,36 Milliarden USD zu erreichen, mit einem Fortschritt von 5,51 % CAGR [1]Quelle: Infineon Technologies AG, "FORVIA HELLA wählt Infineons neuen CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V," infineon.com . Die starke Nachfrage nach effizienter Leistungsumwandlung in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiesystemen und datenintensiver Elektronik hält den Leistungshalbleitermarkt widerstandsfähig, auch wenn zyklische Verlangsamungen anderswo auftreten. Breite-Bandlücken-Materialien (WBG) - hauptsächlich Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) - erzielen Premium-Preise, da sie Silizium bei Hochspannungs- und Hochfrequenzbedingungen übertreffen. Die Elektrifizierung der Automobilindustrie verankert das Volumen, doch das schnelle Wachstum stammt von Solar-plus-Speicher-Installationen, 5G-Infrastruktur-Rollouts und Fabrikautomatisierungs-Upgrades. Regionale Lieferkettenpolitiken wie der US CHIPS Act und der Europäische Chips Act intensivieren inländische Fertigungsinvestitionen, während der asiatisch-pazifische Raum seine End-to-End-Fertigungskapazität nutzt, um die Führungsposition zu behalten.
Wichtige Berichtserkenntnisse
- Nach Komponente hielten diskrete Bauelemente 45 % des Leistungshalbleitermarktanteils im Jahr 2024, während Leistungs-ICs voraussichtlich eine CAGR von 6,12 % bis 2030 verzeichnen werden.
- Nach Material kommandierte Silizium einen Anteil von 78,1 % der Leistungshalbleitermarktgröße im Jahr 2024, während GaN voraussichtlich mit einer CAGR von 9,17 % bis 2030 expandieren wird.
- Nach Endverbraucher behielt die Automobilindustrie 31,18 % des Leistungshalbleitermarktanteils im Jahr 2024, und das Energie- und Stromsegment wird voraussichtlich eine CAGR von 7,34 % bis 2030 verzeichnen.
- Nach Geographie entfielen auf den asiatisch-pazifischen Raum 51,7 % des Umsatzanteils im Jahr 2024 und er schreitet mit einer CAGR von 6,86 % bis 2030 voran.
Globale Leistungshalbleitermarkttrends und Einblicke
Treiber-Auswirkungsanalyse
| Treiber | (~) % Auswirkung auf CAGR-Prognose | Geografische Relevanz | Auswirkungszeitraum |
|---|---|---|---|
| Steigende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen und Ladeinfrastruktur | +1.8% | Global, mit APAC und Europa als führende Adoptoren | Mittelfristig (2-4 Jahre) |
| Verbreitung von 5G-Basisstationen | +0.9% | Global, mit Nordamerika und APAC als Kernmärkte | Kurzfristig (≤ 2 Jahre) |
| Erneuerbare-geführtes Leistungsumwandlungswachstum | +1.2% | Global, mit Europa und Nordamerika politikgetrieben | Langfristig (≥ 4 Jahre) |
| Industrielle Automatisierung und Motorantrieb-Upgrades | +0.8% | APAC Kern, Übertragung nach Nordamerika und Europa | Mittelfristig (2-4 Jahre) |
| HAPS und vollelektrische Flugzeug-Antriebsstränge | + 0.3% | Nordamerika und Europa Luft- und Raumfahrtzentren | Langfristig (≥ 4 Jahre) |
| Schnellladeende 2-/3-Rad-EV-Architekturen in Asien | +0.6% | APAC, hauptsächlich Indien und Südostasien | Kurzfristig (≤ 2 Jahre) |
| Quelle: Mordor Intelligence | |||
Steigende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen und Ladeinfrastruktur
Elektrofahrzeuge setzen zunehmend auf SiC-MOSFETs, die die Antriebsstrangeffizienz erhöhen und Ladezeiten verkürzen [2]Quelle: Infineon Technologies AG, "Lösungen für photovoltaische Energiesysteme," infineon.com. Automobilhersteller, die auf 800-V-Systeme umstellen, spezifizieren SiC zur Reduzierung von Wechselrichtverlusten, was durch FORVIA HELLAs Auswahl von 1.200-V-CoolSiC-Geräten für Bordladegeräte der nächsten Generation belegt wird. Mehrjährige Lieferverträge, wie onsemis Vereinbarung mit Volkswagen, sichern vertikal integrierte Chip-zu-Modul-Lieferungen und mildern Allokationsrisiken. Parallele DC-Schnelllader-Rollouts erfordern 8-kW- bis 1-MW-Leistungsblöcke, was die SiC-Nachfrage allein durch Fahrzeuginhalt effektiv verdoppelt. Automobilgerechte Ausbeuten bleiben herausfordernd, daher fügen IDMs eigene Substratkapazitäten hinzu, um Kostenkurven zu stabilisieren und Margen zu schützen.
Verbreitung von 5G-Basisstationen
GaN-Hochelektronenmobilitätstransistoren liefern höhere Verstärkung und Effizienz als LDMOS bei Sub-6-GHz- und mmWave-Frequenzen. Kleinzellen-Verdichtung treibt GaN-Sendungen bis zum Jahrzehntsende auf das Vierfache, da Betreiber eskalierende Energierechnungen bekämpfen. NXP koppelt Si-LDMOS mit GaN-Dies in Multichip-Massive-MIMO-Modulen, die Antennen-Arrays integrieren und das thermische Design vereinfachen. Leistungshalbleiteranbieter fügen gesinterte Die-Attach-Materialien hinzu, um mit Hot-Spot-Temperaturen über 225 °C fertig zu werden. Der Fokus des Telekommunikationssektors auf Gesamtbetriebskosten wandelt inkrementelle Effizienzgewinne in reduzierte Betriebskosten um und zementiert die GaN-Adoption in den nächsten Rollout-Phasen.
Erneuerbare-geführtes Leistungsumwandlungswachstum
Versorgungsunternehmen-Solar- und Windprojekte spezifizieren WBG-Geräte, um Wechselrichtereffizienz-Schwellenwerte von über 99 % zu übertreffen. SMA Solars 2.000-V-Wechselrichterplattform integriert ROHM 2-kV-SiC-MOSFETs innerhalb von Semikron Danfoss-Modulen, um die Energieausbeute unter Teillastbedingungen zu maximieren [3]Quelle: ROHM Semiconductor, "Semikron Danfoss Modul mit ROHM 2 kV SiC MOSFETs," rohm.com. Netz-interaktive Speicherung fügt bidirektionale Wandler hinzu, die hochfrequente SiC-Topologien bevorzugen, um Magnetik zu verkleinern. Mehrstufige Architekturen senken Filterungskosten und ermöglichen kompakte Skid-Designs für Brownfield-Nachrüstungen. Politikentscheidungsträger, die niedrige harmonische Injektion vorschreiben, bieten zusätzlichen Pull für fortschrittliche Leistungsstufen über Legacy-IGBT-Stacks.
Industrielle Automatisierung und Motorantrieb-Upgrades
Intelligente Fabriken adoptieren SiC-basierte Antriebe, die Schaltverluste reduzieren und das Kühlkörpervolumen um bis zu 70 % verkleinern [4]Quelle: Microchip Technology, "Siliziumkarbid antreibt die nächste Generation industrieller Motorantriebe," microchip.com . Höhere Schaltfrequenzen vereinfachen passive Filterung und verbessern den Leistungsfaktor, was mit Nachhaltigkeitszertifizierungszielen übereinstimmt. Zentralisierte 1.000-V-DC-Bus-Architekturen verteilen Strom bei geringerem Kupfergewicht und steigern die Energieeffizienz. Während anfängliche Geräteaufschläge bestehen bleiben, verengen fallende 200-mm-Waferkosten das Differential und beschleunigen Amortisationszeiten. Fabs, die KI und Automotive priorisieren, könnten industrielle Allokationen einschränken, daher diversifizieren OEMs die Beschaffung durch qualifizierte Second-Source-Vereinbarungen.
Beschränkungs-Auswirkungsanalyse
| Beschränkung | (~) % Auswirkung auf CAGR-Prognose | Geografische Relevanz | Auswirkungszeitraum |
|---|---|---|---|
| Silizium-Wafer-Lieferengpasszyklen | -0.7% | Global, mit besonderer Auswirkung auf Asien-Pazifik | Kurzfristig (≤ 2 Jahre) |
| Hohe Kosten / Designkomplexität von WBG-Geräten | -0.9% | Global, mit Kostensensitivität in Schwellenmärkten | Mittelfristig (2-4 Jahre) |
| Thermische Grenzen in hochdichten EV-Wechselrichtern | -0.4% | Global, konzentriert auf Automobilanwendungen | Mittelfristig (2-4 Jahre) |
| Exportkontrollen auf GaN-Epitaxie-Werkzeuge | -0.5% | China und verbündete Länder unterschiedlich betroffen | Langfristig (≥ 4 Jahre) |
| Quelle: Mordor Intelligence | |||
Silizium-Wafer-Lieferengpasszyklen
Die Gesamtwafernachfrage übersteigt nun die qualifizierte Kapazität, und Inventarabbau bei Speicheranbietern verzerrt kurzfristiges Kaufverhalten [5]Quelle: SEMI, "2025 Silizium-Wafer-Markt: An der Schwelle zwischen zyklischen Grenzen und strukturellem Wandel," semi.org. Geopolitische Reibungen erhöhen Fab-Baukosten, während Wassernutzungsbeschränkungen Greenfield-Standorte in dürregefährdeten Zonen einschränken. Chinesische Neueinsteiger verfolgen Preiskonkurrenz, die Margen in der gesamten Kette komprimiert. Obwohl Frontend-Ausrüstungsbuchungen eine Erholung andeuten, dämpft Endmarktschwäche bei PCs und Smartphones die Volumenaufnahme und legt strukturelle statt zyklische Ungleichgewichte offen.
Hohe Kosten / Designkomplexität von WBG-Geräten
SiC-Substrate verursachen höhere Defektdichten, was Die-Sortierungsverluste und endgültige Teilpreise erhöht. GaN-laterale Geräte erfordern maßgeschneiderte Gate-Drive- und Layout-Praktiken, die vielen OEM-Ingenieuren unbekannt sind. Design-für-Fertigung-Richtlinien entwickeln sich schnell, was Validierungskosten erhöht. Während 200-mm-SiC hochfährt und GaN-auf-Silizium-Epitaxie reift, biegen sich Kostenkurven nach unten, doch Aufkleberschock bleibt bei kostensensitiven Verbraucher- und Motorsteuerungssegmenten bestehen.
Segmentanalyse
Nach Komponente: Integrations-Upside für Leistungs-ICs
Leistungsintegrierte Schaltkreise trugen erheblich zur Leistungshalbleitermarktgröße 2025 bei und werden mit einer CAGR von 6,12 % bis 2030 steigen. Automobilbatterie-Management-Einheiten erfordern Multi-Rail-Regler und Funktionssicherheitsdiagnostik, die in einem kompakten PMIC-Footprint geliefert werden. Infineons ISO 26262-konforme OPTIREG TLF35585 unterstützt sicherheitsrelevante elektronische Steuergeräte und veranschaulicht den Trend zur Single-Chip-Leistungsverwaltung [6]Quelle: Infineon Technologies AG, "Infineon stellt neuen OPTIREG TLF35585 PMIC vor," infineon.com . Diskrete Geräte bleiben für Hochstrom-Pfade unverzichtbar und bewahren einen Umsatzanteil von 45 %; dennoch sinkt der diskrete Anteil, da Designer kostenoptimierte Modul- oder IC-Lösungen in platzbeschränkten Subsystemen bevorzugen.
Lieferanten-Roadmaps bündeln GaN- oder SiC-Dies innerhalb intelligenter Leistungsmodule, die Gate-Drive, Sensorik und Schutz integrieren, was die Markteinführungszeit für Wechselrichter- und Ladegerät-Baugruppen verkürzt. Modulkonsolidierung nutzt mittleren Volumen industriellen und Wohnenergiekunden, denen interne Verpackungsexpertise fehlt. Umgekehrt beschaffen Unterhaltungselektronik-ODMs weiterhin diskrete MOSFETs für Adapter-Designs, um Board-Level-Flexibilität und Preisvorteile zu nutzen. Die Koexistenz von diskreten, Modul- und IC-Formaten bereichert den Leistungshalbleitermarkt und ermöglicht maßgeschneiderte Leistungs-Kosten-Trade-offs.
Notiz: Segmentanteile aller einzelnen Segmente verfügbar beim Berichtskauf
Nach Material: GaN skaliert, während Silizium das Kernvolumen behält
Silizium befeuerte 78,1 % des Umsatzes 2024 und verankerte den Leistungshalbleitermarktanteil trotz physikalischer Grenzen. Kontinuierliche Superjunction-MOSFET-Fortschritte und reife Liefernetzwerke halten Silizium für 650 V und darunter relevant. GaN, obwohl heute kleiner, verzeichnet den schnellsten Anstieg mit einer CAGR von 9,17 % und gewinnt Buchsen in mobilen Schnellladegeräten, 5G-Basisstationen und Wohn-Solar-Mikro-Wechselrichtern. Infineon prognostiziert einen entscheidenden Adoptions-Wendepunkt bis 2025, da Referenzdesigns Gate-Drive und EMI-Minderung standardisieren.
SiC besitzt Hochleistungs-Traktion- und Netzsektoren, wo seine 1.200-V- und 1.700-V-Ratings GANs wirtschaftliche Reichweite überschreiten. Der Übergang zu 200-mm-SiC-Wafern komprimiert Kosten pro Ampere und verengt die Lücke gegenüber Superjunction-Silizium. Materialdiversifikation senkt konzentrierte Lieferrisiken und erschließt Designoptionalität. Über den Prognosehorizont werden Designer Silizium für kostengetriebene Massenmarktanwendungen zuweisen, SiC für Hochleistungstransport und erneuerbare Energien und GaN für hochfrequente, niedrigere Leistungsanwendungen, wodurch ein ausgewogenes Multi-Material-Ökosystem geschaffen wird.
Notiz: Segmentanteile aller einzelnen Segmente verfügbar beim Berichtskauf
Nach Endverbraucherindustrie: Energie und Strom übertrifft Automobilwachstum
Die Automobilindustrie erfasste 31,18 % des 2024er Umsatzes dank Batterie-elektrischen Traktionswechselrichtern, Bordladegeräten und DC-DC-Wandlern. Doch die Energie- und Stromvertikale führt die Expansion mit einer CAGR von 7,34 % bis 2030 an, da Versorgungsunternehmen SiC-basierte String- und Zentralwechselrichter über 1.500 V einsetzen. Netzspeicher-Rollouts fügen Multi-Megawatt bidirektionale Wandler hinzu, die die Gerätenachfrage weiter anschwellen lassen. Industrielle Automatisierung folgt dicht dahinter und nutzt SiC-Antriebe für hocheffiziente Prozesslinien und Roboter-Aktuatoren. Unterhaltungselektronik bleibt der größte Stückzahl-Absatz, steht aber unter starkem ASP-Druck, was WBG-Penetration auf Flaggschiff-Notebooks und Premium-Adapter beschränkt. Gesundheitswesen, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung bilden Nischen-Hochzuverlässigkeits-Scheiben, wo Leistungsprämien Volumenbeschränkungen ausgleichen und hohe Bruttomargen-Gelegenheiten bewahren.
Geografieanalyse
Der asiatisch-pazifische Raum entfiel auf 51,7 % des Leistungshalbleitermarktanteils 2024 und behielt eine CAGR von 6,86 % bis 2030. China führt SiC- und GaN-Kapazitäts-Ramps an, unterstützt durch staatliche Subventionen und vertikal integrierte Lieferketten. Indien beschleunigt einen INR 7.600 Crore OSAT-Campus mit dem Ziel von 15 Millionen Einheiten pro Tag und signalisiert die Absicht zur Onshore-Montage. Taiwan und Südkorea bewachen die Führung in fortschrittlicher Verpackung bzw. Speicher, während Japan die Upstream-Materialkommando verstärkt.
Nordamerika profitiert von 50 Milliarden USD CHIPS Act-Anreizen, die Brownfield-Umwandlungen und Greenfield-Fabs von Wolfspeed, Bosch und ausländischen Neueinsteigern freischalten. Automobil-, Verteidigungs- und Rechenzentrumscluster konzentrieren die Nachfrage und verstärken lokale Inhaltsanforderungen. SEMI projiziert regionale Fab-Ausrüstungsausgaben, die sich bis 2027 auf 24,7 Milliarden USD verdoppeln, was langfristige Skalierung unterstreicht [7]Quelle: SEMI, "300 mm Fab-Ausrüstungsausgabenprognose," semi.org.
Europa nutzt seine Automobil- und Erneuerbare-Energien-Politik-Ausrichtung zur Katalysierung von SiC- und GaN-Aufnahme. Deutschlands 5 Milliarden EUR Dresden-Fab-Genehmigung exemplifiziert öffentlich-private Ausrichtung zur Erhöhung der Selbstversorgung. Frankreich und Italien bieten zusätzliche Zuschlagspakete zur Bewahrung von Leading-Edge-Modul- und Substrat-Know-how. Schwellenmärkte im Nahen Osten, Afrika und Lateinamerika bleiben wertbewusst und adoptieren reife Siliziumplattformen, während sie allmählich WBG für versorgungsgroße Solar- und Eisenbahn-Elektrifizierung testen.
Wettbewerbslandschaft
Die Marktkonzentration ist moderat, aber steigt. Fünf Lieferanten - STMicroelectronics, onsemi, Infineon, Wolfspeed und ROHM - kontrollierten mehr als 70 % des SiC-Geräteumsatzes 2024 [8]Quelle: Evertiq, "Fünf Unternehmen kontrollieren den SiC-Leistungsmarkt," evertiq.com. Vertikale Integration von Substrat zu Modul mildert Lieferunterbrechungen und erbringt Kostenhebel. Plattformorientierte Portfolios ersetzen Single-Socket-Angebote, ermöglichen Wiederverwendung über Traktion, Solar und industrielle Antriebe und senken nicht-wiederkehrende Ingenieurausgaben.
Kapazitäts-Renn-Dynamiken dominieren die Strategie. Wolfspeed sicherte sich 750 Millionen USD CHIPS Act-Zuschüsse plus passendes privates Kapital zur Erweiterung der Mohawk Valley 200-mm-SiC-Kapazität [9]Quelle: Wolfspeed, "Wolfspeed kündigt 750 M USD Finanzierung unter dem US CHIPS Act an," wolfspeed.com . onsemi erwarb Qorvos SiC-JFET-Assets und wählte die Tschechische Republik für End-to-End-SiC-Produktion aus, um europäische Lieferresilienz zu gewährleisten. Infineon eröffnete eine 200-mm-SiC-Mega-Fab in Malaysia, vollständig durch erneuerbare Elektrizität betrieben, um sich für Kostenführerschaft in großem Maßstab zu positionieren.
Patentportfolios und Ausrüstungszugang entstehen als Wettbewerbsgräben inmitten verschärfter Exportkontroll-Regimes. Unternehmen erhöhen gemeinsame Entwicklungsvereinbarungen zur Sicherung von Werkzeug-Roadmaps, die sich entwickelnden Vorschriften entsprechen. White-Space-Anwendungen - wie humanoide Roboter, die hochpräzise Motorantriebe benötigen - ziehen F&E-Zuteilungen an und erweitern Wachstumsoptionalität über Kernmärkte hinaus.
Führende Unternehmen der Leistungshalbleiterindustrie
-
Infineon Technologies AG
-
Texas Instruments Inc.
-
STMicroelectronics NV
-
NXP Semiconductors NV
-
Qorvo Inc.
- *Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
Jüngste Branchenentwicklungen
- Mai 2025: Infineon und NVIDIA vereinbarten die gemeinsame Entwicklung einer 800-V-Gleichstrom-Stromverteilungsarchitektur für KI-Rechenzentren, die auf Rack-Leistung über 1 MW abzielt.
- Mai 2025: Infineon enthüllte Graben-basierte SiC-Superjunction-Geräte mit 40 % niedrigerem RDS(on)*A und sicherte Hyundai als Hauptkunden für 800-kW-Traktionswechselrichter.
- März 2025: Mazda und ROHM begannen gemeinsame GaN-Leistungsgerät-Entwicklung mit dem Ziel einer kommerziellen Freigabe bis FY 2027.
- Januar 2025: onsemi schloss seine 115 Millionen USD Akquisition von Qorvos SiC-JFET-Geschäft zur Erweiterung des EliteSiC-Portfolios ab.
- Januar 2025: Wolfspeed kündigte 750 Millionen USD CHIPS Act-Finanzierung plus 750 Millionen USD von Apollo-geführten Investoren zur Erweiterung der SiC-Kapazität an.
Globaler Leistungshalbleitermarktbericht Umfang
Ein Leistungshalbleiter wird als Schalter oder Gleichrichter in der Leistungselektronik verwendet. Er spielt eine entscheidende Rolle bei der Steuerung und Umwandlung elektrischer Energie in elektronischen Schaltungen. Der Markt wird definiert durch die Umsätze aus dem Verkauf verschiedener Komponenten von Leistungshalbleitern wie diskret, Modul und Leistungs-IC, unter Verwendung verschiedener Materialien wie Silizium/Germanium, Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN). Sie werden in einer vielfältigen Palette globaler Endverbraucherbranchen wie Automobilindustrie, Unterhaltungselektronik, IT und Telekommunikation, Militär und Luft- und Raumfahrt, Strom, Industrie und andere eingesetzt.
Der Leistungshalbleitermarkt ist nach Komponente segmentiert (diskret [Gleichrichter, bipolar, MOSFET, IGBT und andere diskrete Komponenten], Module [Thyristor, IGBT und MOSFET], Leistungs-IC [Multichannel PMICs, Schaltregler (AC/DC, DC/DC, isoliert und nicht-isoliert), lineare Regler, BMICs, andere Komponenten]), Material (Silizium/Germanium, Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN)), Endverbraucherindustrie (Automobilindustrie, Unterhaltungselektronik, IT & Telekommunikation, Militär und Luft- und Raumfahrt, Strom, Industrie und andere Endverbraucherbranchen) und Geographie (Vereinigte Staaten, Europa, Japan, China, Südkorea, Taiwan, Rest der Welt). Die Marktgrößen und Wertprognosen (USD) für alle Segmente werden bereitgestellt.
| Diskret | Gleichrichter |
| Bipolar | |
| MOSFET | |
| IGBT | |
| Andere diskrete Komponenten (Thyristor, HEMT, etc.) | |
| Module | Thyristor-Modul |
| IGBT-Modul | |
| MOSFET-Modul | |
| Intelligentes Leistungsmodul (IPM) | |
| Leistungs-IC | PMIC (Multichannel) |
| Schaltregler (AC/DC, DC/DC, Iso/Non-iso) | |
| Lineare Regler | |
| Batterie-Management-IC | |
| Andere Leistungs-ICs |
| Silizium |
| Siliziumkarbid (SiC) |
| Galliumnitrid (GaN) |
| Andere |
| Automobilindustrie |
| Unterhaltungselektronik und Haushaltsgeräte |
| IKT (IT und Telekommunikation) |
| Industrie und Fertigung |
| Energie und Strom (Erneuerbare, Netz) |
| Luft- und Raumfahrt und Verteidigung |
| Gesundheitsausrüstung |
| Andere (Schiene, Marine) |
| Nordamerika | Vereinigte Staaten |
| Kanada | |
| Mexiko | |
| Europa | Deutschland |
| Frankreich | |
| Vereinigtes Königreich | |
| Italien | |
| Rest von Europa | |
| Asien-Pazifik | China |
| Japan | |
| Südkorea | |
| Indien | |
| Rest von Asien-Pazifik | |
| Südamerika | Brasilien |
| Argentinien | |
| Rest von Südamerika | |
| Naher Osten | Israel |
| Saudi-Arabien | |
| Vereinigte Arabische Emirate | |
| Rest des Nahen Ostens | |
| Afrika | Südafrika |
| Ägypten | |
| Rest von Afrika |
| Nach Komponente | Diskret | Gleichrichter |
| Bipolar | ||
| MOSFET | ||
| IGBT | ||
| Andere diskrete Komponenten (Thyristor, HEMT, etc.) | ||
| Module | Thyristor-Modul | |
| IGBT-Modul | ||
| MOSFET-Modul | ||
| Intelligentes Leistungsmodul (IPM) | ||
| Leistungs-IC | PMIC (Multichannel) | |
| Schaltregler (AC/DC, DC/DC, Iso/Non-iso) | ||
| Lineare Regler | ||
| Batterie-Management-IC | ||
| Andere Leistungs-ICs | ||
| Nach Material | Silizium | |
| Siliziumkarbid (SiC) | ||
| Galliumnitrid (GaN) | ||
| Andere | ||
| Nach Endverbraucherindustrie | Automobilindustrie | |
| Unterhaltungselektronik und Haushaltsgeräte | ||
| IKT (IT und Telekommunikation) | ||
| Industrie und Fertigung | ||
| Energie und Strom (Erneuerbare, Netz) | ||
| Luft- und Raumfahrt und Verteidigung | ||
| Gesundheitsausrüstung | ||
| Andere (Schiene, Marine) | ||
| Nach Geographie | Nordamerika | Vereinigte Staaten |
| Kanada | ||
| Mexiko | ||
| Europa | Deutschland | |
| Frankreich | ||
| Vereinigtes Königreich | ||
| Italien | ||
| Rest von Europa | ||
| Asien-Pazifik | China | |
| Japan | ||
| Südkorea | ||
| Indien | ||
| Rest von Asien-Pazifik | ||
| Südamerika | Brasilien | |
| Argentinien | ||
| Rest von Südamerika | ||
| Naher Osten | Israel | |
| Saudi-Arabien | ||
| Vereinigte Arabische Emirate | ||
| Rest des Nahen Ostens | ||
| Afrika | Südafrika | |
| Ägypten | ||
| Rest von Afrika | ||
Wichtige im Bericht beantwortete Fragen
Wie groß ist der Leistungshalbleitermarkt 2025 und wohin geht er?
Die Leistungshalbleitermarktgröße beträgt 56,87 Milliarden USD im Jahr 2025 und wird voraussichtlich bis 2030 74,36 Milliarden USD erreichen, was eine CAGR von 5,51 % widerspiegelt.
Welcher Sektor wird in den nächsten fünf Jahren den größten zusätzlichen Umsatz hinzufügen?
Energie- & Stromanwendungen, angeführt von Solar-plus-Speicher-Einsätzen, werden voraussichtlich eine CAGR von 7,34 % bis 2030 verzeichnen und alle anderen Endverbrauchersegmente übertreffen.
Warum gewinnen SiC und GaN gegenüber Silizium an Dynamik?
SiC und GaN schalten schneller, handhaben höhere Spannungen und geben weniger Wärme ab, ermöglichen leichtere Wechselrichter, schnellere Ladegeräte und höherfrequente Telekommunikationsausrüstung.
Welche Region dominiert heute die Leistungshalbleiterproduktion?
Der asiatisch-pazifische Raum hält 51,7 % des 2024er Umsatzes und unterhält die vollständigste Lieferkette von Substrat bis Montage.
Wie wird der CHIPS Act die nordamerikanische Kapazität beeinflussen?
Bundesanreize von insgesamt mehr als 50 Milliarden USD unterstützen neue Fabs von Wolfspeed, Bosch und anderen, wobei regionale Ausrüstungsausgaben voraussichtlich bis 2027 verdoppelt werden.
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