Markt-Schnappschuss
| Studienzeitraum | 2018- 2028 |
| Marktgröße (2023) | USD 43,02 Mrd. |
| Marktgröße (2028) | USD 43,13 Milliarden US-Dollar |
| CAGR(2023 - 2028) | 0.05 % |
| Schnellstwachsender Markt | Asien-Pazifik |
| Größter Markt | Asien-Pazifik |
Hauptakteure
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert |
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Marktübersicht
Es wird erwartet, dass die Größe des Marktes für diskrete Halbleiter von 43,02 Mrd. USD im Jahr 2023 auf 43,13 Mrd. USD im Jahr 2028 wachsen wird, bei einer CAGR von 0,05 % im Prognosezeitraum (2023-2028).
Der Markt für diskrete Halbleiter wird durch die zunehmende Notwendigkeit, die Leistung in der Elektronik zu verwalten, und durch die Miniaturisierung angetrieben. Die Reduzierung der Gehäusegröße ist umgekehrt proportional zur Verlustleistung. So konnte NXP Semiconductors beispielsweise bei gleicher Leistung eine Reduzierung der Gehäusegröße für seine Transistoren um 55 % erreichen. Darüber hinaus brachte Diodes Incorporated die automobilkonformen MOSFETs DMTH4008LFDFWQ mit 40 V und DMTH6016LFDFWQ mit 60 V auf den Markt, die in DFN2020 verpackt sind.
- Darüber hinaus wird erwartet, dass Eigenschaften wie Sicherheit, Infotainment, Navigation und Kraftstoffeffizienz in den Automobilkomponenten sowie Sicherheit, Automatisierung, Festkörperbeleuchtung, Transport und Energiemanagement in Industriekomponenten den untersuchten Markt antreiben werden. So ist beispielsweise ein Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) ein integraler Bestandteil des Leistungselektroniksystems von Elektrofahrzeugen. Es wird erwartet, dass IGBTs aufgrund der weltweit steigenden Verkäufe von Elektrofahrzeugen eine erhebliche Nachfrage verzeichnen werden. Laut dem IEA-Bericht erreichten die Verkäufe von Elektroautos im Jahr 2021 weltweit 6,6 Millionen. Elektroautos machten 9 % der weltweiten Autoverkäufe aus.
- Die Kommerzialisierung dieser Elektrofahrzeuge nimmt zu. Volvo strebt an, dass bis 2025 50 % seines Absatzes aus vollelektrischen Autos bestehen. Auch BMW hat seine i5-Pläne fallen gelassen und wird sich nun auf die Elektrifizierung anderer Serienmodelle wie X3 und 4er GT konzentrieren. Letzteres wird direkt mit Teslas Model 3 und Model y konkurrieren.
- Darüber hinaus entwickeln Unternehmen neue Lösungen im Segment der Leistungsmodule, um ihre Präsenz auszubauen und Marktanteile zu erhöhen. Im Dezember 2021 hat beispielsweise STMicroelectronics, ein führendes Halbleiterunternehmen, das Kunden aus dem gesamten Spektrum von Elektronikanwendungen bedient, die Veröffentlichung seiner dritten Generation von STPOWER-Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs1 angekündigt, die den Stand der Technik bei Leistungsbauelementen für den Antriebsstrang von Elektrofahrzeugen und anderen Anwendungen vorantreiben, bei denen Leistungsdichte, Energieeffizienz und Zuverlässigkeit wichtige Zielkriterien sind.
- Im Gegensatz dazu hatte der Ausbruch von COVID-19 enorme Auswirkungen auf die globale und nationale Wirtschaft. Viele Endverbraucherbranchen sind betroffen, darunter auch die diskrete Halbleiterindustrie. Ein großer Teil der Herstellung elektronischer Komponenten umfasst die Arbeit in der Fabrikhalle, wo die Menschen in engem Kontakt stehen, um die Produktivität zu steigern. Derzeit bewerten die Unternehmen auf dem Markt schnell die Auswirkungen an drei Fronten Marktnachfrage, Lieferkette und Belegschaft. Die Nachfrage nach dem Produkt verschiebt sich über ASICS, Speicher, Sensoren usw., während sich das Verbraucherverhalten schnell und mit zukünftiger Volatilität ändert. Außerdem haben viele Unternehmen ihre Hardware-Upgrades und andere langfristige Migrationsprojekte verschoben. So hat sich beispielsweise die Einführung des 5G-Plans in vielen Ländern wie Indien, Japan, Polen und Israel verzögert, was wiederum zu Unsicherheit bei der Einführung kommerzieller 5G-Dienste führte.
- Die globalen Lieferketten werden unterbrochen, da sich das Virus auf der ganzen Welt ausbreitet, da immer noch Unsicherheit über die Dauer der Quarantäne besteht. Viele Produktionsstätten auf der ganzen Welt wurden geschlossen, um das tödliche Virus einzudämmen. So wurden beispielsweise die meisten Produktionsstätten von On Semiconductors aufgrund von Regierungsauflagen in Ländern wie Malaysia, China, Malaysia und den Philippinen geschlossen, was sich auf die Fähigkeit auswirkte, Produkte an seine Kunden zu liefern, und zu einer Lücke bei Angebot und Nachfrage führte.
Es wird erwartet, dass das Automobilsegment das Wachstum des Marktes vorantreiben wird
- Automobilanwendungen treiben einen Großteil der Nachfrage nach diskreten Bauelementen an, insbesondere nach Leistungstransistoren und Gleichrichtern. Herkömmliche Autos verwenden seit den 1950er Jahren 12-V-Batteriesysteme, aber im aktuellen Szenario können sie die schwereren elektronischen Lasten von Fahrzeugen der nächsten Generation nicht bewältigen, was die Notwendigkeit von Energieeffizienz erhöht.
- Autonomes Fahren und vollelektrische Fahrzeuge erfordern leistungsfähigere Mikrocontroller und Mikroprozessoren mit effizienteren Hochleistungs-MOSFETs für Energiemanagement- und Batterieüberwachungssysteme.
- Diskrete Halbleiter finden in Elektrofahrzeugen breite Anwendung. Platzbeschränkungen und hohe Effizienzanforderungen erfordern ein Gerät, das eine hohe Leistung übertragen und bei höheren Frequenzen schalten kann. Sie können hohe Ströme mit sehr geringen Verlusten und einer sehr hohen Frequenz haben, was zu einer erheblichen Nachfrage nach diesen Geräten für EV-Anwendungen führt.
- Darüber hinaus setzen viele Automobilhersteller mit der Beschleunigung des EV-Marktes jetzt auf 800-V-Antriebssysteme, um die Effizienz zu steigern, ein schnelleres Aufladen zu erreichen und die Reichweite solcher Fahrzeuge zu erhöhen, während gleichzeitig Gewicht und Kosten reduziert werden. Wide-Bandgap-Bauelemente, wie z. B. SiCMOSFETs, helfen Automobilherstellern, hochmoderne Leistungsbauelemente für EV-Antriebsstränge und andere Anwendungen voranzutreiben, bei denen solche Faktoren wichtig sind.
- Im Dezember 2022 brachte STMicroelectronics neue Siliziumkarbid (SiC)-Hochleistungsmodule auf den Markt, die die Leistung und Reichweite von Elektrofahrzeugen erhöhen sollen. Fünf neue SiC-MOSFET-basierte Leistungsmodule wurden von Hyundai für den Einsatz in der E-GMP-Elektrofahrzeugplattform ausgewählt, die vom KIA EV6 und mehreren Modellen gemeinsam genutzt wird.
- Im August 2022 kündigte die Renesas Electronics Corporation die Entwicklung einer neuen Generation von Si-IGBTs an. Mit dieser Markteinführung wurde erwartet, dass IGBTs der AE5-Generation ab der ersten Hälfte des Jahres 2023 auf den 200- und 300-mm-Waferlinien von Renesas in der Fabrik des Unternehmens in Naka, Japan, in Serie produziert werden.
- Der Markt für Elektrofahrzeuge ist hart umkämpft, und neue Hersteller gehen an die Grenzen der Innovation. So stattete Porsche seinen Taycan mit einem 800-Volt-System aus, während viele moderne Elektroautos mit 400-Volt-Batterien betrieben werden. Dies veranlasste traditionelle Hersteller von Automobilkomponenten, ihre diskreten Halbleiter für den Automobilsektor zu entwickeln.
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Es wird erwartet, dass Nord- und Südamerika einen großen Marktanteil halten wird
- Die wachsende Unterhaltungselektronikindustrie in der Region ist einer der Hauptfaktoren, die das Wachstum des Marktes vorantreiben. Nach Angaben der Consumer Technology Association (CTA) wird beispielsweise erwartet, dass der Umsatz des US-Technologieeinzelhandels im Jahr 2023 485 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Obwohl er leicht unter den rekordverdächtigen 512 Milliarden US-Dollar im Jahr 2021 liegt, werden die Einnahmen nach Angaben der Organisation immer noch über dem Niveau vor der Pandemie liegen.
- Darüber hinaus haben neue Technologien wie das Internet der Dinge (IoT) eine neue Innovationswelle in der Halbleiterindustrie ausgelöst. Jedes Jahr werden in der Region immer mehr elektronische Geräte, von Laptops bis hin zu Thermostaten, vernetzt, was eine ausgefeiltere Kommunikation und Koordination zwischen ihnen und ihren Nutzern ermöglicht. Laut CTA verfügten beispielsweise im Jahr 2021 23 % der US-Haushalte über intelligente oder vernetzte Gesundheitsüberwachungsgeräte und 19 % über vernetzte Sport- oder Fitnessgeräte (sieben Punkte mehr als im Vorjahr). Es wird erwartet, dass der expandierende IoT-Markt die Nachfrage der Region nach diskreten Halbleitern positiv beeinflussen wird.
- Der Automobilsektor in den Vereinigten Staaten ist ein entscheidender Bestandteil des Wirtschaftswachstums und hat in der Vergangenheit 3 bis 3,5 % zum gesamten Bruttoinlandsprodukt (BIP) beigetragen, so das Center for Automotive Research. Die Branche trägt auch zu einem erheblichen Teil der Gesamtnachfrage der Region nach Halbleiterkomponenten bei.
- Der Wandel der Automobilindustrie hin zur Elektrifizierung befeuert auch die Nachfrage nach anspruchsvollen Halbleiterbauelementen. Laut dem jährlichen Global Electric Vehicle Outlook 2023 der IEA sind die Vereinigten Staaten beispielsweise mit einem starken Absatzwachstum von 55 % der drittgrößte Markt für Elektrofahrzeuge.
- Darüber hinaus wurden laut Argonne National Laboratory im Geschäftsjahr 2023 in den Vereinigten Staaten 97.972 HEVs verkauft, was einem Anstieg von 36,4 % gegenüber den Verkäufen im April 2022 entspricht. Auf Toyota entfiel in diesem Monat ein Anteil von 44,3 % an den gesamten HEV-Verkäufen.
- Es wird erwartet, dass der wachsende Sektor der erneuerbaren Energien in Kanada auch das Marktwachstum unterstützen wird. Nach Angaben der Canadian Renewable Energy Association (CanREA) ist Kanadas Wind- und Solarenergiesektor im Jahr 2022 deutlich gewachsen. Nach Angaben der Organisation wächst die Solarenergie besonders schnell, wobei allein im Jahr 2022 mehr als ein Viertel der gesamten installierten Kapazität in Kanada hinzugefügt wird.
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Wettbewerbslandschaft
Der globale Markt für diskrete Halbleiter ist stark fragmentiert, wobei zahlreiche Halbleiterhersteller das Produkt anbieten. Die Unternehmen investieren kontinuierlich in Produkte und Technologien, um nachhaltiges Umweltwachstum zu fördern und Umweltgefahren zu vermeiden. Die Unternehmen erwerben auch andere Unternehmen, die sich speziell mit diesen Produkten befassen, um den Marktanteil zu erhöhen. Einige der jüngsten Entwicklungen auf dem Markt sind:.
- Im Januar 2023 gab Hitachi Astemo, Ltd., ein renommierter japanischer Hersteller von Automobilkomponenten, bekannt, dass seine Wechselrichter für Elektrofahrzeuge die neuen SiCMOSFETs und Gate-Treiber-ICs der vierten Generation von ROHM Semiconductor verwenden werden. Die neuesten SiCMOSFETs der vierten Generation von ROHM bieten den niedrigsten Einschaltwiderstand der Branche und eine verbesserte Kurzschlussfestigkeit, wodurch die Reichweite von Elektrofahrzeugen im Vergleich zu IGBTs um 6 % erhöht
- werden kann. Im Januar 2023 kündigte die Renesas Electronics Corporation die Einführung eines neuen Gate-Treiber-ICs an, der für die Ansteuerung von Hochspannungs-Leistungsgeräten wie IGBTs und SiC-MOSFETs für Wechselrichter von Elektrofahrzeugen entwickelt wurde.
Hauptakteure
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ABB Ltd
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ON Semiconductor Corporation
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Infineon Technologies AG
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STMicroelectronics NV
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Toshiba Corporation
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
Jüngste Entwicklungen
- Oktober 2022 - Infineon Technologies hat eine neue CoolMOS-PFD7-Hochspannungs-MOSFET-Familie entwickelt, die einen neuen Standard in der 950-V-Super-Junction-Technologie (SJ) setzt und damit auf die aktuellen Marktanforderungen nach verbesserten Formfaktoren und energieeffizienten Produkten reagiert. Die neue 950-V-Serie sorgt mit ihrer integrierten Fast-Body-Diode für ein robustes Gerät, das die Stückliste reduziert. Es kombiniert auch herausragende Leistung mit modernster Benutzerfreundlichkeit. (Stückliste).
- Januar 2022 - Vishay Intertechnology Inc. hat zwei neue n-Kanal-TrenchFET-MOSFETs vorgestellt 60 V SiJH600E und 80 V SiJH800E. Diese erhöhen die Leistungsdichte, den Wirkungsgrad und die Zuverlässigkeit auf Platinenebene in Telekommunikations- und Industrieanwendungen, indem sie einen extrem niedrigen On-Widerstand mit einem Hochtemperaturbetrieb bis +175 °C und einer hohen kontinuierlichen Drain-Strombelastbarkeit kombinieren.
Marktbericht für diskrete Halbleiter - Inhaltsverzeichnis
1. EINFÜHRUNG
1.1 Studienannahmen und Marktdefinition
1.2 Umfang der Studie
2. FORSCHUNGSMETHODIK
3. ZUSAMMENFASSUNG
4. MARKTDYNAMIK
4.1 Marktübersicht
4.2 Branchenattraktivität – Porters Fünf-Kräfte-Analyse
4.2.1 Verhandlungsmacht der Lieferanten
4.2.2 Verhandlungsmacht der Käufer
4.2.3 Bedrohung durch neue Marktteilnehmer
4.2.4 Bedrohung durch Ersatzprodukte
4.2.5 Wettberbsintensität
4.3 Branchenwertschöpfungsketten-/Lieferkettenanalyse
4.4 Bewertung der Auswirkungen von COVID-19 auf den Markt
4.5 Marktführer
4.5.1 Steigende Nachfrage nach energiereichen und energieeffizienten Geräten im Automobil- und Elektroniksegment
4.5.2 Die Nachfrage nach umweltfreundlicher Stromerzeugung treibt den Markt an
4.6 Marktbeschränkungen
4.6.1 Steigende Nachfrage nach integrierten Schaltkreisen
5. MARKTSEGMENTIERUNG
5.1 Bauart
5.1.1 MOSFET
5.1.1.1 MOSFET – NACH MATERIAL
5.1.1.1.1 Ja MOSFET
5.1.1.1.2 SiC-MOSFET
5.1.1.2 MOSFET – VOM ENDBENUTZER
5.1.1.2.1 Unterhaltungselektronik
5.1.1.2.2 Medizinisch
5.1.1.2.3 Automobil
5.1.1.2.4 Computer und Speicherung
5.1.1.2.5 Industriell
5.1.1.2.6 Netzwerk und Telekommunikation
5.1.1.2.7 Andere Endbenutzer
5.1.2 IGBT – Übersicht und Markteinschätzungen
5.1.2.1 Automobil
5.1.2.2 Energie (Produktion und Verteilung)
5.1.2.3 Transport
5.1.2.4 Industriell
5.1.2.5 Kommerziell
5.1.2.6 Bipolarer Transistor
5.1.2.7 Thyristor
5.1.2.8 Gleichrichter
5.1.2.9 Andere Typen (Junction Gate Field Effect Transistor (JFET), GaN HEMT, Triacs, Varactor-Dioden, TVS-Dioden und Zener-Dioden)
5.2 Endbenutzer-Vertikal
5.2.1 Automobil
5.2.2 Unterhaltungselektronik
5.2.3 Kommunikation
5.2.4 Industriell
5.2.5 Andere Branchen für Endbenutzer
5.3 Erdkunde
5.3.1 Amerika
5.3.2 Europa
5.3.3 Asien-Pazifik (China, Japan, Taiwan)
5.3.4 Rest der Welt
6. WETTBEWERBSFÄHIGE LANDSCHAFT
6.1 Firmenprofile
6.1.1 ABB Ltd
6.1.2 On Semiconductor Corporation (Fairchild Semiconductor)
6.1.3 Infineon Technologies AG
6.1.4 STMicroelectronics NV
6.1.5 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
6.1.6 NXP Semiconductors NV (To be Acquired by Qualcomm)
6.1.7 Diodes Incorporated
6.1.8 Nexperia BV
6.1.9 D3 Semiconductor LLC
6.1.10 Eaton Corporation PLC
6.1.11 Hitachi Ltd
6.1.12 Mitsubishi Electric Corp.
6.1.13 Fuji Electric Corp.
6.1.14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd
6.1.15 Vishay Intertechnology Inc.
6.1.16 Renesas Electronics Corporation
6.1.17 ROHM Co. Ltd
6.1.18 Microsemi Corporation (Microchip Technology)
6.1.19 Qorvo Inc.
6.1.20 Cree Inc.
6.1.21 General Electric Company
6.1.22 Littelfuse Inc
6.1.23 United Silicon Carbide Inc.
7. INVESTITIONSANALYSE
8. MARKTCHANCEN UND ZUKÜNFTIGE TRENDS
Umfang des Berichts
Der globale Markt für diskrete Halbleiter ist nach Bauart (MOSFET, IGBT), Endverbraucherindustrie (Automobil, Unterhaltungselektronik, Kommunikation, Industrie) und Geografie unterteilt. Die Marktgrößen und Prognosen werden wertmäßig (Mrd. USD) für alle oben genannten Segmente angegeben.
Ein diskreter Halbleiter ist ein einzelnes Halbleitergerät, das eine grundlegende elektronische Funktion ausführt. IGBTs, MOSFETs, Thyristoren, Dioden und Gleichrichter sind unter anderem verschiedene Arten von diskreten Halbleitern. Ein leistungsdiskreter Halbleiter, meist IGBTs und MOSFETs, wandelt Wechselstrom um und ist ein gängiger Bestandteil elektronischer und elektrischer Geräte. Ein diskreter Halbleiter wird hauptsächlich von leistungsdiskreten Halbleitern angetrieben, die in verschiedenen Netzteilen einer Vielzahl von elektronischen Anwendungen eingesetzt werden, von der Unterhaltungselektronik bis hin zu elektrischen Ladestationen.
| Bauart | ||||||||||||||||||||||||
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| Endbenutzer-Vertikal | ||
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| Erdkunde | ||
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Häufig gestellte Fragen zur Marktforschung für diskrete Halbleiter
Wie groß ist der Markt für diskrete Halbleiter?
Es wird erwartet, dass der Markt für diskrete Halbleiter im Jahr 2023 43,02 Mrd. USD erreichen und bis 2028 mit einer CAGR von 0,05 % auf 43,13 Mrd. USD wachsen wird.
Wie groß ist der aktuelle Markt für diskrete Halbleiter?
Im Jahr 2023 wird der Markt für diskrete Halbleiter voraussichtlich 43,02 Mrd. USD erreichen.
Wer sind die Hauptakteure auf dem Markt für diskrete Halbleiter?
ABB Ltd, ON Semiconductor Corporation, Infineon Technologies AG, STMicroelectronics NV, Toshiba Corporation sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem Markt für diskrete Halbleiter tätig sind.
Welches ist die am schnellsten wachsende Region auf dem Markt für diskrete Halbleiter?
Es wird geschätzt, dass der asiatisch-pazifische Raum im Prognosezeitraum (2023-2028) mit der höchsten CAGR wachsen wird.
Welche Region hat den größten Anteil am Markt für diskrete Halbleiter?
Im Jahr 2023 macht der asiatisch-pazifische Raum den größten Marktanteil auf dem Markt für diskrete Halbleiter aus.
Bericht über die diskrete Halbleiterindustrie
Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate von diskreten Halbleitern im Jahr 2023, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die Analyse von Discrete Semiconductor umfasst eine Marktprognose für die Jahre 2023 bis 2028 und einen historischen Überblick. Erhalten ein Beispiel dieser Branchenanalyse als kostenloser Bericht als PDF-Download.
