Markt für HF-Leistungshalbleiter – Wachstum, Trends, Auswirkungen von COVID-19 und Prognosen (2023 – 2028)

Der Markt für HF-Leistungshalbleiter ist nach Technologie (LDMOS, GaAs und GaN), Anwendung (Telekommunikationsinfrastruktur sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung) und Geografie unterteilt.

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Markt-Snapshot

rf power semiconductor market
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Study Period 2018 - 2026
Base Year For Estimation 2022
CAGR 13.25 %
Fastest Growing Market Asia Pacific
Largest Market Asia Pacific
Market Concentration High

Major Players

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*Disclaimer: Major Players sorted in no particular order
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Marktübersicht

Der Markt für HF-Leistungshalbleiter wird im Prognosezeitraum (2021–2026) voraussichtlich eine CAGR von 13,25 % verzeichnen. Die zunehmende Einführung von HF-Leistungshalbleitern in Smartphones und die Nutzung von 5G ist einer der Hauptfaktoren für die steigende Nachfrage. Mit dem steigenden Bedarf an höheren Datenraten und größerer spektraler Effizienz steigt die Nachfrage nach mobilem Hochgeschwindigkeits-Breitband-Internet. Dies hat zur Implementierung von LTE geführt, von dem erwartet wird, dass es die Expansion des HF-Leistungsmarktes weiter vorantreibt.

  • Die zunehmende Einführung effektiver Managementlösungen in der Energiewirtschaft zieht auch viele Anbieter an, um branchenorientierte Produkte zu erneuern. Dies erweitert den Anwendungsbereich für HF-Leistungshalbleiterbauelemente weiter. Beispielsweise gab Cadence Design Systems, Inc. bekannt, dass es die Cadence Voltus IC Power Integrity Solution um eine weitgehend parallele (XP) Algorithmusoption erweitert hat, die eine verteilte Verarbeitungstechnologie für die Stromnetzabmeldung bei fortschrittlichen Knotenprozesstechnologien einsetzt.
  • Der zunehmende Trend der Digitalisierung und die Zunahme von Smart-City-Projekten in verschiedenen Ländern auf der ganzen Welt schaffen auch potenzielle Chancen für das Wachstum des Marktes für HF-Leistungshalbleiter. Die zunehmende Verwendung von HF-Leistungsgeräten in verschiedenen Beleuchtungsanwendungen treibt auch das Wachstum auf dem globalen HF-Leistungsmarkt voran.
  • Es wird jedoch geschätzt, dass Probleme im Zusammenhang mit den hohen Kosten der HF-Leistung aufgrund der verbesserten Leistung das Wachstum des Marktes in Frage stellen. Beispielsweise gab Cree, Inc im Oktober 2018 bekannt, dass es eine strategische langfristige Vereinbarung zur Herstellung und Lieferung seiner Wolfspeed-Siliziumkarbidwafer an eines der weltweit führenden Unternehmen für Leistungsgeräte unterzeichnet hat.

Umfang des Berichts

Ein Hochfrequenz-Leistungshalbleiter ist ein Gerät, das als Schalter oder Gleichrichter in der Leistungselektronik verwendet werden kann. Der HF-Leistungshalbleiter ist für den Betrieb im Funkfrequenzspektrum ausgelegt, das etwa 3 kHz bis 300 GHz beträgt. Je nach Anwendung können HF-Leistungshalbleiter in verschiedenen Technologien eingesetzt werden.

By Technology
LDMOS
GaAs
GaN
By Application
Telecom Infrastructure
Aerospace and Defense
Wired Broadband
Satellite Communication
RF Energy (Automotive)
Other Applications
Geography
North America
United States
Canada
Europe
United Kingdom
Germany
France
Rest of Europe
Asia-Pacific
China
India
South Korea
Japan
Rest of Asia-Pacific
Rest of the World
Latin America
Middle-East & Africa

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Wichtige Markttrends

Der Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungssektor bietet potenzielle Wachstumschancen

  • Die Modernisierung der Verteidigungsausrüstung hat zu einem Bedarf an Hochleistungs-Halbleiterbauelementen wie GaN-HF- und LDMOS-Bauelementen geführt. ICs, die in Radarplatinen verwendet werden, enthalten GaN, das eine effiziente Navigation ermöglicht, die Kollisionsvermeidung erleichtert und eine Flugverkehrskontrolle in Echtzeit ermöglicht.
  • HF-Leistungsverstärker, die in Radarsystemen verwendet werden, haben eine geringe Leistung und Leistung. Die Bandbreitenleistung und Effizienz von HF-Leistungsgeräten sind wesentlich höher und werden daher in Radargeräten verwendet, die eine höhere Leistung in Bezug auf Leistung und Radarreichweite liefern. Dies reduziert die Anzahl der Radarsysteme, die zur Überwachung desselben Perimeters erforderlich sind, wodurch die Kosten gesenkt werden. Daher wird die Nachfrage nach HF-Leistungsgeräten im Verteidigungssektor im Prognosezeitraum zunehmen. 
  • Darüber hinaus wird der zunehmende Fokus der Europe Space Agency (ESA) auf die verstärkte Verwendung von GaN in Weltraumprojekten und die Verwendung von GaN-basierten Transistoren im Militär- und Verteidigungssektor dazu beitragen, dass der HF-Leistungsmarkt im Prognosezeitraum an Fahrt gewinnt.
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Der asiatisch-pazifische Raum wird voraussichtlich einen bedeutenden Anteil am Markt für HF-Leistungshalbleiter einnehmen

  • Die etablierte Elektronikindustrie im asiatisch-pazifischen Raum und die Einführung innovativer Technologien haben Organisationen in der Region einen Wettbewerbsvorteil auf dem Markt verschafft.
  • Es wird erwartet, dass die steigende Produktion von Elektrofahrzeugen im asiatisch-pazifischen Raum die Nachfrage nach HF-GaN ankurbeln wird, was wiederum den Markt für HF-Energie in der Region ankurbeln könnte. China ist der größte Hersteller von Elektrofahrzeugen. Im Jahr 2018 wurden laut der China Association of Automobile Manufacturers 28.081.000 verkauft, darunter Busse und Nutzfahrzeuge.
  • Die steigende Nachfrage nach besseren Mobilfunknetzen aus China, Indien, Südkorea, Taiwan und Malaysia sowie die zunehmende Produktion von Halbleitergeräten werden die Wachstumsaussichten des Marktes in dieser Region vorantreiben.
  • Laut Ericsson ist die geschätzte Zahl der Smartphone-Abonnements im asiatisch-pazifischen Raum (ohne China und Indien) mit 1575 Millionen US-Dollar im ersten Quartal 2018 am höchsten Bedürfnisse der Smartphone- und Tablet-OEMs, wodurch das Marktwachstum in dieser Region weiter stimuliert wird.
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Wettbewerbslandschaft

Der Markt für HF-Leistungshalbleiter ist konsolidiert. Der Hauptmarktanteil wird von Top-Playern auf dem Markt besetzt. Darüber hinaus sind die Herstellungskosten für die Herstellung von HF-Leistungshalbleitern hoch, was den Markteintritt für neue Anbieter erschwert. Einige der Hauptakteure sind unter anderem Analog Devices Inc., Aethercomm Inc., Cree Inc., Mitsubishi Electric Corporation, NXP Semiconductors NV, Qorvo Inc., STMicroelectronics NV.

  • Juni 2019 – NXP Semiconductors NV hat eines der branchenweit am besten integrierten Portfolios von HF-Lösungen für 5G-Mobilfunkinfrastruktur sowie industrielle und kommerzielle Märkte vorgestellt. Aufbauend auf seinem starken Erbe, bahnbrechender Forschung und Entwicklung, erstklassiger Fertigung und globaler Präsenz übertrifft die umfassende Suite von Lösungen von NXP die heutigen Anforderungen an 5G-HF-Leistungsverstärkung für Basisstationen – von MIMO bis hin zu massiven MIMO-basierten aktiven Antennensystemen für Mobilfunk und Millimeterwellen (mmWave). ) Spektralbänder.
  • Mai 2019 – Als Teil seiner langfristigen Wachstumsstrategie kündigte Cree, Inc. an, bis zu 1 Mrd. USD in die Erweiterung seiner Siliziumkarbidkapazität mit der Entwicklung eines hochmodernen, automatisierten 200-mm-Siliziums zu investieren Hartmetall-Fertigungsanlage und eine Megafabrik für Materialien am US-Campus-Hauptsitz in Durham, NC. Dies war die bisher größte Investition des Unternehmens in die Förderung seines Siliziumkarbid- und GaN-auf-Siliziumkarbid-Geschäfts von Wolfspeed. Nach der Fertigstellung im Jahr 2024 werden die Anlagen die Kapazität des Unternehmens für Siliziumkarbidmaterialien und die Kapazität zur Waferherstellung erheblich steigern und Halbleiterlösungen mit großer Bandlücke ermöglichen, die die dramatischen technologischen Veränderungen ermöglichen, die in den Märkten für Automobile, Kommunikationsinfrastruktur und Industrie stattfinden.

Hauptakteure

  1. Cree Inc.

  2. Mitsubishi Electric Corporation

  3. NXP Semiconductors NV

  4. Qualcomm Inc.

  5. Analog Devices Inc.

*Disclaimer: Major Players sorted in no particular order

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Table of Contents

  1. 1. INTRODUCTION

    1. 1.1 Study Deliverables

    2. 1.2 Study Assumptions

    3. 1.3 Scope of the Study

  2. 2. RESEARCH METHODOLOGY

  3. 3. EXECUTIVE SUMMARY

  4. 4. MARKET DYNAMICS

    1. 4.1 Market Overview

    2. 4.2 Market Drivers

      1. 4.2.1 Increasing Usage of Smartphones

      2. 4.2.2 Growing Transition toward 5G and Long-term Evolution (LTE) Implementation

    3. 4.3 Market Restraints

      1. 4.3.1 High Cost of RF Power

    4. 4.4 Industry Value Chain Analysis

    5. 4.5 Industry Attractiveness - Porter's Five Force Analysis

      1. 4.5.1 Bargaining Power of Suppliers

      2. 4.5.2 Bargaining Power of Buyers/Consumers

      3. 4.5.3 Threat of New Entrants

      4. 4.5.4 Threat of Substitute Products

      5. 4.5.5 Intensity of Competitive Rivalry

  5. 5. MARKET SEGMENTATION

    1. 5.1 By Technology

      1. 5.1.1 LDMOS

      2. 5.1.2 GaAs

      3. 5.1.3 GaN

    2. 5.2 By Application

      1. 5.2.1 Telecom Infrastructure

      2. 5.2.2 Aerospace and Defense

      3. 5.2.3 Wired Broadband

      4. 5.2.4 Satellite Communication

      5. 5.2.5 RF Energy (Automotive)

      6. 5.2.6 Other Applications

    3. 5.3 Geography

      1. 5.3.1 North America

        1. 5.3.1.1 United States

        2. 5.3.1.2 Canada

      2. 5.3.2 Europe

        1. 5.3.2.1 United Kingdom

        2. 5.3.2.2 Germany

        3. 5.3.2.3 France

        4. 5.3.2.4 Rest of Europe

      3. 5.3.3 Asia-Pacific

        1. 5.3.3.1 China

        2. 5.3.3.2 India

        3. 5.3.3.3 South Korea

        4. 5.3.3.4 Japan

        5. 5.3.3.5 Rest of Asia-Pacific

      4. 5.3.4 Rest of the World

        1. 5.3.4.1 Latin America

        2. 5.3.4.2 Middle-East & Africa

  6. 6. COMPETITIVE LANDSCAPE

    1. 6.1 Company Profiles

      1. 6.1.1 Aethercomm Inc.

      2. 6.1.2 Analog Devices Inc.

      3. 6.1.3 Cree Inc.

      4. 6.1.4 M/A-COM Technology Solutions Holdings Inc.

      5. 6.1.5 Mitsubishi Electric Corporation

      6. 6.1.6 NXP Semiconductors NV

      7. 6.1.7 Qorvo Inc.

      8. 6.1.8 Qualcomm Inc.

      9. 6.1.9 Murata Manufacturing Co. Ltd

      10. 6.1.10 STMicroelectronics NV

      11. 6.1.11 Toshiba Corporation

    2. *List Not Exhaustive

  7. 7. INVESTMENT ANALYSIS

  8. 8. MARKET OPPORTUNITIES AND FUTURE TRENDS

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Frequently Asked Questions

Der Markt für HF-Leistungshalbleiter wird von 2018 bis 2028 untersucht.

Der Markt für HF-Leistungshalbleiter wächst in den nächsten 5 Jahren mit einer CAGR von 13,25 %.

Der asiatisch-pazifische Raum wächst von 2018 bis 2028 mit der höchsten CAGR.

Asien-Pazifik hält 2021 den höchsten Anteil.

Cree Inc., Mitsubishi Electric Corporation, NXP Semiconductors NV, Qualcomm Inc., Analog Devices Inc. sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem Markt für HF-Leistungshalbleiter tätig sind.

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