Analyse der Marktgröße und des Marktanteils von HF-Leistungshalbleitern – Wachstumstrends und Prognosen (2024 – 2029)

Der Markt für HF-Leistungshalbleiter ist nach Technologie (LDMOS, GaAs und GaN), Anwendung (Telekommunikationsinfrastruktur sowie Luft- und Raumfahrt und Verteidigung) und Geografie unterteilt.

Marktgröße für HF-Leistungshalbleiter

Marktanalyse für HF-Leistungshalbleiter

Der Markt für HF-Leistungshalbleiter wird im Prognosezeitraum (2021 – 2026) voraussichtlich eine jährliche Wachstumsrate von 13,25 % verzeichnen. Der zunehmende Einsatz von HF-Leistungshalbleitern in Smartphones und die Nutzung von 5G sind einer der Hauptfaktoren für die steigende Nachfrage. Mit dem steigenden Bedarf an höheren Datenraten und größerer spektraler Effizienz steigt auch die Nachfrage nach schnellem mobilem Breitband-Internet. Dies hat zur Implementierung von LTE geführt, von dem erwartet wird, dass es die Expansion des HF-Energiemarkts weiter vorantreibt.

  • Die zunehmende Einführung effektiver Managementlösungen in der Energiebranche lockt auch viele Anbieter dazu, innovative branchenorientierte Produkte zu entwickeln. Dies erweitert den Anwendungsbereich für HF-Leistungshalbleiterbauelemente weiter. Cadence Design Systems, Inc. gab beispielsweise bekannt, dass es die Cadence Voltus IC Power Integrity Solution um eine weitgehend parallele (XP) Algorithmusoption erweitert hat, die verteilte Verarbeitungstechnologie für die Stromnetzfreigabe bei fortschrittlichen Knotenprozesstechnologien nutzt.
  • Der zunehmende Trend zur Digitalisierung und die Zunahme von Smart-City-Projekten in verschiedenen Ländern auf der ganzen Welt schaffen auch potenzielle Chancen für das Wachstum des Marktes für HF-Leistungshalbleiter. Der zunehmende Einsatz von HF-Leistungsgeräten in verschiedenen Beleuchtungsanwendungen treibt auch das Wachstum auf dem globalen HF-Leistungsmarkt voran.
  • Es wird jedoch davon ausgegangen, dass Probleme im Zusammenhang mit den hohen Kosten für HF-Leistung aufgrund der verbesserten Leistung das Wachstum des Marktes gefährden. Beispielsweise gab Cree, Inc. im Oktober 2018 bekannt, dass es eine strategische langfristige Vereinbarung zur Produktion und Lieferung seiner Wolfspeed-Siliziumkarbid-Wafer an einen der weltweit führenden Hersteller von Energiegeräten unterzeichnet hat.

Überblick über die HF-Leistungshalbleiterbranche

Der Markt für HF-Leistungshalbleiter ist konsolidiert. Große Marktanteile werden von Top-Playern auf dem Markt besetzt. Darüber hinaus sind die Herstellungskosten für die Herstellung von HF-Leistungshalbleitern hoch, was den Markteintritt für neue Anbieter erschwert. Zu den Hauptakteuren zählen unter anderem Analog DevicesInc., Aethercomm Inc., CreeInc., Mitsubishi Electric Corporation, NXP Semiconductors NV, Qorvo Inc. und STMicroelectronics NV.

  • Juni 2019 – NXP Semiconductors NV stellte eines der branchenweit am besten integrierten Portfolios an HF-Lösungen für die 5G-Mobilfunkinfrastruktur sowie für industrielle und kommerzielle Märkte vor. Aufbauend auf seiner starken Tradition, seiner bahnbrechenden Forschung und Entwicklung, seiner erstklassigen Fertigung und seiner globalen Präsenz übertrifft das umfassende Lösungspaket von NXP die heutigen Anforderungen an die 5G-HF-Leistungsverstärkung für Basisstationen – von MIMO bis hin zu massiven MIMO-basierten aktiven Antennensystemen für Mobilfunk und Millimeterwellen (mmWave). ) Spektrumbänder.
  • Mai 2019 – Im Rahmen seiner langfristigen Wachstumsstrategie gab Cree, Inc. bekannt, dass das Unternehmen bis zu 1 Milliarde US-Dollar in den Ausbau seiner Siliziumkarbid-Kapazität mit der Entwicklung einer hochmodernen, automatisierten 200-mm-Siliziumkarbid-Produktion investieren wird Fertigungsanlage und eine Megafabrik für Materialien an seinem Hauptsitz auf dem US-Campus in Durham, North Carolina. Dies war die bisher größte Investition des Unternehmens in den Ausbau seines Wolfspeed-Siliziumkarbid- und GaN-auf-Siliziumkarbid-Geschäfts. Nach ihrer Fertigstellung im Jahr 2024 werden die Anlagen die Siliziumkarbid-Materialien und die Wafer-Fertigungskapazität des Unternehmens erheblich steigern und Halbleiterlösungen mit großer Bandlücke ermöglichen, die die dramatischen technologischen Veränderungen in den Märkten Automobil, Kommunikationsinfrastruktur und Industrie ermöglichen.

Marktführer im Bereich HF-Leistungshalbleiter

  1. Cree Inc.

  2. Mitsubishi Electric Corporation

  3. NXP Semiconductors NV

  4. Qualcomm Inc.

  5. Analog Devices Inc.

  6. *Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
Mehr Details zu Marktteilnehmern und Wettbewerbern benötigt?
PDF herunterladen

Marktbericht für HF-Leistungshalbleiter – Inhaltsverzeichnis

1. EINFÜHRUNG

  • 1.1 Studienergebnisse
  • 1.2 Studienannahmen
  • 1.3 Umfang der Studie

2. FORSCHUNGSMETHODIK

3. ZUSAMMENFASSUNG

4. MARKTDYNAMIK

  • 4.1 Marktübersicht
  • 4.2 Marktführer
    • 4.2.1 Zunehmende Nutzung von Smartphones
    • 4.2.2 Zunehmender Übergang zu 5G und Long-Term Evolution (LTE)-Implementierung
  • 4.3 Marktbeschränkungen
    • 4.3.1 Hohe Kosten für HF-Leistung
  • 4.4 Analyse der Branchenwertschöpfungskette
  • 4.5 Branchenattraktivität – Porters Fünf-Kräfte-Analyse
    • 4.5.1 Verhandlungsmacht der Lieferanten
    • 4.5.2 Verhandlungsmacht von Käufern/Verbrauchern
    • 4.5.3 Bedrohung durch neue Marktteilnehmer
    • 4.5.4 Bedrohung durch Ersatzprodukte
    • 4.5.5 Wettberbsintensität

5. MARKTSEGMENTIERUNG

  • 5.1 Durch Technologie
    • 5.1.1 LDMOS
    • 5.1.2 GaAs
    • 5.1.3 GaN
  • 5.2 Auf Antrag
    • 5.2.1 Telekommunikationsinfrastruktur
    • 5.2.2 Luft- und Raumfahrt und Verteidigung
    • 5.2.3 Kabelgebundenes Breitband
    • 5.2.4 Satellitenkommunikation
    • 5.2.5 HF-Energie (Automobil)
    • 5.2.6 Andere Anwendungen
  • 5.3 Erdkunde
    • 5.3.1 Nordamerika
    • 5.3.1.1 Vereinigte Staaten
    • 5.3.1.2 Kanada
    • 5.3.2 Europa
    • 5.3.2.1 Großbritannien
    • 5.3.2.2 Deutschland
    • 5.3.2.3 Frankreich
    • 5.3.2.4 Rest von Europa
    • 5.3.3 Asien-Pazifik
    • 5.3.3.1 China
    • 5.3.3.2 Indien
    • 5.3.3.3 Südkorea
    • 5.3.3.4 Japan
    • 5.3.3.5 Rest des asiatisch-pazifischen Raums
    • 5.3.4 Rest der Welt
    • 5.3.4.1 Lateinamerika
    • 5.3.4.2 Naher Osten und Afrika

6. WETTBEWERBSFÄHIGE LANDSCHAFT

  • 6.1 Firmenprofile
    • 6.1.1 Aethercomm Inc.
    • 6.1.2 Analog Devices Inc.
    • 6.1.3 Cree Inc.
    • 6.1.4 M/A-COM Technology Solutions Holdings Inc.
    • 6.1.5 Mitsubishi Electric Corporation
    • 6.1.6 NXP Semiconductors NV
    • 6.1.7 Qorvo Inc.
    • 6.1.8 Qualcomm Inc.
    • 6.1.9 Murata Manufacturing Co. Ltd
    • 6.1.10 STMicroelectronics NV
    • 6.1.11 Toshiba Corporation

7. INVESTITIONSANALYSE

8. MARKTCHANCEN UND ZUKÜNFTIGE TRENDS

**Je nach Verfügbarkeit
Sie können Teile dieses Berichts kaufen. Überprüfen Sie die Preise für bestimmte Abschnitte
Holen Sie sich jetzt einen Preisnachlass

Segmentierung der HF-Leistungshalbleiterindustrie

Ein Hochfrequenz-Leistungshalbleiter ist ein Gerät, das als Schalter oder Gleichrichter in der Leistungselektronik eingesetzt werden kann. Der HF-Leistungshalbleiter ist für den Betrieb im Hochfrequenzspektrum von etwa 3 kHz bis 300 GHz ausgelegt. Je nach Anwendung können HF-Leistungshalbleiter in verschiedenen Technologien eingesetzt werden.

Durch Technologie LDMOS
GaAs
GaN
Auf Antrag Telekommunikationsinfrastruktur
Luft- und Raumfahrt und Verteidigung
Kabelgebundenes Breitband
Satellitenkommunikation
HF-Energie (Automobil)
Andere Anwendungen
Erdkunde Nordamerika Vereinigte Staaten
Kanada
Europa Großbritannien
Deutschland
Frankreich
Rest von Europa
Asien-Pazifik China
Indien
Südkorea
Japan
Rest des asiatisch-pazifischen Raums
Rest der Welt Lateinamerika
Naher Osten und Afrika
Durch Technologie
LDMOS
GaAs
GaN
Auf Antrag
Telekommunikationsinfrastruktur
Luft- und Raumfahrt und Verteidigung
Kabelgebundenes Breitband
Satellitenkommunikation
HF-Energie (Automobil)
Andere Anwendungen
Erdkunde
Nordamerika Vereinigte Staaten
Kanada
Europa Großbritannien
Deutschland
Frankreich
Rest von Europa
Asien-Pazifik China
Indien
Südkorea
Japan
Rest des asiatisch-pazifischen Raums
Rest der Welt Lateinamerika
Naher Osten und Afrika
Benötigen Sie eine andere Region oder ein anderes Segment?
Jetzt anpassen

Häufig gestellte Fragen zur Marktforschung für HF-Leistungshalbleiter

Wie groß ist der Markt für HF-Leistungshalbleiter derzeit?

Der Markt für HF-Leistungshalbleiter wird im Prognosezeitraum (2024-2029) voraussichtlich eine jährliche Wachstumsrate von 13,25 % verzeichnen.

Wer sind die Hauptakteure auf dem HF-Leistungshalbleiter-Markt?

Cree Inc., Mitsubishi Electric Corporation, NXP Semiconductors NV, Qualcomm Inc., Analog Devices Inc. sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem Markt für HF-Leistungshalbleiter tätig sind.

Welches ist die am schnellsten wachsende Region im HF-Leistungshalbleitermarkt?

Schätzungen zufolge wird der asiatisch-pazifische Raum im Prognosezeitraum (2024–2029) mit der höchsten CAGR wachsen.

Welche Region hat den größten Anteil am Markt für HF-Leistungshalbleiter?

Im Jahr 2024 hat der asiatisch-pazifische Raum den größten Marktanteil am HF-Leistungshalbleitermarkt.

Welche Jahre deckt dieser HF-Leistungshalbleitermarkt ab?

Der Bericht deckt die historische Marktgröße des HF-Leistungshalbleitermarkts für die Jahre 2019, 2020, 2021, 2022 und 2023 ab. Der Bericht prognostiziert auch die Marktgröße des HF-Leistungshalbleitermarkts für die Jahre 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 und 2029.

Seite zuletzt aktualisiert am: Juni 9, 2023

Branchenbericht für HF-Leistungshalbleiter

Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate von HF-Leistungshalbleitern im Jahr 2024, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die Analyse von HF-Leistungshalbleitern umfasst eine Marktprognose bis 2029 und einen historischen Überblick. Holen Sie sich ein Beispiel dieser Branchenanalyse als kostenlosen PDF-Download.

HF-Leistungshalbleiter Schnappschüsse melden

Global Markt für HF-Leistungshalbleiter