Marktgröße und Marktanteil für Automotive-Halbleiter
Marktübersicht
| Studienzeitraum | 2019 - 2030 |
|---|---|
| Marktgröße (2025) | 100.48 Milliarden US-Dollar |
| Marktgröße (2030) | 142.87 Milliarden US-Dollar |
| Wachstumsrate (2025 - 2030) | 7.29% CAGR |
| Schnellstwachsender Markt | Asien-Pazifik |
| Größter Markt | Asien-Pazifik |
| Marktkonzentration | Mittel |
Hauptakteure
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert Bild © Mordor Intelligence. Wiederverwendung erfordert Namensnennung gemäß CC BY 4.0. |
|
Automotive-Halbleiter-Marktanalyse von Mordor Intelligence
Die Marktgröße für Automotive-Halbleiter erreichte 100,48 Milliarden USD im Jahr 2025 und wird voraussichtlich mit einer CAGR von 7,29% expandieren, wodurch der Marktwert bis 2030 auf 142,87 Milliarden USD steigt. Steigende Elektrifizierungsauflagen, die schnelle Einführung fortschrittlicher Fahrerassistenzfunktionen und die Hinwendung zu softwaredefinierten Fahrzeugen treiben den Siliziumgehalt in allen Fahrzeugklassen nach oben. Automobilhersteller konkurrieren um die Sicherung langfristiger Foundry-Kapazitäten, und die Verbreitung zonaler Architekturen konzentriert die Ausgaben auf Hochleistungsprozessoren, Speicher und Leistungsbauelemente. Programme zur Lieferkettenresilienz kombiniert mit Multi-Sourcing-Strategien gestalten die Beschaffung neu, während Wide-Bandgap-Bauelemente und integrierte Leistungsmodule neue Design-in-Möglichkeiten eröffnen, die auch bei der Normalisierung von Mature-Node-Komponenten die Preismacht aufrechterhalten.
Wichtige Erkenntnisse aus dem Bericht
- Nach Gerätetyp hielten integrierte Schaltkreise 86,3% des Automotive-Halbleiter-Marktanteils im Jahr 2024, während Sensoren und MEMS voraussichtlich eine CAGR von 8,5% bis 2030 verzeichnen werden.
- Nach Geschäftsmodell machten Design-/Fabless-Anbieter 67,3% der Automotive-Halbleiter-Marktgröße im Jahr 2024 aus, während dieselbe Gruppe voraussichtlich das höchste Wachstum mit einer CAGR von 8,7% bis 2030 registrieren wird.
- Nach Geografie eroberte Asien-Pazifik 63,2% der Halbleiter-Marktgröße im Jahr 2024 und wird voraussichtlich mit einer CAGR von 7,1% wachsen, wodurch die Führungsposition trotz aktiver Diversifizierung in Nordamerika und Europa beibehalten wird.
Globale Automotive-Halbleiter-Markttrends und Erkenntnisse
Treiber-Wirkungsanalyse
| Treiber | (~) % Einfluss auf CAGR-Prognose | Geografische Relevanz | Zeithorizont der Auswirkung |
|---|---|---|---|
| Steigende Fahrzeugproduktion in Schwellenländern | +1.2% | Asien-Pazifik, Lateinamerika, MEA | Mittelfristig (2-4 Jahre) |
| Steigende Nachfrage nach fortschrittlichen Sicherheits- und Komfortsystemen | +1.8% | Global, mit früher Einführung in Nordamerika und der EU | Kurzfristig (≤ 2 Jahre) |
| Elektrifizierung steigert den Halbleitergehalt pro Fahrzeug | +2.1% | Global, angeführt von China und EU-Regulierungsauflagen | Mittelfristig (2-4 Jahre) |
| Zonale E/E-Architekturen und softwaredefinierte Fahrzeuge treiben High-End-Prozessoren voran | +1.5% | Nordamerika und EU-Premiumsegmente, global expandierend | Langfristig (≥ 4 Jahre) |
| Staatliche Subventionen für Automotive-Grade-Foundry-Kapazitäten | +0.8% | USA, EU, China, Südkorea | Langfristig (≥ 4 Jahre) |
| Einführung von SiC- und GaN-Leistungsbauelementen in EV-Antriebssträngen | +1.3% | Globale EV-Märkte, konzentriert in China, der EU und Nordamerika | Mittelfristig (2-4 Jahre) |
| Quelle: Mordor Intelligence | |||
Elektrifizierung steigert den Halbleitergehalt pro Fahrzeug
Batterieelektrische Plattformen fügen Leistungselektronik, Batteriemanagementsysteme und thermische Managementcontroller hinzu, die in Verbrennungsmodellen fehlen. Der Übergang von 400-V- zu 800-V-Elektroniksystemen erfordert Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs, die höhere Spannungen mit geringeren Schaltverlusten bewältigen. Infineons trench-basierte SiC-Super-Junction-Bauelemente liefern 40% niedrigeren Widerstand und 25% höhere Stromkapazität, was kleinere Traktionswechselrichter und schnellere Ladezeiten ermöglicht.[1]NXP Semiconductors, "NXP Extends Industry-First 28 nm RFCMOS Radar One-Chip Family," nxp.com NXPs Ultra-Breitband-Wireless-Batteriemanagementsystem entfernt schwere Verkabelung, reduziert das Fahrzeuggewicht und schafft Raum für energiedichtere Batterien. Höhere Spannungsarchitekturen benötigen auch verstärkte Isolierung, Gate-Treiber und Präzisionsstromsensoren, die Premium-Durchschnittsverkaufspreise erzielen. Kollektiv heben diese Faktoren den Halbleiter-Dollargehalt pro EV auf ein Vielfaches konventioneller Fahrzeuge.
Steigende Nachfrage nach fortschrittlichen Sicherheits- und Komfortsystemen
Level-2+-Fahrerassistenzpakete integrieren multimodale Sensorsuiten-Radar, LiDAR und hochauflösende Kameras-die Terabytes an Daten pro Stunde produzieren. Echtzeit-Sensorfusionsworkloads erfordern anwendungsspezifische Prozessoren und eingebettete neuronale Netzwerk-Beschleuniger. NXPs 28-nm-RFCMOS-Radar-One-Chip-Familie bietet nun 360-Grad-Abdeckung und eingebaute KI-Objektklassifizierung, was die Stückliste reduziert und die Systemarchitektur vereinfacht. Komplementäre optische Innovationen wie ams OSRAMs acht-kanalige gepulste Laser liefern 1.000 W optische Spitzenleistung und erweitern die LiDAR-Reichweite für Autobahn-Autopilot-Funktionen. Regulatorische Anforderungen unter ISO 26262 verstärken die Einführung redundanter Rechenpfade und Sicherheitsdiagnosen, was die Siliziumausgaben weiter erhöht.
Zonale E/E-Architekturen und softwaredefinierte Fahrzeuge treiben High-End-Prozessoren voran
Der Übergang von Dutzenden verteilter elektronischer Steuergeräte zu einer Handvoll Zonencontroller reduziert die Verkabelungskomplexität, konzentriert aber den Rechenbedarf auf fortschrittliche Mikrocontroller. NXPs S32K5-Familie nutzt einen 16-nm-FinFET-Prozess und eingebettetes magnetoresistives RAM, um 15-fach schnellere Schreibgeschwindigkeiten als Flash zu liefern und Over-the-Air-Updates ohne Beeinträchtigung der Duty-Cycle-Grenzen zu ermöglichen. Infineon und Flex haben gemeinsam eine Referenz-Zonencontroller-Plattform eingeführt, die Gateway-, Stromverteilungs- und Motorsteuerungsfunktionen integriert und die Designzyklen der Automobilhersteller verkürzt. Da softwaredefinierte Fahrzeuge an Bedeutung gewinnen, bewerten Automobilhersteller zunehmend Halbleiter-Roadmaps anhand smartphone-ähnlicher Aktualisierungsraten, was die Nachfrage nach hochleistungsfähigem Automotive-Grade-Silizium beschleunigt.
Einführung von SiC- und GaN-Leistungsbauelementen in EV-Antriebssträngen
SiC-MOSFETs und Galliumnitrid-(GaN)-HEMTs schalten schneller und laufen heißer als Silizium-IGBTs, wodurch Wechselrichter-Footprints schrumpfen und die Reichweite erhöht wird. Die globale 8-Zoll-SiC-Wafer-Kapazität wird in 14 angekündigten Fabs hochgefahren, einschließlich onsemis Südkorea-Expansion und STMicroelectronics' Catania-Megafab. Dennoch hält die Substratknappheit die Preise hoch; Renesas verließ das SiC-Segment nach Beendigung der Wolfspeed-Partnerschaft und berief sich auf ungünstige Wirtschaftlichkeit. GaN-Bauelemente zielen auf Bordladegeräte und DC-DC-Wandler; Navitas sicherte sich kürzlich die AEC-Q101-Qualifikation für seine Gen-3-Fast-SiC-Technologie und positioniert GaN als praktikable Option für 6,6-kW- und höhere Ladegeräte.[2]ams OSRAM, "New Era for LiDAR Applications," ams-osram.com
Hemmnisse-Wirkungsanalyse
| Hemmnis | (~) % Einfluss auf CAGR-Prognose | Geografische Relevanz | Zeithorizont der Auswirkung |
|---|---|---|---|
| Hohe Kosten für Fahrzeuge mit fortschrittlichen Funktionen | -0.9% | Global, besonders preissensitive Schwellenmärkte | Kurzfristig (≤ 2 Jahre) |
| Anhaltende Lieferkettenengpässe und Chipknappheit | -1.1% | Global, mit akuter Auswirkung auf die Fertigung im asiatisch-pazifischen Raum | Kurzfristig (≤ 2 Jahre) |
| Knappheit und Kosten von Wide-Bandgap-Substraten (SiC/GaN) | -0.7% | Global, betrifft Premium-EV-Segmente | Mittelfristig (2-4 Jahre) |
| Langwierige Automotive-Qualifikationszyklen verlangsamen die Markteinführungszeit | -0.5% | Global, betrifft alle Automotive-Halbleiter-Kategorien | Langfristig (≥ 4 Jahre) |
| Quelle: Mordor Intelligence | |||
Anhaltende Lieferkettenengpässe und Chipknappheit
Die Lieferzeiten für Automotive-Komponenten bleiben länger als die Normen der Verbraucherelektronik, insbesondere für Mature-Node-Mikrocontroller, Sensoren und Analogkomponenten. Die spezialisierte Automotive-Grade-Packaging-Kapazität ist stark in Ostasien konzentriert, was einzelne Ausfallpunkte schafft. Um geografische Risiken zu adressieren, erweiterten GlobalFoundries und NXP ihre Zusammenarbeit bei der 22FDX-Produktion zwischen Dresden und New York, wodurch Automobilherstellern ein dual-gesourcter Pfad geboten wird, der die Grade-1-Qualifikation erfüllt.[3]Infineon Technologies AG, "Infineon and Flex Showcase Zone Controller Design Platform," infineon.com Automobilhersteller integrieren nun Foundry-Kapazitätsklauseln in langfristige Liefervereinbarungen, um Fahrzeugstarts vor Komponentenengpässen zu schützen.
Knappheit und Kosten von Wide-Bandgap-Substraten (SiC/GaN)
Substratkosten können die Hälfte der Kosten des fertigen Bauelements für SiC und GaN ausmachen, und makellose Wafer erfordern lange Kristallwachstumszyklen und sorgfältige Defektprüfung. Wolfspeed dominiert die 150-mm-Substrat-Ausgabe, obwohl STMicroelectronics und Infineon vertikal integrieren, um die Abhängigkeit zu reduzieren. Begrenzte Lieferantenvielfalt treibt Preise in die Höhe und verlängert Qualifikationszeitpläne, wodurch Premium-EV-Plattformen an vorderster Front stehen, während Massenmärkte auf fallende Kostenkurven warten. Gallium- und Indium-Materialbeschränkungen fügen eine weitere Volatilitätsschicht zur GaN-Bauelementewirtschaftlichkeit hinzu.
Segmentanalyse
Nach Gerätetyp: Integrierte Schaltkreise treiben die Marktentwicklung voran
Integrierte Schaltkreise repräsentierten 86,6 Milliarden USD der Automotive-Halbleiter-Marktgröße im Jahr 2024 und werden voraussichtlich eine CAGR von 8,5% bis 2030 verzeichnen. Mikrocontroller führen das Feld an, da Gateway-, Body- und Antriebsstrangdomänen zu höheren Taktraten und erweiterten Speicher-Footprints migrieren. Infineon eroberte 28,5% Marktanteil des Automotive-Halbleiter-Marktes bei Mikrocontrollern durch die Erweiterung seiner AURIX-Familie auf eine RISC-V-Architektur, was die technologische Dynamik des Segments verstärkt. Analog-ICs behalten eine zentrale Rolle im Leistungsmanagement, der Sensorschnittstelle und Spannungsregelung, obwohl System-on-Chip-Konsolidierung Preisdruck auf ältere Node-Bauelemente ausübt.
Diskrete Bauelemente, Optoelektronik und Sensor-/MEMS-Kategorien machen den Rest aus. Diskrete IGBTs und MOSFETs untermauern Traktionswechselrichter und Relais-Ersatzschalter, aber Design-ins bevorzugen zunehmend integrierte Leistungsmodule, die mehrere Dies auf einem einzigen Substrat zusammenfassen. Optoelektronik profitiert von adaptiver LED-Beleuchtung und entstehenden LiDAR-Einheiten, während MEMS-Beschleunigungsmesser, Gyroskope und Drucksensoren sich über ADAS- und Komfortfunktionen ausbreiten. Zonale Architekturen bündeln frühere Standalone-Komponenten zu höherwertigen ICs, was erklärt, warum integrierte Schaltkreise weiterhin den breiteren Automotive-Halbleiter-Markt übertreffen.
Notiz: Segmentanteile aller einzelnen Segmente verfügbar beim Berichtskauf
Nach Geschäftsmodell: Fabless-Anbieter gestalten die Industriedynamik neu
Design-/Fabless-Unternehmen kontrollierten 67,6 Milliarden USD der Automotive-Halbleiter-Marktgröße im Jahr 2024 und werden voraussichtlich mit einer CAGR von 8,7% expandieren. Automobilhersteller suchen schnelle Silizium-Iterationen, die mit Software-Release-Kadenzen abgestimmt sind; Fabless-Häuser wie NXP, Qualcomm und AMD nutzen führenden Foundry-Zugang ohne Besitz kapitalintensiver Fabs. NXPs 307-Millionen-USD-Akquisition des Edge-KI-Spezialisten Kinara unterstreicht, wie Fabless-Player Nischen-IP kaufen, um Feature-Roll-outs zu beschleunigen.
IDMs behalten Legacy-Sockel in Leistungs-, Analog- und sicherheitskritischen Domänen, wo lange Produktlebenszyklen und bewährte Fertigungskontrollen von größter Bedeutung bleiben. Um mit fortschrittlichen Nodes Schritt zu halten, gehen IDMs zunehmend Foundry-Partnerschaften ein; STMicroelectronics co-entwickelt 5-nm-Automotive-Plattformen mit TSMC, während interne 90-nm- und 40-nm-Kapazitäten für Long-Tail-Teile beibehalten werden. Hybrid-Outsourcing-Modelle werden häufig, doch die Systemintegrationskomplexität softwaredefinierten Fahrzeuge begünstigt die agilen Tape-out-Zyklen, die typisch für Fabless-Anbieter sind.
Geografieanalyse
Asien-Pazifik kommandierte 71,5% der Automotive-Halbleiter-Sendungen im Jahr 2024 und wird voraussichtlich mit einer CAGR von 7,8% bis 2030 wachsen. Chinas New-Energy-Vehicle-Penetration überstieg 39% im Jahr 2024, und mehr als 300 inländische Chip-Design-Firmen wurden in diesem Jahr gegründet, um Pekings 100%-Sourcing-Ziel zu verfolgen. Das in Shanghai ansässige Horizon Robotics sicherte sich wichtige Design-Gewinne und beanspruchte 33,97% Anteil am lokalen ADAS-Prozessorvolumen, während Foundry SMIC ein 10%-Automotive-Umsatzziel für die Produktion 2026 setzte. Indien skaliert sein Halbleiter-Ökosystem unter der 76.000-Crore-USD-India-Semiconductor-Mission; genehmigte Vorschläge summieren sich auf 21 Milliarden USD, einschließlich Display- und Ultra-Low-Power-KI-Partnerschaften zwischen Tata Electronics, Himax und PSMC.
Nordamerika rangiert an zweiter Stelle, gestützt durch die 39-Milliarden-USD-CHIPS-and-Science-Act-Incentives und Vorzeigeprojekte wie TSMCs 6,6-Milliarden-USD-Arizona-Expansion. Tesla schloss einen 16,5-Milliarden-USD-, acht-Jahre-Wafer-Liefervertrag mit Samsung ab und sicherte sich Advanced-Node-Kapazität für autonome Fahr-Silizium, das in Texas hergestellt wird. Kanadas Semiconductor Council fügte Infineon als Mitglied hinzu, um Politikausrichtung zu Elektromobilitäts-Wertschöpfungsketten voranzutreiben.
Europa verfolgt strategische Autonomie über den 43-Milliarden-EUR (48,6 Milliarden USD) EU-Chips-Act und zielt darauf ab, bis 2030 20% der globalen Produktion zu erobern. STMicroelectronics brach Boden für eine integrierte SiC-Fab in Catania, Italien, während ein Dresdener Konsortium 5 Milliarden EUR (5,7 Milliarden USD) staatliche Hilfen für eine neue Logikeinrichtung sicherte. Automobilhersteller wie Stellantis co-entwickeln Leistungsumwandlungssysteme mit Infineon und gewährleisten bevorzugten Zugang zu SiC-MOSFET-Versorgung.[4]Navitas, "Navitas Qualifies Gen-3 Fast SiC to Auto-Grade," navitassemi.com Der Nahe Osten, Afrika und Südamerika bleiben noch im Anfangsstadium, zeigen aber zweistellige EV-Adoptionstrends und positionieren sich als zukünftige Wachstumsknoten, sobald lokale Lieferketten reifen.
Wettbewerbslandschaft
Der Automotive-Halbleiter-Markt zeigt moderate Konzentration: Die fünf größten Lieferanten kontrollieren gemeinsam einen bedeutenden Anteil des globalen Umsatzes, was etablierte Kundenbeziehungen und breite AEC-Q-qualifizierte Portfolios widerspiegelt. NXP konsolidiert Edge-KI- und Radar-IP; Infineon nutzt Größenvorteile bei Leistung und Mikrocontrollern; Renesas hält Stärke bei Legacy-Mixed-Signal-Designs; STMicroelectronics dominiert die SiC-Bauelemente-Versorgung; und Texas Instruments unterhält einen umfangreichen Katalog analoger Bausteine. Strategische M&A setzt sich fort: Infineon erwarb Marvells Automotive-Ethernet-Assets für 2,5 Milliarden USD zur Stärkung zonaler Netzwerklösungen, während ROHM und Denso eine Entwicklungsallianz bildeten, die sich auf Analog-ICs für autonome Systeme konzentriert.
Chinesische Neulinge intensivieren den Wettbewerb. BYD Semiconductor eroberte 28,9% des heimischen IGBT-Modulsegments durch Integration von Bauelementen in seinen Blade-Battery-Antriebsstrang. OEM-interne Siliziumprogramme multiplizieren sich; General Motors co-entwickelt maßgeschneiderte Compute mit Qualcomm, während Hyundai Infineon für SiC-Traktionswechselrichter für die Serienproduktion 2027 beauftragt. Die Verschiebung zu softwaredefinierten Fahrzeugen neigt die Verhandlungsmacht zu Unternehmen, die kritische IP rund um sichere Compute-Plattformen, neuronale Netzwerk-Toolchains und Konnektivitätsstacks kontrollieren.
Entstehende White-Space-Möglichkeiten umfassen Automotive-Grade-Beschleuniger für transformerbasierte KI-Modelle, Ultra-Low-Latency-Ethernet-PHYs für deterministische Kommunikation und gedruckte Schaltkreis-Thermomanagement-Materialien, die mit SiC-Junction-Temperaturen kompatibel sind. Lieferanten, die in der Lage sind, führende Prozesstechnologie mit Automotive-Funktionssicherheits-Know-how zu verbinden, sind am besten positioniert, um die nächsten Designzyklen zu erobern.
Automotive-Halbleiter-Industrieführer
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Infineon Technologies AG
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NXP Semiconductors N.V.
-
STMicroelectronics N.V.
-
Texas Instruments Inc.
-
Renesas Electronics Corp.
- *Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
Aktuelle Industrieentwicklungen
- Juli 2025: Tesla und Samsung Electronics kündigten eine 16,5-Milliarden-USD-Wafer-Liefervereinbarung für KI-Prozessoren an, die in Samsungs neuer Texas-Fab produziert werden sollen, und sicherten langfristige 4-nm- und 3-nm-Kapazitäten für Teslas autonome Fahr-Roadmap.
- Mai 2025: Renesas Electronics zog sich aus der Siliziumkarbid-Bauelemente-Entwicklung zurück, beendete die Wolfspeed-Partnerschaft und verlagerte F&E auf Mixed-Signal-MCUs.
- Mai 2025: Denso und ROHM starteten eine strategische Allianz mit gemeinsamer Analog-IC-Entwicklung, geteilter Rohstoffbeschaffung und co-lokalisierter SiC-Modulherstellung.
- Mai 2025: Infineon führte trench-basierte CoolSiC-Super-Junction-MOSFETs ein, die 40% niedrigeren Widerstand für Traktionswechselrichter bieten; Hyundai verpflichtete sich zur First-Wave-Adoption in 2027-Modelljahr-EVs.
Globaler Automotive-Halbleiter-Marktbericht Umfang
Der Markt für Automotive-Halbleiter wurde durch Analyse der Marktgrößen verschiedener Komponenten bewertet, die in der Automobilindustrie verwendet werden, wie Sensoren, Prozessoren, Speichergeräte, diskrete Leistungsbauelemente und integrierte Schaltkreise. Der Berichtsumfang umfasst die Analyse verschiedener Fahrzeugtypen weltweit, einschließlich leichter Nutzfahrzeuge, schwerer Nutzfahrzeuge und Personenfahrzeuge.
Der Automotive-Halbleiter ist segmentiert nach Fahrzeugtyp (Personenfahrzeug, leichtes Nutzfahrzeug und schweres Nutzfahrzeug), Komponente (Prozessoren, Sensoren, Speichergeräte, integrierte Schaltkreise, diskrete Leistungsbauelemente und HF-Bauelemente), Anwendung (Fahrgestell, Leistungselektronik, Sicherheit, Karosserieelektronik, Komfort-/Entertainment-Einheit und andere Anwendungen) und Geografie (Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik, Lateinamerika und Naher Osten & Afrika). Der Bericht bietet die Marktgröße in Wertangaben in USD für alle oben genannten Segmente.
| Diskrete Halbleiter | Dioden | ||
| Transistoren | |||
| Leistungstransistoren | |||
| Gleichrichter und Thyristor | |||
| Andere diskrete Bauelemente | |||
| Optoelektronik | Leuchtdioden (LEDs) | ||
| Laserdioden | |||
| Bildsensoren | |||
| Optokoppler | |||
| Andere Gerätetypen | |||
| Sensoren und MEMS | Druck | ||
| Magnetfeld | |||
| Aktuatoren | |||
| Beschleunigung und Gierrate | |||
| Temperatur und andere | |||
| Integrierte Schaltkreise | Nach integriertem Schaltkreistyp | Analog | |
| Mikro | Mikroprozessoren (MPU) | ||
| Mikrocontroller (MCU) | |||
| Digitale Signalprozessoren | |||
| Logik | |||
| Speicher | |||
| Nach Technologieknoten (Versandvolumen nicht anwendbar) | < 3nm | ||
| 3nm | |||
| 5nm | |||
| 7nm | |||
| 16nm | |||
| 28nm | |||
| > 28nm | |||
| IDM |
| Design-/Fabless-Anbieter |
| Nordamerika | Vereinigte Staaten | |
| Kanada | ||
| Mexiko | ||
| Südamerika | Brasilien | |
| Argentinien | ||
| Rest von Südamerika | ||
| Europa | Deutschland | |
| Vereinigtes Königreich | ||
| Frankreich | ||
| Italien | ||
| Spanien | ||
| Rest von Europa | ||
| Asien-Pazifik | China | |
| Japan | ||
| Südkorea | ||
| Indien | ||
| Rest von Asien-Pazifik | ||
| Naher Osten und Afrika | Naher Osten | Saudi-Arabien |
| Vereinigte Arabische Emirate | ||
| Türkei | ||
| Rest des Nahen Ostens | ||
| Afrika | Südafrika | |
| Nigeria | ||
| Ägypten | ||
| Rest von Afrika | ||
| Nach Gerätetyp (Versandvolumen für Gerätetyp ist komplementär) | Diskrete Halbleiter | Dioden | ||
| Transistoren | ||||
| Leistungstransistoren | ||||
| Gleichrichter und Thyristor | ||||
| Andere diskrete Bauelemente | ||||
| Optoelektronik | Leuchtdioden (LEDs) | |||
| Laserdioden | ||||
| Bildsensoren | ||||
| Optokoppler | ||||
| Andere Gerätetypen | ||||
| Sensoren und MEMS | Druck | |||
| Magnetfeld | ||||
| Aktuatoren | ||||
| Beschleunigung und Gierrate | ||||
| Temperatur und andere | ||||
| Integrierte Schaltkreise | Nach integriertem Schaltkreistyp | Analog | ||
| Mikro | Mikroprozessoren (MPU) | |||
| Mikrocontroller (MCU) | ||||
| Digitale Signalprozessoren | ||||
| Logik | ||||
| Speicher | ||||
| Nach Technologieknoten (Versandvolumen nicht anwendbar) | < 3nm | |||
| 3nm | ||||
| 5nm | ||||
| 7nm | ||||
| 16nm | ||||
| 28nm | ||||
| > 28nm | ||||
| Nach Geschäftsmodell | IDM | |||
| Design-/Fabless-Anbieter | ||||
| Nach Geografie | Nordamerika | Vereinigte Staaten | ||
| Kanada | ||||
| Mexiko | ||||
| Südamerika | Brasilien | |||
| Argentinien | ||||
| Rest von Südamerika | ||||
| Europa | Deutschland | |||
| Vereinigtes Königreich | ||||
| Frankreich | ||||
| Italien | ||||
| Spanien | ||||
| Rest von Europa | ||||
| Asien-Pazifik | China | |||
| Japan | ||||
| Südkorea | ||||
| Indien | ||||
| Rest von Asien-Pazifik | ||||
| Naher Osten und Afrika | Naher Osten | Saudi-Arabien | ||
| Vereinigte Arabische Emirate | ||||
| Türkei | ||||
| Rest des Nahen Ostens | ||||
| Afrika | Südafrika | |||
| Nigeria | ||||
| Ägypten | ||||
| Rest von Afrika | ||||
Wichtige Fragen, die im Bericht beantwortet werden
Wie groß ist der Automotive-Halbleiter-Markt im Jahr 2025?
Die Automotive-Halbleiter-Marktgröße erreichte 100,48 Milliarden USD im Jahr 2025 und wird voraussichtlich mit einer CAGR von 7,29% bis 2030 wachsen.
Welches Segment trägt heute am meisten zum Umsatz bei?
Integrierte Schaltkreise dominieren und machen 86,3% des globalen Umsatzes im Jahr 2024 aus.
Warum wachsen Fabless-Anbieter schneller als IDMs?
Automobilhersteller bevorzugen die kürzeren Designzyklen und den Advanced-Node-Zugang, der typisch für Fabless-Anbieter ist, was eine CAGR von 8,7% für dieses Modell bis 2030 antreibt.
Was treibt die Nachfrage nach Wide-Bandgap-Bauelementen an?
Der Übergang zu 800-V-Batteriesystemen und der Bedarf an höherer Leistungsdichte in Traktionswechselrichtern treiben die Adoption von SiC- und GaN-Leistungsbauelementen voran.
Wie werden Lieferkettenrisiken gemindert?
Hersteller diversifizieren geografische Produktion, unterzeichnen langfristige Kapazitätsvereinbarungen und qualifizieren mehrere Foundries, um die Exposition gegenüber Single-Point-Störungen zu reduzieren.
Welche Region führt beim Verbrauch von Automotive-Halbleitern?
Asien-Pazifik führt mit 71,5% Anteil, angetrieben von Chinas schneller Elektrifizierung und großer Fahrzeugproduktion.
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