全球离散半导体市场 - 增长、趋势、COVID-19 影响和预测(2022-2027 年)

全球分立半导体市场按结构类型(MOSFET、IGBT)、最终用户行业(汽车、消费电子、通信、工业)和地理区域划分。

市场快照

Discrete Semiconductors Market Size
Study Period: 2020-2027
Base Year: 2021
Fastest Growing Market: Asia Pacific
Largest Market: Asia Pacific
CAGR: 4.5 %
Discrete Semiconductors Market Key Players

Need a report that reflects how COVID-19 has impacted this market and its growth?

市场概况

全球分立半导体市场预计在 2022-2027 年期间的复合年增长率为 4.5%。分立半导体市场受到对跨电子和小型化电源管理的日益增长的需求的推动。封装尺寸的减小与功耗成反比。例如,恩智浦半导体通过保持相同的功率性能使其晶体管系列的封装尺寸减小了 55%。此外,Diodes 推出了采用 DFN2020 封装的 40V 额定 DMTH4008LFDFWQ 和 60V 额定 DMTH6016LFDFWQ 汽车兼容 MOSFET。

  • 此外,汽车零部件的安全、信息娱乐、导航和燃油效率等特性,以及工业零部件的安全、自动化、固态照明、交通和能源管理等特性,预计将推动市场研究。例如,绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是 EV 电力电子系统中不可或缺的组件。由于全球电动汽车销量的增加,预计 IGBT 将出现巨大需求。根据 IEA 报告,2021 年全球电动汽车销量达到 660 万辆。电动汽车占全球汽车销量的 9%。
  • 这些电动汽车的商业化正在上升。沃尔沃的目标是到 2025 年将 50% 的销售额由纯电动汽车组成。宝马也放弃了 i5 计划,现在将专注于 X3 和 4 系列 GT 等其他系列车型的电气化。后者将直接与特斯拉的 Model 3 和 Model y 展开竞争。
  • 此外,公司正在开发功率模块领域的新解决方案,以扩大其影响力并增加市场份额。例如,2021 年 12 月,为各种电子应用领域的客户提供服务的著名半导体公司意法半导体宣布发布其第三代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET,推动了最先进的用于电动汽车 (EV) 动力系统和其他应用的功率器件,其中功率密度、能源效率和可靠性是关键目标标准。
  • 相比之下,COVID-19 的爆发对全球和国家经济产生了巨大影响。许多终端用户行业受到影响,包括分立半导体。电子元件制造的很大一部分包括在工厂车间工作,人们在工厂车间密切联系以提高生产力。目前,市场上的公司正在快速评估对三个方面的影响:市场需求、供应链和劳动力。对产品的需求正在跨越 ASICS、内存、传感器等,而消费者行为迅速变化并随着未来的波动而变化。此外,许多公司推迟了他们的硬件升级和其他长期迁移项目。例如,印度、日本、波兰和以色列等许多国家推迟了 5G 计划的推出,这反过来又导致
  • 随着病毒在世界范围内传播,全球供应链被打乱,因为隔离持续时间仍然存在不确定性。为了遏制这种致命的病毒,世界各地的许多制造工厂都被关闭了。例如,由于马来西亚、中国、马来西亚和菲律宾等国家的政府规定,安森美半导体的大部分制造设施都被关闭,这影响了其向客户供应产品的能力,并造成了供需缺口。

报告范围

全球分立半导体市场按结构类型(MOSFET、IGBT)、最终用户行业(汽车、消费电子、通信、工业)和地理区域划分。

分立半导体是执行基本电子功能的单个半导体器件。IGBT、MOSFET、晶闸管、二极管和整流器等是不同类型的分立半导体。一种功率分立半导体,主要是 IGBT 和 MOSFET,转换交流电,是电子和电器的常见组件。分立半导体主要由功率分立器件驱动,应用于从消费电子产品到充电站的各种电子应用的各种电源单元。

Construction Type
MOSFET
MOSFET - BY MATERIAL
Si MOSFET
SiC MOSFET
MOSFET - BY END USER
Consumer Electronics
Medical
Automotive
Computing and Storage
Industrial
Network and Telecom
Other End Users
IGBT - Overview and Market Estimates
Automotive
Energy (Production and Distribution)
Transportation
Industrial
Commercial
Bipolar Transistor
Thyristor
Rectifier
Other Types (Junction Gate Field Effect Transistor (JFET), GaN HEMT, Triacs, Varactor Diodes, TVS Diodes, and Zener Diodes)
End-user Vertical
Automotive
Consumer Electronics
Communication
Industrial
Other End-user Verticals
Geography
Americas
Europe
Asia-Pacific (China, Japan, Taiwan)
Rest of the World

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主要市场趋势

预计汽车领域将推动市场增长

  • 汽车是分立半导体市场的新兴领域之一,随着 EV 和 HEV 采用率的增加,预计将占据重要份额。对分立半导体的需求增加可归因于创新,如自动驾驶汽车技术、再生制动以及包含各种传感器(如激光雷达和摄像头)。此外,强制性高级驾驶员辅助系统 (ADAS) 的政府法规有助于该领域的增长。汽车行业的电子元件对安全至关重要,并且会受到极端电压和环境条件的影响。这促使制造商为汽车应用开发新的分立半导体系列。
  • 2021 年 12 月,意法半导体推出了第三代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET,推动了电动汽车 (EV) 动力系统和其他功率密度、能效和可靠性对目标标准至关重要的应用的功率器件。
  • 2021 年 3 月,英飞凌科技推出了用于汽车应用的 650 V CoolSiC 混合分立器件,其中包含一个 50 A TRENCHSTOP 5 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管,可实现具有成本效益的性能提升和高可靠性。这种组合为硬开关拓扑建立了成本性能权衡,并在双向充电之外保持高系统完整性。该特性使其适用于快速开关汽车应用,例如车载充电器 (OBC)、功率因数校正 (PFC)、DC-DC 和 DC-AC 转换器。
  • 电动汽车市场竞争激烈,新制造商正在推动创新。例如,保时捷为其 Taycan 配备了 800 V 系统,而许多现代电动汽车则使用 400 V 电池。这促使传统汽车零部件制造商为汽车行业开发其分立半导体产品线。
  • 2021 年 3 月,功率半导体、功率 IC 和数字功率产品的设计者、创新者和全球供应商 Alpha and Omega Semiconductor Limited 在优化的 TO-247- 中发布了符合 AEC-Q101 标准的 1200V 碳化硅 (SiC) αSiC MOSFET 4L 包装。它旨在满足电动汽车 (EV) 车载充电器、电机驱动逆变器和非车载充电站的高效率和可靠性要求。1200V SiC MOSFET 为具有 15V 标准栅极驱动的汽车级 TO-247-4L 提供低导通电阻。
  • 此外,2020 年 6 月,基本半导体专家 Nexperia 宣布推出业界最广泛的汽车级分立式产品组合,这些产品采用节省空间、热效率高、兼容 AOI 的 DFN(分立式扁平无引线)封装。AEC-Q101 可用器件系列涵盖公司的所有产品组,包括开关、齐纳二极管、肖特基二极管、保护二极管、双极结型晶体管 (BJT)、N 和 P 沟道 MOSFET、配备电阻的晶体管和 LED 驱动器。
Discrete Semiconductors Market Share

预计美洲将占据主要市场份额

  • 北美是主要市场之一,因为该地区有大量汽车和其他行业消费分立半导体。On Semiconductor Corporation、Diodes Incorporated 和 D3 Semiconductor LLC 等供应商的总部都设在该地区。2020 年 8 月,总部位于美国的创新型分立半导体解决方案制造商 Central Semiconductor Corp. 推出了其新的碳化硅 (SIC) 肖特基整流器芯片产品组合。这些器件针对高温应用进行了优化,提供 650V 和 1200V 两种电压,1,200V 器件的电流范围为 2A 和 50A,650V 器件的电流范围为 4A 至 30A。
  • 美国是半导体行业制造、设计和研究的重要国家。该地区的突出地位推动了对出口电子设备的需求和不断增长的终端用户行业,这些行业是半导体的主要消费者,例如消费电子产品和汽车。
  • 美国的半导体产业(包括分立器件)也是出口最多的产业之一。根据国际贸易协会(ITA)的数据,大部分半导体(超过 82%)由美国直接出口和美国在海外的子公司销售,并考虑到美国的研发、知识产权(IP)创造、设计、和其他高附加值的工作。根据世界半导体贸易统计 (WSTS) 组织的数据,虽然该地区在整个半导体市场中占有约 22% 的份额,但在分立半导体市场中占有超过 10% 的份额。
  • 最近爆​​发的 COVID-19 导致工厂关闭。中国消耗了全球约 40-50% 的半导体产量,用于国内消费和出口组装。因此,美国的半导体公司在中国有很高的收入敞口。工厂关闭或生产设施利用率不足可能导致订单减少,进而导致销售减少或延迟。对苹果、高通公司和博通公司有高收入敞口的半导体公司将在短期内受到影响。总体而言,该地区的分立半导体市场由强大的电子和半导体公司(如德州仪器)推动,终端消费者来自消费电子和汽车零部件等各个行业。该地区的消费者需求也增加了需求。
  • 智能手机、平板电脑和人工智能辅助电子产品在该地区正经历高速增长。预计这将影响该地区市场的增长。根据消费者技术协会 (CTA) 进行的美国消费者技术销售和预测研究,2018 年和 2019 年智能手机产生的收入价值分别为 791 亿美元和 775 亿美元。据苹果称,在其 2020 财年第二季度,该公司通过 iPhone 的销售创造了 289.6 亿美元的收入。
  • 此外,由于 COVID-19 大流行,CTA 现在预计智能手机销量为 1.38 亿至 1.53 亿部,同比下降 6% 至 15%。2020 年 1 月,CTA 预测销量为 1.66 亿辆,增长 2%。智能手机的传输速度正在急剧增加,世界正在见证从 4G 到 5G 的过渡。增加的传输速度可能导致正在传输的数据量的增加。预计这将推动对更多数据中心的需求。因此,对分立元件的需求将会更高,既节省能源又节省空间。
Discrete Semiconductors Market Growth

竞争格局

全球分立半导体市场高度分散,众多半导体制造商提供产品。这些公司不断投资于产品和技术,以促进可持续的环境增长并防止环境危害。这些公司还在收购其他专门处理这些产品的公司,以提高市场份额。市场最近的一些发展是:

  • 2022 年 1 月 - Vishay Intertechnology Inc. 推出两款新的 n 沟道 TrenchFET MOSFET:60 V SiJH600E 和 80 V SiJH800E。通过将超低导通电阻与高达 +175°C 的高温操作和高连续漏极电流处理能力相结合,这些提高了电信和工业应用中的功率密度、效率和板级可靠性。
  • 2021 年 7 月——Nexperia 宣布推出九款新的功率双极晶体管,扩展了其采用热和电气优势 DPAK 封装的产品组合,涵盖从 2 A 到 8 A 以及从 45 V 到 100 V 的应用。最新的 MJD 系列部件与其他采用 DPAK 封装的 MJD 器件引脚对引脚兼容,并且它们还具有显着的可靠性优势。双极晶体管适用于广泛的应用,例如 LED 汽车照明、线性稳压器、LCD 显示器中的背光调光、继电器替代、电机驱动和 MOSFET 驱动器。
  • 2021 年 3 月 - 来自英飞凌科技股份公司的用于汽车的 650 V CoolSiC 混合分立器件已经发布。该器件中使用了一个 50 A TRENCHSTOP 5 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管,以提供具有成本效益的性能增强,同时保持高可靠性。除了双向充电之外,这种组合还为硬开关拓扑创造了理想的性价比。这使得该器件适用于车载充电器 (OBC)、功率因数校正 (PFC)、DC-DC 和 DC-AC 转换器等高速汽车应用。

竞争格局

全球分立半导体市场高度分散,众多半导体制造商提供产品。这些公司不断投资于产品和技术,以促进可持续的环境增长并防止环境危害。这些公司还在收购其他专门处理这些产品的公司,以提高市场份额。市场最近的一些发展是:

  • 2022 年 1 月 - Vishay Intertechnology Inc. 推出两款新的 n 沟道 TrenchFET MOSFET:60 V SiJH600E 和 80 V SiJH800E。通过将超低导通电阻与高达 +175°C 的高温操作和高连续漏极电流处理能力相结合,这些提高了电信和工业应用中的功率密度、效率和板级可靠性。
  • 2021 年 7 月——Nexperia 宣布推出九款新的功率双极晶体管,扩展了其采用热和电气优势 DPAK 封装的产品组合,涵盖从 2 A 到 8 A 以及从 45 V 到 100 V 的应用。最新的 MJD 系列部件与其他采用 DPAK 封装的 MJD 器件引脚对引脚兼容,并且它们还具有显着的可靠性优势。双极晶体管适用于广泛的应用,例如 LED 汽车照明、线性稳压器、LCD 显示器中的背光调光、继电器替代、电机驱动和 MOSFET 驱动器。
  • 2021 年 3 月 - 来自英飞凌科技股份公司的用于汽车的 650 V CoolSiC 混合分立器件已经发布。该器件中使用了一个 50 A TRENCHSTOP 5 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管,以提供具有成本效益的性能增强,同时保持高可靠性。除了双向充电之外,这种组合还为硬开关拓扑创造了理想的性价比。这使得该器件适用于车载充电器 (OBC)、功率因数校正 (PFC)、DC-DC 和 DC-AC 转换器等高速汽车应用。

Table of Contents

  1. 1. INTRODUCTION

    1. 1.1 Study Assumptions and Market Definition

    2. 1.2 Scope of the Study

  2. 2. RESEARCH METHODOLOGY

  3. 3. EXECUTIVE SUMMARY

  4. 4. MARKET DYNAMICS

    1. 4.1 Market Overview

    2. 4.2 Industry Attractiveness - Porter's Five Forces Analysis

      1. 4.2.1 Bargaining Power of Suppliers

      2. 4.2.2 Bargaining Power of Buyers

      3. 4.2.3 Threat of New Entrants

      4. 4.2.4 Threat of Substitute Products

      5. 4.2.5 Intensity of Competitive Rivalry

    3. 4.3 Industry Value Chain / Supply Chain Analysis

    4. 4.4 Assessment of the Impact of COVID-19 on the Market

    5. 4.5 Market Drivers

      1. 4.5.1 Rising Demand for High-energy and Power-efficient Devices in the Automotive and Electronics Segment

      2. 4.5.2 Demand for Green Energy Power Generation Drives the Market

    6. 4.6 Market Restraints

      1. 4.6.1 Rising Demand for Integrated Circuits

  5. 5. MARKET SEGMENTATION

    1. 5.1 Construction Type

      1. 5.1.1 MOSFET

        1. 5.1.1.1 MOSFET - BY MATERIAL

          1. 5.1.1.1.1 Si MOSFET

          2. 5.1.1.1.2 SiC MOSFET

        2. 5.1.1.2 MOSFET - BY END USER

          1. 5.1.1.2.1 Consumer Electronics

          2. 5.1.1.2.2 Medical

          3. 5.1.1.2.3 Automotive

          4. 5.1.1.2.4 Computing and Storage

          5. 5.1.1.2.5 Industrial

          6. 5.1.1.2.6 Network and Telecom

          7. 5.1.1.2.7 Other End Users

      2. 5.1.2 IGBT - Overview and Market Estimates

        1. 5.1.2.1 Automotive

        2. 5.1.2.2 Energy (Production and Distribution)

        3. 5.1.2.3 Transportation

        4. 5.1.2.4 Industrial

        5. 5.1.2.5 Commercial

        6. 5.1.2.6 Bipolar Transistor

        7. 5.1.2.7 Thyristor

        8. 5.1.2.8 Rectifier

        9. 5.1.2.9 Other Types (Junction Gate Field Effect Transistor (JFET), GaN HEMT, Triacs, Varactor Diodes, TVS Diodes, and Zener Diodes)

    2. 5.2 End-user Vertical

      1. 5.2.1 Automotive

      2. 5.2.2 Consumer Electronics

      3. 5.2.3 Communication

      4. 5.2.4 Industrial

      5. 5.2.5 Other End-user Verticals

    3. 5.3 Geography

      1. 5.3.1 Americas

      2. 5.3.2 Europe

      3. 5.3.3 Asia-Pacific (China, Japan, Taiwan)

      4. 5.3.4 Rest of the World

  6. 6. COMPETITIVE LANDSCAPE

    1. 6.1 Company Profiles

      1. 6.1.1 ABB Ltd

      2. 6.1.2 On Semiconductor Corporation (Fairchild Semiconductor)

      3. 6.1.3 Infineon Technologies AG

      4. 6.1.4 STMicroelectronics NV

      5. 6.1.5 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

      6. 6.1.6 NXP Semiconductors NV (To be Acquired by Qualcomm)

      7. 6.1.7 Diodes Incorporated

      8. 6.1.8 Nexperia BV

      9. 6.1.9 D3 Semiconductor LLC

      10. 6.1.10 Eaton Corporation PLC

      11. 6.1.11 Hitachi Ltd

      12. 6.1.12 Mitsubishi Electric Corp.

      13. 6.1.13 Fuji Electric Corp.

      14. 6.1.14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd

      15. 6.1.15 Vishay Intertechnology Inc.

      16. 6.1.16 Renesas Electronics Corporation

      17. 6.1.17 ROHM Co. Ltd

      18. 6.1.18 Microsemi Corporation (Microchip Technology)

      19. 6.1.19 Qorvo Inc.

      20. 6.1.20 Cree Inc.

      21. 6.1.21 General Electric Company

      22. 6.1.22 Littelfuse Inc

      23. 6.1.23 United Silicon Carbide Inc.

    2. *List Not Exhaustive
  7. 7. INVESTMENT ANALYSIS

  8. 8. MARKET OPPORTUNITIES AND FUTURE TRENDS

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Frequently Asked Questions

The Discrete Semiconductor Market market is studied from 2020 - 2027.

The Discrete Semiconductor Market is growing at a CAGR of 4.5% over the next 5 years.

Asia Pacific is growing at the highest CAGR over 2021- 2026.

Asia Pacific holds highest share in 2021.

ABB Ltd, ON Semiconductor Corporation , Infineon Technologies AG , STMicroelectronics NV , Toshiba Corporation are the major companies operating in Discrete Semiconductor Market.

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