下一代内存市场 - 增长、趋势、COVID-19 影响和预测(2022 - 2027 年)

下一代内存市场按技术(易失性和非易失性)、应用(BFSI、消费电子、政府、电信和信息技术)和地理划分。

市场快照

Next Generation Memory Market Overview
Study Period: 2018 - 2026
Base Year: 2021
Fastest Growing Market: Asia Pacific
Largest Market: North America
CAGR: 29.7 %

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市场概况

2020 年全球下一代内存市场价值为 29.351 亿美元,预计到 2026 年将达到 128.331 亿美元,并在预测期间(2021-2026 年)以 29.7% 的复合年增长率增长。新兴的非易失性存储器技术,如 MRAM、STT-RAM、FRAM、相变存储器 (PCM) 和 ReRAM,结合了 SRAM 的速度、DRAM 的密度和闪存的非易失性。因此,这些是未来内存技术的可能补充。此外,下一代信息娱乐系统和 ADAS 的采用将融合具有更高性能和低功耗能力的 DRAM 内存技术。

  • 对通用存储设备的需求正在推动市场。大多数新的存储器技术旨在成为通用存储器,以用更好的技术取代层次结构的成员之一。高端笔记本电脑正在使用固态闪存芯片,而不是巨大的机械硬盘,并使用云进行备份而不是磁带驱动器。近日,英特尔发布了Optane,它采用了接近通用内存的3D XPoint技术。这主要是一种闪存驱动器,具有足够快的非易失性存储器,可以用作 RAM。
  • 对企业存储应用程序不断增长的需求正在推动市场。BFSI 等终端用户行业正在大力投资物联网技术并获得丰厚的经济回报。例如,嵌入式 MRAM 被认为是物联网等应用的有前途的技术。此外,3D Xpoint 等其他下一代存储器的传输速度比当前 SSD 快 1,000 倍。因此,这将有效地推动市场。
  • 在极端环境条件下缺乏稳定性正在抑制市场。在存储设备的耐用性和可靠性方面,它受到极端环境条件的极大影响。例如,存储设备受到的热应力越大,损坏它的风险就越大,这对市场的增长提出了挑战。

报告范围

下一代内存可以定义为应用于硬件或软件产品重大升级的通用标签。由于对更快、更高效和具有成本效益的内存解决方案的需求不断增加,下一代内存市场在过去几年中不断增长。新兴的大数据和人工智能 (AI) 应用,包括机器学习,推动了许多行业的创新,这伴随着各种最终用户的新内存技术,如 BFSI、消费电子等。

By Technology
Non-volatile
Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM)
Ferroelectric RAM (FRAM)
Resistive Random-Access Memory (ReRAM)
3D Xpoint
Nano RAM
Other Non-volatile Technologies (Phase change RAM, STT-RAM, and SRAM)
Volatile
Hybrid Memory Cube (HMC)
High-bandwidth Memory (HBM)
By Application
BFSI
Consumer Electronics
Government
Telecommunications
Information Technology
Other Applications
Geography
North America
Europe
Asia-Pacific
Latin America
Middle East & Africa

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主要市场趋势

信息技术将大量使用下一代存储技术

  • 随着企业规模的不断扩大,很多IT行业的公司都采用了企业存储技术。这种采用推动了对下一代存储的需求,以处理组织的计算能力。
  • 尽管当今许多客户端设备都使用固态存储技术,但硬盘驱动器 (HDD) 仍被数亿人使用,并且遍布全球几乎所有数据中心。热辅助磁记录 (HAMR) 技术有望在未来几年显着提高 HDD 的容量。
  • 尽管 HDD 介质仍然是存储行业的畅销产品,但闪存/SSD 的采用率在过去几年中一直在快速上升。由于数据的快速增长,该领域正在大力进行大量媒体投资。随着SSD内存存储技术的采用逐渐兴起,对具有成本效益的内存技术的需求也与之交织在一起。
  • 例如,发都科技是一家专注于推进闪存技术的初创公司。通过为固态硬盘 (SSD) 控制器部署新架构,发都科技通过满足 2019 年闪存峰会对企业和超大规模数据中心的需求,开创了 SSD 存储的新时代。
  • 与现有使用的技术相比,这些最新的存储设备还提供了更好的架构。预计 MRAM 等技术将拥有更好的架构,为数据中心提供效率,这将推动信息技术领域的市场增长。
Next Generation Memory Market Key Trends

北美占主要份额

  • 北美地区一直是下一代技术和基础设施的早期采用者之一。IT 行业极大地推动了美国的经济发展。跨行业的快速变化的技术和高数据生成正在创造对更高效处理系统的需求。这些是推动该地区对下一代内存市场需求的一些因素。
  • 此外,美国政府已启动数据中心优化计划 (DCOI),通过整合该国的许多数据中心,为公众提供更好的服务,同时增加纳税人的投资回报。整合过程包括建立超大规模数据中心和关闭表现不佳的数据中心的过程。迄今为止,政府已经关闭了该国超过 3,215 个数据中心。
  • 此外,北美的内存制造公司正在寻求扩大生产的机会。例如,英特尔已经开始在亚利桑那州新建制造厂,以制造下一代内存和存储解决方案。该项目总投资70亿美元,公司一期投资10亿美元。
  • 此外,2019 年 3 月,Cyxtera Technologies 扩展了其在硅谷、凤凰城、亚特兰大、纽约地铁和多伦多的数据中心设施,这些扩展将这些市场的总容量增加到超过 150 万平方英尺,其中公司总占地面积超过 290 万平方英尺。
Next Generation Memory Market Growth Rate By Region

竞争格局

下一代内存市场高度分散,因为市场竞争激烈,由几个主要参与者组成。该行业的竞争主要取决于通过创新、市场渗透水平和竞争战略的力量获得的可持续竞争优势。由于市场是资本密集型市场,退出壁垒也很高。市场上的一些主要参与者是英特尔公司、东芝公司、富士通有限公司等。市场上最近的一些主要发展是 -

  • 2019 年 8 月 - 三星宣布其第 6 代 V-NAND 内存采用新的电路设计技术,具有 100 个有源层。与三星的上一代 V-NAND 产品相比,它的延迟降低了 10%,功耗降低了 15%。此 V-NAND 还具有比其前代产品更低的功耗。

  • 2019 年 7 月 - 富士通半导体宣布发布 8Mbit ReRAM MB85AS8MT,据报道,这是世界上密度最大的量产产品。这款适用于可穿戴设备的 ReRAM 产品是与松下半导体解决方案有限公司联合开发的。MB85AS8MT 是一款具有 SPI 接口的 EEPROM 兼容非易失性存储器,可在 1.6V 至 3.6V 的宽电源电压范围内工作。该存储器的一个主要特点是在 5MHz 的工作频率下读取操作的平均电流极小,仅为 0.15mA。当安装在具有频繁数据读取操作的电池供电应用中时,这可以最大限度地减少电池消耗。

Table of Contents

  1. 1. INTRODUCTION

    1. 1.1 Study Deliverables

    2. 1.2 Study Assumptions

    3. 1.3 Scope of the Study

  2. 2. RESEARCH METHODOLOGY

  3. 3. EXECUTIVE SUMMARY

  4. 4. MARKET DYNAMICS

    1. 4.1 Market Overview

    2. 4.2 Introduction to Market Drivers and Restraints

    3. 4.3 Market Drivers

      1. 4.3.1 Demand for Universal Memory Devices

      2. 4.3.2 Increasing Demand for Enterprise Storage Applications

    4. 4.4 Market Restraints

      1. 4.4.1 Lack of Stability Under Extreme Environmental Conditions

    5. 4.5 Value Chain / Supply Chain Analysis

    6. 4.6 Industry Attractiveness - Porter's Five Force Analysis

      1. 4.6.1 Threat of New Entrants

      2. 4.6.2 Bargaining Power of Buyers/Consumers

      3. 4.6.3 Bargaining Power of Suppliers

      4. 4.6.4 Threat of Substitute Products

      5. 4.6.5 Intensity of Competitive Rivalry

  5. 5. MARKET SEGMENTATION

    1. 5.1 By Technology

      1. 5.1.1 Non-volatile

        1. 5.1.1.1 Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM)

        2. 5.1.1.2 Ferroelectric RAM (FRAM)

        3. 5.1.1.3 Resistive Random-Access Memory (ReRAM)

        4. 5.1.1.4 3D Xpoint

        5. 5.1.1.5 Nano RAM

        6. 5.1.1.6 Other Non-volatile Technologies (Phase change RAM, STT-RAM, and SRAM)

      2. 5.1.2 Volatile

        1. 5.1.2.1 Hybrid Memory Cube (HMC)

        2. 5.1.2.2 High-bandwidth Memory (HBM)

    2. 5.2 By Application

      1. 5.2.1 BFSI

      2. 5.2.2 Consumer Electronics

      3. 5.2.3 Government

      4. 5.2.4 Telecommunications

      5. 5.2.5 Information Technology

      6. 5.2.6 Other Applications

    3. 5.3 Geography

      1. 5.3.1 North America

      2. 5.3.2 Europe

      3. 5.3.3 Asia-Pacific

      4. 5.3.4 Latin America

      5. 5.3.5 Middle East & Africa

  6. 6. COMPETITIVE LANDSCAPE

    1. 6.1 Company Profiles

      1. 6.1.1 Intel Corporation

      2. 6.1.2 Toshiba Corporation

      3. 6.1.3 Fujitsu Ltd

      4. 6.1.4 Honeywell International Inc.

      5. 6.1.5 Micron Technologies Inc.

      6. 6.1.6 IBM Corporation

      7. 6.1.7 Sony Corporation

      8. 6.1.8 Samsung Electronics Co. Ltd

      9. 6.1.9 Crossbar Inc.

      10. 6.1.10 Cypress Semiconductor Corporation

      11. 6.1.11 Avalanche Technologies Inc.

      12. 6.1.12 Adesto Technologies

      13. 6.1.13 Everspin Technologies Inc.

      14. 6.1.14 SK Hynix Inc.

      15. 6.1.15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC)

    2. *List Not Exhaustive
  7. 7. INVESTMENT ANALYSIS

  8. 8. MARKET OPPORTUNITIES AND FUTURE TRENDS

**Subject to Availability

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Frequently Asked Questions

The Next Generation Memory Market market is studied from 2018 - 2026.

The Next Generation Memory Market is growing at a CAGR of 29.7% over the next 5 years.

Asia Pacific is growing at the highest CAGR over 2021- 2026.

North America holds highest share in 2021.

Intel Corporation, Toshiba Corporation, Fujitsu Ltd, Honeywell International Inc., Micron Technology Inc. are the major companies operating in Next Generation Memory Market.

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