下一代晶体管市场 - 增长、趋势、COVID-19 影响和预测(2022 - 2027 年)

下一代晶体管市场按类型细分(高电子迁移率晶体管 (HEMT)、双极结晶体管 (BJT)、场效应晶体管 (FET)、多发射极晶体管 (MET) 和双栅金属氧化物半导体场效应晶体管) 、最终用户行业(航空航天与国防、工业、电信和消费电子产品)和地理。

市场快照

next generation transistor market
Study Period: 2018 - 2026
Base Year: 2021
Fastest Growing Market: Asia Pacific
Largest Market: North America
CAGR: 4 %

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市场概况

预计下一代晶体管市场在预测期内(2021-2026 年)将以 4% 的复合年增长率增长。晶体管在许多电子电路中一直发挥着核心作用,它们通常用作开关或放大器。随着目前基于硅的晶体管在 14 nm 左右达到顶峰,半导体行业目前正在寻找可以在更小规模上延长摩尔定律的新材料。在过去的二十年中,硅晶体管的尺寸不断扩大,推动了电子革命,晶体管达到了纳米尺寸。随着 CMOS 继续按比例缩小超过某个点,可靠性问题已经扩大。为了超越硅的极限,正在开发具有高载流子速度的新通道材料,以支持下一代晶体管。

报告范围

根据摩尔定律,一英寸计算机上的晶体管数量每年将翻一番,而成本却减半。这段时间现在已经长达 18 个月,并且由于硅的封顶而变得更长。未来的计算设备将需要更强大和更灵活,因为越来越多的应用程序需要提高速度、减少延迟和光检测。这导致业界投资于寻找与硅相比具有更高载流子速度的晶体管的下一代材料。例如,由于电子迁移率比硅高得多,III-V 族半导体材料可以装入更小、更快的晶体管中。

By Type
High Electron Mobility Transistor (HEMT)
Bipolar Junction Transistor (BJT)
Field Effect Transistors (FET)
Multiple Emitter Transistor (MET)
Dual Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effective Transistor
By End-User Industry
Aerospace & Defense
Industrial
Telecommunications
Consumer Electronics
Geography
North America
Europe
Asia Pacific
Latin America
Middle East & Africa

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主要市场趋势

技术进步推动增加器件密度的需求

  • 制造商必须为现有产品寻找合适的替代品以满足消费者的需求。摩尔定律已经实施了几十年,它减小了晶片的尺寸,同时提高了器件密度,这是满足对更快处理日益增长的需求的一种方式。
  • 英特尔公司发布的三栅极晶体管设计为开发能够增强性能的更好的 3D 结构晶体管奠定了基础。将 3D 引入设计已经导致对平面晶体管结构的巨大改进。
  • 这些优势以改进的性能、减少的漏电流、器件密度的大幅增加以及晶体管对带电粒子单粒子扰动的敏感性降低的形式量化。
  • 这种尺寸的减小导致了器件密度的增加,并提升了芯片的功能容量。增加芯片中器件数量的能力会影响整个系统的性能,同时降低每个晶片的成本。
next generation transistor market

亚太地区增长最快

  • 该地区的发展中经济体,如中国和日本,拥有庞大的电子产品制造基地,因此具有成为晶体管市场主要参与者的潜力。
  • 然而,中国在芯片开发方面落后于台湾和韩国。中国为了改变这种局面,将发展自己的半导体行业作为“中国制造2025”计划的核心部分。
  • 中国希望扩大其在电子市场的份额,同时让国内生产达到国内芯片需求的 80%,为其 14 亿人每天使用的无数智能手机、电脑和其他设备提供动力。所有这些因素都有望促进市场增长。
next generation transistor market

竞争格局

下一代晶体管市场是一个竞争激烈的市场。半导体行业本身正在经历一个专业化阶段。从历史上看,该行业一直专注于生产可以执行多种通用功能的计算机芯片。这些芯片在某种程度上是相互关联的。但今天,半导体的应用更加细致入微和差异化,导致许多在各个垂直领域拥有专业知识的利基参与者激增。此外,在这个行业中,除了英特尔等少数主要从事半导体产品设计、制造和制造的企业外,许多企业都将其功能外包。

上述因素使下一代晶体管市场成为一个分散的市场,参与者众多。一些重要的参与者是英特尔公司、英飞凌科技股份公司、意法半导体 NV、德州仪器公司、恩智浦半导体 NV 该行业的一些最新发展如下:-

  • 2019 年 5 月——三星宣布计划开始生产其计划在 2020 年下半年提供的两种 3-nm GAA 工艺中的一种,预计在 2021 年实现量产。该公司计划开始生产下一个 3-nm GAA 2021 年制程,预计 2022 年量产。三星开始量产其 7 纳米 FinFET 工艺,率先使用下一代极紫外 (EUV) 光刻技术。
  • 2018 年 9 月 - NXP Semiconductors NV 宣布推出专为智能工业应用而设计的新型射频功率晶体管,采用突破性的 65 V 横向扩散金属氧化物半导体 (LDMOS) 硅技术,面向工业、科学和医疗应用,例如激光生成、等离子处理、磁共振成像、皮肤治疗和透热疗法以及不断增长的射频能量领域,其中晶体管。

Table of Contents

  1. 1. INTRODUCTION

    1. 1.1 Study Deliverables

    2. 1.2 Study Assumptions

    3. 1.3 Scope of the Study

  2. 2. RESEARCH METHODOLOGY

  3. 3. EXECUTIVE SUMMARY

  4. 4. MARKET DYNAMICS

    1. 4.1 Market Overview

    2. 4.2 Introduction to Market Dynamics

    3. 4.3 Market Drivers

      1. 4.3.1 Technological Advancements Leading To Demand for Increasing Device Densities

      2. 4.3.2 Proliferation of Consumer Electronics and Increased Use of Electronics in the Industrial Sector will Drive the Demand

    4. 4.4 Market Restraints

      1. 4.4.1 Cost of Maintaining Moore's Law is Getting Higher with Low Returns

    5. 4.5 Industry Value Chain Analysis

    6. 4.6 Industry Attractiveness - Porter's Five Force Analysis

      1. 4.6.1 Threat of New Entrants

      2. 4.6.2 Bargaining Power of Buyers/Consumers

      3. 4.6.3 Bargaining Power of Suppliers

      4. 4.6.4 Threat of Substitute Products

      5. 4.6.5 Intensity of Competitive Rivalry

  5. 5. MARKET SEGMENTATION

    1. 5.1 By Type

      1. 5.1.1 High Electron Mobility Transistor (HEMT)

      2. 5.1.2 Bipolar Junction Transistor (BJT)

      3. 5.1.3 Field Effect Transistors (FET)

      4. 5.1.4 Multiple Emitter Transistor (MET)

      5. 5.1.5 Dual Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effective Transistor

    2. 5.2 By End-User Industry

      1. 5.2.1 Aerospace & Defense

      2. 5.2.2 Industrial

      3. 5.2.3 Telecommunications

      4. 5.2.4 Consumer Electronics

    3. 5.3 Geography

      1. 5.3.1 North America

      2. 5.3.2 Europe

      3. 5.3.3 Asia Pacific

      4. 5.3.4 Latin America

      5. 5.3.5 Middle East & Africa

  6. 6. COMPETITIVE LANDSCAPE

    1. 6.1 Company Profiles

      1. 6.1.1 NXP Semiconductors N.V.

      2. 6.1.2 Infineon Technologies AG

      3. 6.1.3 STMicroelectronics N.V.

      4. 6.1.4 Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.)

      5. 6.1.5 Texas Instruments Incorporated

      6. 6.1.6 Intel Corporation

      7. 6.1.7 GLOBALFOUNDRIES Inc.

      8. 6.1.8 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company

      9. 6.1.9 Samsung Electronics Co., Ltd

      10. 6.1.10 Microchip Technology Inc.

    2. *List Not Exhaustive
  7. 7. INVESTMENT ANALYSIS

  8. 8. MARKET OPPORTUNITIES AND FUTURE TRENDS

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Frequently Asked Questions

The Next-Generation Transistors Market market is studied from 2018 - 2026.

The Next-Generation Transistors Market is growing at a CAGR of 4% over the next 5 years.

Asia Pacific is growing at the highest CAGR over 2021- 2026.

North America holds highest share in 2021.

NXP Semiconductors N.V., Infineon Technologies AG, STMicroelectronics N.V., Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.), Texas Instruments Incorporated are the major companies operating in Next-Generation Transistors Market.

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