Marktgröße und -anteil für strahlengehärtete Elektronik

Zusammenfassung des Marktes für strahlengehärtete Elektronik
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Marktanalyse für strahlengehärtete Elektronik von Mordor Intelligenz

Die Marktgröße für strahlengehärtete Elektronik beträgt 1,88 Milliarden USD im Jahr 2025 und wird voraussichtlich auf 2,27 Milliarden USD bis 2030 steigen, was eine CAGR von 3,84% widerspiegelt. Die Nachfrage spaltet sich weiterhin zwischen ultra-hochzuverlässigen Teilen für Tief-Raum- und strategische Verteidigungsmissionen und kostenoptimierten, strahlungstoleranten Geräten für proliferierte niedrig-Erde-Orbit (LEO) Konstellationen und stratosphärische Plattformen auf. Geopolitische Treiber - insbesondere NATO-Nuklearmodernisierungsprogramme, erneuerter Nuklearkraftbau In Asien und der Hochlauf von Kleinsatellitenstarts - gestalten Produkt-Roadmaps und Qualifizierungsprioritäten neu. Kommerzielle Foundries kooperieren mit Verteidigungsherstellern, um reife Siliziumknoten zu erweitern und dabei Galliumnitrid (gan) und Siliziumkarbid (SiC) für Stromsysteme der nächsten Generation zu integrieren. Lieferkettenengpässe In ≤90 nm Strahlung-Hard-by-Verfahren (RHBP) Kapazitäten fördern zusammen mit sich entwickelnden Exportkontrollregimen einen parallelen Schub hin zu Strahlung-Hard-by-Design (RHBD) Methoden, die Entwicklungszyklen verkürzen und Kosten senken.

Wichtige Erkenntnisse des Berichts

  • Nach Endverbrauchern führte das Raumfahrtsegment mit 46,3% Marktanteil für strahlengehärtete Elektronik im Jahr 2024, während hoch-Höhe UAV/HAPS-Plattformen für die schnellste CAGR von 4,2% bis 2030 positioniert sind.
  • Nach Komponenten hielten integrierte Schaltkreise 31,5% Anteil im Jahr 2024, während Feld-programmierbar Tor Arrays mit einer CAGR von 4,6% bis 2030 expandieren werden.
  • Nach Halbleitermaterial behielt Silizium 71% Anteil im Jahr 2024; Galliumnitrid-Leistungsgeräte werden voraussichtlich mit einer CAGR von 5,7% zwischen 2025-2030 voranschreiten.
  • Nach Produkttyp beherrschten Leistungs- und Lineargeräte 27,4% Anteil der Marktgröße für strahlengehärtete Elektronik im Jahr 2024; Prozessoren und Controller werden voraussichtlich mit einer CAGR von 4,8% bis 2030 wachsen.
  • Nach Herstellungstechnik eroberte RHBP 55,2% Anteil im Jahr 2024, während RHBD-Ansätze mit einer CAGR von 3,9% bis 2030 steigen.
  • Nach Geografie entfielen auf Nordamerika 39,8% Anteil des Marktes für strahlengehärtete Elektronik im Jahr 2024; der asiatisch-pazifische Raum wird voraussichtlich die höchste CAGR von 4,1% bis 2030 verzeichnen.

Segmentanalyse

Nach Endverbrauchern: Raumfahrt-Dominanz treibt Innovationsprioritäten

Das Raumfahrtsegment entfiel auf 46,3% des Marktes für strahlengehärtete Elektronik im Jahr 2024 und verankert Spezifikationsbaselines für Gesamt-Ionizing-Dosis- und einzel-Ereignis-Effect-Immunität. Betreiber, die von maßgeschneiderten GEO-Raumfahrzeugen zu proliferierten LEO-Konstellationen wechseln, tauschen nun etwas Widerstandsfähigkeit gegen niedrigere Kosten und schnelle Erneuerung ein und katalysieren Hybrid-Produktlinien, die 30 krad(Si) Designziele mit geringerer Abschirmmasse verbinden. NASAs Artemis-Mondprogramm und kommerzielle cislunar Logistik unterstützen stetige Nachfrage nach ≥100 krad(Si) Geräten, die Tief-Raum-Strahlungsgürtel überleben.

hoch-Höhe UAV/HAPS-Plattformen, mit 4,2% Wachstum bis 2030 prognostiziert, erweitern Luft- und Raumfahrt-Elektronik In ein quasi-Weltraum-Strahlungsspektrum. Designer nutzen RHBD-FPGAs für Adaptiv Nutzlasten und verwenden breit-Band-Gap-Leistungsstufen, um enge Energiebudgets zu erfüllen. Die Marktgröße für strahlengehärtete Elektronik für dieses Untersegment wird voraussichtlich erweitert, da 6G-Netzwerk-Rückfracht-Tests von Prototypen zu operativen Flotten migrieren.

Markt für strahlengehärtete Elektronik
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Nach Komponenten: Integrierte Schaltkreise führen inmitten des FPGA-Anstiegs

Integrierte Schaltkreise hielten 31,5% Marktanteil für strahlengehärtete Elektronik im Jahr 2024, wobei gemischt-Signal-ASICs mehrere analoge Front-Ends und Strom-Management-Funktionen auf einem einzigen Die konsolidieren, um Planke-Ebene-Masse zu reduzieren. Lieferrisiken rund um SEE-fähige Strahl-Zeit veranlassen Chip-HäBenutzer, identische IP-Blöcke gleichzeitig auf zwei Foundry-Flows zu qualifizieren und Kontinuitätspläne zu stärken.

Feld-programmierbar Tor Arrays repräsentieren die schnellste CAGR von 4,6%, da Satellitenbetreiber In-Orbit-Rekonfiguration schätzen. Die neueste Kintex UltraScale XQRKU060-Klasse verbindet 2 Millionen Logikzellen mit An-Chip-Scrub-Controllern, die Konfigurationsspeicher-Störungen mindern. Der Markt für strahlengehärtete Elektronik sieht FPGAs die Lücke zwischen Fest-Funktion-Silizium und Software-only Fehlermilderung überbrücken und Anteil von diskreter Logik erobern.

Nach Produkttyp: Leistungs- & Linear-Dominanz herausgefordert durch Prozessoren

Leistungs- und Lineargeräte eroberten 27,4% Anteil im Jahr 2024, angetrieben durch Raumfahrzeug-Strom-Verarbeitung-Einheiten, die gan oder SiC verwenden, um Effizienz zu steigern und dabei SEL-Immunität zu erhalten. Neue 50 V gan-Halbbrückenmodule mit Bewertung über 2 MHz Schaltung liefern Schüttgut-Konverter-Dichteergebnisse mit minimaler Derating unter Strahlung.

Prozessoren und Controller führen die schnellste CAGR von 4,8% an, da Missionsautonomie beschleunigt. EdgeCortixs SAKURA-I KI-Beschleuniger verzeichnete null destruktive Ereignisse In Schwerionen-Tests und validiert niedrig-Strom-Inferenz-Motoren für Onboard-Datenreduktion. Die Marktgröße für strahlengehärtete Elektronik im Zusammenhang mit rechenintensiven Nutzlasten wird expandieren, da optische Sensorkonstellationen proliferieren

Nach Herstellungstechnik: RHBP-Dominanz konfrontiert RHBD-Herausforderung

RHBP-Lösungen behielten 55,2% Anteil im Jahr 2024, unterstützt durch legacy SOI- und Polysilizium-Isolationsstapel, die intrinsische Härte bieten. Doch steigende Maskensatz-Kosten und knappe Unter-90 nm Kapazität ermutigen Primes, zu RHBD-Flows zu schwenken, die Triple modular Redundancy und Guard Rings In Mainstream-CMOS einbetten. Kommerziell Leap Ahead-Projekte sponsern ultra-Dünne SOI-Waffel, die versprechen, RHBP-Widerstandsfähigkeit mit höherem fmax zu verbinden und die Kostenkurve für Nächste-Generation-Teile zu biegen.

RHBDs prognostizierte CAGR von 3,9% spiegelt seine Agilität wider: Designer tapen Prototypen In Monaten aus, nutzen Foundry Shuttle Runs und verlassen sich auf Firmware-Scrubbing, um Restfehler zu erfassen. Software-gesicherte Architekturen wie Montana Zustand Universitys RadSat zeigen, wie COTS-FPGAs, wenn tripliziert und gescrubt, LEO-hoch-Zeit-Metriken ohne einzigartige Prozessschritte erfüllen können.

Markt für strahlengehärtete Elektronik
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Nach Halbleitermaterial: Silizium-Dominanz herausgefordert durch GaN

Siliziumgeräte behielten weiterhin 71% Anteil im Jahr 2024 dank ausgereifter Qualifizierungsbibliotheken und kosteneffizienter Volumen-Flows. Neueste Arbeiten an n-In-p Pixelsensoren und Tief-Trench-Isolierung steigern TID-Widerstandsfähigkeit weiter und erweitern Siliziums Roadmap In 2030 für gemischt-Signal-Instrumentierung.

gan, projiziert mit 5,7% CAGR-Wachstum, unterstützt Nächste-Generation-Strom-Konverter, die heißer laufen und schneller schalten, ohne Strahlungs-Headroom zu opfern. Robuste p-gan HEMTs, getestet auf 558 V einzel-Ereignis-Burnout-Schwellwerte, illustrieren GaNs Marge über konventionelle Geräte. Die Industrie für strahlengehärtete Elektronik experimentiert auch mit SiC für Hochspannungs-Bus-Regulatoren und mit InP für strahlungstolerante photonische Links.

Nach Strahlungstyp: TID-Geräte führen, während SEE-Milderung wächst

TID-gehärtete Geräte entfielen auf 58,7% des 2024er Umsatzes, was Missionsplanners Priorität widerspiegelt, kumulative Dosis über mehrjährige Expositionen zu verwalten. Aktualisierte Ohr-Sprache referenziert nun Teile mit Bewertung über 100 krad(Si) unter ECCN 3A001 und verschärft die Klassifizierung für einige kommerzielle Flows.

SEE-gemilderte Teile wachsen am schnellsten mit 5,3% CAGR, da einzel-Ereignis-Latchup In modernen hochdichten Knoten katastrophales Risiko darstellt. Designreviews paaren nun Geräte-Ebene-Härung mit Planke-Ebene-Fehlersolations-Sicherung, um latente Schäden zu beschränken. Der Markt für strahlengehärtete Elektronik neigt entsprechend zu mehrere-Effect-Qualifizierung und verschmilzt TID-, DDD- und SEE-Kriterien In einem einheitlichen Testplan.

Geografische Analyse

Nordamerika generierte 39,8% der 2024er Verkäufe, gestützt durch anhaltende Verteidigungsbudgets und NASA-Explorationsinitiativen. Vertrauenswürdige heimische Foundries plus dedizierte Strahl-Linie-Kapazität In Einrichtungen wie NSWC Kran verkürzen Zertifizierungsschleifen und verankern viele Prime-Contractor-Lieferketten. Raum-Handel-Diversifikation In Mondkommunikation und Asteroiden-Prospektierungsmissionen sollte regionale Nachfrage weiter unterstützen.

Der asiatisch-pazifische Raum verzeichnet die schnellste CAGR von 4,1% bis 2030, da China, Indien und Südkorea Raketenflotten skalieren und neue Nuklearreaktoren In Betrieb nehmen. Regierungsraumfahrtagenturen co-investieren mit lokalen Universitäten In RHBD-Designzentren, um Abhängigkeit von importierten Teilen zu verringern. Emerging Kommerziell Launch-Anbieter übernehmen ebenfalls strahlungstolerante FPGAs, um agile Satelliten-Geschäftsmodelle zu erfüllen.

Europa kombiniert ESAs Große Missionspipeline mit starken Nuklearkraftwerks-Refurbishment-Zeitplänen. Neuromorphe Onboard-Verarbeitung-Programme wie die NEUROSPACE-Initiative unterstreichen die Regions Schwenk zu ultra-niedrig-Strom Compute. Mitte-Ost-Weltraumbüros In den VAE und Saudi-Arabien-Arabien verfolgen Mars-Sonden und Erdbeobachtungscluster und eröffnen Nischenmöglichkeiten für lokalisierte Montage und Tests. Südamerika bleibt noch In den Anfängen, profitiert aber von brasilianischen und argentinischen Kleinsatellitenprojekten, die heimische Avionik suchen.

Markt für strahlengehärtete Elektronik
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Wettbewerbslandschaft

Der Markt für strahlengehärtete Elektronik konzentriert sich um einen Kern lang etablierter Verteidigungsprimes, Satelliten-Subsystemhersteller und spezialisierter HalbleiterhäBenutzer. Etablierte Unternehmen nutzen vertikal integrierte Design-Foundry-prüfen-Ketten, um vollständige maßgeschneiderte ASICs zu liefern, während neue Marktteilnehmer ausgewählte Nischen mit strahlungstoleranten COTS-Derivaten angreifen, die 30-50% Günstiger sind. Diese Kosten-Leistungs-Spaltung fördert Dual-Sourcing-Strategien In den meisten Satellitenkonstellationen.

Geistig-Eigentum-Portfolios betonen zunehmend fehlerkorrigierende DSP-Kerne, redundante Taktbäume und Adaptiv Versorgungsschienen-Monitore. Lizenzierung gehärteter IP-Blöcke beschleunigt Zeit-Zu-Markt für Startups, denen vollständige maßgeschneiderte Front-End-Kapazität fehlt. Neben Chip-Innovation verfolgen Planke-Ebene-Integratoren modulare Kleinsatelliten-Avionik mit Stecker-Und-Play-Strom- und Daten-Backplanes und erleichtern An-Orbit-Wartung.

Strategische Partnerschaften zielen darauf ab, knappe RHBP-Kapazität zu sichern: Satelliten-Primes sperren mehrjährige Waffel-Reserven bei vertrauenswürdigen Fabs, während Foundries Verfahren-Design-Bausätze co-entwickeln, die Strahlungseffekt-Modelle einbetten. Gleichzeitig erweitern Leiterplatten-Produzenten wie TTM Technologien kontrollierte Impedanz- und rf-Laminat-Linien, die auf Harsh-Environment-Nutzlasten zugeschnitten sind und Umsatzströme über Verteidigung hinaus diversifizieren.

Industrieführer für strahlengehärtete Elektronik

  1. Honeywell International Inc.

  2. BAE Systeme PLC

  3. Texas Instrumente

  4. Daten Gerät Corporation

  5. Frontgrade Technologien

  6. *Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
Markt für strahlengehärtete Elektronik
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Jüngste Branchenentwicklungen

  • Mai 2025: Infineon begann mit 300 mm gan-Pilotlinien, die 2,3× Chip-Ausgabe pro Waffel liefern und die Verfügbarkeit von rad-hard Leistungsgeräten steigern.
  • April 2025: Das uns-DoD startete Kommerziell Leap Ahead-Initiativen zur Reifung von rad-hard SOI-Wafern und gan HEMT-Geräten.
  • März 2025: SkyWater positioniert als vertrauenswürdige uns-Foundry für RH90 SOI strahlengehärtete Chips, In Einklang mit Kommerziell Leap Ahead-Projekten.
  • Februar 2025: EdgeCortix SAKURA-I KI-Beschleuniger widerstand Schwerionen-Exposition ohne destruktive Ereignisse und befördert niedrig-Strom-Onboard-Inferenz.
  • Januar 2025: Carnegie Mellon University enthüllte eine kompakte strahlungstolerante umdrehen-Flop-Architektur, die für CubeSat-Flugtests im Jahr 2026 vorgesehen ist

Inhaltsverzeichnis für den Industriebericht über strahlengehärtete Elektronik

1. EINFÜHRUNG

  • 1.1 Studienannahmen und Marktdefinition
  • 1.2 Studienumfang

2. FORSCHUNGSMETHODIK

3. ZUSAMMENFASSUNG

4. MARKTLANDSCHAFT

  • 4.1 Marktüberblick
  • 4.2 Markttreiber
    • 4.2.1 Anstieg der LEO- und Tief-Raum-Satellitenkonstellationen
    • 4.2.2 Modernisierung strategischer und taktischer Verteidigungselektronik In der NATO-Region
    • 4.2.3 Nuklear-Neubau-Momentum In Asien und Naher Osten
    • 4.2.4 hoch-Höhe UAV- und Überschallflugzeugelektronik-Widerstandsfähigkeitsbedürfnisse
    • 4.2.5 Vorgeschriebene Strahlungstoleranzstandards In der medizinischen Bildgebung (uns-FDA, EU MDR)
    • 4.2.6 Schnelle Übernahme von SiC/gan Rad-Hard Leistungsgeräten In Raumfahrzeug-PPU
  • 4.3 Markthemmnisse
    • 4.3.1 Hohe Design-für-Reliability-Kosten und lange Qualifizierungszyklen
    • 4.3.2 Eingeschränkte Foundry-Kapazität für RHBP (Rad-Hard-by-Verfahren) Knoten ≤ 90 nm
    • 4.3.3 Leistungsabwägungen vs COTS-Chips (Geschwindigkeit, Dichte)
    • 4.3.4 ITAR/Exportkontroll-Lieferketten-Engpässe
  • 4.4 Industrieökosystem-Analyse
  • 4.5 Technologischer Ausblick
  • 4.6 Porters Fünf-Kräfte-Analyse
    • 4.6.1 Verhandlungsmacht der Lieferanten
    • 4.6.2 Verhandlungsmacht der Käufer
    • 4.6.3 Bedrohung durch neue Marktteilnehmer
    • 4.6.4 Bedrohung durch Ersatzprodukte
    • 4.6.5 Grad des Wettbewerbs

5. MARKTGRÖSSE UND WACHSTUMSPROGNOSEN (WERTE)

  • 5.1 Nach Endverbrauchern
    • 5.1.1 Raumfahrt
    • 5.1.2 Luft- und Raumfahrt und Verteidigung (Luft, Land, Marin)
    • 5.1.3 Nuklearstromerzeugung und Brennstoffkreislauf
    • 5.1.4 Medizinische Bildgebung und Radiotherapie
    • 5.1.5 hoch-Höhe UAV/HAPS-Plattformen
    • 5.1.6 Industrielle Teilchenbeschleuniger und Forschungslabore
  • 5.2 Nach Komponenten
    • 5.2.1 Diskrete Halbleiter
    • 5.2.2 Sensoren (optisch, Bild, Umwelt)
    • 5.2.3 Integrierte Schaltkreise (ASIC, SoC)
    • 5.2.4 Mikrocontroller und Mikroprozessoren
    • 5.2.5 Speicher (SRAM, MRAM, FRAM, EEPROM)
    • 5.2.6 Feld-programmierbar Tor Arrays (FPGA)
    • 5.2.7 Strom-Management-ICs
  • 5.3 Nach Produkttyp
    • 5.3.1 Analog und Mischsignal
    • 5.3.2 Digitale Logik
    • 5.3.3 Leistung und Linear
    • 5.3.4 Prozessoren und Controller
  • 5.4 Nach Herstellungstechnik
    • 5.4.1 Rad-Hard-by-Design (RHBD)
    • 5.4.2 Rad-Hard-by-Verfahren (RHBP)
    • 5.4.3 Rad-Hard-by-Software/Firmware-Milderung
  • 5.5 Nach Halbleitermaterial
    • 5.5.1 Silizium
    • 5.5.2 Siliziumkarbid (SiC)
    • 5.5.3 Galliumnitrid (gan)
    • 5.5.4 Andere (InP, GaAs)
  • 5.6 Nach Strahlungstyp
    • 5.6.1 Gesamt Ionizing Dosis (TID)
    • 5.6.2 einzel-Ereignis Effects (SEE)
    • 5.6.3 Displacement Damage Dosis (DDD)
    • 5.6.4 Neutronen- und Protonenfluenz
  • 5.7 Nach Geografie
    • 5.7.1 Nordamerika
    • 5.7.2 Europa
    • 5.7.3 Asiatisch-pazifischer Raum
    • 5.7.4 Südamerika
    • 5.7.5 Naher Osten und Afrika

6. WETTBEWERBSLANDSCHAFT

  • 6.1 Marktkonzentration
  • 6.2 Strategische Züge (M&eine, JV, Finanzierung, Tech-Roadmaps)
  • 6.3 Marktanteilsanalyse
  • 6.4 Unternehmensprofile (beinhaltet globale Übersicht, Markt-Ebene-Übersicht, Kernsegmente, Finanzen, strategische Informationen, Marktrang/-anteil, Produkte und Dienstleistungen, jüngste Entwicklungen)
    • 6.4.1 Honeywell International Inc.
    • 6.4.2 BAE Systeme plc
    • 6.4.3 CAES (Cobham Fortgeschritten Elektronisch Lösungen)
    • 6.4.4 Texas Instrumente Inc.
    • 6.4.5 STMicroelectronics N.V.
    • 6.4.6 Microchip Technologie Inc.
    • 6.4.7 Infineon Technologien AG
    • 6.4.8 Frontgrade Technologien
    • 6.4.9 Teledyne e2v Semiconductors
    • 6.4.10 Xilinx (RT-Serie, AMD)
    • 6.4.11 Renesas Elektronik Corp.
    • 6.4.12 Fest Zustand Geräte Inc.
    • 6.4.13 Micropac Industries Inc.
    • 6.4.14 Everspin Technologien Inc.
    • 6.4.15 Vorago Technologien
    • 6.4.16 Analog Geräte HiRel
    • 6.4.17 International Rectifier HiRel (Infineon)
    • 6.4.18 Maxwell Technologien (ES-Kondensatoren)
    • 6.4.19 3D Plus
    • 6.4.20 GSI Technologie, Inc.

7. MARKTCHANCEN UND ZUKUNFTSAUSBLICK

  • 7.1 Weiß-Raum- und Unmet-Need-Bewertung
  • 7.2 Emerging Opportunities In modularer Kleinsatelliten-Avionik
  • 7.3 An-Orbit-Wartung und Herstellungselektronik
  • 7.4 Strahlungstolerante KI-Beschleuniger für Rand-Raum Berechnung
  • 7.5 Zusatzstoff Fertigung von Rad-Hard-Packages
*Die Liste der Anbieter ist dynamisch und wird basierend auf dem angepassten Studienumfang aktualisiert
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Globaler Berichtsumfang für den Markt für strahlengehärtete Elektronik

Strahlungshärtung ist eine Technik zum Entwerfen und Herstellen von Elektronik für den Einsatz In Großer Höhe oder gefährlichen Anwendungen, wo die eingesetzte Ausrüstung anfällig für Schäden und Fehlfunktionen durch Gamma- und Neutronenstrahlung ist. Der Markt für strahlengehärtete Elektronik umfasst ausgeklügelte strahlengehärtete Elektroniksysteme, die für verschiedene Raumfahrt-, Militär- und kommerzielle Anwendungen verwendet werden, wie Satellitensystem-Stromversorgung, Schaltregler, Mikroprozessoren im Militär und Steuerungssysteme In Kernreaktoren.

Der Markt für strahlengehärtete Elektronik ist segmentiert nach Endverbraucher (Raumfahrt, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, und Nuklearkraftwerke), Komponente (diskret, Sensor, integrierter Schaltkreis, Speicher, und Mikrocontroller und Mikroprozessoren), Geografie (Amerika, Europa, Asiatisch-pazifischer Raum und Rest der Welt). Der Bericht bietet Marktgröße und Prognosen In Werten (USD) für alle oben genannten Segmente.

Nach Endverbrauchern
Raumfahrt
Luft- und Raumfahrt und Verteidigung (Luft, Land, Marine)
Nuklearstromerzeugung und Brennstoffkreislauf
Medizinische Bildgebung und Radiotherapie
High-Altitude UAV/HAPS-Plattformen
Industrielle Teilchenbeschleuniger und Forschungslabore
Nach Komponenten
Diskrete Halbleiter
Sensoren (optisch, Bild, Umwelt)
Integrierte Schaltkreise (ASIC, SoC)
Mikrocontroller und Mikroprozessoren
Speicher (SRAM, MRAM, FRAM, EEPROM)
Field-Programmable Gate Arrays (FPGA)
Power-Management-ICs
Nach Produkttyp
Analog und Mischsignal
Digitale Logik
Leistung und Linear
Prozessoren und Controller
Nach Herstellungstechnik
Rad-Hard-by-Design (RHBD)
Rad-Hard-by-Process (RHBP)
Rad-Hard-by-Software/Firmware-Milderung
Nach Halbleitermaterial
Silizium
Siliziumkarbid (SiC)
Galliumnitrid (GaN)
Andere (InP, GaAs)
Nach Strahlungstyp
Total Ionizing Dose (TID)
Single-Event Effects (SEE)
Displacement Damage Dose (DDD)
Neutronen- und Protonenfluenz
Nach Geografie
Nordamerika
Europa
Asiatisch-pazifischer Raum
Südamerika
Naher Osten und Afrika
Nach Endverbrauchern Raumfahrt
Luft- und Raumfahrt und Verteidigung (Luft, Land, Marine)
Nuklearstromerzeugung und Brennstoffkreislauf
Medizinische Bildgebung und Radiotherapie
High-Altitude UAV/HAPS-Plattformen
Industrielle Teilchenbeschleuniger und Forschungslabore
Nach Komponenten Diskrete Halbleiter
Sensoren (optisch, Bild, Umwelt)
Integrierte Schaltkreise (ASIC, SoC)
Mikrocontroller und Mikroprozessoren
Speicher (SRAM, MRAM, FRAM, EEPROM)
Field-Programmable Gate Arrays (FPGA)
Power-Management-ICs
Nach Produkttyp Analog und Mischsignal
Digitale Logik
Leistung und Linear
Prozessoren und Controller
Nach Herstellungstechnik Rad-Hard-by-Design (RHBD)
Rad-Hard-by-Process (RHBP)
Rad-Hard-by-Software/Firmware-Milderung
Nach Halbleitermaterial Silizium
Siliziumkarbid (SiC)
Galliumnitrid (GaN)
Andere (InP, GaAs)
Nach Strahlungstyp Total Ionizing Dose (TID)
Single-Event Effects (SEE)
Displacement Damage Dose (DDD)
Neutronen- und Protonenfluenz
Nach Geografie Nordamerika
Europa
Asiatisch-pazifischer Raum
Südamerika
Naher Osten und Afrika
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Im Bericht beantwortete Schlüsselfragen

Wie Groß ist der aktuelle Markt für strahlengehärtete Elektronik und wie schnell wächst er?

Der Markt steht bei 1,88 Milliarden USD im Jahr 2025 und wird voraussichtlich 2,27 Milliarden USD bis 2030 erreichen, was eine CAGR von 3,84% widerspiegelt.

Welches Endverbrauchersegment generiert heute den höchsten Umsatz?

Raumfahrtanwendungen führen mit 46,3% Anteil im Jahr 2024, verankert durch Satellitenkonstellationen und Tief-Raum-Missionen, die ultra-hohe Strahlungstoleranz erfordern.

Wo wird das schnellste regionale Wachstum bis 2030 erwartet?

Der asiatisch-pazifische Raum zeigt das höchste projizierte Wachstum mit einer CAGR von 4,1%, angetrieben durch expandierende Raumfahrtprogramme und neue Nuklearkraftbauten.

Welche Komponentenkategorie expandiert am schnellsten?

Feld-programmierbar Tor Arrays werden mit einer CAGR von 4,6% wachsen, da ihre In-Orbit-Rekonfigurierbarkeit Betreibern ermöglicht, Nutzlasten ohne physischen Zugang zu aktualisieren.

Wie beeinflussen breit-Band-Gap-Materialien den Markt?

Galliumnitrid-Leistungsgeräte gewinnen mit einer CAGR-Prognose von 5,7% an Zugkraft und bieten höhere Effizienz und größere einzel-Ereignis-Widerstandsfähigkeit als traditionelle Siliziumteile.

Was ist der Hauptlieferketten-Engpass für Hersteller?

Eingeschränkte Foundry-Kapazität für RHBP-Knoten bei oder unter 90 nm limitiert die Produktion fortschrittlicher Geräte und verlängert Qualifizierungszeiten.

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