| Studienzeitraum | 2019 - 2029 |
| Basisjahr für die Schätzung | 2023 |
| CAGR | 6.75% |
| Schnellstwachsender Markt | Asien-Pazifik |
| Größter Markt | Nordamerika |
| Marktkonzentration | Niedrig |
Hauptakteure*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert |
Marktanalyse für HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren
Der Markt für HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren wird im Prognosezeitraum (2022-2027) voraussichtlich mit einer CAGR von 6,75 % wachsen. HF-Transistoren werden in Geräten wie Stereoverstärkern, Radiosendern, Fernsehmonitoren usw. verwendet, um Hochleistungs-Hochfrequenzsignale (HF) zu verarbeiten. In Anwendungen wie Radar, Telekommunikation und drahtloser Technologie werden HF- und Mikrowellentransistoren verwendet, um elektronische Signale und Leistung zu verstärken oder zu schalten. Diese Transistoren spielen eine Rolle für das reibungslose Funktionieren der Geräte.
Zu den Haupttreibern des globalen HF-/Mikrowellen-Leistungstransistormarktes für 5G gehören die steigende Nachfrage, erhöhte Investitionen in Forschung und Entwicklung sowie die schnelle Zulassung neuer Technologien. Der HF-Mikrowellen-Leistungstransistor verstärkt oder schaltet Hochleistungssignale in der Luft- und Raumfahrt und im Militär. Radarsysteme, Kommunikationssysteme, elektronische Kriegsführungssysteme und Raketenleitsysteme verwenden es alle als Sender oder Empfänger. Der HF-Mikrowellen-Leistungstransistor erhöht den Wirkungsgrad und reduziert gleichzeitig Größe und Gewicht in diesen Systemen.
In der Kommunikation wird der HF-Mikrowellen-Leistungstransistor verwendet, um die Leistung der Mikrowellenübertragung zu verstärken oder zu schalten. Es kann auch zur Steuerung der Signalrichtung und als Verstärker oder Oszillator verwendet werden. Es kann auch als Schaltgerät verwendet werden, um Signale zwischen verschiedenen Bereichen eines Stromkreises zu leiten. Der HF-Mikrowellen-Leistungstransistor ist eine wichtige Komponente beim Design von Mikrowellensystemen.
Aufgrund der jüngsten Zunahme der Informationsgeschwindigkeit und -kapazität nehmen die Leistung von Hochleistungs-Halbleitermodulen, die in der Informationskommunikation und in den Leistungsfeldern verwendet werden, sowie die Anzahl der pro Flächeneinheit montierten Halbleiterchips zu, und Überhitzung hat sich zu einem wichtigen Problem entwickelt. Um eine hohe Wärmeleitfähigkeit und eine geringe Wärmeausdehnung zu erzielen, rücken Metall-Diamant-Verbundwerkstoffe in den Vordergrund.
The Good System hat es geschafft, die weltweit besten Wärmeableitungseigenschaften mit einer Wärmeleitfähigkeit von 800 W/mK und einem Wärmeausdehnungskoeffizienten von 8 ppm als Wärmeableitungsmaterial für Hochfrequenz-Leistungstransistoren (HF) für die drahtlose 56G-Kommunikation und Hochleistungs-Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBT) für Elektrofahrzeuge zu erzeugen.
Darüber hinaus hat die Covid-19-Pandemie den Markt für Leistungstransistoren erheblich beeinflusst. Aufgrund der Verlangsamung und der mangelnden Verfügbarkeit von Arbeitskräften auf der ganzen Welt kamen die Halbleiter- und Elektronikfertigungsanlagen zum Stillstand. COVID-19 führte zu einem starken und anhaltenden Rückgang der Fabrikauslastung, Reiseverboten und Schließungen von Produktionsstätten, was zu einer Verlangsamung des Wachstums der Energieübertragungsbranche führte.
Markttrends für HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren
Es wird erwartet, dass der Kommunikationssektor den Markt ankurbeln wird
Wie von Ericsson angegeben, wird 5G voraussichtlich die am weitesten verbreitete Mobilfunktechnologie in der Geschichte sein und bis 2027 etwa 75 % der Weltbevölkerung abdecken.
Es wird analysiert, dass der Markt für 5G-fähige Geräte in den kommenden Jahren aufgrund steigender Datenverarbeitungsanforderungen und eines erhöhten Verbrauchs schnell wachsen wird. Um der wachsenden Nachfrage nach 5G-fähigen Geräten gerecht zu werden, werden Halbleiterhersteller für 5G-fähige Smartphones eine erhöhte Nachfrage nach 5G-Chips verzeichnen. Der Anstieg der Halbleiterchips wird dazu beitragen, die Halbleiterindustrie voranzubringen und die Nachfrage nach Leistungstransistoren anzukurbeln.
Für die 5G- und 6G-Infrastruktur hat RF GaN-on-Silicon ein erhebliches Potenzial. HF-Leistungsverstärker der frühen Generation wurden von der seit langem etablierten HF-Leistungstechnologie, dem seitlich diffusen Metalloxid-Halbleiter (LDMOS) (PAs), dominiert. GaN kann verbesserte HF-Eigenschaften und eine viel höhere Ausgangsleistung für diese HF-PAs bieten als LDMOS. Darüber hinaus kann es auf Silizium- oder Siliziumkarbid (SiC)-Wafern hergestellt werden.
Im Dezember 2021 hat Microchip Technology Inc. sein Portfolio an Galliumnitrid (GaN) Hochfrequenz (HF)-Leistungsbauelementen, die Frequenzen bis zu 20 Gigahertz (GHz) abdecken, um zusätzliche MMICs und diskrete Transistoren erweitert. Die Bausteine kombinieren einen hohen Wirkungsgrad (PAE) und eine hohe Linearität, um ein neues Leistungsniveau in einer Vielzahl von Anwendungen zu erreichen, darunter 5G, elektronische Kriegsführung, Satellitenkommunikation, kommerzielle und militärische Radarsysteme sowie Testgeräte.
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Es wird erwartet, dass der asiatisch-pazifische Raum die schnellste Wachstumsrate verzeichnen wird
Der asiatisch-pazifische Raum ist aufgrund der Präsenz großer Unternehmen wie der Toshiba Corporation und der Mitsubishi Electric Corporation der am schnellsten wachsende Bereich auf dem globalen Markt für Leistungstransistoren. China, Japan, Taiwan und Südkorea gehören zu den wenigen Ländern, die die Halbleiterfertigungsindustrie dominieren und damit den Markt beeinflussen. Die Region hat auch einen bedeutenden Markt für Smartphones und 5G-Technologien und einen Anstieg der Herstellungsausgaben.
Aufgrund des anhaltenden Transfers verschiedener elektronischer Geräte nach China steigt der Halbleiterverbrauch in Japan, Südkorea und China im Vergleich zu anderen Nationen in der Region schnell an. Darüber hinaus sind in Asien die fünf weltweit führenden Sektoren der Unterhaltungselektronik ansässig, die im Prognosezeitraum enorme Aussichten für die Einführung von Halbleitern in der gesamten Region bieten.
Laut einem Dreijahresplan, der im Juli 2021 von zehn Regierungsstellen veröffentlicht wurde, plante China, bis Ende 2023 560 Millionen 5G-Mobilfunkkunden und eine Durchdringungsrate von 35 Prozent der schnellen drahtlosen Technologie bei großen Industrieunternehmen zu haben. Der Einsatz von 5G in verschiedenen Branchen sei maßgeblich für die digitale, vernetzte und intelligente Transformation von Wirtschaft und Gesellschaft.
Auch der Halbleitermarkt in Taiwan wächst aufgrund der Unterstützung durch die Regierung. Im April 2021 gab der Nationale Entwicklungsfonds bekannt, dass taiwanesische Unternehmen zwischen 2021 und 2025 Investitionen in Höhe von 107 Milliarden US-Dollar für das Wachstum der Halbleiterindustrie planen. Die Regierung unterstützt auch die Entwicklung neuer Halbleitertechnologien mit finanzieller Unterstützung sowie Talentrekrutierungsprogrammen.
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HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren Branchenübersicht
Der Markt für HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren ist aufgrund der Präsenz bedeutender Akteure wie Onsemi Corporation, Renesas Electronics Corporation, Infineon Technologies AG, Texas Instruments Inc., NXP Semiconductors N.V., STMicroelectronics N.V., Mitsubishi Electric Corporation, Linear Integrated Systems Inc. und Toshiba Corporation ein hart umkämpfter Markt.
Mai 2022 - STMicroelectronics und MACOM Technology Solutions Holdings Inc. gaben bekannt, dass Hochfrequenz-Galliumnitrid-on-Si (RF GaN-on-Si)-Prototypen erfolgreich hergestellt wurden. ST und MACOM werden weiterhin zusammenarbeiten und die Beziehung aufgrund dieser Leistung stärken.
Juli 2021 - STMicroelectronics hat die STPOWER-Familie der HF-LDMOS-Leistungstransistoren um eine Reihe zusätzlicher Produkte erweitert. Drei Produktserien von Transistoren wurden für HF-Leistungsverstärker (PAs) in einer Vielzahl von industriellen und kommerziellen Anwendungen entwickelt. Die HF-LDMOS-Bausteine des Unternehmens kombinieren eine kurze Leitungskanallänge mit einer hohen Durchbruchspannung, bieten einen hohen Wirkungsgrad und einen geringen Wärmewiderstand und sind gleichzeitig so verpackt, dass sie einer hohen HF-Leistung standhalten.
Marktführer für HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren
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Infineon Technologies AG
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Renesas Electronics Corporation
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NXP Semiconductors N.V
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ST Microelectronics
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Microchip Technology Inc.
- *Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
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Marktnachrichten für HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren
März 2022 - NXP hat die diskrete Lösungsfamilie 32T32R auf den Markt gebracht, die kleinere, leichtere 5G-Funkgeräte für einen einfacheren Einsatz in städtischen und vorstädtischen Gebieten ermöglichen soll. Die diskreten HF-Leistungslösungen für aktive 32T32R-Antennensysteme basieren auf der neuesten proprietären Galliumnitrid-Technologie (GaN) des Unternehmens und ergänzen das GaN-Leistungsverstärker-Produktportfolio. Im Vergleich zu 64T64R-Lösungen bieten die Lösungen des Unternehmens die doppelte Leistung, was zu einer leichteren und kleineren 5G-Gesamtverbindungslösung führt. Netzbetreiber können aufgrund dieser Pin-Kompatibilität schnell über Frequenz- und Leistungspegel skalieren.
Juli 2021 - Integra, einer der führenden Anbieter innovativer HF- und Mikrowellen-Stromversorgungslösungen, hat eine 100-V-HF-GaN/SiC-Technologie mit Anwendungen in den Bereichen Radar, Avionik, elektronische Kriegsführung, industrielle, wissenschaftliche und medizinische Systeme auf den Markt gebracht. Dieser Baustein überwindet die Leistungsbeschränkungen der HF-Leistung, indem er 3,6 Kilowatt (kW) Ausgangsleistung in einem einzigen GaN-Transistor erzeugt, während er mit 100 V betrieben wird.
Segmentierung der HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren
Der Leistungstransistor ist ein wesentlicher Bestandteil im Kommunikationsbereich. Es verbessert die Leistung und Benutzerfreundlichkeit dieser Geräte, indem es die Energieeffizienz erhöht, Größe und Systemkosten reduziert, kleinere, schlankere Designs ermöglicht und neue Funktionen wie Audioqualität auf professionellem Niveau hinzufügt. Der Markt ist nach Typ (LDMOS, GaN, GaAs und andere), Anwendung (Kommunikation, Industrie, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung und andere) und Geografie unterteilt.
| Nach Typ | LDMOS |
| GaN | |
| GaAs | |
| Andere (GaN-auf-Si) | |
| Nach Anwendung | Kommunikation |
| Industrie | |
| Luft- und Raumfahrt und Verteidigung | |
| Sonstiges (Wissenschaft, Medizin) | |
| Erdkunde | Nordamerika |
| Europa | |
| Asien-Pazifik | |
| Lateinamerika | |
| Naher Osten und Afrika |
Nach Typ
| LDMOS |
| GaN |
| GaAs |
| Andere (GaN-auf-Si) |
Nach Anwendung
| Kommunikation |
| Industrie |
| Luft- und Raumfahrt und Verteidigung |
| Sonstiges (Wissenschaft, Medizin) |
Erdkunde
| Nordamerika |
| Europa |
| Asien-Pazifik |
| Lateinamerika |
| Naher Osten und Afrika |
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Häufig gestellte Fragen zur Marktforschung für HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren
Wie groß ist der aktuelle globale Markt für HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren?
Der globale Markt für HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren wird im Prognosezeitraum (2024-2029) voraussichtlich eine CAGR von 6,75 % verzeichnen
Wer sind die Hauptakteure auf dem globalen Markt für HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren?
Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V, ST Microelectronics, Microchip Technology Inc. sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem globalen Markt für HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren tätig sind.
Welches ist die am schnellsten wachsende Region auf dem globalen Markt für HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren?
Es wird geschätzt, dass der asiatisch-pazifische Raum im Prognosezeitraum (2024-2029) mit der höchsten CAGR wachsen wird.
Welche Region hat den größten Anteil am globalen Markt für HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren?
Im Jahr 2024 hat Nordamerika den größten Marktanteil am globalen Markt für HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren.
Welche Jahre deckt dieser globale Markt für HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren ab?
Der Bericht deckt die historische Marktgröße des globalen Marktes für HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren für Jahre ab 2019, 2020, 2021, 2022 und 2023. Der Bericht prognostiziert auch die globale Marktgröße für HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren für Jahre 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 und 2029.
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Globaler Branchenbericht für HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren
Statistiken für den globalen Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate von HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren im Jahr 2024, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die globale Analyse von HF- und Mikrowellen-Leistungstransistoren enthält einen Marktprognoseausblick bis 2029 und einen historischen Überblick. Holen Sie sich eine Probe dieser Branchenanalyse als kostenlosen PDF-Download des Berichts.
