| Período de Estudo | 2019 - 2029 |
| Ano Base Para Estimativa | 2023 |
| CAGR | 30.58 % |
| Mercado de Crescimento Mais Rápido | Ásia-Pacífico |
| Maior Mercado | América do Norte |
| Concentração do Mercado | Médio |
Principais jogadores
*Isenção de responsabilidade: Principais participantes classificados em nenhuma ordem específica |
Análise de mercado de dispositivos semicondutores GaN RF
O mercado de dispositivos semicondutores GaN RF deverá crescer a um CAGR de 30,58% durante o período de previsão (2021-2026). O surto de COVID-19 começou a impactar as linhas de abastecimento em vários setores, e com o setor de telecomunicações não há exceção. Para a indústria de telecomunicações, espera-se que a COVID-19 impeça significativamente a penetração do 5G. Nesta situação crítica, espera-se que os consumidores não deixem de utilizar telemóveis, mas a maioria deles poderá não conseguir investir mais numa tecnologia que ainda está numa fase inicial. Devido ao crescimento da Internet das Coisas (IoT), o advento da rede 5G e aplicações generalizadas em vários setores verticais da indústria oferecerão imensas oportunidades de crescimento ao mercado de semicondutores RF GaN.
- A implementação bem-sucedida da IoT requer transferência de dados através de uma rede sem interação humano-computador. A crescente implementação da IoT resultará em congestionamento de sinal e exigirá o uso da tecnologia GaN que pode amplificar a potência, a capacidade e a largura de banda necessária para a comunicação com todos os dispositivos interconectados.
- O desenvolvimento da tecnologia MEMS é parte integrante dos dispositivos IoT e também terá um impacto positivo no mercado de dispositivos semicondutores GaN RF. Espera-se que o aumento da demanda por smartphones, dispositivos de jogos, laptops e TVs impulsione o mercado de dispositivos semicondutores GaN no setor de eletrônicos de consumo.
- A crescente concorrência com o SiC pode prejudicar a participação de mercado dos semicondutores GaN RF, pois o SiC tem maior condutividade térmica do que o GaN , o que significa que os dispositivos SiC podem, teoricamente, operar em densidades de potência mais altas do que o GaN.
- A crise em curso devido à COVID-19 pode funcionar como um motor do avanço tecnológico, apesar dos desafios enfrentados pela indústria. Considerando que, em alguns casos, o 5G já está a provar o seu valor. Por exemplo, em Wuhan (China), a Huawei instalou uma rede 5G num hospital especializado em três dias. Como resultado do esforço, os robôs habilitados para 5G foram capazes de ajudar a cuidar de pacientes no hospital e fazer medições, reduzindo a quantidade de tempo que a equipe médica precisa gastar com pacientes infecciosos.
Tendências de mercado de dispositivos semicondutores GaN RF
Proliferação de redes sem fio de evolução de longo prazo para impulsionar o crescimento do mercado
- O aumento das redes sem fio de evolução de longo prazo (LTE) é um dos principais fatores de crescimento para o mercado de dispositivos semicondutores GaN RF. O consumo de dados cada vez maior resultou no crescimento das redes comerciais e induzirá as operadoras de rede a adotarem redes LTE de próxima geração, como 4G e 5G.
- Devido à sua capacidade de fornecer conexões de largura de banda de dados de maior frequência, a tecnologia GaN RF será em breve a escolha ideal para provedores de serviços de rede. Os dispositivos GaN RF ajudam a garantir que o dispositivo possa gerar frequência máxima na banda necessária e também evitam qualquer interferência de outras bandas de frequência.
- A implantação de dispositivos de energia GaN RF permitirá que dispositivos LTE ofereçam velocidades que permitem aos consumidores fazer upload e download de conteúdo, como músicas e fotografias, e também jogar jogos online e assistir a programas de TV online em bandas de frequência máximas, o que levará a um aumento na sua adoção.
- RF GaN desempenha um papel vital na infraestrutura sem fio para melhorar a eficiência e ampliar a largura de banda para suportar a taxa de transmissão de dados cada vez maior. A crescente adoção da tecnologia 5G e os avanços na comunicação sem fio devem ser impulsionadores significativos para o mercado de RF GaN. A crescente adoção de transistores de potência GaN também pode ser útil para fornecedores de telecomunicações.
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América do Norte terá a maior participação
- O crescimento do mercado de semicondutores GaN na América do Norte está fortemente correlacionado com o crescimento das indústrias de usuários finais, como telecomunicações, aeroespacial e defesa, eletrônicos de consumo, automotivo, industrial, outros.
- Além disso, a presença dos principais players do setor também contribui para a participação da região. O crescimento na América do Norte é incentivado pelo impulso do setor de defesa com uma utilização mais ampla de transistores baseados em GaN, radar militar e guerra eletrónica em aplicações militares.
- Além disso, a crescente procura de produtos eletrónicos de consumo, como televisores, computadores portáteis, dispositivos de jogos, computadores pessoais e tablet PCs, impulsionou ainda mais o crescimento deste mercado na América do Norte.
- Além disso, a experiência em tecnologia resultou no crescimento de laptops conversíveis, aparelhos de televisão ultra HD ou 4K e outros diversos produtos eletrônicos sem fio, aumentando a demanda por semicondutores RF GaN no mercado de eletrônicos de consumo da região.
- De acordo com a Semiconductor Industry Association (SIA) e a World Semiconductor Trade Statistics, a indústria de semicondutores emprega diretamente quase um quarto de milhão de trabalhadores nos EUA, e as vendas das empresas de semicondutores dos EUA totalizaram 8,05 mil milhões de dólares em janeiro de 2021.
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Visão geral da indústria de dispositivos semicondutores GaN RF
O mercado de dispositivos semicondutores GaN RF não está consolidado nem fragmentado. Alguns dos principais participantes incluem GaN Systems, NXP Semiconductor, Qorvo Inc., Wolfspeed, Inc. (A CREE Company), Broadcom Inc., Efficient Power Conversion, Fujitsu Semiconductor, NTT Advanced Technology, Texas Instruments, entre outros.
- Maio de 2021 – A NXP Semiconductors NV vendeu títulos no valor de US$ 2 bilhões para ajudar a financiar o desenvolvimento de semicondutores que reduzem o consumo de energia em produtos como adaptadores de energia e veículos elétricos. Isto visa alcançar uma menor pegada de carbono e uma produção mais eficiente em termos energéticos em fábricas de semicondutores. A NXP disse que reduziu as emissões absolutas de compostos perfluorados (PFCs), que são gases de efeito estufa, em 66%.
Líderes de mercado de dispositivos semicondutores GaN RF
-
GaN Systems
-
Qorvo Inc.
-
Wolfspeed, Inc.(A CREE Company)
-
Texas Instruments
-
Broadcom Inc.
- *Isenção de responsabilidade: Principais participantes classificados em nenhuma ordem específica
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Notícias do mercado de dispositivos semicondutores GaN RF
- Setembro de 2020 - A NXP Semiconductor NV anunciou a abertura de sua fábrica de nitreto de gálio (GaN) RF de 150 mm (6 polegadas) em Chandler, Arizona, a fábrica mais avançada dedicada a amplificadores de potência RF 5G nos Estados Unidos. A nova fábrica interna combina a experiência da NXP como líder do setor em energia de RF e seu know-how de fabricação de alto volume, resultando em inovação simplificada que apoia a expansão de estações base 5G e infraestrutura de comunicação avançada nos mercados industrial, aeroespacial e de defesa.
Segmentação da indústria de dispositivos semicondutores GaN RF
GAN se destaca em aplicações de RF por diversos motivos, como alto campo de ruptura, alta velocidade de saturação, excelentes propriedades térmicas, pelas quais têm sido fundamentais na transmissão de sinais em longas distâncias ou em níveis de potência de ponta. O estudo de mercado está focado nas tendências que afetam o mercado nas principais regiões, como América do Norte, Europa, Ásia-Pacífico, América Latina e Oriente Médio e África. O estudo também rastreia os principais parâmetros do mercado, os influenciadores de crescimento subjacentes e os principais fornecedores que operam no setor e o impacto do COVID-19 na indústria geral de RF GaN e seu desempenho.
| Por aplicativo | Defesa e Aeroespacial |
| Telecomunicações | |
| Eletrônicos de consumo | |
| Automotivo | |
| Industrial | |
| Outras Aplicações (Data Centers, Energia Renovável, etc.) | |
| Por geografia | América do Norte |
| Europa | |
| Ásia-Pacífico | |
| América latina | |
| Oriente Médio e África |
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Perguntas frequentes sobre pesquisa de mercado de dispositivos semicondutores GaN RF
Qual é o tamanho atual do mercado de dispositivos semicondutores GaN RF?
O mercado de dispositivos semicondutores GaN RF deve registrar um CAGR de 30,58% durante o período de previsão (2024-2029)
Quem são os principais atores do mercado de dispositivos semicondutores GaN RF?
GaN Systems, Qorvo Inc., Wolfspeed, Inc.(A CREE Company), Texas Instruments, Broadcom Inc. são as principais empresas que operam no mercado de dispositivos semicondutores GaN RF.
Qual é a região que mais cresce no mercado de dispositivos semicondutores GaN RF?
Estima-se que a Ásia-Pacífico cresça no maior CAGR durante o período de previsão (2024-2029).
Qual região tem a maior participação no mercado de dispositivos semicondutores GaN RF?
Em 2024, a América do Norte é responsável pela maior participação de mercado no mercado de dispositivos semicondutores GaN RF.
Que anos este mercado de dispositivos semicondutores GaN RF cobre?
O relatório abrange o tamanho histórico do mercado de dispositivos semicondutores GaN RF para os anos 2019, 2020, 2021, 2022 e 2023. O relatório também prevê o tamanho do mercado de dispositivos semicondutores GaN RF para os anos 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 e 2029..
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Relatório da indústria de dispositivos semicondutores GaN RF
Estatísticas para a participação de mercado, tamanho e taxa de crescimento de receita da GaN RF Semiconductor Devices em 2024, criadas pelo Mordor Intelligence™ Industry Reports. A análise da GaN RF Semiconductor Devices inclui uma perspectiva de previsão de mercado para 2029 e uma visão geral histórica. Obtenha uma amostra desta análise do setor como um download gratuito em PDF do relatório.
