マイクロ波デバイス市場規模とシェア

マイクロ波デバイス市場（2025年～2030年）

Mordor Intelligenceによるマイクロ波デバイス市場分析

マイクロ波デバイス市場は2025年に69億3,000万米ドルの価値に達し、2030年までに88億3,000万米ドルに上昇すると予測され、年平均成長率4.92%を反映しています。成長は防衛、衛星通信、5Gバックホール、新興医療技術にわたる成熟しながらも持続的な需要プロファイルを追跡しています。窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスは従来のガリウム砒素ソリューションを継続的に置き換え、システムフットプリントと冷却負荷を削減しながら電力密度と効率を向上させています。[1]Infineon Technologies AG, "Infineon showcases first 300 mm GaN power wafer technology," infineon.com. 現在米国防総省と契約中の指向性エネルギー兵器プロトタイプで強調される継続的な防衛近代化プログラムが、高電力オーダーの堅固なベースラインを支えています。[2]Raytheon, "Raytheon receives DEFEND program HPM prototype contract," rtx.com. E帯・V帯における5G固定無線アクセスの並行展開は、大衆向けハンドセット量が軟化する中でも商用モメンタムを維持しています。医療用マイクロ波アブレーションプラットフォームは多様化した需要スタックを完成させ、病院により高速な手技と高周波代替品より深い病変浸透を提供しています。

主要レポートポイント

  • デバイスタイプ別では、アクティブ型デバイスが2024年のマイクロ波デバイス市場シェアの62%を占め、同セグメントは2030年まで年平均成長率7.57%で進展しています。
  • 周波数帯域別では、V帯・E帯コンポーネントが2030年まで年平均成長率5.67%で最も速い成長を示しています。
  • 用途別では、宇宙・通信が2024年のマイクロ波デバイス市場規模の47.5%を占め、医療用途が2030年まで最も高い年平均成長率6.11%を記録しています。
  • 地域別では、北米が2024年に収益シェア38%でリードし、一方アジア太平洋が2030年まで最も速い年平均成長率7.24%を記録しています。

セグメント分析

デバイスタイプ別：イノベーションによりアクティブ型デバイスが優勢

アクティブ型デバイスは2024年のマイクロ波デバイス市場の62%を占め、2030年まで年平均成長率7.57%で進展しました。サイズ、重量、信頼性の利点が真空電子デバイスからGaN固体パワーアンプへの交換を加速しています。アクティブ型デバイスのマイクロ波デバイス市場規模は2030年までに53億米ドルに到達する軌道にあります。統合トレンドはビーム形成・ゲイン制御ロジックをアンプダイに組み込み、ソフトウェア定義無線プラットフォームを可能にしています。真空管製品は依然として超高電力レーダーに使用されていますが、防衛プログラムが固体モジュールで標準化するにつれて量的シェアを譲っています。

二次的効果はパッシブセグメントに波及し、機能がオンチップに移行するにつれて個別フィルター・カプラーが価格圧力に直面しています。医療アブレーションプラットフォームはミリ秒スケールの電力変調でアクティブソリューションを好み、同セグメントの長期成長軌道を強化しています。製品パイプラインは新興5Gマクロ無線アーキテクチャに整合する24V・28V GaNデバイスの需要増を示しています。

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周波数帯域別：ミリ波セグメントが成長をリード

Ku帯が2024年収益の29.4%を占めましたが、V帯・E帯出荷は2030年まで最も強い年平均成長率5.67%を示しています。V帯・E帯コンポーネントのマイクロ波デバイス市場規模は予測期間終了時までに21億米ドルを超えると予測されています。宇宙コンステレーションはこれらの帯域の狭ビーム幅を活用し、5G事業者は高密度都市バックホールに採用しています。50GHz超では熱負荷が急激に上昇し、先進セラミックパッケージ・ダイヤモンドヒートスプレッダーへの投資を促進しています。

L帯、S帯、C帯、X帯は長距離レーダー・航法援助で安定したベースラインを維持しています。主要OEMの研究ロードマップは初期6G試験用120～140GHzプロトタイプを示し、新たなデバイス革新の波を予感させています。接合温度限界が厳しくなるにつれ、ワイドバンドギャップ技術と適形冷却技術が不可欠となるでしょう。

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注記: 個別セグメントの全セグメントシェアはレポート購入時に利用可能

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用途別：宇宙通信がプレミアム需要を牽引

宇宙・通信プラットフォームは2024年収益の47.5%を獲得し、放射線硬化・無欠陥部品のプレミアム価格を反映しています。メガコンステレーション展開がペイロード数を倍増させるにつれ、このセグメントのマイクロ波デバイス市場シェアは2030年まで支配的であり続けます。衛星製造者は小さなフットプリントに高電力をパックし打上げ質量を削減するGaN MMICラインナップを好んでいます。

医療セグメントは、医療システムが腫瘍学、循環器学、疼痛治療で低侵襲アブレーションを採用するにつれ、最も速い年平均成長率6.11%を示しています。産業用マイクロ波加熱は廃棄物処理・材料加工でモメンタムを得ており、自動車先進運転支援プロジェクトはGaNアンプを大量車両プラットフォームに移行させています。

地域分析

北米は2024年に38%のシェアを維持し、90億米ドルの連邦5G補助金と強固な米国防衛予算に支えられています。マイクロ波デバイス市場は指向性エネルギー兵器プログラムと農村ブロードバンド構築から継続的に恩恵を受けています。輸出ライセンス遵守はコスト摩擦をもたらしますが、確立されたプライムは供給中断を緩和する国内調達戦略を維持しています。

アジア太平洋は2030年まで最も高い年平均成長率7.24%を実現します。中国は採掘ガリウムの98%を支配し、国内ファブにコスト優位性を与える一方、外国インテグレーターを価格変動に晒しています。地域政府は300mmパワー半導体ファブに資金提供し、インドの新設設計ハウスがRFフロントエンド革新の人材深度を追加しています。韓国・日本は先進テスト・パッケージ容量を供給し、自己完結型バリューチェーンを強化しています。

ヨーロッパは主権防衛ニーズと商用テレコム拡大のバランスを取っています。EU政策インセンティブはGaNエピタキシー・パッケージ容量のローカル化を目指しています。大西洋横断パートナーシップはヨーロッパのRF設計を北米ファブにパイロット運営用に送り、その後量産を国内ラインに戻すことで地政学的リスクを緩和しています。持続可能性指令は新しい5Gと将来の6Gノードでのエネルギー効率的GaNプラットフォームへのネットワーク事業者の移行をさらに促進しています。

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競争環境

マイクロ波デバイス市場は適度な断片化を特徴としています。Qorvo、Analog Devices、MACOM、Infineonが垂直統合によりエッジポジションを維持しています。MACOMの2024年のENGIN-IC買収はヨーロッパのGaN MMICノウハウを拡張し、以前のOMMIC取引はフランスでウエハー供給源を確保しました。Infineonの300mm GaNマイルストーンは単位コストを下げ、ガリウム輸出ショックに対する供給を保護します。

合併戦略はパッケージング、ビーム形成IP、量子コンピューティング用極低温アンプに集中しています。小規模革新企業はGlobalFoundriesなどのファウンドリとパートナーして、製造資産を所有せずに先進ノードを利用しています。Open-RAN採用は、ソフトウェア制御とマルチバンドハードウェアを結合する新規参入者を導入し、既存企業に設定可能PAロードマップの加速を圧迫しています。

サプライチェーンレジリエンスが投資パターンを形成しています。企業は米中貿易摩擦に対応して組み立てを東南アジア・東欧に多様化しています。特許出願は熱界面材料・フェーズドアレイ校正アルゴリズムへの集中的な焦点を明らかにしています。競争激化は高いままですが、上位5社はグローバル収益の45%超を依然として支配し、R&D規模に報いる市場を浮き彫りにしています。

マイクロ波デバイス産業リーダー

  1. L3 Technologies

  2. Thales Group

  3. Richardson Electronics, Ltd

  4. Teledyne Technologies

  5. Toshiba Corporation

  6. *免責事項:主要選手の並び順不同
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最近の業界動向

  • 2025年2月：MaxLinear・RFHICが5Gマクロ無線用55.2%効率を達成するGaNパワーアンプを発表。
  • 2025年1月：onsemiがQorvoのSiC JFETポートフォリオ1億1,500万米ドル買収を完了、EliteSiC製品を拡大。
  • 2025年12月：AMDが航空宇宙・防衛ペイロード向け32 GSPS ADC統合Versal RF SoCを発表。
  • 2024年12月：Microamp・Radisysが67 dBm EIRP達成Open-RAN mmWave無線で提携。
  • 2024年11月：MACOMがENGIN-ICを買収、防衛アセンブリ用GaN MMIC設計人材を追加。

マイクロ波デバイス業界レポートの目次

1. はじめに

  • 1.1 研究前提条件と市場定義
  • 1.2 研究範囲

2. 調査手法

3. エグゼクティブサマリー

4. 市場概観

  • 4.1 市場概要
  • 4.2 市場促進要因
    • 4.2.1 安全な軍事SATCOM需要の急増
    • 4.2.2 E帯・V帯における5G・FWAバックホール展開
    • 4.2.3 医療用マイクロ波アブレーション採用
    • 4.2.4 GaNベース固体PAコスト低下
    • 4.2.5 農村ブロードバンドの規制インセンティブ
    • 4.2.6 高電力DEWシステム需要
  • 4.3 市場阻害要因
    • 4.3.1 ワイドバンドギャップデバイスの高いR&Dコスト
    • 4.3.2 重要RFコンポーネントの輸出規制
    • 4.3.3 100GHz超での熱管理限界
    • 4.3.4 X-haulでのフォトニックリンクとの競合
  • 4.4 バリューチェーン分析
  • 4.5 規制環境
  • 4.6 技術展望
  • 4.7 ポーターの5つの力分析
    • 4.7.1 新規参入の脅威
    • 4.7.2 買い手の交渉力
    • 4.7.3 売り手の交渉力
    • 4.7.4 代替品の脅威
    • 4.7.5 競争の激しさ

5. 市場規模・成長予測（金額）

  • 5.1 デバイスタイプ別
    • 5.1.1 アクティブ型（固体、真空電子）
    • 5.1.2 パッシブ型（フィルター、カプラーなど）
  • 5.2 周波数帯域別
    • 5.2.1 L帯・S帯
    • 5.2.2 C帯・X帯
    • 5.2.3 Ku帯・Ka帯
    • 5.2.4 V帯・E帯（ミリ波）
  • 5.3 用途別
    • 5.3.1 宇宙・通信
    • 5.3.2 防衛（レーダー、電子戦、指向性エネルギー兵器）
    • 5.3.3 医療（アブレーション、イメージング）
    • 5.3.4 商用・産業用加熱
  • 5.4 地域別
    • 5.4.1 北米
    • 5.4.1.1 米国
    • 5.4.1.2 カナダ
    • 5.4.1.3 メキシコ
    • 5.4.2 南米
    • 5.4.2.1 ブラジル
    • 5.4.2.2 アルゼンチン
    • 5.4.2.3 その他南米
    • 5.4.3 ヨーロッパ
    • 5.4.3.1 英国
    • 5.4.3.2 フランス
    • 5.4.3.3 ドイツ
    • 5.4.3.4 イタリア
    • 5.4.3.5 その他ヨーロッパ
    • 5.4.4 アジア太平洋
    • 5.4.4.1 中国
    • 5.4.4.2 日本
    • 5.4.4.3 インド
    • 5.4.4.4 韓国
    • 5.4.4.5 その他アジア太平洋
    • 5.4.5 中東・アフリカ
    • 5.4.5.1 アラブ首長国連邦
    • 5.4.5.2 サウジアラビア
    • 5.4.5.3 南アフリカ
    • 5.4.5.4 その他中東・アフリカ

6. 競争環境

  • 6.1 市場集中度
  • 6.2 戦略的動き
  • 6.3 市場シェア分析
  • 6.4 企業プロファイル（グローバルレベル概要、市場レベル概要、コアセグメント、利用可能財務、戦略情報、主要企業の市場ランク・シェア、製品・サービス、最新動向を含む）
    • 6.4.1 Communications and Power Industries (CPI)
    • 6.4.2 Teledyne Technologies
    • 6.4.3 Thales Group
    • 6.4.4 L3Harris Technologies
    • 6.4.5 Toshiba Corporation
    • 6.4.6 Qorvo Inc.
    • 6.4.7 Analog Devices Inc.
    • 6.4.8 Keysight Technologies
    • 6.4.9 TMD Technologies Ltd.
    • 6.4.10 Richardson Electronics Ltd.
    • 6.4.11 Northrop Grumman
    • 6.4.12 Raytheon Technologies
    • 6.4.13 MACOM Technology
    • 6.4.14 Microchip Technology
    • 6.4.15 Cobham Advanced Electronic Solutions
    • 6.4.16 NXP Semiconductors
    • 6.4.17 API Technologies (AEA Investors LP)
    • 6.4.18 Smiths Interconnect
    • 6.4.19 Ampleon
    • 6.4.20 MicroWave Technology Inc.

7. 市場機会と将来展望

  • 7.1 ホワイトスペース・未充足ニーズ評価
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グローバルマイクロ波デバイス市場レポート範囲

マイクロ波デバイスは衛星通信、レーダー信号、電話、航法用途で最も広く使用されています。これらのデバイスは最適な表面浸透により、がん検出・組織・角膜アブレーションにも使用されています。マイクロ波デバイス産業は北米、ヨーロッパ、アジア太平洋などの地域に分かれています。北米は近年大きな成長を示しています

デバイスタイプ別
アクティブ型（固体、真空電子）
パッシブ型（フィルター、カプラーなど）
周波数帯域別
L帯・S帯
C帯・X帯
Ku帯・Ka帯
V帯・E帯（ミリ波）
用途別
宇宙・通信
防衛（レーダー、電子戦、指向性エネルギー兵器）
医療（アブレーション、イメージング）
商用・産業用加熱
地域別
北米 米国
カナダ
メキシコ
南米 ブラジル
アルゼンチン
その他南米
ヨーロッパ 英国
フランス
ドイツ
イタリア
その他ヨーロッパ
アジア太平洋 中国
日本
インド
韓国
その他アジア太平洋
中東・アフリカ アラブ首長国連邦
サウジアラビア
南アフリカ
その他中東・アフリカ
デバイスタイプ別 アクティブ型（固体、真空電子）
パッシブ型（フィルター、カプラーなど）
周波数帯域別 L帯・S帯
C帯・X帯
Ku帯・Ka帯
V帯・E帯（ミリ波）
用途別 宇宙・通信
防衛（レーダー、電子戦、指向性エネルギー兵器）
医療（アブレーション、イメージング）
商用・産業用加熱
地域別 北米 米国
カナダ
メキシコ
南米 ブラジル
アルゼンチン
その他南米
ヨーロッパ 英国
フランス
ドイツ
イタリア
その他ヨーロッパ
アジア太平洋 中国
日本
インド
韓国
その他アジア太平洋
中東・アフリカ アラブ首長国連邦
サウジアラビア
南アフリカ
その他中東・アフリカ
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レポートで回答された主要質問

マイクロ波デバイス市場の現在の規模は？

市場は2025年に69億3,000万米ドルと評価され、年平均成長率4.92%で2030年に88億3,000万米ドルに到達すると予測されています。

最大のマイクロ波デバイス市場シェアを占めるセグメントは？

アクティブ型デバイスが広範なGaNアンプ採用により2024年収益の62%を占めています。

最も速く成長している用途分野は？

低侵襲腫瘍学・循環器学手技が拡大するにつれ、医療用マイクロ波アブレーションプラットフォームが2030年まで最高の年平均成長率6.11%を示しています。

GaN技術が将来成長に重要な理由は？

GaNはより高い電力密度と効率を提供し、300mmウエハープロセスが2025年までにシリコンコスト同等をもたらし、大衆市場機会を開きます。

最も速く拡大している地域は？

アジア太平洋が2030年まで年平均成長率7.24%を記録し、大規模5G展開と拡大する半導体製造容量に牽引されています。

輸出規制はマイクロ波デバイス産業にどのような影響を与えていますか？

半導体ツールの米中貿易制限と中国のガリウム輸出規制が材料コストを押し上げ、サプライチェーン多様化努力を促進しています。

最終更新日:

モバイルブロードバンド産業
スマートフォン産業の展望
Wi-Fi産業の展望
Wi-Fi範囲拡張器産業
Wi-Fiネットワーク機器産業
ワイヤレス接続産業のトレンド

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