窒化ガリウム（GaN）半導体デバイス市場規模
| 調査期間 | 2021 - 2029 |
| 推定の基準年 | 2023 |
| CAGR | 17.21 % |
| 最も成長が速い市場 | アジア太平洋地域 |
| 最大の市場 | 北米 |
| 市場集中度 | 低い |
主なプレーヤー
*免責事項:主要選手の並び順不同 |
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GaN半導体デバイス市場分析
GaN半導体デバイス市場は、2019年に9億7,721万USDと評価され、2025年には2億5,3461万USDに達し、2020-2025年の予測期間で17.21%のCAGRを記録すると予測されている。半導体市場における無線周波数の需要拡大、LEDベースの照明やディスプレイを中心とした民生用エレクトロニクス産業の繁栄、電気自動車、電力供給、太陽光発電インバータの増加は、GaN半導体デバイス市場の主要な市場牽引要因の一部である。
- GaNは、シリコンやガリウムヒ素のような同世代の半導体と比べ、費用対効果に優れ、冷却の必要がないなど、さまざまな利点がある。近年、エネルギー効率に優れた半導体デバイスの需要が増加していることも、GaNの採用を後押ししています。
- スマートフォン、ゲーム機器、ノートパソコン、テレビの需要の増加は、家電分野におけるGaN半導体デバイス市場を牽引すると予想される。
- 5G規格の導入に伴い、ハイパワートランジスタや基地局の需要が増加しており、ICT分野におけるGaNパワー半導体の需要を増強している。
GaN半導体デバイスの市場動向
民生用電子機器セグメントが最大の市場シェアを占める見込み
- 技術革新の進展によるGaN半導体技術の価格低下により、GaNの採用率は年々上昇すると予想される。
- データ消費率、デバイスにインストールされるアプリケーションの数、より高速なプロセッサ、改良されたRAM/ROM、堅牢なディスプレイは、以前の仕様が使用するものよりもバッテリーを消費します。このような技術の進歩に伴い、バッテリーの能力も向上する必要があります。GaN半導体は、既存の電子機器の充電技術に革命をもたらしている。この半導体は、ワイヤレス充電や急速充電などに採用されている。
- GaN半導体デバイスの応用範囲は、例えば、スイッチング・モード電源、効率的なエネルギー・コンバーターなど、他のコンピューター部品にも広がっている。
- 5Gワイヤレス通信が始まれば、電子機器の使用量は何倍にも増え、GaN半導体の需要も高まるだろう。
この市場を形成する主要なトレンドを理解する
アジア太平洋地域が最も速い成長率を示すと予想される
- 中国、日本、インドの家電と自動車の生産と輸出の増加が、アジア太平洋地域のGaN市場を牽引している。
- 同地域の人件費と生産コストの低さは、市場の成長を促進する不可欠な要因である。
- MITの調査によると、中国には33万カ所の公共充電ポイントがあり、これに対して米国は6万7,500カ所である。 深セン市は1万6,000台のバスを100％電気で走らせ、2万2,000台のタクシーをEVに切り替えようとしている。リゾート地の海南島は、2030年までにEVを100％導入する計画だ。
- 2019年3月7日、インド政府はリチウムに対する15％の輸入補助金を正式に発表した。これは同国における電気自動車の生産が容易になることを示している。首相府と重工業省（DHI）の政策交渉により、インドを電気モビリティへの道に乗せるための「（ハイブリッド＆）電気自動車の迅速な導入と製造スキームが成立した。
- インドの各州政府は、電気バスの大量導入を推進している。例えば、マヒンドラやタタは、Energy Efficiency Services Limitedのような政府機関と入札契約を結び、政府用にEVを提供している。
重要な地理的市場に関する分析を取得する
GaN半導体デバイス産業概要
この業界は、半導体業界の巨人が支配している。パナソニック株式会社、NXPセミコンダクターズNV、株式会社東芝などが存在し、競争上のライバルは多い。
- 2019年、パナソニックは特許取得済みのX-GaN技術を使い、最大99%の効率を持つ電力変換器やモーター構成のトランジスタの置き換えなど、多くの用途でGaNベースのトランジスタを製造した。
- 民生用電子機器分野では、RAVPowerが2018年に、より高速な充電を実現する45W GaN PD壁掛け充電器の新ラインを発表した。
- IMS 2018でNXPセミコンダクターズNVは、新しいRF GaN広帯域パワートランジスタを発表し、また5G向けマクロおよび屋外スモールセルソリューションのAirfast第3世代Si-LDMOSポートフォリオを拡大した。
GaN半導体デバイス市場のリーダー
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Panasonic Corporation
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Toshiba Corporation
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Texas Instruments
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NXP Semiconductors NV
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Infineon Technologies AG
*免責事項:主要選手の並び順不同
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GaN半導体デバイス市場レポート - 目次
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1. INTRODUCTION
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1.1 Study Assumptions and Market Definition
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1.2 Scope of the Study
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2. RESEARCH METHODOLOGY
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3. EXECUTIVE SUMMARY
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4. MARKET INSIGHTS
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4.1 Market Overview
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4.2 Industry Attractiveness - Porter's Five Forces Analysis
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4.2.1 Bargaining Power of Suppliers
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4.2.2 Bargaining Power of Consumers
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4.2.3 Threat of New Entrants
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4.2.4 Threat of Substitutes
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4.2.5 Intensity of Competitive Rivalry
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4.3 Impact of COVID-19 on the GaN Semiconductor Devices Market
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5. MARKET DYNAMICS
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5.1 Market Drivers
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5.1.1 Strong Demand from Telecom Infrastructure Segment Driven by Advancements in 5G Implementation
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5.1.2 Favorable Attributes Such As High-performance and Small Form Factor to Drive Adoption in the Military Segment
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5.2 Market Challenges
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5.2.1 Cost & Operational Challenges
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6. MARKET SEGMENTATION
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6.1 By Type
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6.1.1 Power Semiconductors
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6.1.2 Opto-Semiconductors
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6.1.3 RF Semiconductors
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6.2 By Devices
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6.2.1 Transistors
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6.2.2 Diodes
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6.2.3 Rectifiers
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6.2.4 Power ICs
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6.3 By End-user Industry
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6.3.1 Automotive
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6.3.2 Consumer Electronics
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6.3.3 Aerospace and Defense
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6.3.4 Medical
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6.3.5 Information Communication and Technology
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6.3.6 Other End-user Industries
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6.4 By Geography
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6.4.1 North America
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6.4.1.1 United States
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6.4.1.2 Canada
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6.4.2 Europe
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6.4.2.1 United Kingdom
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6.4.2.2 Germany
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6.4.2.3 France
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6.4.2.4 Rest of Europe
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6.4.3 Asia Pacific
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6.4.3.1 China
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6.4.3.2 Japan
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6.4.3.3 India
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6.4.3.4 South Korea
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6.4.3.5 Rest of Asia-Pacific
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6.4.4 Latin America
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6.4.5 Middle East and Africa
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7. COMPETITIVE LANDSCAPE
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7.1 Company Profiles
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7.1.1 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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7.1.2 GaN Systems
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7.1.3 Infineon Technologies AG
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7.1.4 Efficient Power Conversion Corporation
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7.1.5 NXP Semiconductors
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7.1.6 Texas Instruments Incorporated
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7.1.7 Wolfspeed, Inc.
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7.1.8 NexGen Power Systems
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7.1.9 Microchip Technology Inc.
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7.1.10 Soitec
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7.1.11 Qorvo, Inc.
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7.1.12 NTT Advanced Technology Corporation
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- *List Not Exhaustive
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8. INVESTMENT ANALYSIS
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9. FUTURE OF THE MARKET
GaN半導体デバイス産業セグメント
GaNは、シリコンMOSFETに取って代わることが期待される新しい技術である。本市場調査では、トランジスタ、ダイオード、整流器、ダイオードを対象としている。本レポートでは、自動車、民生用電子機器、航空宇宙・防衛、医療、情報通信技術などのエンドユーザー産業を対象としている。
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GaN半導体デバイス市場に関する調査FAQ
現在のGaN半導体デバイスの市場規模はどれくらいですか?
GaN半導体デバイス市場は、予測期間（17.21%年から2029年）中に17.21％のCAGRを記録すると予測されています
GaN半導体デバイス市場の主要プレーヤーは誰ですか?
GaN Systems、Infineon Technologies AG、Efficient Power Conversion Corporation、Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation、NXP Semiconductorsは、GaN半導体デバイス市場で活動している主要企業です。
GaN半導体デバイス市場で最も急速に成長している地域はどこですか?
アジア太平洋地域は、予測期間 (2024 ～ 2029 年) にわたって最も高い CAGR で成長すると推定されています。
GaN半導体デバイス市場で最大のシェアを持っているのはどの地域ですか?
2024年には、北米がGaN半導体デバイス市場で最大の市場シェアを占めます。
このGaN半導体デバイス市場は何年を対象としていますか?
このレポートは、2021年、2022年、2023年のGaN半導体デバイス市場の過去の市場規模をカバーしています。また、レポートは、2024年、2025年、2026年、2027年、2028年、2029年のGaN半導体デバイス市場規模も予測します。
GaN半導体デバイス産業レポート
Mordor Intelligence™ Industry Reports が作成した、2024 年の GaN 半導体デバイス市場シェア、規模、収益成長率の統計。 GaN半導体デバイスの分析には、2029年までの市場予測見通しと過去の概要が含まれます。この業界分析のサンプルを無料のレポート PDF ダウンロードとして入手してください。
GaN半導体デバイス レポートスナップショット
