Marktgröße für GaN-HF-Halbleitergeräte
| Studienzeitraum | 2019 - 2029 |
| Basisjahr für die Schätzung | 2023 |
| CAGR | 30.58 % |
| Schnellstwachsender Markt | Asien-Pazifik |
| Größter Markt | Nordamerika |
| Marktkonzentration | Mittel |
Hauptakteure
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert |
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Marktanalyse für GaN-HF-Halbleitergeräte
Der Markt für GaN-HF-Halbleitergeräte wird im Prognosezeitraum (2021–2026) voraussichtlich mit einer jährlichen Wachstumsrate von 30,58 % wachsen. Der COVID-19-Ausbruch hat begonnen, sich auf Versorgungsleitungen in verschiedenen Branchen auszuwirken, und die Telekommunikationsbranche bildet da keine Ausnahme. Für die Telekommunikationsbranche wird erwartet, dass COVID-19 die Verbreitung von 5G erheblich behindern wird. In dieser kritischen Situation wird von den Verbrauchern erwartet, dass sie nicht aufhören, Mobiltelefone zu nutzen, aber die meisten von ihnen sind möglicherweise nicht in der Lage, mehr in eine Technologie zu investieren, die sich noch im Anfangsstadium befindet. Aufgrund des Wachstums des Internets der Dinge (IoT), des Aufkommens des 5G-Netzwerks und weit verbreiteter Anwendungen in verschiedenen Branchen bieten sich enorme Wachstumschancen für den RF-GaN-Halbleitermarkt.
- Die erfolgreiche Implementierung des IoT erfordert die Datenübertragung über ein Netzwerk ohne Mensch-Computer-Interaktion. Die zunehmende Implementierung des IoT wird zu einer Signalüberlastung führen und den Einsatz der GaN-Technologie erfordern, die die Leistung, Kapazität und Bandbreite erhöhen kann, die für die Kommunikation mit allen miteinander verbundenen Geräten erforderlich sind.
- Die Entwicklung der MEMS-Technologie ist ein integraler Bestandteil von IoT-Geräten und wird sich auch positiv auf den Markt für GaN-HF-Halbleitergeräte auswirken. Es wird erwartet, dass die steigende Nachfrage nach Smartphones, Spielgeräten, Laptops und Fernsehern den Markt für GaN-Halbleitergeräte vorantreiben wird Unterhaltungselektronikbranche.
- Der zunehmende Wettbewerb mit SiC kann den Marktanteil von GaN-HF-Halbleitern beeinträchtigen, da SiC eine höhere Wärmeleitfähigkeit als GaN aufweist , was bedeutet, dass SiC- Geräte theoretisch mit höheren Leistungsdichten als GaN betrieben werden können.
- Die anhaltende Krise aufgrund von COVID-19 kann trotz der Herausforderungen, mit denen die Branche konfrontiert ist, als Motor für den technologischen Fortschritt wirken. In einigen Fällen hat sich 5G bereits bewährt. In Wuhan (China) beispielsweise installierte Huawei innerhalb von drei Tagen ein 5G-Netzwerk in einem Spezialkrankenhaus. Als Ergebnis dieser Bemühungen konnten 5G-fähige Roboter bei der Patientenversorgung im Krankenhaus und bei der Durchführung von Messungen helfen und so die Zeit reduzieren, die das medizinische Personal mit infektiösen Patienten verbringen muss.
Markttrends für GaN-HF-Halbleitergeräte
Verbreitung langfristiger drahtloser Netzwerke zur Förderung des Marktwachstums
- Der Anstieg der drahtlosen Long-Term-Evolution-Netzwerke (LTE) ist einer der Hauptwachstumsfaktoren für den Markt für GaN-HF-Halbleitergeräte. Der stetig steigende Datenverbrauch hat zum Wachstum kommerzieller Netze geführt und wird Netzbetreiber dazu veranlassen, LTE-Netze der nächsten Generation wie 4G und 5G einzuführen.
- Aufgrund ihrer Fähigkeit, Verbindungen mit höherer Datenbandbreite bereitzustellen, wird die GaN-HF-Technologie bald die ideale Wahl für Netzwerkdienstanbieter sein. GaN-HF-Geräte tragen dazu bei, sicherzustellen, dass das Gerät die maximale Frequenz im erforderlichen Band erzeugen kann, und verhindern außerdem Störungen durch andere Frequenzbänder.
- Der Einsatz von GaN-RF-Leistungsgeräten wird es LTE-Geräten ermöglichen, Geschwindigkeiten anzubieten, die es Verbrauchern ermöglichen, Inhalte wie Musik und Fotos hoch- und herunterzuladen sowie Online-Spiele zu spielen und Online-TV-Sendungen auf maximalen Frequenzbändern anzusehen, was zu einem Anstieg führen wird bei ihrer Annahme.
- RF GaN spielt eine entscheidende Rolle in der drahtlosen Infrastruktur, um die Effizienz zu verbessern und die Bandbreite zu erweitern, um die ständig steigende Datenübertragungsrate zu unterstützen. Die zunehmende Einführung der 5G-Technologie und Fortschritte in der drahtlosen Kommunikation werden voraussichtlich wichtige Treiber für den RF-GaN-Markt sein. Der zunehmende Einsatz von GaN-Leistungstransistoren könnte sich auch für Telekommunikationsanbieter als nützlich erweisen.
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Nordamerika soll den größten Anteil halten
- Das Wachstum des GaN-Halbleitermarktes in Nordamerika korreliert stark mit dem Wachstum von Endverbraucherbranchen wie Telekommunikation, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Unterhaltungselektronik, Automobil, Industrie und anderen.
- Darüber hinaus trägt auch die Präsenz führender Akteure der Branche zum Anteil der Region bei. Das Wachstum in Nordamerika wird dadurch gefördert, dass der Verteidigungssektor durch eine breitere Nutzung von GaN-basierten Transistoren, militärischem Radar und elektronischer Kriegsführung in militärischen Anwendungen vorangetrieben wird.
- Auch die steigende Nachfrage nach Unterhaltungselektronikprodukten wie Fernsehern, Laptops, Spielgeräten, Personalcomputern und Tablet-PCs hat das Wachstum dieses Marktes in Nordamerika weiter vorangetrieben.
- Darüber hinaus hat die Technologiekompetenz zum Wachstum von konvertierbaren Laptops, Ultra-HD- oder 4K-Fernsehgeräten und anderen verschiedenen drahtlosen Elektronikgeräten geführt und die Nachfrage nach HF-GaN-Halbleitern auf dem Unterhaltungselektronikmarkt der Region erhöht.
- Nach Angaben der Semiconductor Industry Association (SIA) und der World Semiconductor Trade Statistics beschäftigt die Halbleiterindustrie in den USA direkt fast eine Viertelmillion Arbeitnehmer, und der Umsatz der US-Halbleiterunternehmen belief sich im Januar 2021 auf insgesamt 8,05 Milliarden US-Dollar.
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Branchenüberblick für GaN-HF-Halbleitergeräte
Der Markt für GaN-HF-Halbleitergeräte ist weder konsolidiert noch fragmentiert. Zu den Hauptakteuren zählen unter anderem GaN Systems, NXP Semiconductor, Qorvo Inc., Wolfspeed, Inc. (ein CREE-Unternehmen), Broadcom Inc., Efficient Power Conversion, Fujitsu Semiconductor, NTT Advanced Technology und Texas Instruments.
- Mai 2021 – NXP Semiconductors NV verkaufte Anleihen im Wert von 2 Milliarden US-Dollar, um die Entwicklung von Halbleitern zu finanzieren, die den Energieverbrauch in Produkten wie Netzteilen und Elektrofahrzeugen senken. Dadurch soll ein geringerer CO2-Fußabdruck und eine energieeffizientere Produktion in Halbleiterfabriken erreicht werden. NXP gab an, die absoluten Emissionen perfluorierter Verbindungen (PFCs), die Treibhausgase sind, um 66 % gesenkt zu haben.
Marktführer bei GaN-HF-Halbleitergeräten
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GaN Systems
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Qorvo Inc.
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Wolfspeed, Inc.(A CREE Company)
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Texas Instruments
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Broadcom Inc.
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
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Marktnachrichten für GaN-HF-Halbleitergeräte
- September 2020 – NXP Semiconductor NV gab die Eröffnung seiner 150 mm (6 Zoll) HF-Galliumnitrid (GaN)-Fabrik in Chandler, Arizona, bekannt, der fortschrittlichsten Fabrik für 5G-HF-Leistungsverstärker in den Vereinigten Staaten. Die neue interne Fabrik vereint die Expertise von NXP als Branchenführer im Bereich HF-Leistung mit seinem Know-how in der Großserienfertigung und führt zu optimierten Innovationen, die den Ausbau von 5G-Basisstationen und fortschrittlicher Kommunikationsinfrastruktur in den Märkten Industrie, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung unterstützen.
Marktbericht für GaN-HF-Halbleitergeräte – Inhaltsverzeichnis
1. EINFÜHRUNG
1.1 Studienergebnisse
1.2 Studienannahmen
1.3 Umfang der Studie
2. FORSCHUNGSMETHODIK
3. ZUSAMMENFASSUNG
4. MARKTDYNAMIK
4.1 Marktübersicht
4.2 Bewertung der Auswirkungen von Covid-19
4.3 Marktführer
4.3.1 Verbreitung langfristiger drahtloser Netzwerke
4.4 Marktbeschränkungen
4.4.1 Konkurrenz durch SiC
4.5 Analyse der Branchenwertschöpfungskette
4.6 Branchenattraktivität – Porters Fünf-Kräfte-Analyse
4.6.1 Verhandlungsmacht von Käufern/Verbrauchern
4.6.2 Verhandlungsmacht der Lieferanten
4.6.3 Bedrohung durch neue Marktteilnehmer
4.6.4 Bedrohung durch Ersatzprodukte
4.6.5 Wettberbsintensität
4.7 Überblick über die RF-GaN-Patentlandschaft
5. MARKTSEGMENTIERUNG
5.1 Auf Antrag
5.1.1 Verteidigung und Luft- und Raumfahrt
5.1.2 Telekommunikation
5.1.3 Unterhaltungselektronik
5.1.4 Automobil
5.1.5 Industriell
5.1.6 Andere Anwendungen (Rechenzentren, erneuerbare Energien usw.)
5.2 Nach Geographie
5.2.1 Nordamerika
5.2.2 Europa
5.2.3 Asien-Pazifik
5.2.4 Lateinamerika
5.2.5 Naher Osten und Afrika
6. WETTBEWERBSFÄHIGE LANDSCHAFT
6.1 Firmenprofile
6.1.1 GaN Systems
6.1.2 NXP Semiconductor
6.1.3 Qorvo Inc.
6.1.4 Wolfspeed Inc.(A CREE Company)
6.1.5 Broadcom Inc.
6.1.6 Efficient Power Conversion
6.1.7 Fujitsu Semiconductor
6.1.8 NTT Advanced Technology
6.1.9 Texas Instruments
7. INVESTITIONSANALYSE
8. ZUKUNFT DES MARKTES
GaN-HF-Halbleitergeräte-Branchensegmentierung
GAN zeichnen sich in HF-Anwendungen aus mehreren Gründen aus, wie z. B. einem hohen Durchbruchfeld, einer hohen Sättigungsgeschwindigkeit und hervorragenden thermischen Eigenschaften, durch die sie maßgeblich zur Übertragung von Signalen über große Entfernungen oder bei hohen Leistungsniveaus beigetragen haben. Die Marktstudie konzentriert sich auf die Trends, die den Markt in wichtigen Regionen wie Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik, Lateinamerika sowie dem Nahen Osten und Afrika beeinflussen. Die Studie verfolgt außerdem die wichtigsten Marktparameter, die zugrunde liegenden Wachstumsbeeinflusser und die wichtigsten in der Branche tätigen Anbieter sowie die Auswirkungen von COVID-19 auf die gesamte RF-GaN-Branche und ihre Leistung.
| Auf Antrag | ||
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| Nach Geographie | ||
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Häufig gestellte Fragen zur Marktforschung für GaN-HF-Halbleitergeräte
Wie groß ist der Markt für GaN-HF-Halbleitergeräte derzeit?
Der Markt für GaN-HF-Halbleitergeräte wird im Prognosezeitraum (2024–2029) voraussichtlich eine jährliche Wachstumsrate von 30,58 % verzeichnen.
Wer sind die Hauptakteure auf dem Markt für GaN-HF-Halbleitergeräte?
GaN Systems, Qorvo Inc., Wolfspeed, Inc.(A CREE Company), Texas Instruments, Broadcom Inc. sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem Markt für GaN-HF-Halbleitergeräte tätig sind.
Welches ist die am schnellsten wachsende Region im Markt für GaN-HF-Halbleitergeräte?
Schätzungen zufolge wird der asiatisch-pazifische Raum im Prognosezeitraum (2024–2029) mit der höchsten CAGR wachsen.
Welche Region hat den größten Anteil am Markt für GaN-HF-Halbleitergeräte?
Im Jahr 2024 hat Nordamerika den größten Marktanteil am Markt für GaN-HF-Halbleitergeräte.
Welche Jahre deckt dieser Markt für GaN-HF-Halbleitergeräte ab?
Der Bericht deckt die historische Marktgröße des Marktes für GaN-HF-Halbleitergeräte für die Jahre 2019, 2020, 2021, 2022 und 2023 ab. Der Bericht prognostiziert auch die Marktgröße für GaN-HF-Halbleitergeräte für die Jahre 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 und 2029.
Branchenbericht zu GaN-HF-Halbleitergeräten
Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate von GaN-HF-Halbleitergeräten im Jahr 2024, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die Analyse von GaN-HF-Halbleitergeräten umfasst eine Marktprognose bis 2029 und einen historischen Überblick. Holen Sie sich ein Beispiel dieser Branchenanalyse als kostenlosen PDF-Download.
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