SiCウェーハの市場規模と市場規模株式分析 - 成長傾向と成長傾向予測 (2024 ~ 2029 年)

この調査レポートは、炭化ケイ素ウェハの市場規模とサプライヤーを調査し、ウェハサイズ(2インチ、3インチ、4インチ、6インチ、8インチ、12インチ)、アプリケーション(電力、無線周波数(RF))、エンドユーザー産業(通信・通信、自動車・電気自動車(EV)、太陽光発電・電源・エネルギー貯蔵、産業(UPS、モータードライブ))、地域別に分類しています。

SiCウェーハ市場規模

SiCウェーハ市場概要
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調査期間 2019 - 2029
市場規模 (2024) USD 10.1億ドル
市場規模 (2029) USD 24億ドル
CAGR(2024 - 2029) 19.04 %
最も成長が速い市場 アジア太平洋地域
最大の市場 アジア太平洋地域

市場パラメーター

SiCウェハー市場

*免責事項:主要選手の並び順不同

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SiCウェーハ市場分析

SiCウェーハ市場規模は2024年に10.1億米ドルと推定され、2029年までに24.0億米ドルに達すると予測されており、予測期間(2024年から2029年)中に19.04%のCAGRで成長します。

  • SIC MOSFET は、その優れた性能により、高いスイッチング周波数、電圧、電流、効率を必要とする電力アプリケーションで一般的に使用されています。 SiC デバイスは、半導体材料などの小さな違いを除き、標準の Si デバイスと同等に設計および製造されています。 SiC には、シリコンを使用する Si よりも多くの炭素原子が含まれています。これらのデバイスは信頼性、エネルギー効率、耐久性に優れており、より高いスイッチング周波数と動作電圧に耐えることができます。高電力密度デバイスはシンプルな設計を特徴としており、必要な外部コンポーネントの数が少なく、より小型になります。
  • SiC パワー半導体の需要を促進する主な要因の 1 つは、電子機器メーカーが自社デバイスのバッテリー寿命を延長する必要があることです。家電メーカーは自社デバイス(スマートフォン、ウェアラブル、スマートホームデバイスなどを含む)のバッテリー容量を増やしており、そのため低充電デバイスの需要がこの業界の市場成長を牽引しています。この分野における SiC 半導体の主な消費者はスマートフォンです。スマートフォンは近年、競争の激しい市場となっています。企業はこれまで、バッテリーを大量に消費するさまざまな新しいセンサーを搭載してきました。
  • GSMA Intelligence によると、2023 年初時点でドイツのモバイル接続数は 1 億 1,960 万件でした。2022 年から 2023 年にかけて、ドイツのモバイル接続数は 56 万 2,000 件 (+19.04%) 増加しました。さらに、国際電気通信連合によると、2021 年には英国で約 8,000 万件の携帯電話契約が登録されました。モバイル契約のこのような大幅な増加は、調査対象の市場を牽引するでしょう。
  • 一方で、家庭用電化製品や無線通信の需要の増加、エネルギー効率の高いバッテリー駆動のポータブル機器の需要の増加などの要因が市場の成長を推進している一方で、ROI指標と相まって世界中でシリコンウェーハが不足していることなどの要因が市場の成長を推進しています。市場の成長に挑戦することが予想されます。 SiC ベースのデバイスの主な目的は、IGBT を置き換えることです。ただし、これら 2 つのデバイスの駆動要件は大きく異なります。通常、ほとんどのトランジスタには、対称レール (±5V など) を使用する駆動要件があります。対照的に、SiC デバイスは完全にオフにするために小さな負の電圧要件があるため、非対称レール (-1V ~ -20V など) が必要です。追加の DC-DC ドライバーまたは 3 つの接続を備えた特殊なバッテリーが必要になるため、ポータブル機器でのアプリケーションに課題が生じる可能性があります。
  • さらに、さまざまな SiC プレーヤーが、新型コロナウイルス感染症のパンデミックによる生産低下に直面し、供給に悪影響を及ぼしました。たとえば、ルネサス エレクトロニクス株式会社は、パンデミックが生産現場に与える影響を発表しました。マレーシアの3つの生産拠点と中国の2つの生産拠点は、それぞれの政府が発表した命令に従って停止した。

SiCウェハーの市場動向

自動車と電気自動車のエンドユーザー産業セグメントが著しい成長を遂げる

  • 炭化ケイ素(SiC)は、さまざまな用途でシリコン(Si)の代替となる先端技術である。さらに、電気自動車(EV)の効率と航続距離を向上させる一方で、車両全体の重量と経費を削減するための対策も講じられている。このように、制御電子機器の電力密度の上昇に伴い、SiCをEVに利用するという概念が形成された。SiCは、多くの用途でシリコンの代わりに使用される独創的な技術である。電気自動車にSiCウエハーが採用されたことで、自動車全体の効率、航続距離、重量、コストが改善され、制御電子機器の電力密度が拡大した。
  • 米国は電気自動車の最大市場のひとつであり、近年EVの販売も急成長を記録している。米国の国際エネルギー機関(IEA)によると、2023年第1四半期に販売された電気自動車は32万台を超え、2022年第1四半期に比べ60%増加した。IEAは、米国ではこの傾向が今年も続き、2023年には電気自動車の販売台数が150万台を超え、米国の電気自動車販売台数は今年およそ12%に達すると予測している。
  • 中国汽車工業協会によると、2022年4月の中国の新エネルギー車販売台数は29万9,000台で、うち28万台が乗用電気自動車、1万9,000台が商用電気自動車であった。また、KBA(Kraftfahrt-Bundesamt)によると、ドイツにおける電気自動車の新車登録台数は近年大幅に増加しており、2019年の63,281台から2022年には470,559台に達する。このような電気自動車需要の増加は、調査対象市場の成長を後押しすると予想される。
  • 消費者の進化する需要に対応するため、複数の企業が新製品や新プロセスの投入に努めている。例えば、2022年8月、インテリジェント・パワーとセンシング技術で著名なオンセミは、ニューハンプシャー州ハドソンに炭化ケイ素(SiC)施設を開設した。SiCは、電気自動車(EV)、EV充電、エネルギー・インフラの効率を高めるために不可欠であり、脱炭素化に向けて重要な役割を担っている。同拠点は、2022年末までにハドソンにおけるSiCブールの生産能力を前年比5倍に拡大する。この拡張により、同社は炭化ケイ素粉末とグラファイト原料の調達から、完全にパッケージ化されたSiCデバイスの納入まで、炭化ケイ素製造サプライチェーンを完全にコントロールできるようになる。
  • 2022年7月、世界的な自動車サプライヤーであるマレリは、800ボルトの炭化ケイ素(SiC)インバーターの新しい完全なプラットフォームを開発し、電気自動車において重要なパラメーターであるインバーターのサイズ、重量、効率の面で改善を確保した。これは、バッテリーから得られるDC(直流)電力を電気自動車のモーターを利用するAC(交流)電力に変換するインバーターに適している。さらに、マレリの新しい800ボルト・インバータ・プラットフォームは、SiC部品と冷却液の間の熱抵抗を低減する革新的な構造設計と冷却チャネル設計により、最適化された熱構造も特徴としています。これは、パワーモジュールの排熱が重要となる高出力アプリケーションにおいて重要な点です。
SiCウェハー市場

アジア太平洋地域が最大シェア

  • アジア太平洋地域は世界の半導体市場を俯瞰しており、政府の政策も後押ししているため、世界のSiCウェハー市場において重要な地域である。さらに、この地域の半導体産業は中国、日本、台湾、韓国が牽引しており、世界半導体市場のかなりのシェアを占めている。これとは対照的に、ベトナム、シンガポール、タイ、マレーシアのような他の国も、この地域の市場支配に大きく貢献している。
  • 2023年3月、韓国の半導体ウェハーメーカーであるSK Siltron Inc.は、2025年までに炭化ケイ素(SiC)ウェハーの生産量を17倍に拡大するため、6億4,000万米ドルを投資すると発表した。最近のEV需要の増加に伴い、SiCウエハーのニーズが大幅に高まっている。
  • さらに、日本企業は、EV産業からのニーズに後押しされ、SiCパワー半導体の生産を向上させるために多額の投資を行っている。例えば、2022年1月、日本富士電機株式会社は、SiCパワー半導体の生産能力を増強するため、富士電機株式会社に資本を投下すると発表した。例えば、日本富士電機は2022年1月、富士電機津軽セミコンダクタ株式会社に資本参加すると発表した。日本富士電機は2022年1月、富士電機津軽半導体に資本参加し、SiCパワー半導体の生産を増強すると発表した。量産開始は2024年度を予定している。
  • さらに、東京に本社を置く昭和電工株式会社は2022年3月、SiCパワー半導体に加工・展開するSiCエピタキシャルウエハーの材料となる直径6インチ(150mm)の炭化ケイ素単結晶ウエハー(SiCウエハー)の量産を発表した。
  • さらに、インド政府の国家投資促進・円滑化機関であるインベスト・インディアが述べているように、インドの半導体市場は2020年度の150億米ドルから30年度には1,100億米ドルに増加し、年平均成長率は22%を記録すると予想されている。これは、5GネットワークやIoTの導入など、技術的変化による電子機器の普及拡大によるものである。電子機器市場ではIoTの需要が増加しており、「デジタル・インドや「スマート・シティのようなプログラムによって電子機器のニーズが高まる。政府によるこのような取り組みが、研究された市場を牽引すると予想される。
  • SiC半導体の需要は、急速充電がタブレットやノートパソコンの標準になるにつれて増加すると予想される。現在、市場で急速充電オプションを提供しているノートパソコンメーカーはほとんどない。また、SiCパワー半導体が充電器に採用されれば、より多くのエネルギーで熱損失が減少する。インド・ブランド・エクイティ財団(IBEF)によると、インドの家電・民生用電子機器(ACE)市場は年平均成長率9%を記録し、2022年には3兆1,500億インドルピー(~379億7,000万米ドル)に達すると予想されている。これは、予測期間中の市場成長を促進すると予想される。
  • この地域のプレーヤーは、幅広い顧客ニーズに応える新製品を開発している。例えば、日本のチップメーカーであるルネサスエレクトロニクスは2023年5月、電気自動車産業からの需要増に対応するため、2025年に次世代炭化ケイ素パワー半導体の生産を開始すると発表した。SiCチップは、東京の北西に位置する群馬県高崎市の工場で生産される。同工場では現在、標準的なシリコン・ウェーハ・チップを製造している。生産範囲と投資額は未定。炭化ケイ素パワー半導体は、耐熱性、耐圧性、電力損失の点でシリコンを上回る。
SiCウェハー市場

SiCウェハー産業概要

SiCウエハー市場は競争が激しく、有力なプレーヤーが存在する。市場で顕著なシェアを持つこれらのプレーヤーは、海外に広がる顧客基盤の拡大に注力している。また、戦略的な協業によって市場占有率を高め、収益性を高めている。

2023年3月、レゾナック株式会社は、パワー半導体用の第3世代の高品位炭化ケイ素(SiC)エピタキシャルウエハー(HGE-3G)を設計し、量産を開始したと発表した。HGE-3Gは、これまで量産してきた第2世代の高品位SiCエピウエハー(HGE-2G)を凌ぐ品質を持つ。

米チップメーカーのウルフスピードは2023年2月、ドイツのザールラント州に200mm厚の炭化ケイ素(SiC)ウェーハ工場と研究開発センターをドイツの自動車部品メーカーZFと共同で建設する計画を発表した。このプロジェクトは、欧州共通重要プロジェクト(IPCEI)の枠組みの下、EUから資金の承認を受けた後、数カ月以内に建設が開始される予定である。この最新工場は、ウルフスピードの世界的な能力開発計画65億米ドルの一部であり、2027年度の長期収益見通し40億米ドルを支えるものである。

2022年8月、II-VIは電気自動車用チップ向けに炭化ケイ素(SiC)ウエハーを中国に供給する1億米ドル相当の契約に調印した。この契約では、II-VIが東莞天宇半導体科技に150mmのSiC基板を供給し、四半期から2023年末まで納入する予定である。

SiCウェハー市場のリーダー

  1. Wolfspeed Inc.

  2. II-VI Incorporated

  3. Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd

  4. STMicroelectronics (Norstel AB)

  5. Showa Denko KK

*免責事項:主要選手の並び順不同

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SiCウェハー市場ニュース

  • 2023年3月株式会社デンソーは、株式会社ブルーネクサスが開発した電気駆動モジュール「eAxle(イーアクセル)に搭載される、SiC(炭化ケイ素)半導体を用いた世界初のインバーターを開発し、レクサス初のバッテリー電気自動車(BEV)専用モデルである新型レクサスRZに採用されると発表した。
  • 2023年3月三菱電機は、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の生産増強に向けたウエハー新工場の建設を中心に、公表している投資計画を今後5年間で2倍の約2600億円に拡大すると発表した。三菱電機は、電気自動車向けにSiCパワー半導体の需要が急拡大していることに対応するとともに、低エネルギー損失、高温動作、高速スイッチングを必要とする新規用途の市場拡大を目指す。また、三菱電機は、本計画を通じ、省エネ・脱炭素に向けた世界的なグリーン変革の潮流に貢献できるものと期待している。
  • 2022年3月:昭和電工株式会社は、SiC系パワー半導体(SiCパワー半導体)への加工・搭載が期待される直径6インチ(150mm)の炭化ケイ素単結晶ウェーハ(SiCウェーハ)の量産を開始した。SiCパワー半導体は、現在業界標準となっている従来のシリコン系パワー半導体をはるかにしのぐ、優れた耐熱性と高耐圧を持つ。SiCパワー半導体は、エネルギー効率の向上とパワーモジュールの小型化に貢献する。その結果、SiCパワー半導体の需要はxEV、鉄道車両、産業機器など様々な分野で急速に拡大した。

SiCウェハー市場レポート-目次

  1. 1. 導入

    1. 1.1 研究の前提条件と市場定義

      1. 1.2 研究の範囲

      2. 2. 研究方法

        1. 3. エグゼクティブサマリー

          1. 4. 市場洞察

            1. 4.1 市場概況

              1. 4.2 業界の魅力 - ポーターのファイブフォース分析

                1. 4.2.1 サプライヤーの交渉力

                  1. 4.2.2 買い手の交渉力

                    1. 4.2.3 新規参入の脅威

                      1. 4.2.4 代替品の脅威

                        1. 4.2.5 競争の激しさ

                        2. 4.3 テクノロジーに関する洞察

                          1. 4.4 マクロ経済要因が市場に与える影響の評価

                          2. 5. 市場ダイナミクス

                            1. 5.1 市場の推進力

                              1. 5.1.1 電気自動車(EV)の普及率の上昇と高電圧800VのEVアーキテクチャへの傾向がSiCウェーハの需要を促進

                                1. 5.1.2 高い熱伝導率によりパワーエレクトロニクススイッチやLED照明装置でSiCウェハーの需要が増加

                                2. 5.2 市場の課題

                                  1. 5.2.1 スケーラビリティ、熱放散、ダイおよび基板供給に対するパッケージング関連の圧力などの制約を制限する

                                3. 6. 市場セグメンテーション

                                  1. 6.1 ウェーハサイズ別

                                    1. 6.1.1 2、3、4 インチ

                                      1. 6.1.2 6インチ

                                        1. 6.1.3 8インチと12インチ

                                        2. 6.2 用途別

                                          1. 6.2.1 力

                                            1. 6.2.2 無線周波数 (RF)

                                              1. 6.2.3 その他の用途

                                              2. 6.3 エンドユーザー業界別

                                                1. 6.3.1 電気通信と通信

                                                  1. 6.3.2 自動車および電気自動車 (EV)

                                                    1. 6.3.3 太陽光発電/電源/エネルギー貯蔵

                                                      1. 6.3.4 産業用 (UPS およびモータードライブなど)

                                                        1. 6.3.5 その他のエンドユーザー産業

                                                        2. 6.4 地理別

                                                          1. 6.4.1 北米

                                                            1. 6.4.2 ヨーロッパ

                                                              1. 6.4.3 アジア太平洋地域

                                                                1. 6.4.4 世界のその他の地域

                                                              2. 7. 競争環境

                                                                1. 7.1 会社概要

                                                                  1. 7.1.1 Wolfspeed Inc.

                                                                    1. 7.1.2 II-VI Incorporated

                                                                      1. 7.1.3 Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd.

                                                                        1. 7.1.4 STMicroelectronics (Norstel AB)

                                                                          1. 7.1.5 Showa Denko KK

                                                                            1. 7.1.6 Atecom Technology Co. Ltd.

                                                                              1. 7.1.7 SK Siltron Co. Ltd.

                                                                                1. 7.1.8 SiCrystal GmbH

                                                                                  1. 7.1.9 TankeBlue Co. Ltd.

                                                                                    1. 7.1.10 Semiconductor Wafer Inc.

                                                                                    2. 7.2 ベンダーの市場シェア分析

                                                                                    3. 8. 投資分析

                                                                                      1. 9. 市場の未来

                                                                                        bookmark このレポートの一部を購入できます。特定のセクションの価格を確認してください
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                                                                                        SiCは、ワイドバンドギャップクラスに属するシリコン-炭素半導体化合物である。この半導体の強い物理的結合は、優れた機械的、化学的、熱的安定性を提供する。ウェハリング工程では、SiCの固体パックをエピまたはデバイス対応のプライムウェハに変換する。

                                                                                        SiCウェハ市場は、ウェハサイズ(2インチ、3インチ、4インチ、6インチ、8インチ、12インチ)、アプリケーション(電力、無線周波数(RF))、エンドユーザー産業(電気通信・通信、自動車・電気自動車(EV)、太陽光発電・電源・エネルギー貯蔵、産業用(UPS、モータードライブ))、地域(北米、欧州、アジア太平洋、その他の地域)で区分される。市場規模および予測は、上記のすべてのセグメントについて金額(米ドル)で提供されています。

                                                                                        ウェーハサイズ別
                                                                                        2、3、4 インチ
                                                                                        6インチ
                                                                                        8インチと12インチ
                                                                                        用途別
                                                                                        無線周波数 (RF)
                                                                                        その他の用途
                                                                                        エンドユーザー業界別
                                                                                        電気通信と通信
                                                                                        自動車および電気自動車 (EV)
                                                                                        太陽光発電/電源/エネルギー貯蔵
                                                                                        産業用 (UPS およびモータードライブなど)
                                                                                        その他のエンドユーザー産業
                                                                                        地理別
                                                                                        北米
                                                                                        ヨーロッパ
                                                                                        アジア太平洋地域
                                                                                        世界のその他の地域
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                                                                                        SiCウェーハ市場規模は、2024年に10億1,000万米ドルに達し、CAGR 19.04%で成長し、2029年までに24億米ドルに達すると予想されています。

                                                                                        2024 年の SiC ウェーハ市場規模は 10 億 1,000 万ドルに達すると予想されています。

                                                                                        Wolfspeed Inc.、II-VI Incorporated、Xiamen Powerway Advanced Material Co. Ltd、STMicroelectronics (Norstel AB)、Showa Denko KKは、SiCウェーハ市場で活動している主要企業です。

                                                                                        アジア太平洋地域は、予測期間 (2024 ~ 2029 年) にわたって最も高い CAGR で成長すると推定されています。

                                                                                        2024年には、アジア太平洋地域がSiCウェーハ市場で最大の市場シェアを占めます。

                                                                                        2023 年の SiC ウェーハ市場規模は 8 億 5,000 万米ドルと推定されています。このレポートは、2019年、2020年、2021年、2022年、2023年のSiCウェーハ市場の過去の市場規模をカバーしています。また、レポートは、2024年、2025年、2026年、2027年、2028年、2029年のSiCウェーハ市場規模も予測しています。

                                                                                        炭化ケイ素ウェハー産業レポート

                                                                                        Mordor Intelligence™ Industry Reports によって作成された、2024 年の SiC ウェーハ市場シェア、規模、収益成長率の統計。 SiC ウェーハ分析には、2024 年から 2029 年までの市場予測見通しと過去の概要が含まれます。得る この業界分析のサンプルを無料のレポート PDF としてダウンロードできます。

                                                                                        close-icon
                                                                                        80% のお客様がオーダーメイドのレポートを求めています。 あなたのものをどのように調整したいですか?

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