中国フラッシュメモリ市場規模と市場動向株式分析 - 成長傾向と成長傾向予測 (2024 ~ 2029 年)

中国フラッシュメモリ市場は、タイプ別(NORフラッシュメモリ(密度別(2メガビット&レス、4メガビット&レス(2MB超)、8メガビット&レス(4MB超)、16メガビット&レス(8MB超)、32メガビット&レス(16MB超)、64メガビット&レス(32MB超)))に区分される、NANDフラッシュメモリ(密度別(128MB以下、512MB以下、2Gビット以下(1GB超)、256MB以下、1Gビット以下、4Gビット以下(2GB超))、エンドユーザー別(データセンター(エンタープライズ、サーバー)、自動車、モバイル、タブレット、クライアント(PC、クライアントSSD))。本レポートでは、上記のすべてのセグメントについて、金額ベースの市場規模(米ドル)を掲載しています。

中国フラッシュメモリ市場規模

中国フラッシュメモリ市場概要
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調査期間 2019 - 2029
推定の基準年 2023
予測データ期間 2024 - 2029
歴史データ期間 2019 - 2022
CAGR 9.91 %
市場集中度 中くらい

主なプレーヤー

中国フラッシュメモリ市場の主要企業

*免責事項:主要選手の並び順不同

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中国フラッシュメモリー市場分析

中国フラッシュメモリ市場は、2022年に139億米ドルと評価され、予測期間中のCAGRは9.91%を記録し、2028年には244億米ドルに達すると予測されている。さらに、中国フラッシュメモリ市場の成長を後押ししている主な要因の1つは、ポータブル電子機器の人気の高まりと、中国の人々の間でIoTなどの先進技術の浸透が進んでいることである。

フラッシュ・メモリはフラッシュ・ストレージとしても知られ、バイト・レベルでデータの消去と書き換えを行う不揮発性メモリである。その速度と信頼性から、SSDのようなフラッシュ・メモリは、様々な家電製品においてハードディスク・ドライブ(HDD)に徐々に取って代わりつつある。同地域におけるコンシューマー・エレクトロニクス産業の台頭が市場を牽引すると予想される。

工業・情報化省は2022年9月、中国は技術革新とブランド構築能力の向上により、家電製品の生産と販売で世界第1位になったと発表した。さらに、中国は引き続きコンシューマー・エレクトロニクスの不可欠な世界的製造拠点であり、世界の主要エレクトロニクスメーカーが製造拠点や研究開発センターを設立するのを引き付けている。このような要因により、メモリー・デバイス市場は大きな規模を持つことになるだろう。

さらに、同地域では生産能力を向上させるための投資や取り組みがいくつか行われており、これが市場を牽引する要因のひとつとなっている。例えば、中国政府は2021年1月、2023年までに電子部品の国内市場を2兆1,000億人民元(3,270億米ドル)に拡大することを目指すと表明した。このような政府の取り組みは、電子製品におけるフラッシュメモリーデバイスの需要を促進すると予想される。

さらに、中国では、COVID-19の予防と管理対策が最適化されるにつれて、消費者が健康を追跡するためにこうしたデバイスに目を向けるようになり、スマートウォッチやスマートフィットネスブレスレットが人気を集めている。トゥルーワイヤレスステレオ(TWS)ヒアラブルデバイスは、さまざまなIoTアプリケーションの中でもNORフラッシュに大きな勢いをもたらすと予想される。中国工業情報化部(MIIT)は2021年12月にスマートIoT製造の5カ年計画を発表し、大手メーカーは2025年までにデジタル化に注力することになった。このような取り組みにより、フラッシュメモリコンポーネントを搭載する必要性が生まれ、同地域のコンシューマー向けIoTエレクトロニクス市場が促進されると期待されている。

調査期間中、主要な市場プレーヤーは新製品の発売や市場の拡大を後押しするその他の戦術的イニシアティブに継続的に投資している。例えば、Giantec Semiconductor、GigaDevice Semiconductorなどの中国のNORフラッシュプロバイダーは、消費者需要の落ち込みを相殺するために車載アプリケーションでの使用を増やしている。

さらに、中国の自動車産業はこの地域で回復の重要な兆しを見せており、NORフラッシュ・デバイスのようなフラッシュ・メモリ・デバイスに対する需要が高いことを示しています。中国自動車工業協会(CAAM)によると、中国の自動車メーカーの2022年の生産台数は前年比3.4%増の2,702万台、販売台数は2,686万台で2.1%増加した。このような進歩により、インフォテインメントやエンジン制御など様々な用途にNORフラッシュなどのフラッシュメモリー製品を使用する必要が出てくる。

NORフラッシュメモリの代替品としては、NANDとDRAMが一般的である。その結果、この地域におけるNORフラッシュの売上成長を制限する市場課題の1つは、代替品の利用可能性である。さらに、米国の輸出禁止措置の影響は、中国のチップメーカーに大きな生産問題を引き起こし、市場の成長を制限している。

中国フラッシュメモリ市場動向

NANDフラッシュが主要シェアを占める

NAND型フラッシュ・メモリは、低消費電力、スケーラブルな設計、高密度、費用対効果などのさまざまな特性を発揮しながら、電力なしで情報やデータを保存するストレージ・システムであり、市場のマルチメディア製品に効果的なソリューションを提供する。様々なコンシューマ・エレクトロニクス・アプリケーションにおける低コスト・ストレージ・ソリューションに対する需要の高まりは、この地域における市場成長を促進する重要な要因である。

NAND型フラッシュメモリが代替品と比較して優れていることと、5GおよびIoTデバイスの普及が進んでいることが、市場成長の原動力になると予想される。同じコンピューティング・アプリケーションの多くに5G技術が採用されることで、NANDの収益成長が期待される。GSMAによると、中国は2025年までに世界で初めて10億の5G接続を持つ市場になると予想されている。こうした要因は、NANDコンポーネントを含むメモリーデバイス市場を牽引するだろう。

同地域は民生用電子機器や企業向けストレージ分野でメモリーデバイスの技術導入が進んでいるため、NANDフラッシュメモリー市場を支配している。同地域は、5G、IoT機器、データセンター投資の増加など様々な要因により、予測期間中に大きく成長すると予想されている。

NANDメモリチップは、一般的にメモリカード、USBフラッシュドライブ、ソリッドステートドライブ、フィーチャーフォン、スマートフォン、その他のデータストレージおよび転送製品に搭載されている。スマートフォンの人気の高まりと、電子機器におけるNANDフラッシュメモリの使用の増加は、市場価値を悪化させるだろう。

2022年2月、サムスンは中国当局が西安市のパンデミック封鎖を解除したことを受け、西安製造施設の操業を一時的に調整することを決定したと発表した。西安では、サムスンは3,300人を雇用し、サムスンの総NAND生産量の40%を生産する2つの工場を運営している。この生産量の大半は中国市場向けである。

さらに、2022年3月、アップル社は、日本の重要なパートナーにおける混乱が世界供給のリスクを露呈したことを受け、初の中国メーカーを含め、iPhone用のメモリーチップの新たな供給元を検討していると発表した。アップルは、湖北省を拠点とするYangtze Memory Technologies Co.が製造するNANDフラッシュメモリチップのサンプルをテストしている。このようなベンダーの活動は、NANDメモリーデバイス市場を牽引すると期待されている。

YMTCは、メモリセルを垂直に積み重ねて記憶密度を高める3D NANDチップの市場を支配する、中国にとって最も大きなチャンスである。中国のトップメモリチップメーカーであるYMTCは2023年4月、現地調達の設備を使って先進的な3D NAND製品の生産を進めていると発表した。現地調達の拡大は、YMTCが「ビッグ・ファンドを含む国営投資家から70億米ドルの新たな資金提供を受けた後のことだ。

PCやスマートフォンの台頭により、NANDフラッシュの消費量は急増しており、その多くはスマートフォンの平均容量の増加に起因している。これがNANDフラッシュのパッケージ需要を押し上げ、NANDメモリーのデバイス需要に影響を与えると予想される。インド政府による取り締まりにもかかわらず、中国製スマートフォンは数カ国の市場シェアとインド市場を支配し続けている。このようなスマートフォンの製造能力が市場を牽引すると予想される。

中国フラッシュメモリ市場2019年7月から2022年12月までの中国における家電・コンシューマーエレクトロニクス小売売上高(単位:億元)

データセンターへの投資が市場を牽引

最もエネルギーを消費するデータセンターのいくつかは、ユーザーとウェブサービス間の通信を促進するサーバーファームである。現在、ほとんどのストレージ・サーバーはソリッド・ステート・ドライブ(SSD)を使用している。SSDはフラッシュ・ストレージを使用し、高速で高スループットのデータ要求を処理する。SSDは、電子的にプログラム可能で消去可能なメモリー・マイクロチップで、可動部品はない。地域のデータセンターの設立と開発への投資が、同地域の市場需要を生み出すと予想される。

フラッシュ・ストレージ・システムは、高性能、インフラ導入の簡素化、エネルギーとスペース要件の低減により、企業における将来のストレージ要件に対応するために不可欠である。データセンターでは、マルチクラウド環境で最適なアプリケーション・パフォーマンスを実現するために、オールフラッシュ・アレイとメモリを使用している。

多くの企業がデータセンターの拡張に絶えず投資しているため、データセンター・アプリケーションで使用されるフラッシュ・メモリ・デバイスの市場機会が創出される。例えばGLP Pteは、デジタルインフラ資産に対する投資家の需要が高まる中、中国におけるデータセンタープラットフォームの拡大を支援するため、2022年2月に5億米ドルの新規資金を調達した。同社によると、この取引によって中国のデータセンターは40億米ドルから50億米ドルの価値を持つ可能性があるという。このような投資は市場を前進させるだろう。

モレオ・キャピタランドは2023年2月、中国に特化した新たなデータセンター開発ファンドを立ち上げ、北京郊外に新たに2つの施設を計画していると発表した。この2つの開発プロジェクトは100メガワットを超える規模で、2025年の完成を予定している。世界のデジタル・インフラ市場で競争力を維持するためのこうしたベンダーの投資は、データセンターの需要を満たすフラッシュメモリー・メーカーに十分な機会をもたらすと期待されている。

さらにChina Mobileは2022年12月、1,000社以上のパートナーを獲得した後、データセンターへの投資を拡大すると発表した。また、深センの中国科学院計算技術研究所や彭城研究所と協力してデータセンター・インフラを構築している。このような投資は、国のデータセンター・インフラ活動を推進し、フラッシュ・メモリー・ベースのデバイスの設置を必要とする。

機械学習(ML)トレーニングやディープラーニング・アルゴリズムのようなリアルタイム分析や人工知能(AI)のような新しいユースケースの人気の高まりは、より高速なストレージの需要を押し上げると予想される。領域横断的なデータ利用の増加により高速ストレージの需要が高まるため、フラッシュメモリ市場は大きく成長すると予想される。

さらに、ベンダーの活動が活発化することで、データセンター・アプリケーションにおけるこれらのデバイスの需要に対応するフラッシュメモリー市場の成長が促進されると予想される。例えば、2022年8月に開催されたフラッシュ・メモリー・サミット(FMS)2022で、YMTCはXtacking 3.0アーキテクチャを搭載したX3-9070 TLC 3D NANDフラッシュを発表した。YMTCのX3-9070は、Xtacking 3.0をベースとした第4世代3D NANDソリューションのさらなる登場への道を開き、データセンター、エンタープライズレベルのサーバー、PC、モバイル機器、その他のアプリケーションで拡大する同社の顧客基盤に、より高いNANDスループットとシステムレベルの性能を提供する。

中国フラッシュメモリ市場:2022年9月現在のAPACにおけるデータセンター稼働率(都市別

中国フラッシュメモリー産業概要

中国フラッシュメモリー市場は断片化されており、少数のベンダーがかなりの部分を支配している。主なプレーヤーは、Giga Device、YMTC、Macronixなどである。これらのプレーヤーは、製品の発売、提携、パートナーシップなどの戦略的イニシアチブを駆使して、この地域市場で競争上の優位性を獲得している。

2023年3月、ギガデバイスは、先進ファンクションノードで構築されたシステムオンチップ(SoC)とアプリケーションプロセッサをサポートする1.2Vフラッシュ製品の戦略的ロードマップにおいて、SPI NORフラッシュのGD25UFシリーズを発表した。GD25UF SPI NORフラッシュ製品は、超低消費電力や小さな基板面積を必要とするアプリケーション向けに最適化されています。

2022年7月、Micron Technology, Inc.は、前例のないストレージ性能を実現するために業界をリードする革新的技術で構築された世界初の232層NANDの量産開始を発表しました。マイクロンの232層NANDは、3D NANDが生産時に200層以上に拡張可能であることを初めて証明したものであり、ストレージ革新の分水嶺となる。

2022年9月、武漢新星半導体製造有限公司(Wuhan XinxinSemiconductor Manufacturing Co.Ltd(そこではXMC)は、超小型で低消費電力のSPI NORフラッシュ製品であるXNOR-XM25LU128Cを発売し、小型化が進むIoT機器やウェアラブル機器に広く適用されるようになった。

中国フラッシュメモリ市場のリーダー

  1. Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.

  2. GigaDevice Semiconductor Inc.

  3. Macronix International Co., Ltd

  4. Samsung Electronics Co., Ltd.

  5. Infineon Technologies AG

*免責事項:主要選手の並び順不同

中国フラッシュメモリ市場集中度
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中国フラッシュメモリー市場ニュース

  • 2023年2月インフィニオンによると、2022年度の同社の売上高に占める中国の割合は36%であった。同社はバッテリー駆動の小型電子機器向けにSEMPER Nano NORフラッシュメモリーを発表した。ヒアラブル、フィットネストラッカー、ヘルスモニター、GPSトラッカー、ドローンなどのウェアラブルおよび産業用アプリケーションでは、より正確なトラッキング、重要な情報のロギング、ノイズキャンセル、セキュリティ強化などが可能になる。
  • 2022年3月:ウィンボンド・エレクトロニクスは64Mb密度の1.2V SpiFlash NORフラッシュIC、W25Q64NEを発表した。この新しいNORフラッシュ・メモリは、最新のモバイル機器やスマート・ウェアラブルの要件に合わせて、大容量のコード・ストレージとアクティブ・モードの省電力を顧客に提供する。同等の1.8Vデバイスと比べ、Winbond 1.2V部品はアクティブモード消費電力を3分の1に削減する。
  • 2022年8月: Macronix International Co.Ltd.は、同社のオクタフラッシュMX66UW1G45GXDI00がルネサスの開発プラットフォームに重要なフラッシュメモリを提供していることを発表しました。設計者は、マクロニクスの高速フラッシュメモリとルネサスの最新のコスト効率に優れたRZ/A3ULマイクロプロセッサ(MPU)を新しい評価ボード上で使用し、最先端の製品を開発することができます。

Table of Contents

  1. 1. 導入

    1. 1.1 研究の前提条件と市場定義

      1. 1.2 研究の範囲

      2. 2. 研究方法

        1. 3. エグゼクティブサマリー

          1. 4. 市場洞察

            1. 4.1 市場概況

              1. 4.2 サプライチェーン分析

                1. 4.3 マクロトレンド(新型コロナウイルス感染症後のシナリオ、サプライチェーンの混乱、経済的不確実性など)が市場に及ぼす影響

                  1. 4.4 業界の魅力 - ポーターのファイブフォース分析

                    1. 4.4.1 新規参入の脅威

                      1. 4.4.2 買い手/消費者の交渉力

                        1. 4.4.3 サプライヤーの交渉力

                          1. 4.4.4 代替品の脅威

                            1. 4.4.5 競争の激しさ

                          2. 5. 市場力学

                            1. 5.1 市場の推進力

                              1. 5.1.1 この地域におけるデータセンターの需要の増大

                                1. 5.1.2 拡大するIoTのアプリケーション

                                2. 5.2 市場の制約

                                  1. 5.2.1 代替品の入手可能性と米国による中国製チップ製造の禁止

                                3. 6. 市場セグメンテーション

                                  1. 6.1 タイプ別

                                    1. 6.1.1 NANDフラッシュメモリ

                                      1. 6.1.1.1 密度別

                                        1. 6.1.1.1.1 128MB以下

                                          1. 6.1.1.1.2 512MB以下

                                            1. 6.1.1.1.3 2ギガビット以下(1GB以上)

                                              1. 6.1.1.1.4 256MB以下

                                                1. 6.1.1.1.5 1ギガビット以下

                                                  1. 6.1.1.1.6 4ギガビット以下(2GB以上)

                                                2. 6.1.2 NORフラッシュメモリ

                                                  1. 6.1.2.1 密度別

                                                    1. 6.1.2.1.1 2メガビット以下

                                                      1. 6.1.2.1.2 4メガビット以下(2MB以上)

                                                        1. 6.1.2.1.3 8メガビット以下(4MB以上)

                                                          1. 6.1.2.1.4 16メガビット以下(8MB以上)

                                                            1. 6.1.2.1.5 32メガビット以下(16MB以上)

                                                              1. 6.1.2.1.6 64メガビット以下(32MB以上)

                                                          2. 6.2 エンドユーザー別

                                                            1. 6.2.1 データセンター (エンタープライズおよびサーバー)

                                                              1. 6.2.2 自動車

                                                                1. 6.2.3 モバイルとタブレット

                                                                  1. 6.2.4 クライアント (PC、クライアント SSD)

                                                                    1. 6.2.5 その他のエンドユーザー アプリケーション

                                                                  2. 7. 競争環境

                                                                    1. 7.1 会社概要

                                                                      1. 7.1.1 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd

                                                                        1. 7.1.2 Infineon Technologies AG

                                                                          1. 7.1.3 Micron Technology Inc.

                                                                            1. 7.1.4 Samsung Electronics

                                                                              1. 7.1.5 Xinxin Semiconductor Manufacturing Co., Ltd

                                                                                1. 7.1.6 Intel Corporation

                                                                                  1. 7.1.7 Microchip Technology Inc.

                                                                                    1. 7.1.8 GigaDevice Semiconductor Inc.

                                                                                      1. 7.1.9 Winbond Electronics Corporation

                                                                                        1. 7.1.10 Macronix International Co., Ltd

                                                                                      2. 8. 投資分析

                                                                                        1. 9. 市場機会と将来のトレンド

                                                                                          bookmark このレポートの一部を購入できます。特定のセクションの価格を確認してください
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                                                                                          中国フラッシュメモリ産業セグメンテーション

                                                                                          フラッシュ・メモリーは、電気的に消去・再プログラムが可能な不揮発性の電子コンピューター・メモリー記憶媒体である。フラッシュ・メモリは、データやコードを保存するために組み込みシステムで広く使用されている。従来のハードディスク・ドライブとは異なり、フラッシュ・メモリは電源を切った後でもデータを保存できる。NORフラッシュとNANDフラッシュは、フラッシュ・メモリの2つの主要なタイプです。どちらもフローティング・ゲートで構成される同じセル設計を採用している。この市場調査は、フラッシュメモリの金額と数量で構成されている。

                                                                                          The Americas Flash Memory Market is Segmented y Type (NOR Flash Memory (By Density (2 MEGABIT LESS, 4 MEGABIT LESS (greater than 2MB), 8 MEGABIT LESS (greater than 4MB), 16 MEGABIT LESS (greater than 8MB), 32 MEGABIT LESS (greater than 16MB), 64 MEGABIT LESS(32MB超)))、NANDフラッシュメモリ(密度別(128MB&LESS、512MB&LESS、2GIGABIT&LESS(1GB超)、256MB&LESS、1GIGABIT&LESS、4GIGABIT&LESS(2GB超)))、エンドユーザー別(データセンター(エンタープライズおよびサーバー)、自動車、モバイルおよびタブレット、クライアント(PC、クライアントSSD)))。本レポートでは、上記のすべてのセグメントについて、金額ベースの市場規模(米ドル)を掲載しています。

                                                                                          タイプ別
                                                                                          NANDフラッシュメモリ
                                                                                          密度別
                                                                                          128MB以下
                                                                                          512MB以下
                                                                                          2ギガビット以下(1GB以上)
                                                                                          256MB以下
                                                                                          1ギガビット以下
                                                                                          4ギガビット以下(2GB以上)
                                                                                          NORフラッシュメモリ
                                                                                          密度別
                                                                                          2メガビット以下
                                                                                          4メガビット以下(2MB以上)
                                                                                          8メガビット以下(4MB以上)
                                                                                          16メガビット以下(8MB以上)
                                                                                          32メガビット以下(16MB以上)
                                                                                          64メガビット以下(32MB以上)
                                                                                          エンドユーザー別
                                                                                          データセンター (エンタープライズおよびサーバー)
                                                                                          自動車
                                                                                          モバイルとタブレット
                                                                                          クライアント (PC、クライアント SSD)
                                                                                          その他のエンドユーザー アプリケーション
                                                                                          customize-icon 異なる地域またはセグメントが必要ですか?
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                                                                                          中国のフラッシュメモリ市場は、予測期間(9.91%年から2029年)中に9.91%のCAGRを記録すると予測されています

                                                                                          Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.、GigaDevice Semiconductor Inc.、Macronix International Co., Ltd、Samsung Electronics Co., Ltd.、Infineon Technologies AGは、中国のフラッシュメモリ市場で活動している主要企業です。

                                                                                          このレポートは、2019年、2020年、2021年、2022年、2023年の中国フラッシュメモリ市場の歴史的市場規模をカバーしています。また、2024年、2025年、2026年、2027年、2028年、2029年の中国フラッシュメモリ市場規模も予測しています。

                                                                                          China Flash Memory Industry Report

                                                                                          Mordor Intelligence™ Industry Reports が作成した、2024 年の中国のフラッシュ メモリ市場シェア、規模、収益成長率の統計。中国フラッシュメモリ分析には、2024年から2029年までの市場予測見通しと過去の概要が含まれています。得る この業界分析のサンプルを無料のレポート PDF としてダウンロードできます。

                                                                                          close-icon
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