Taille du marché du nitrure de gallium radiofréquence
| Période d'étude | 2019 - 2029 |
| Taille du Marché (2024) | USD 1.70 milliards de dollars |
| Taille du Marché (2029) | USD 4.03 milliards de dollars |
| TCAC(2024 - 2029) | 18.76 % |
| Marché à la Croissance la Plus Rapide | Asie-Pacifique |
| Plus Grand Marché | Amérique du Nord |
Acteurs majeurs
*Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier |
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Analyse du marché du nitrure de gallium radiofréquence
La taille du marché RF GaN est estimée à 1,7 milliard de dollars en 2024 et devrait atteindre 4,03 milliards de dollars dici 2029, avec une croissance de 18,76 % au cours de la période de prévision (2024-2029).
En raison des avantages de lutilisation du RF GaN sur une large gamme dappareils et dapplications liés en temps réel, davantage dindustries devraient utiliser la technologie de lInternet des objets (IoT), qui devrait stimuler la croissance du marché. Grâce à la technologie GaN en constante évolution, GaN permet des fréquences plus élevées dans des applications plus complexes, telles que les réseaux multiéléments, les radars et les stations émettrices-réceptrices de base pour la télévision par câble (CATV), les terminaux à très petite ouverture (VSAT) et les communications de défense.
- Le RF GaN joue un rôle clé dans l'infrastructure sans fil, en améliorant l'efficacité et en élargissant la bande passante pour prendre en charge des vitesses de transmission de données toujours croissantes. Le marché du RF GaN est principalement tiré par ladoption croissante de la 5G et les progrès des communications sans fil. Les opérateurs télécoms pourraient également bénéficier dune utilisation accrue des transistors de puissance GaN.
- Ladoption croissante du RF GaN dans lautomobile électrique est également lun des principaux facteurs qui stimulent la demande sur ce marché. Les dispositifs en carbure de silicium sont utilisés dans les chargeurs de batterie embarqués des bus électriques, des taxis, des camions et des voitures particulières. En outre, le renforcement des lois gouvernementales favorisant le marché des véhicules électriques stimule la demande sur le marché du RF GaN.
- Linfrastructure nécessaire à la création de véhicules et de drones autonomes est un autre facteur qui augmente la demande de technologies RF GaN. Par conséquent, la croissance de ladoption et du développement de véhicules et de drones autonomes pour diverses applications, notamment militaires et de défense, devrait accroître encore ladoption de dispositifs RF GaN au cours de la période de prévision.
- Les avantages matériels inhérents au GaN s'accompagnent de certains défis de fabrication associés, notamment le coût et l'optimisation du traitement et du conditionnement des dispositifs. Dautres problèmes incluent le piégeage de charge et leffondrement du courant, qui doivent être résolus pour une adoption accrue de ces dispositifs. Bien que des améliorations significatives aient été apportées aux dispositifs basés sur RF GaN (performances et rendements), certains obstacles empêchent encore le nitrure de gallium sur carbure de silicium (GaN-on-SiC) d'entrer dans les applications grand public (c'est-à-dire dans les stations de base de télécommunications sans fil). ou CATV).
- La pandémie de COVID-19 a eu un impact sur les lignes dapprovisionnement et le secteur des télécommunications. Cela a considérablement entravé la pénétration de la 5G dans le secteur des télécommunications. Dans cette situation critique, les consommateurs devraient continuer à utiliser les téléphones mobiles, mais la plupart dentre eux ne seront peut-être pas en mesure dinvestir davantage dans une technologie qui en est encore à ses balbutiements.
- L'augmentation rapide de la consommation de données a entraîné la croissance des réseaux commerciaux et encourage les fournisseurs de réseaux à adopter les réseaux de nouvelle génération, tels que la 4G et la 5G. Selon le Cisco Visual Networking Index, le trafic mondial de données mobiles devrait enregistrer un TCAC de 46 %, atteignant 77,5 exaoctets par mois d'ici 2022.
- Des organisations du monde entier innovent avec de nouveaux produits et développent leurs activités. Par exemple, en juin 2022, Integra, un fournisseur de solutions innovantes dalimentation RF et micro-ondes, a annoncé quil avait commencé à expédier sa technologie révolutionnaire GaN RF 100 V à des clients aux États-Unis et en Europe. La société a également annoncé l'expansion de son portefeuille de produits RF GaN 100 V avec le lancement de sept nouveaux produits destinés aux segments de marché de l'avionique, de l'énergie dirigée, de la guerre électronique, du radar et de la science, offrant des niveaux de puissance allant jusqu'à 5 kW dans un seul transistor.
Tendances du marché du nitrure de gallium radiofréquence
Forte demande du segment des infrastructures de télécommunications, tirée par les progrès de la mise en œuvre de la 5G
- En tant que principal moteur de la numérisation mondiale et secteur soumis à des changements profonds dans lenvironnement de marché, le secteur des télécommunications est considéré comme un utilisateur majeur des technologies de transformation numérique. L'investissement du secteur des télécommunications dans l'interopérabilité et la technologie a facilité un changement de paradigme dans les flux de capitaux et d'informations à travers l'économie mondiale, fournissant ainsi les éléments constitutifs de l'émergence de modèles commerciaux entièrement nouveaux dans l'ensemble du secteur.
- La technologie 5G devrait révolutionner le domaine de divers services à large bande et permettre la connectivité dans différents secteurs verticaux dutilisateurs finaux. Les principaux facteurs qui stimulent la part de marché du GaN sont laugmentation des abonnements mobiles, le streaming de contenu vidéo en ligne, linfrastructure 5G et diverses applications IoT utilisant la 5G. La 5G devrait prendre en charge différents services et exigences de services associées dans plusieurs scénarios.
- Actuellement, le nombre d'abonnements mobiles 5G est évalué à 0,42 million et devrait atteindre 400 millions d'ici 2022. Avec la croissance substantielle des déploiements de la technologie 5G à l'échelle mondiale, la demande pour la technologie RF GaN devrait augmenter.
- En mai 2022, STMicroelectronics (ST) et MACOM Technology Solutions Holdings (MACOM), fournisseur de produits semi-conducteurs destinés aux secteurs des télécommunications, de l'industrie, de la défense et des centres de données, ont annoncé la production de RF GaN sur silicium (RF Gan-on-Si ) prototypes. Forts de ce succès, ST et MACOM continueront à travailler ensemble et à développer leurs relations. La technologie GaN-sur-Si en cours de développement par ST et MACOM devrait offrir des performances compétitives et des économies d'échelle significatives grâce à son intégration dans les flux de processus standard des semi-conducteurs.
- Qorvo est l'un des fournisseurs de solutions RF pour les fabricants de stations de base 2G, 3G et 4G. Il occupe une position unique sur le marché pour soutenir le développement dinfrastructures sans fil sub-6 GHz et cmWave/mmWave. Qorvo a investi dans des solutions de produits couvrant les bandes 5G pertinentes, telles que 3,5, 4,8, 28 et 39 GHz, pour desservir le marché, principalement pour permettre la 5G.
- Le besoin de réseaux dantennes denses et à petite échelle dans linfrastructure 5G entraîne des défis majeurs en matière de gestion de lénergie et de la chaleur dans les systèmes radiofréquences (RF). Grâce à leurs performances, leur efficacité et leur densité de puissance améliorées à large bande, les dispositifs GaN offrent le potentiel de solutions plus compactes capables de relever ces défis.
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LAsie-Pacifique devrait connaître une croissance significative
- L'industrie des semi-conducteurs discrets de la région Asie-Pacifique est tirée par la Chine, le Japon, Taiwan et la Corée du Sud, qui constituent environ 65 % du marché mondial des semi-conducteurs discrets. En revanche, d'autres, comme le Vietnam, la Thaïlande, la Malaisie et Singapour, contribuent à la domination de la région sur le marché.
- Selon l'Association indienne de l'électronique et des semi-conducteurs, le marché indien des composants semi-conducteurs enregistrerait un TCAC de 10,1 % (2018-2025) pour atteindre 32,35 milliards de dollars d'ici 2025. Le pays est une destination vitale pour les centres mondiaux de recherche et de développement. Par conséquent, l'initiative Make in India en cours par le gouvernement indien devrait se traduire par des investissements importants sur le marché des semi-conducteurs. De telles initiatives du gouvernement indien tireront parti du marché RF GaN.
- En février 2022, Navitas Semiconductor, un fournisseur de circuits intégrés (CI) GaN, a annoncé sa participation à la conférence des investisseurs de China International Capital Corporation Limited (CICC). Le circuit intégré d'alimentation GaN exclusif de la société intègre l'alimentation GaN et le pilotage, le contrôle et la protection GaN dans un seul boîtier SMT. Une telle participation tirera parti du marché du GaN dans la région.
- La demande de RF GaN dans la région APAC devrait augmenter en raison de lintérêt croissant des investisseurs pour le développement dinfrastructures prenant en charge la technologie 5G. Par exemple, selon la GSMA, lopérateur mobile de la région Asie-Pacifique devrait dépenser plus de 400 milliards de dollars dici 2025, dont 331 milliards de dollars seront consacrés aux déploiements 5G.
- La croissance des entreprises RF GaN en Chine sinscrit dans une tendance plus large alors que le pays passe dune économie manufacturière à une économie axée sur linnovation. Le marché chinois est témoin dune demande croissante dapplications commerciales de télécommunications sans fil, et les entreprises chinoises développent déjà des réseaux de télécommunications de nouvelle génération.
- De plus, en décembre 2021, des chercheurs de lIIT Kanpur en Inde ont développé un modèle haute performance et standard de lindustrie de transistor à haute mobilité électronique (HEMT) en aluminium GaN (AlGaN). Ce modèle fournit une méthode de conception simple qui peut être utilisée pour fabriquer des circuits RF de haute puissance. Les circuits RF comprennent des amplificateurs et des commutateurs utilisés dans les transmissions sans fil et sont utiles dans les applications aérospatiales et de défense. Les innovations constantes des chercheurs stimuleront la croissance du marché du RF GaN dans la région.
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Aperçu du marché du nitrure de gallium par radiofréquence
La rivalité concurrentielle entre les acteurs du marché RF GaN est élevée en raison de la présence de certains acteurs clés tels que Raytheon Technologies, STM microelectronics, entre autres. Leur capacité à innover continuellement dans leurs offres leur a permis dacquérir un avantage concurrentiel sur les autres acteurs. Grâce à la recherche et au développement, aux partenariats stratégiques et aux fusions et acquisitions, ces acteurs ont pu simplanter solidement sur le marché.
En juin 2022, Qorvo, un important fournisseur de solutions RF innovantes qui connectent le monde, a été sélectionné par le Département américain de la Défense (DoD) pour procéder au projet Advanced Integration Interconnection and Fabrication Growth for Domestic State-of-the-Art (SOTA). ) Programme RF GaN, également connu sous le nom de STARRY NITE, dans le cadre de la feuille de route de la microélectronique du Bureau du sous-secrétaire à la recherche et à l'ingénierie de la défense (OUSD RE). Le programme vise à développer et à faire évoluer les fonderies nationales ouvertes SOTA RF GaN en alignement avec l'écosystème d'emballage avancé du DoD.
En mai 2022, STMicroelectronics et MACOM Technology Solutions Holdings Inc., un important fournisseur de produits semi-conducteurs destinés aux secteurs de l'industrie, des télécommunications, de la défense et des centres de données, ont annoncé la production réussie de prototypes RF Gan sur silicium (RF Gan-on-Si).. Grâce à cette réalisation, ST et MACOM continueront à travailler ensemble et à renforcer leurs relations.
Leaders du marché du nitrure de gallium radiofréquence
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Mitsubishi Electric Corporation
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STMicroelectronics NV
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Qorvo Inc.
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Analog Devices Inc.
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Raytheon Technologies
*Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier
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Actualités du marché du nitrure de gallium radiofréquence
- Septembre 2022 MaxLinear Inc. et RFHIC ont annoncé une collaboration pour fournir une solution d'amplificateur de puissance 400 MHz prête à la production pour les radios macrocellulaires 5G, utilisant les technologies de prédistorsion numérique MaxLIN MaxLIN et de réduction du facteur de crête pour optimiser les performances des derniers transistors RF GaN de la série ID-400W de RFHIC.. La combinaison du transistor RF GaN double inverse ID41411DR de RFHIC avec MaxLIN DPD et sa disponibilité en tant que solution pré-vérifiée permettraient aux développeurs de produits de réseau d'accès radio (RAN) de fournir rapidement des macro PA ultra-large bande de 400 MHz pour tous les déploiements mondiaux de bande moyenne 5G avec efficacité énergétique élevée et faibles émissions.
- Juin 2022 Pour sa gamme de produits RF GaN 100 V, Integra a annoncé l'inclusion de sept dispositifs supplémentaires avec des niveaux de puissance allant jusqu'à 5 kW dans un seul transistor pour les domaines de l'avionique, de l'énergie dirigée, de la guerre électronique, du radar et des applications scientifiques. Ces éléments utilisent la technologie RF GaN 100 V d'Integra, conçue pour fournir la puissance et l'efficacité maximales possibles dans un seul transistor tout en maintenant des températures de jonction de fonctionnement stables.
Rapport sur le marché du nitrure de gallium radiofréquence – Table des matières
1. INTRODUCTION
1.1 Study Assumptions and Market Definition
1.2 Scope of the Study
2. RESEARCH METHODOLOGY
3. EXECUTIVE SUMMARY
4. MARKET INSIGHTS
4.1 Market Overview
4.2 Industry Value Chain Analysis
4.3 Industry Attractiveness - Porter's Five Forces Analysis
4.3.1 Threat of New Entrants
4.3.2 Bargaining Power of Buyers
4.3.3 Bargaining Power of Suppliers
4.3.4 Threat of Substitute Products
4.3.5 Intensity of Competitive Rivalry
4.4 Technology Snapshot
4.5 Assessment of the Impact of COVID-19 on the Industry
5. MARKET DYNAMICS
5.1 Market Drivers
5.1.1 Strong Demand from Telecom Infrastructure Segment Driven by Advancements in 5G Implementation
5.1.2 Favorable Attributes Such As High-performance and Small Form Factor to
5.2 Market Restraints
5.2.1 Cost & Operational Challenges
6. MARKET SEGMENTATION
6.1 By Application
6.1.1 Military
6.1.2 Telecom Infrastructure (Backhaul, RRH, Massive MIMO, Small Cells)
6.1.3 Satellite Communication
6.1.4 Wired Broadband
6.1.5 Commercial Radar and Avionics
6.1.6 RF Energy
6.2 By Material Type
6.2.1 GaN-on-Si
6.2.2 GaN-on-SiC
6.2.3 Other Material Types (GaN-on-GaN, GaN-on-Diamond)
6.3 Geography
6.3.1 North America
6.3.2 Europe
6.3.3 Asia Pacific
6.3.4 Middle East and Africa
7. COMPETITIVE LANDSCAPE
7.1 Company Profiles
7.1.1 Aethercomm Inc.
7.1.2 Analog Devices Inc.
7.1.3 Wolfspeed Inc. (Cree Inc.)
7.1.4 Integra Technologies Inc.
7.1.5 MACOM Technology Solutions Holdings Inc.
7.1.6 Microsemi Corporation (Microchip Technology Incorporated)
7.1.7 Mitsubishi Electric Corporation
7.1.8 NXP Semiconductors NV
7.1.9 Qorvo Inc.
7.1.10 STMicroelectronics NV
7.1.11 Sumitomo Electric Device Innovations Inc.
7.1.12 HRL Laboratories
7.1.13 Raytheon Technologies
7.1.14 Mercury Systems, Inc
- *List Not Exhaustive
8. INVESTMENT ANALYSIS
9. MARKET OPPORTUNITIES AND FUTURE TRENDS
Segmentation de lindustrie du nitrure de gallium radiofréquence
Le GAN se distingue dans les applications RF pour plusieurs raisons, telles qu'un champ de claquage élevé, une vitesse de saturation élevée et des propriétés thermiques robustes, car ils ont joué un rôle déterminant dans la transmission de signaux sur de longues distances ou à des niveaux de puissance élevés.
Ce rapport segmente le marché par application (militaire, infrastructure de télécommunications, communication par satellite, haut débit filaire, radar et avionique commerciaux et énergie RF), matériau (GaN-on-Sic et GaN-on-Silicon) et géographie (Amérique du Nord, Europe, Asie-Pacifique, Moyen-Orient et Afrique). Les tailles et prévisions du marché sont fournies en termes de valeur (en millions de dollars) pour tous les segments ci-dessus.
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FAQ sur les études de marché sur le nitrure de gallium radiofréquence
Quelle est la taille du marché RF GaN ?
La taille du marché RF GaN devrait atteindre 1,70 milliard USD en 2024 et croître à un TCAC de 18,76 % pour atteindre 4,03 milliards USD dici 2029.
Quelle est la taille actuelle du marché RF GaN ?
En 2024, la taille du marché du RF GaN devrait atteindre 1,70 milliard de dollars.
Qui sont les principaux acteurs du marché RF GaN ?
Mitsubishi Electric Corporation, STMicroelectronics NV, Qorvo Inc., Analog Devices Inc., Raytheon Technologies sont les principales sociétés opérant sur le marché RF GaN.
Quelle est la région qui connaît la croissance la plus rapide sur le marché RF GaN ?
On estime que lAsie-Pacifique connaîtra la croissance du TCAC le plus élevé au cours de la période de prévision (2024-2029).
Quelle région détient la plus grande part du marché RF GaN ?
En 2024, lAmérique du Nord représente la plus grande part de marché sur le marché RF GaN.
Quelles années couvre ce marché RF GaN et quelle était la taille du marché en 2023 ?
En 2023, la taille du marché RF GaN était estimée à 1,43 milliard USD. Le rapport couvre la taille historique du marché du RF GaN pour les années 2019, 2020, 2021, 2022 et 2023. Le rapport prévoit également la taille du marché du RF GaN pour les années 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 et 2029.
Rapport sur l'industrie RF GaN
Statistiques sur la part de marché, la taille et le taux de croissance des revenus du RF GaN 2024, créées par Mordor Intelligence™ Industry Reports. Lanalyse RF GaN comprend des perspectives de prévisions de marché jusquen 2029 et un aperçu historique. Obtenez un échantillon de cette analyse de lindustrie sous forme de rapport PDF gratuit à télécharger.
GaN RF Instantanés du rapport
