Taille du marché du nitrure de gallium radiofréquence
| Période d'étude | 2018 - 2028 |
| Taille du Marché (2023) | USD 1,43 milliard(s) |
| Taille du Marché (2028) | USD 3,39 milliards |
| TCAC(2023 - 2028) | 18.76 % |
| Marché à la Croissance la Plus Rapide | Asie-Pacifique |
| Plus Grand Marché | Amérique du Nord |
Principaux acteurs
*Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier |
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Analyse du marché du nitrure de gallium à radiofréquence
La taille du marché du GaN RF (nitrure de gallium radiofréquence) est estimée à 1 milliard USD en 2023 et devrait atteindre 3,39 milliards USD dici 2028, avec un TCAC de 18,76% au cours de la période de prévision (2023-2028).
En raison des avantages de lutilisation du GaN RF sur un large éventail dappareils et dapplications reliés en temps réel, davantage dindustries devraient utiliser la technologie de lInternet des objets (IoT), ce qui devrait stimuler la croissance du marché. Grâce à lévolution constante de la technologie GaN, le GaN permet des fréquences plus élevées dans des applications plus complexes, telles que les réseaux à commande de phase, les radars et les stations démetteur-récepteur de base pour la télévision par câble (CATV), le terminal à très petite ouverture (VSAT) et les communications de défense.
- Le GaN RF joue un rôle clé dans linfrastructure sans fil, améliorant lefficacité et élargissant la bande passante pour prendre en charge des vitesses de transmission de données toujours croissantes. Le marché du GaN RF est principalement stimulé par ladoption croissante de la 5G et les progrès des communications sans fil. Les opérateurs de télécommunications pourraient également bénéficier dune utilisation accrue des transistors de puissance GaN.
- Ladoption croissante du GaN RF dans lautomobile électrique est également lun des principaux facteurs qui stimulent la demande sur ce marché. Les dispositifs en carbure de silicium sont utilisés dans les chargeurs de batterie embarqués des bus électriques, des taxis, des camions et des voitures particulières. En outre, laugmentation des lois gouvernementales favorisant le marché des véhicules électriques stimule la demande sur le marché du GaN RF.
- Linfrastructure nécessaire pour créer des véhicules autonomes et des drones est un autre facteur qui augmente la demande de technologies RF GaN. Par conséquent, la croissance de ladoption et du développement de véhicules autonomes et de drones pour diverses applications, en particulier militaires et de défense, devrait encore augmenter ladoption des dispositifs RF GaN au cours de la période de prévision.
- Les avantages matériels inhérents au GaN saccompagnent de certains défis de fabrication associés, notamment le coût et loptimisation du traitement et de lemballage des dispositifs. Dautres problèmes incluent le piégeage de charge et leffondrement du courant, qui doivent être résolus pour une adoption accrue de ces dispositifs. Bien que des améliorations significatives aient été apportées aux dispositifs à base de GaN RF (performances et rendements), il existe encore des obstacles empêchant le nitrure de gallium sur le carbure de silicium (GaN-on-SiC) dentrer dans les applications grand public (cest-à-dire dans les stations de base de télécommunications sans fil ou CATV).
- La pandémie de COVID-19 a eu un impact sur les lignes dapprovisionnement et lindustrie des télécommunications. Elle a considérablement entravé la pénétration de la 5G dans le secteur des télécommunications. Dans cette situation critique, les consommateurs devraient continuer à utiliser les téléphones mobiles, mais la plupart dentre eux pourraient ne pas être en mesure dinvestir davantage dans une technologie qui en est encore à ses balbutiements.
- Laugmentation rapide de la consommation de données a entraîné la croissance des réseaux commerciaux et encourage les fournisseurs de réseaux à adopter les réseaux de nouvelle génération, tels que la 4G et la 5G. Selon le Cisco Visual Networking Index, le trafic mondial de données mobiles devrait enregistrer un TCAC de 46%, atteignant 77,5 exaoctets par mois dici 2022.
- Les organisations du monde entier innovent de nouveaux produits et développent leurs activités. Par exemple, en juin 2022, Integra, un fournisseur de solutions innovantes dalimentation RF et micro-ondes, a annoncé quil avait commencé à expédier sa technologie révolutionnaire 100V RF GaN à des clients aux États-Unis et en Europe. La société a également annoncé lexpansion de son portefeuille de produits GaN RF 100V avec le lancement de sept nouveaux produits pour les segments de marché de lavionique, de lénergie dirigée, de la guerre électronique, du radar et de la science, offrant des niveaux de puissance allant jusquà 5 kW dans un seul transistor.
Forte demande du segment des infrastructures de télécommunications stimulée par les progrès réalisés dans la mise en œuvre de la 5G
- En tant que principal moteur de la numérisation mondiale et industrie subissant des changements profonds dans lenvironnement du marché, lindustrie des télécommunications est considérée comme un utilisateur majeur des technologies de transformation numérique. Linvestissement de lindustrie des télécommunications dans linteropérabilité et la technologie a facilité un changement de paradigme dans la circulation des capitaux et de linformation dans lensemble de léconomie mondiale, fournissant les éléments de base pour lémergence de modèles commerciaux entièrement nouveaux dans lensemble de lindustrie.
- La technologie 5G devrait révolutionner le domaine de divers services à large bande et renforcer la connectivité entre différents marchés verticaux dutilisateurs finaux. Les principaux facteurs qui stimulent la part de marché du GaN sont laugmentation des abonnements mobiles, la diffusion en continu de contenu vidéo en ligne, linfrastructure 5G et diverses applications IoT utilisant la 5G. La 5G devrait prendre en charge différents services et exigences de service associées dans plusieurs scénarios.
- Actuellement, le nombre dabonnements mobiles 5G est évalué à 0,42 million et devrait atteindre 400 millions dabonnements dici 2022. Avec la croissance substantielle des déploiements de la technologie 5G à léchelle mondiale, la demande de technologie RF GaN devrait augmenter.
- En mai 2022, STMicroelectronics (ST) et MACOM Technology Solutions Holdings (MACOM), un fournisseur de produits semi-conducteurs pour les secteurs des télécommunications, de lindustrie, de la défense et des centres de données, ont annoncé la production de prototypes RF GaN sur silicium (RF Gan-on-Si). Avec ce succès, ST et MACOM continueront à travailler ensemble et à développer leur relation. La technologie GaN-on-Si en cours de développement par ST et MACOM devrait offrir des performances compétitives et des économies déchelle significatives grâce à lintégration dans les flux de processus de semi-conducteurs standard.
- Qorvo est lun des fournisseurs de solutions RF pour les fabricants de stations de base 2G, 3G et 4G. Il occupe une position unique sur le marché pour soutenir le développement dinfrastructures sans fil inférieures à 6 GHz et cmWave/mmWave. Qorvo a investi dans des solutions de produits couvrant les bandes 5G pertinentes, telles que 3,5, 4,8 et 28 et 39 GHz, pour desservir le marché, principalement pour permettre la 5G.
- Le besoin de réseaux dantennes denses et à petite échelle dans linfrastructure 5G entraîne des défis majeurs en matière de gestion de lalimentation et de la chaleur dans les systèmes de radiofréquence (RF). Grâce à leurs performances, leur efficacité et leur densité de puissance améliorées à large bande, les appareils GaN offrent la possibilité de solutions plus compactes capables de relever ces défis.
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LAsie-Pacifique devrait connaître une croissance significative
- Lindustrie des semi-conducteurs discrets de la région Asie-Pacifique est tirée par la Chine, le Japon, Taïwan et la Corée du Sud, qui représentent environ 65% du marché mondial des semi-conducteurs discrets. En revanche, dautres, comme le Vietnam, la Thaïlande, la Malaisie et Singapour, contribuent à la domination de la région sur le marché.
- Selon lElectronics and Semiconductors Association of India, le marché indien des composants semi-conducteurs enregistrerait un TCAC de 10,1% (2018-2025) pour atteindre 32,35 milliards USD dici 2025. Le pays est une destination vitale pour les centres mondiaux de recherche et de développement. Par conséquent, linitiative Make in India en cours du gouvernement indien devrait entraîner des investissements importants sur le marché des semi-conducteurs. De telles initiatives du gouvernement indien tireront parti du marché du GaN RF.
- En février 2022, Navitas Semiconductor, un fournisseur de circuits intégrés (CI) GaN, a annoncé sa participation à la conférence des investisseurs de China International Capital Corporation Limited (CICC). Le circuit intégré de puissance GaN exclusif de la société intègre lalimentation GaN et le lecteur, le contrôle et la protection GaN dans un seul boîtier SMT. Une telle participation tirera parti du marché GaN dans la région.
- La demande de GaN RF dans la région APAC devrait augmenter en raison de lintérêt croissant des investisseurs pour le développement dinfrastructures prenant en charge la technologie 5G. Par exemple, selon la GSMA, lopérateur mobile Asie-Pacifique devrait dépenser plus de 400 milliards de dollars dici 2025, dont 331 milliards de dollars seront consacrés aux déploiements 5G.
- La croissance des entreprises de GaN RF en Chine fait partie dune tendance plus large alors que le pays passe dune économie axée sur la fabrication à une économie axée sur linnovation. Le marché chinois connaît une explosion de la demande dapplications commerciales de télécommunications sans fil, et les entreprises chinoises développent déjà des réseaux de télécommunications de nouvelle génération.
- De plus, en décembre 2021, des chercheurs de lIIT Kanpur en Inde ont mis au point un modèle haute performance et standard de transistor à haute mobilité électronique (HEMT) GaN (AlGaN). Ce modèle fournit une méthode de conception simple qui peut être utilisée pour fabriquer des circuits RF de haute puissance. Les circuits RF comprennent les amplificateurs et les commutateurs utilisés dans les transmissions sans fil et sont utiles dans les applications aérospatiales et de défense. Les innovations constantes des chercheurs stimuleront la croissance du marché du GaN RF dans la région.
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Vue densemble de lindustrie du nitrure de gallium à radiofréquence
La rivalité concurrentielle entre les acteurs du marché du GaN RF est élevée en raison de la présence de certains acteurs clés tels que Raytheon Technologies, la microélectronique STM, entre autres. Leur capacité à innover continuellement leurs offres leur a permis dacquérir un avantage concurrentiel sur les autres joueurs. Grâce à la recherche et au développement, aux partenariats stratégiques et aux fusions et acquisitions, ces acteurs ont pu simplanter solidement sur le marché.
En juin 2022, Qorvo, un fournisseur de premier plan de solutions RF innovantes qui connectent le monde, a été sélectionné par le département américain de la Défense (DoD) pour poursuivre le programme Advanced Integration Interconnection and Fabrication Growth for Domestic State-of-the-Art (SOTA) RF GaN, également connu sous le nom de STARRY NITE, dans le cadre de la feuille de route microélectronique du Bureau du sous-secrétaire à la recherche et à lingénierie de la défense (OUSD R E). Le programme vise à développer et à faire mûrir des fonderies SOTA RF GaN ouvertes et nationales en alignement avec lécosystème demballage avancé du DoD.
En mai 2022, STMicroelectronics et MACOM Technology Solutions Holdings Inc., un important fournisseur de produits semi-conducteurs pour les secteurs de lindustrie, des télécommunications, de la défense et des centres de données, ont annoncé la production réussie de prototypes RF Gan on Silicon (RF Gan-on-Si). Avec cette réalisation, ST et MACOM continueraient à travailler ensemble et à améliorer leurs relations.
Leaders du marché du nitrure de gallium à radiofréquence
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Mitsubishi Electric Corporation
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STMicroelectronics NV
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Qorvo Inc.
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Analog Devices Inc.
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Raytheon Technologies
*Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier
Nouvelles du marché du nitrure de gallium à radiofréquence
- Septembre 2022 MaxLinear Inc. et RFHIC ont annoncé une collaboration visant à fournir une solution damplificateur de puissance 400 MHz prête pour la production pour les radios 5G Macrocell, en utilisant les technologies MaxLinear MaxLIN Digital Predistortion et Crest Factor Reduction pour optimiser les performances des derniers transistors RF GaN de la série IDHIC ID-400W. La combinaison du transistor RF GaN à double inversion ID41411DR de RFHIC avec MaxLIN DPD et sa mise à disposition en tant que solution pré-vérifiée permettraient aux développeurs de produits de réseau daccès radio (RAN) de fournir rapidement des sonorités macro 400 MHz ultra-large bande pour tous les déploiements 5G à bande moyenne mondiaux avec une efficacité énergétique élevée et de faibles émissions.
- Juin 2022 Pour sa gamme de produits GaN RF 100 V, Integra a annoncé linclusion de sept autres dispositifs avec des niveaux de puissance allant jusquà 5 kW dans un seul transistor pour les domaines de lavionique, de lénergie dirigée, de la guerre électronique, du radar et des applications scientifiques. Ces articles utilisent la technologie GaN RF 100 V dIntegra, conçue pour fournir la puissance et lefficacité maximales possibles dans un seul transistor tout en maintenant des températures de jonction de fonctionnement stables.
Rapport sur le marché du nitrure de gallium à radiofréquence - Table des matières
1. INTRODUCTION
1.1 Hypothèses de l'étude et définition du marché
1.2 Portée de l'étude
2. MÉTHODOLOGIE DE RECHERCHE
3. RÉSUMÉ EXÉCUTIF
4. APERÇU DU MARCHÉ
4.1 Aperçu du marché
4.2 Analyse de la chaîne de valeur de l'industrie
4.3 Attractivité de l'industrie - Analyse des cinq forces de Porter
4.3.1 La menace de nouveaux participants
4.3.2 Le pouvoir de négociation des acheteurs
4.3.3 Pouvoir de négociation des fournisseurs
4.3.4 Menace des produits de substitution
4.3.5 Intensité de la rivalité concurrentielle
4.4 Aperçu de la technologie
4.5 Évaluation de l'impact de la COVID-19 sur l'industrie
5. DYNAMIQUE DU MARCHÉ
5.1 Facteurs de marché
5.1.1 Forte demande du segment des infrastructures de télécommunications tirée par les progrès de la mise en œuvre de la 5G
5.1.2 Attributs favorables tels que hautes performances et petit facteur de forme pour
5.2 Contraintes du marché
5.2.1 Coûts et défis opérationnels
6. SEGMENTATION DU MARCHÉ
6.1 Par demande
6.1.1 Militaire
6.1.2 Infrastructure Télécom (Backhaul, RRH, Massive MIMO, Small Cells)
6.1.3 Communications par satellite
6.1.4 Haut débit filaire
6.1.5 Radar commercial et avionique
6.1.6 Énergie RF
6.2 Par type de matériel
6.2.1 GaN-sur-Si
6.2.2 GaN sur SiC
6.2.3 Autres types de matériaux (GaN sur GaN, GaN sur diamant)
6.3 Géographie
6.3.1 Amérique du Nord
6.3.2 L'Europe
6.3.3 Asie-Pacifique
6.3.4 Moyen-Orient et Afrique
7. PAYSAGE CONCURRENTIEL
7.1 Profils d'entreprise
7.1.1 Aethercomm Inc.
7.1.2 Analog Devices Inc.
7.1.3 Wolfspeed Inc. (Cree Inc.)
7.1.4 Integra Technologies Inc.
7.1.5 MACOM Technology Solutions Holdings Inc.
7.1.6 Microsemi Corporation (Microchip Technology Incorporated)
7.1.7 Mitsubishi Electric Corporation
7.1.8 NXP Semiconductors NV
7.1.9 Qorvo Inc.
7.1.10 STMicroelectronics NV
7.1.11 Sumitomo Electric Device Innovations Inc.
7.1.12 HRL Laboratories
7.1.13 Raytheon Technologies
7.1.14 Mercury Systems, Inc
8. ANALYSE DES INVESTISSEMENTS
9. OPPORTUNITÉS DE MARCHÉ ET TENDANCES FUTURES
Segmentation de lindustrie du nitrure de gallium à radiofréquence
Le GAN se distingue dans les applications RF pour plusieurs raisons, telles que le champ de claquage élevé, la vitesse de saturation élevée et les propriétés thermiques robustes, car ils ont joué un rôle déterminant dans la transmission de signaux sur de longues distances ou à des niveaux de puissance haut de gamme.
Ce rapport segmente le marché par application (militaire, infrastructure de télécommunications, communication par satellite, haut débit filaire, radar et avionique commerciaux et énergie RF), matériau (GaN-on-Sic et GaN-on-Silicon) et géographie (Amérique du Nord, Europe, Asie-Pacifique, Moyen-Orient et Afrique). Les tailles de marché et les prévisions sont fournies en termes de valeur (millions USD) pour tous les segments ci-dessus.
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FAQ sur létude de marché sur le nitrure de gallium à radiofréquence
Quelle est la taille du marché RF GaN?
La taille du marché du GaN RF devrait atteindre 1,43 milliard USD en 2023 et croître à un TCAC de 18,76% pour atteindre 3,39 milliards USD dici 2028.
Quelle est la taille actuelle du marché RF GaN?
En 2023, la taille du marché du GaN RF devrait atteindre 1,43 milliard USD.
Qui sont les principaux acteurs du marché RF GaN?
Mitsubishi Electric Corporation, STMicroelectronics NV, Qorvo Inc., Analog Devices Inc., Raytheon Technologies sont les principales entreprises opérant sur le marché RF GaN.
Quelle est la région à la croissance la plus rapide sur le marché RF GaN?
LAsie-Pacifique devrait croître au TCAC le plus élevé au cours de la période de prévision (2023-2028).
Quelle région a la plus grande part du marché RF GaN?
En 2023, lAmérique du Nord représente la plus grande part de marché sur le marché du GaN RF.
Rapport de lindustrie RF GaN
Statistiques sur la part de marché, la taille et le taux de croissance des revenus du GaN RF 2023, créées par Mordor Intelligence™ Industry Reports. Lanalyse RF GaN comprend des prévisions de marché jusquen 2028 et un aperçu historique. Obtenez un échantillon de cette analyse de lindustrie sous forme de téléchargement PDF de rapport gratuit.
