| Période d'étude | 2019 - 2029 |
| Année de Base Pour l'Estimation | 2023 |
| Période de Données Prévisionnelles | 2024 - 2029 |
| Période de Données Historiques | 2019 - 2022 |
| CAGR | 4.60% |
| Concentration du Marché | Bas |
Acteurs majeurs
*Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier |
Analyse du marché des transistors de puissance en Amérique
Le marché des transistors de puissance des Amériques était évalué à 2 198,9 millions USD au cours de lannée en cours et devrait atteindre 2 880,1 millions USD dici la fin de la période de prévision, enregistrant un TCAC de 4,60 % au cours de la période de prévision.
- COVID-19 a eu un impact significatif sur le marché dans la phase initiale. La non-disponibilité de la main-dœuvre a affecté la capacité de production de transistors de puissance et la croissance du marché. En raison du confinement imposé, les constructeurs automobiles du monde entier ont réduit leurs commandes alors que les ventes de véhicules ont diminué. Cependant, en 2021, de nombreuses restrictions ont été normalisées dans la région et la demande de transistors de puissance est revenue à la normale. Au cours des prochaines années, le marché devrait connaître une croissance renouvelée, avec les tendances croissantes de la numérisation provoquées par la pandémie.
- Les transistors de puissance, tels que les transistors à effet de champ à semi-conducteurs à oxyde métallique (MOSFET) et les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), aident à dissiper rapidement la chaleur, à prévenir la surchauffe et à minimiser les émissions de dioxyde de carbone et le coût de lélectricité. Ces avantages en font un composant crucial de plusieurs produits électroniques. En raison de laugmentation de la population mondiale et de lutilisation de combustibles fossiles, il y a eu une demande croissante dappareils électroniques économes en énergie.
- La demande accrue de MOSFET par rapport au BJT est due au fait quil génère beaucoup moins de pertes de chaleur à des courants élevés que le BJT. De même, il a un rendement plus élevé que les autres appareils, ce qui stimule la demande de MOSFET dans lélectronique de puissance. Les fournisseurs se concentrent sur lintroduction de MOSFET haute puissance et haute fréquence à utiliser dans lélectronique de puissance, les amplificateurs de puissance et autres.
- Par exemple, en juillet 2022, Mitsubishi Electric Corporation a lancé un module MOSFET radiofréquence en silicium haute puissance de 50 W destiné à être utilisé dans les amplificateurs de puissance des radios commerciales. Le MOSFET haute puissance RF au silicium (RA50H7687M1) atteint un rendement total élevé et une puissance de sortie inégalée pour les radios commerciales bien adaptées à la bande de fréquence 700 MHz. Cela devrait augmenter la portée de communication et réduire la consommation dénergie des radios.
- De plus, la perte de puissance dans les amplificateurs de puissance conventionnels crée une demande pour des modules MOSFET haute puissance à radiofréquence (RF) qui offrent un circuit intégré dadaptation dimpédance dentrée ou de sortie et des performances de puissance de sortie vérifiées. Les principaux fournisseurs, tels que Mitsubishi Electric, prévoient détendre la gamme de fréquences en lançant un module 900 MHz équipé du nouveau MOSFET au cours de lannée à venir. Selon la société, le modèle avec une puissance de sortie de 50 W dans la bande de 763 MHz à 870 MHz et un rendement total de 40 % devrait contribuer à réduire la consommation dénergie et à augmenter la portée des communications radio.
- De plus, avec laccélération du marché des véhicules électriques (VE) dans les régions étudiées, de nombreux constructeurs automobiles adoptent désormais des systèmes de propulsion 800 V pour augmenter lefficacité, obtenir une charge plus rapide et élargir lautonomie de ces véhicules, tout en réduisant le poids et le coût. Les dispositifs à large bande interdite, tels que les SiCMOSFET, aident les constructeurs automobiles à faire progresser les dispositifs dalimentation de pointe pour les groupes motopropulseurs des véhicules électriques et dautres applications où ces facteurs sont importants.
- Par exemple, en décembre 2022, STMicroelectronics a lancé de nouveaux modules haute puissance en carbure de silicium (SiC) conçus pour augmenter les performances et lautonomie des véhicules électriques. Les cinq nouveaux modules de puissance basés sur SiC-MOSFET ont été choisis par Hyundai pour être utilisés dans la plate-forme de véhicule électrique E-GMP partagée par KIA EV6 et plusieurs modèles.
- De plus, en septembre 2022, SemiQ a annoncé le lancement de son commutateur de puissance en carbure de silicium de 2e génération, un MOSFET SiC 1200V 40mΩ, élargissant ainsi son portefeuille de dispositifs de puissance SiC. Les MOSFET SiC apportent un rendement élevé aux applications hautes performances, y compris les véhicules électriques et les alimentations, et sont spécialement conçus et testés pour fonctionner de manière fiable dans des environnements extrêmes.
Tendances du marché des transistors de puissance en Amérique
Lautomobile devrait détenir une part de marché importante
- Ces dernières années, lindustrie automobile a imposé des contraintes strictes de fiabilité aux systèmes électroniques de puissance, en se concentrant sur des solutions rentables. Au-delà de ceux généralement associés aux systèmes électriques et électroniques des véhicules, la haute tension et le courant élevés requis dans les véhicules électriques hybrides (HEV) et les véhicules électriques (VE) présentent des défis techniques pour la conversion de puissance. Conformément à cela, les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) ont joué un rôle crucial pour assurer la fiabilité du groupe motopropulseur (H)EV en raison de leurs champs électriques internes élevés et de leur sensibilité aux variations de température importantes des jonctions.
- Les modules IGBT sont nécessaires pour convertir lélectricité dune forme à une autre, permettant lutilisation pratique et sûre de lénergie par de nombreux articles utilisés quotidiennement par les gens, y compris les voitures électriques. Le module de puissance IGBT est considéré comme le cœur de la chaîne cinématique électrifiée des véhicules électriques.
- De plus, avec la croissance du marché des véhicules électriques dans les régions, de nombreux fournisseurs augmentent leurs dépenses de recherche et développement et se concentrent sur le soutien du marché des véhicules électriques en développant, intégrant et fabriquant des solutions avancées pour les applications dentraînement et de contrôle de traction. Des produits à haute fréquence de commutation et à court-circuit sont continuellement développés par les entreprises pour soutenir des conceptions automobiles efficaces et durables.
- Par exemple, Fuji Electric a créé un module IGBT à refroidissement liquide direct mince pour les groupes motopropulseurs des véhicules électriques et hybrides en utilisant ses vastes capacités de R&D. LIGBT dispose dune borne de détection de courant et de température, qui permet une protection fiable en cas de court-circuit et de surchauffe.
- De plus, pour améliorer lélectronique de puissance au cœur des véhicules électriques, Renesas Electronics a dévoilé une nouvelle génération de petits IGBT haute tension en août 2022. Ces dispositifs ont des courants nominaux allant jusquà 300 A et supportent des tensions allant jusquà 1 200 V. Les constructeurs automobiles seront en mesure déconomiser lénergie des batteries et daugmenter lautonomie des véhicules électriques en économisant de lénergie dans la série AE5 dIGBT de la société.
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LAmérique du Nord devrait détenir une part de marché importante
- La prolifération de lindustrie de lélectronique grand public dans la région est lun des principaux facteurs de croissance du marché. Par exemple, selon la Consumer Technology Association (CTA), les revenus de la vente au détail de technologies aux États-Unis devraient atteindre 485 milliards de dollars en 2023. Bien quil soit légèrement inférieur aux 512 milliards de dollars record de 2021, les revenus devraient rester supérieurs aux niveaux pré-pandémiques, selon lorganisation.
- Lindustrie automobile aux États-Unis est un élément crucial de la croissance économique et a historiquement contribué de 3 à 3,5 % au produit intérieur brut (PIB) global, selon le Center for Automotive Research. Lindustrie contribue également à une part importante de la demande totale de composants semi-conducteurs de la région.
- De plus, selon le rapport sur les ventes de véhicules électriques et linfrastructure de recharge requise jusquen 2030 publié en 2022 par lEdison Electric Institute (EEI), le nombre de véhicules électriques sur les routes américaines devrait atteindre 26,4 millions en 2030, contre 18,7 millions prévus dans le rapport de 2018. Les transistors de puissance, y compris les MOSFET et les IGBT, sont largement utilisés dans les véhicules électriques, y compris dans la chaîne cinématique électrifiée et les systèmes de charge.
- De nombreuses réglementations ont été mises en place ces dernières années pour promouvoir lutilisation des véhicules électriques dans le pays. Par exemple, les législateurs de lÉtat de New York ont récemment adopté un projet de loi qui exige essentiellement que toutes les nouvelles voitures particulières vendues dans lÉtat fonctionnent à lélectricité dici 2035. De plus, les États-Unis se sont fixé pour objectif de faire en sorte que la moitié des véhicules vendus dans le pays soient électriques dici 2030.
- De plus, la croissance rapide du secteur de lénergie renouvelable au Canada devrait également soutenir la croissance du marché. Selon lAssociation canadienne de lénergie renouvelable (CanREA), les secteurs de lénergie éolienne et solaire du Canada ont connu une croissance importante en 2022. Selon lorganisation, lénergie solaire connaît une croissance remarquablement rapide, plus dun quart de toute la capacité installée au Canada ayant été ajoutée en 2022 seulement.
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Présentation de lindustrie des transistors de puissance en Amérique
Le marché américain des transistors de puissance est fragmenté et devrait croître en concurrence au cours de la période de prévision en raison de lentrée de plusieurs multinationales. Les fournisseurs se concentrent sur le développement de portefeuilles de solutions personnalisées pour répondre aux exigences locales. Les principaux acteurs opérant sur le marché comprennent Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V., Texas Instruments Inc., STMicroelectronics N.V., Linear Integrated Systems Inc., Mitsubishi Electric Corporation, etc.
- Février 2023 - Microchip Technology Inc. a annoncé son intention dinvestir 880 millions de dollars au cours des prochaines années pour augmenter sa capacité de production de carbure de silicium (SiC) et de silicium (Si) dans son usine de fabrication de Colorado Springs, au Colorado. De tels investissements devraient augmenter la capacité de lentreprise à améliorer sa sélection de MOSFET SiC.
- Mars 2022 - Microchip Technology Inc. a annoncé lexpansion de son portefeuille SiC avec le lancement des MOSFET SiC 3,3 kV à faible résistance à létat passant [RDS(on)] et des SBD SiC les plus courants du marché disponibles. Avec lexpansion du portefeuille SiC de Microchip, les concepteurs devraient être équipés des outils nécessaires pour développer des solutions plus petites, plus légères et plus efficaces pour les transports électrifiés, les énergies renouvelables, laérospatiale et les applications industrielles.
Leaders du marché américain des transistors de puissance
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Champion Microelectronics Corporation
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Fairchild Semiconductor International Inc.
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Infineon Technologies AG
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Renesas Electronics Corporation
-
NXP Semiconductors N.V.
- *Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier
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Nouvelles du marché des transistors de puissance en Amérique
- Juin 2022 - GaN Systems, le fournisseur mondial de semi-conducteurs de puissance GaN (nitrure de gallium), a introduit un nouveau transistor dans le plus large portefeuille de transistors de puissance GaN du secteur. Le GS-065-018-2-L élargit le portefeuille de transistors hautes performances et à faible coût de la société, présente une résistance à létat passant plus faible, une robustesse et des performances thermiques accrues, ainsi quune puissance VDS (transitoire) de 850 V.
- Mars 2022 - Transphorm, Inc. et TDK-Lambda, une société du groupe TDK, ont annoncé quils élargissaient leur gamme de produits PFH500F à base de GaN AC-DC. La gamme de produits comprend PFH500F-12 et PFH500F-48 dans les alimentations AC-DC de 500 watts de TDK. La série utilise des FET GaN de 72 mΩ, 8x8 PQFN (TP65H070LDG) de Transphorm. La haute densité de puissance des transistors de puissance a permis à TDK de refroidir les alimentations GaN via des plaques de base minces.
Segmentation de lindustrie des transistors de puissance en Amérique
Les transistors de puissance sont utilisés pour amplifier et réguler les signaux. Ils sont fabriqués à partir de matériaux semi-conducteurs haute performance comme le germanium et le silicium. Ces transistors peuvent amplifier et contrôler un niveau de tension particulier et gérer des plages spécifiques de tensions nominales de haut et de bas niveau.
Létude comprend différents produits FET basse tension, modules IGBT, transistors RF et micro-ondes, FET haute tension, transistors IGBT et différents types tels que les transistors à jonction bipolaire, les transistors à effet de champ, les transistors bipolaires à hétérojonction pour diverses industries dutilisateurs finaux telles que lélectronique grand public, la communication et la technologie, lautomobile, la fabrication et lénergie et lélectricité dans la région de lAmérique du Nord et de lAmérique latine. Le paysage concurrentiel prend en compte la pénétration du marché de plusieurs entreprises, ainsi que leurs stratégies de croissance organique et inorganique. Létude prend également en compte limpact de la pandémie de COVID-19 sur le marché.
Pour tous les segments ci-dessus, la taille du marché et les prévisions sont fournies en termes de valeur (en millions USD).
Par produit
| FET basse tension |
| Modules IGBT |
| Transistors RF et micro-ondes |
| FET haute tension |
| Transistors IGBT |
Par type
| Transitor à jonction bipolaire |
| Transistor à effet de champ |
| Transistor bipolaire à hétérojonction |
| Autres (MOSFET, JFET, transistor NPN, transistor PNP, transistor GaN) |
Par secteur d'activité de l'utilisateur final
| Electronique grand public |
| Communication et technologie |
| Automobile |
| Fabrication |
| Énergie et puissance |
| Autres industries d'utilisateurs finaux |
Par région
| Amérique du Nord |
| l'Amérique latine |
| Par produit | FET basse tension |
| Modules IGBT | |
| Transistors RF et micro-ondes | |
| FET haute tension | |
| Transistors IGBT | |
| Par type | Transitor à jonction bipolaire |
| Transistor à effet de champ | |
| Transistor bipolaire à hétérojonction | |
| Autres (MOSFET, JFET, transistor NPN, transistor PNP, transistor GaN) | |
| Par secteur d'activité de l'utilisateur final | Electronique grand public |
| Communication et technologie | |
| Automobile | |
| Fabrication | |
| Énergie et puissance | |
| Autres industries d'utilisateurs finaux | |
| Par région | Amérique du Nord |
| l'Amérique latine |
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Foire aux questions
Quelle est la taille actuelle du marché américain des transistors de puissance ?
Le marché américain des transistors de puissance devrait enregistrer un TCAC de 4,60 % au cours de la période de prévision (2024-2029)
Qui sont les principaux acteurs du marché américain des transistors de puissance ?
Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V. sont les principales entreprises opérant sur le marché américain des transistors de puissance.
Quelles sont les années couvertes par ce marché américain des transistors de puissance ?
Le rapport couvre la taille historique du marché des transistors de puissance des Amériques pour les années suivantes 2019, 2020, 2021, 2022 et 2023. Le rapport prévoit également la taille du marché des transistors de puissance des Amériques pour les années suivantes 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 et 2029.
Dernière mise à jour de la page le:
Rapport sur lindustrie des transistors de puissance en Amérique
Statistiques sur la part de marché, la taille et le taux de croissance des revenus des transistors de puissance des Amériques en 2024, créées par Mordor Intelligence™ Industry Reports. Lanalyse des transistors de puissance des Amériques comprend des prévisions du marché pour 2024 à 2029) et un aperçu historique. Avoir un échantillon de cette analyse de lindustrie sous forme de rapport gratuit à télécharger en format PDF.
