
Analyse du marché des transistors de puissance au Japon
Le marché japonais des transistors de puissance était évalué à 2 986,3 millions USD au cours de lannée en cours et devrait atteindre 3670,9 millions USD dici la fin de la période de prévision, enregistrant un TCAC de 3,50 % au cours de la période de prévision.
- En raison de la pandémie, lindustrie automobile a connu une forte baisse de la demande, entraînant une croissance négative en 2020 et 2021. Au début de la pandémie, de nombreux constructeurs automobiles ont fixé des objectifs agressifs de réduction des coûts. Ils ont annoncé des réductions des dépenses dinvestissement pour rester rentables dans un contexte de faible production et de perspectives de demande incertaines.
- Par exemple, Toyota a annoncé son intention de réduire sa production mondiale de 40 % en septembre 2021 par rapport aux plans précédents, car COVID-19 a restreint lapprovisionnement en semi-conducteurs. La société a annoncé des suspensions dopérations dans plusieurs usines japonaises ce mois-ci en raison dune pénurie de pièces résultant de la propagation du COVID-19 en Asie du Sud-Est.
- Au Japon, lindustrie automobile représente une part importante de la demande totale de semi-conducteurs dans le pays, étant devenue le 5e plus grand marché automobile en 2022, selon lAssociation allemande de lindustrie automobile ou VDA. La migration de lindustrie automobile des véhicules à combustibles fossiles vers les véhicules hybrides et électriques stimule la demande de dispositifs électriques.
- Dans le cadre de cette collaboration, une ligne IGBT serait installée dans lusine de plaquettes de lUSJC, qui serait la première au Japon à produire des IGBT sur des plaquettes de 300 mm. DENSO apporterait ses technologies de dispositifs et de procédés IGBT orientés système.
- Dans le même temps, lUSJC fournira ses capacités de fabrication de plaquettes de 300 mm pour mettre le processus IGBT de 300 mm en production de masse, qui devrait commencer au premier semestre 2023. Les IGBT sont perçus comme des dispositifs essentiels dans les cartes dalimentation, servant dinterrupteurs dalimentation efficaces dans les onduleurs pour convertir les courants CC et CA afin dentraîner et de contrôler les moteurs des véhicules électriques.
- En outre, en février 2022, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a annoncé quelle construirait une nouvelle usine de fabrication de plaquettes de 300 millimètres pour les semi-conducteurs de puissance, y compris les transistors, à Kaga Toshiba Electronics Corporation dans la préfecture dIshikawa, sa principale base de production de semi-conducteurs discrets. La construction devrait se dérouler en deux phases, le début de la production de la phase 1 étant prévu pour 2024. Lorsque la phase 1 atteindra sa capacité totale, la capacité de production de semi-conducteurs de puissance de Toshiba sera 2,5 fois supérieure à celle de lexercice 2021.
- De plus, en janvier 2022, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a lancé deux modules doubles MOSFET en carbure de silicium (SiC) MG600Q2YMS3 , avec une tension nominale de 1200 V et un courant de drain nominal de 600 A et MG400V2YMS3 , avec une tension nominale de 1700 V et un courant nominal de drain de 400 A. Les premiers produits Toshiba avec ces tensions nominales ont rejoint les MG800FXF2YMS3 précédemment lancés dans une gamme dappareils 1200V, 1700V et 3300V.
Tendances du marché japonais des transistors de puissance
Lélectronique grand public devrait détenir une part de marché importante
- Les transistors de puissance visent principalement à commuter rapidement les courants électriques tout en subissant le moins de pertes de commutation. Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) se trouvent dans diverses applications électroniques grand public. Pour les grandes applications telles que les climatiseurs, les réfrigérateurs, les machines à laver, les fours à micro-ondes, les tables de cuisson à induction et les lave-vaisselle, les circuits à base dIGBT sont appropriés.
- En raison de lutilisation croissante des onduleurs dans les climatiseurs et de la nécessité de réduire la consommation dénergie dans les alimentations à grande échelle pour les équipements ménagers, il existe une demande croissante de dispositifs de commutation à haut rendement dans les appareils ménagers grand public qui consomment une quantité importante délectricité. Le besoin dIGBT augmente en raison de la demande accrue de dispositifs de commutation à faible perte et de fréquences de commutation plus élevées dans les circuits PFC.
- Par exemple, en mars 2023, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a présenté le GT30J65MRB , un transistor bipolaire à grille isolée discrète (IGBT) de 650 V pour les circuits de correction du facteur de puissance (PFC) dans les climatiseurs et de nombreuses alimentations pour les équipements industriels. Le GT30J65MRB de Toshiba est le premier IGBT de la société pour PFC destiné à être utilisé en dessous de 60 kHz. Cela a été accompli en réduisant la perte de commutation (perte de commutation darrêt) pour assurer un fonctionnement à plus haute fréquence.
- De plus, les maisons utilisent fréquemment des machines à laver automatiques électriques pour nettoyer le linge domestique. La puissance fournie par le transistor de puissance peut être utilisée pour contrôler la vitesse et le sens de rotation du moteur dans les machines à laver. La quantité deau et le couple du moteur peuvent être ajustés pour sadapter à la charge de lavage grâce au contrôle de londuleur avec des transistors de puissance, réduisant ainsi le bruit et les vibrations de lavage/essorage.
- De plus, la plupart des consommateurs recherchent aujourdhui des fonctionnalités avancées qui répondent à leurs besoins en matière de santé et dhygiène tout en étant économes en énergie. En raison dun pic de demande provoqué par la récente vague de chaleur qui a touché de nombreuses régions du monde et de la demande refoulée des deux étés précédents, qui a été affectée par les confinements induits par le COVID-19, les fabricants de climatiseurs et de réfrigérateurs ont augmenté leur production à leur capacité totale. Laugmentation des ventes de climatiseurs et de réfrigérateurs devrait alimenter la demande de transistors de puissance.

Le secteur automobile devrait stimuler le marché
- Lindustrie automobile représente une part importante de la demande totale de semi-conducteurs dans le pays. La migration de lindustrie automobile des véhicules à combustibles fossiles vers les véhicules hybrides et électriques entraîne une forte demande de transistors de puissance. Les principaux fabricants de transistors de puissance rivalisent pour développer des dispositifs plus performants sur de nouveaux matériaux tels que le SiC et le GaN.
- En avril 2022, DENSO Corporation, un fournisseur de mobilité, et United Semiconductor Japan Co., Ltd., une filiale de la fonderie mondiale de semi-conducteurs United Microelectronics Corporation, ont annoncé que les deux sociétés avaient convenu de collaborer à la production de semi-conducteurs de puissance dans lusine de 300 mm de lUSJC pour répondre à la demande croissante du marché automobile.
- Les activités de recherche et développement continuent également daugmenter dans la région, ce qui contribuera à favoriser linnovation des produits. Par exemple, en juillet 2022, les États-Unis et le Japon ont récemment décidé de lancer un nouveau centre international commun de recherche sur les semi-conducteurs. Ils ont convenu de travailler sur la recherche collaborative pour les semi-conducteurs de nouvelle génération, qui stimuleront le marché étudié dans le pays.
- En décembre 2022, Nidec-Read Corporation a annoncé quelle avait lancé le NATS-1000, un équipement dinspection de semi-conducteurs en ligne entièrement automatique, pour tester les fonctions des modules automobiles IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) / SiC (carbure de silicium).
- En outre, en septembre 2022, onsemi, un fournisseur de technologies intelligentes dalimentation et de détection, a annoncé un trio de modules de transistors de puissance à base de carbure de silicium (SiC) en technologie moulée par transfert destinés à être utilisés dans la charge embarquée et la conversion DCDC haute tension (HT) dans tous les types de véhicules électriques (xEV). La série APM32 est la première du genre à adopter la technologie SiC dans un boîtier moulé par transfert pour améliorer lefficacité et raccourcir le temps de charge des xEV et est spécialement conçue pour les chargeurs embarqués (OBC) haute puissance de 11 à 22 kW.

Présentation de lindustrie japonaise des transistors de puissance
Le marché japonais des transistors de puissance est fragmenté et devrait croître en concurrence au cours de la période de prévision en raison de lentrée de plusieurs multinationales. Les fournisseurs se concentrent sur le développement de portefeuilles de solutions personnalisées pour répondre aux exigences locales. Les principaux acteurs opérant sur le marché comprennent Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V., Texas Instruments Inc., STMicroelectronics N.V., Linear Integrated Systems Inc., Mitsubishi Electric Corporation, etc.
En janvier 2023, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a lancé des MOSFET de puissance à canal N de 40 V pour lautomobile - 'XPQR3004PB' et 'XPQ1R004PB' - qui utilisent le nouveau boîtier L-TOGL (grands fils en aile de mouette à contour de transistor) et présentent un courant de consommation nominal élevé avec une faible résistance à létat continu.
En juin 2022, Mitsubishi Electric Corporation a dévoilé un nouveau module IGBT pour les applications dans les installations photovoltaïques à grande échelle. La société affirme que lappareil aide à réduire le nombre donduleurs nécessaires dans les installations photovoltaïques connectées au réseau tout en assurant un fonctionnement simultané à haute tension et de faibles pertes de puissance.
Leaders du marché japonais des transistors de puissance
Champion Microelectronics Corporation
Fairchild Semiconductor International Inc.
Infineon Technologies AG
Renesas Electronics Corporation
NXP Semiconductors N.V.
- *Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier

Nouvelles du marché des transistors de puissance au Japon
- Août 2022 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation lance de nouveaux dispositifs dalimentation dans le cadre de la TWxxNxxxCseries. Cette série est sa troisième génération de MOSFET en carbure de silicium (SiC) qui peuvent offrir une faible résistance à létat passant et une perte de commutation considérablement réduite.
- Février 2022 Vayyar Imaging, un fournisseur de radars dimagerie 4D, a annoncé louverture dun nouveau bureau à Tokyo, au Japon, alors que la société intensifie ses engagements avancés avec des entreprises de premier plan. VayyarImaging Japan LLC sera le fer de lance de lexpansion continue de la société dans la région APAC, principalement dans les secteurs des soins aux personnes âgées et de lautomobile.
Segmentation de lindustrie des transistors de puissance au Japon
Les transistors de puissance sont utilisés pour amplifier et réguler les signaux. Ils sont fabriqués à partir de matériaux semi-conducteurs haute performance comme le germanium et le silicium. Ces transistors peuvent amplifier et contrôler un certain niveau de tension et gérer des plages spécifiques de tensions nominales de haut et de bas niveau.
Létude comprend différents produits FET basse tension, modules IGBT, transistors RF et micro-ondes, FET haute tension, transistors IGBT et différents types tels que transistors à jonction bipolaire, transistors à effet de champ, transistors bipolaires à hétérojonction pour diverses industries dutilisateurs finaux telles que lélectronique grand public, la communication et la technologie, lautomobile, la fabrication et lénergie et lénergie. Le paysage concurrentiel prend en compte la pénétration du marché de plusieurs entreprises, ainsi que leurs stratégies de croissance organique et inorganique. Létude prend également en compte limpact de la pandémie de COVID-19 sur le marché.
Pour tous les segments ci-dessus, la taille du marché et les prévisions sont fournies en termes de valeur (en millions USD).
| FET basse tension |
| Modules IGBT |
| Transistors RF et micro-ondes |
| FET haute tension |
| Transistors IGBT |
| Transitor à jonction bipolaire |
| Transistor à effet de champ |
| Transistor bipolaire à hétérojonction |
| Autres (MOSFET, JFET, transistor NPN, transistor PNP, transistor GaN) |
| Electronique grand public |
| Communication et technologie |
| Automobile |
| Fabrication |
| Énergie et puissance |
| Autres industries d'utilisateurs finaux |
| Par produit | FET basse tension |
| Modules IGBT | |
| Transistors RF et micro-ondes | |
| FET haute tension | |
| Transistors IGBT | |
| Par type | Transitor à jonction bipolaire |
| Transistor à effet de champ | |
| Transistor bipolaire à hétérojonction | |
| Autres (MOSFET, JFET, transistor NPN, transistor PNP, transistor GaN) | |
| Par secteur d'activité de l'utilisateur final | Electronique grand public |
| Communication et technologie | |
| Automobile | |
| Fabrication | |
| Énergie et puissance | |
| Autres industries d'utilisateurs finaux |
Foire aux questions
Quelle est la taille actuelle du marché japonais des transistors de puissance ?
Le marché japonais des transistors de puissance devrait enregistrer un TCAC de 3,5 % au cours de la période de prévision (2024-2029)
Qui sont les principaux acteurs du marché japonais des transistors de puissance ?
Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V. sont les principales entreprises opérant sur le marché japonais des transistors de puissance.
Quelles sont les années couvertes par ce marché japonais des transistors de puissance ?
Le rapport couvre la taille historique du marché japonais des transistors de puissance pour les années 2019, 2020, 2021, 2022 et 2023. Le rapport prévoit également la taille du marché japonais des transistors de puissance pour les années suivantes 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 et 2029.
Dernière mise à jour de la page le:
Rapport sur lindustrie japonaise des transistors de puissance
Statistiques sur la part de marché, la taille et le taux de croissance des revenus des transistors de puissance au Japon en 2024, créées par Mordor Intelligence™ Industry Reports. Lanalyse des transistors de puissance au Japon comprend des prévisions du marché pour 2024 à 2029) et un aperçu historique. Avoir un échantillon de cette analyse de lindustrie sous forme de rapport gratuit à télécharger en format PDF.



