
Analyse du marché japonais des transistors de puissance par Mordor Intelligence
La taille du marché japonais des transistors de puissance est estimée à 3,19 milliards USD en 2025, et devrait atteindre 3,79 milliards USD d'ici 2030, à un CAGR de 3,5 % au cours de la période de prévision (2025-2030).
Au Japon, le secteur automobile représente une part significative de la demande totale en semi-conducteurs dans le pays, ayant émergé comme le 5e plus grand marché automobile en 2022, selon l'Association allemande de l'industrie automobile ou VDA. La migration du secteur automobile des véhicules à combustibles fossiles vers les véhicules hybrides et électriques stimule la demande en dispositifs de puissance.
- Selon la collaboration, une ligne IGBT serait installée dans l'usine de fabrication de plaquettes de USJC, ce qui serait la première au Japon à produire des IGBT sur des plaquettes de 300 mm. DENSO apporterait ses technologies de dispositifs et de procédés IGBT orientés système.
- Dans le même temps, USJC fournira ses capacités de fabrication de plaquettes de 300 mm pour mettre en production de masse le procédé IGBT sur 300 mm, dont le démarrage est prévu pour le premier semestre 2023. Les IGBT sont perçus comme des dispositifs essentiels dans les cartes de puissance, servant de commutateurs de puissance efficaces dans les onduleurs pour convertir les courants continu et alternatif afin d'entraîner et de contrôler les moteurs de véhicules électriques.
- De plus, en février 2022, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a annoncé qu'elle construirait une nouvelle installation de fabrication de plaquettes de 300 millimètres pour les semi-conducteurs de puissance, y compris les transistors, chez Kaga Toshiba Electronics Corporation dans la préfecture d'Ishikawa, sa principale base de production de semi-conducteurs discrets. La construction devrait se dérouler en deux phases, le démarrage de la production de la phase 1 étant prévu pour 2024. Lorsque la phase 1 atteindra sa pleine capacité, la capacité de production de semi-conducteurs de puissance de Toshiba sera 2,5 fois supérieure à celle de l'exercice 2021.
- Également, en janvier 2022, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a lancé deux modules doubles MOSFET en carbure de silicium (SiC) : le « MG600Q2YMS3 », avec une tension nominale de 1 200 V et un courant de drain nominal de 600 A, et le « MG400V2YMS3 », avec une tension nominale de 1 700 V et un courant de drain nominal de 400 A. Les premiers produits Toshiba avec ces tensions nominales ont rejoint le MG800FXF2YMS3 précédemment lancé dans une gamme de dispositifs 1 200 V, 1 700 V et 3 300 V.
Tendances et perspectives du marché japonais des transistors de puissance
L'électronique grand public devrait détenir une part de marché significative
- Les transistors de puissance visent principalement à commuter rapidement les courants électriques tout en engendrant le moins de pertes de commutation possible. Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) se trouvent dans diverses applications d'électronique grand public. Pour les grandes applications telles que les climatiseurs, les réfrigérateurs, les machines à laver, les fours à micro-ondes, les plaques de cuisson à induction et les lave-vaisselle, les circuits à base d'IGBT sont appropriés.
- En raison de l'utilisation croissante des onduleurs dans les climatiseurs et de la nécessité de réduire la consommation d'énergie dans les grandes alimentations électriques pour les équipements ménagers, la demande en dispositifs de commutation hautement efficaces dans les appareils électroménagers qui consomment une quantité significative d'électricité est en augmentation. Le besoin en IGBT augmente en raison de la demande accrue en dispositifs de commutation à faibles pertes et en fréquences de commutation plus élevées dans les circuits de correction du facteur de puissance (PFC).
- Par exemple, en mars 2023, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a introduit le
GT30J65MRB,
un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) discret de 650 V pour les circuits de correction du facteur de puissance (PFC) dans les climatiseurs et les grandes alimentations électriques pour équipements industriels. Le GT30J65MRB de Toshiba est le premier IGBT de l'entreprise pour PFC destiné à une utilisation en dessous de 60 kHz. Cela a été accompli en réduisant les pertes de commutation (pertes de commutation à l'ouverture) pour assurer un fonctionnement à fréquence plus élevée. - De plus, les foyers utilisent fréquemment des machines à laver automatiques électriques pour laver le linge ménager. La puissance fournie par le transistor de puissance peut être utilisée pour contrôler la vitesse et le sens de rotation du moteur dans les machines à laver. La quantité d'eau et le couple moteur peuvent être ajustés en fonction de la charge de lavage grâce au contrôle par onduleur avec des transistors de puissance, réduisant ainsi le bruit et les vibrations lors du lavage et de l'essorage.
- De plus, la plupart des consommateurs recherchent aujourd'hui des fonctionnalités avancées répondant à leurs besoins en matière de santé et d'hygiène tout en étant économes en énergie. En raison d'une forte demande provoquée par la récente vague de chaleur qui a touché de nombreuses régions du monde et de la demande refoulée des deux étés précédents, impactée par les confinements liés à la COVID-19, les fabricants de climatiseurs et de réfrigérateurs ont augmenté leur production à pleine capacité. L'augmentation des ventes de climatiseurs et de réfrigérateurs devrait stimuler la demande en transistors de puissance.

Le secteur automobile devrait stimuler le marché
- Le secteur automobile représente une part significative de la demande totale en semi-conducteurs dans le pays. La migration du secteur automobile des véhicules à combustibles fossiles vers les véhicules hybrides et électriques stimule une forte demande en transistors de puissance. Les principaux fabricants de transistors de puissance se font concurrence pour développer des dispositifs plus performants sur de nouveaux matériaux tels que le SiC et le GaN.
- En avril 2022, DENSO Corporation, un fournisseur de solutions de mobilité, et United Semiconductor Japan Co., Ltd., une filiale de la fonderie mondiale de semi-conducteurs United Microelectronics Corporation, ont annoncé que les entreprises avaient convenu de collaborer sur la production de semi-conducteurs de puissance dans l'usine de fabrication de plaquettes de 300 mm de USJC pour répondre à la demande croissante sur le marché automobile.
- Les activités de recherche et développement continuent également de croître dans la région, ce qui contribuera à favoriser l'innovation produit. Par exemple, en juillet 2022, les États-Unis et le Japon ont récemment décidé de lancer un nouveau centre de recherche international conjoint sur les semi-conducteurs. Ils ont convenu de travailler sur des recherches collaboratives pour les semi-conducteurs de prochaine génération, ce qui stimulera le marché étudié dans le pays.
- En décembre 2022, Nidec-Read Corporation a annoncé le lancement du NATS-1000, un équipement d'inspection de semi-conducteurs en ligne entièrement automatique, pour tester les fonctions des modules IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) / SiC (carbure de silicium) automobiles.
- De plus, en septembre 2022, onsemi, un fournisseur de technologies intelligentes de puissance et de détection, a annoncé un trio de modules de transistors de puissance à base de carbure de silicium (SiC) en technologie de moulage par transfert destinés à être utilisés dans la charge embarquée et la conversion DCDC haute tension (HT) dans tous les types de véhicules électriques (xEV). La série APM32 est la première du genre à adopter la technologie SiC dans un boîtier moulé par transfert pour améliorer l'efficacité et réduire le temps de charge des xEV, et est spécifiquement conçue pour les chargeurs embarqués (OBC) haute puissance de 11 à 22 kW.

Paysage concurrentiel
Le marché japonais des transistors de puissance est fragmenté et devrait connaître une concurrence accrue au cours de la période de prévision en raison de l'entrée de plusieurs multinationales. Les fournisseurs se concentrent sur le développement de portefeuilles de solutions personnalisées pour répondre aux exigences locales. Les principaux acteurs opérant sur le marché comprennent Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V., Texas Instruments Inc., STMicroelectronics N.V., Linear Integrated Systems Inc., Mitsubishi Electric Corporation, etc.
En janvier 2023, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a lancé des MOSFET de puissance automobiles à canal N de 40 V - « XPQR3004PB » et « XPQ1R004PB » - qui utilisent le nouveau boîtier L-TOGL (grandes broches en aile de mouette pour transistors) et présentent une valeur nominale de courant de drain élevée avec une faible résistance à l'état passant.
En juin 2022, Mitsubishi Electric Corporation a dévoilé un nouveau module IGBT pour les applications dans les grandes installations photovoltaïques. L'entreprise affirme que le dispositif contribue à réduire le nombre d'onduleurs nécessaires dans les installations photovoltaïques connectées au réseau tout en permettant un fonctionnement simultané à haute tension et de faibles pertes de puissance.
Leaders du secteur japonais des transistors de puissance
Champion Microelectronics Corporation
Fairchild Semiconductor International Inc.
Infineon Technologies AG
Renesas Electronics Corporation
NXP Semiconductors N.V.
- *Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier

Développements récents du secteur
- Avril 2024 : Fuji Electric du Japon a lancé un nouveau module haute puissance dans sa série next-core basée sur sa dernière plateforme de transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) avec des diodes dotées d'une fonction de diode à roue libre (FWD). Le nouveau module de la série HPnC X de classe 1 700 V et 3 300 V, qui sera disponible en juin, est conçu pour les grands convertisseurs de puissance entre 1 700 V CC et 3,3 kV.
- Février 2024 : Mitsubishi Electric Corporation a annoncé son dernier produit : un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET) haute puissance radiofréquence (RF) en silicium de 6,5 W. Ce composant, conçu pour les amplificateurs de puissance RF haute puissance dans les radios bidirectionnelles portables commerciales (talkies-walkies), est prévu pour des expéditions d'échantillons à partir du 28 février. Le MOSFET délivre une puissance de sortie de 6,5 W tout en fonctionnant à 3,6 V à partir d'une batterie lithium-ion à cellule unique. Ce développement vise à étendre la portée de communication et à réduire la consommation d'énergie des équipements radio commerciaux.
Portée du rapport sur le marché japonais des transistors de puissance
Les transistors de puissance sont utilisés pour amplifier et réguler les signaux. Ils sont fabriqués à partir de matériaux semi-conducteurs haute performance tels que le germanium et le silicium. Ces transistors peuvent amplifier et contrôler un certain niveau de tension et gérer des plages spécifiques de tensions élevées et basses.
L'étude comprend différents produits : FET basse tension, modules IGBT, transistors RF et micro-ondes, FET haute tension, transistors IGBT, ainsi que différents types tels que les transistors bipolaires à jonction, les transistors à effet de champ, les transistors bipolaires à hétérojonction pour divers secteurs d'utilisation finale tels que l'électronique grand public, la communication et la technologie, l'automobile, la fabrication et l'énergie et la puissance. Le paysage concurrentiel prend en compte la pénétration du marché de plusieurs entreprises, ainsi que leurs stratégies de croissance organiques et inorganiques.
Pour tous les segments ci-dessus, les tailles de marché et les prévisions sont fournies en termes de valeur (USD).
| FET basse tension |
| Modules IGBT |
| Transistors RF et micro-ondes |
| FET haute tension |
| Transistors IGBT |
| Transistor bipolaire à jonction |
| Transistor à effet de champ |
| Transistor bipolaire à hétérojonction |
| Autres (MOSFET, JFET, transistor NPN, transistor PNP, transistor GaN) |
| Électronique grand public |
| Communication et technologie |
| Automobile |
| Fabrication |
| Énergie et puissance |
| Autres secteurs d'utilisation finale |
| Par produit | FET basse tension |
| Modules IGBT | |
| Transistors RF et micro-ondes | |
| FET haute tension | |
| Transistors IGBT | |
| Par type | Transistor bipolaire à jonction |
| Transistor à effet de champ | |
| Transistor bipolaire à hétérojonction | |
| Autres (MOSFET, JFET, transistor NPN, transistor PNP, transistor GaN) | |
| Par secteur d'utilisation finale | Électronique grand public |
| Communication et technologie | |
| Automobile | |
| Fabrication | |
| Énergie et puissance | |
| Autres secteurs d'utilisation finale |
Questions clés auxquelles le rapport répond
Quelle est la taille du marché japonais des transistors de puissance ?
La taille du marché japonais des transistors de puissance devrait atteindre 3,19 milliards USD en 2025 et croître à un CAGR de 3,5 % pour atteindre 3,79 milliards USD d'ici 2030.
Quelle est la taille actuelle du marché japonais des transistors de puissance ?
En 2025, la taille du marché japonais des transistors de puissance devrait atteindre 3,19 milliards USD.
Qui sont les acteurs clés du marché japonais des transistors de puissance ?
Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation et NXP Semiconductors N.V. sont les principales entreprises opérant sur le marché japonais des transistors de puissance.
Quelles années ce rapport sur le marché japonais des transistors de puissance couvre-t-il, et quelle était la taille du marché en 2024 ?
En 2024, la taille du marché japonais des transistors de puissance était estimée à 3,08 milliards USD. Le rapport couvre la taille historique du marché japonais des transistors de puissance pour les années : 2019, 2020, 2021, 2022, 2023 et 2024. Le rapport prévoit également la taille du marché japonais des transistors de puissance pour les années : 2025, 2026, 2027, 2028, 2029 et 2030.
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Rapport sur le secteur japonais des transistors de puissance
Statistiques sur la part de marché, la taille et le taux de croissance des revenus du marché japonais des transistors de puissance en 2025, créées par Mordor Intelligence™ Industry Reports. L'analyse du marché japonais des transistors de puissance comprend des prévisions de marché pour la période 2025 à 2030 et un aperçu historique. Obtenez un échantillon de cette analyse sectorielle sous forme de téléchargement gratuit de rapport PDF.



