Taille et part du marché japonais des transistors de puissance

Résumé du marché japonais des transistors de puissance
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Analyse du marché japonais des transistors de puissance par Mordor Intelligence

La taille du marché japonais des transistors de puissance est estimée à 3,19 milliards USD en 2025, et devrait atteindre 3,79 milliards USD d'ici 2030, à un CAGR de 3,5 % au cours de la période de prévision (2025-2030).

Au Japon, le secteur automobile représente une part significative de la demande totale en semi-conducteurs dans le pays, ayant émergé comme le 5e plus grand marché automobile en 2022, selon l'Association allemande de l'industrie automobile ou VDA. La migration du secteur automobile des véhicules à combustibles fossiles vers les véhicules hybrides et électriques stimule la demande en dispositifs de puissance.

  • Selon la collaboration, une ligne IGBT serait installée dans l'usine de fabrication de plaquettes de USJC, ce qui serait la première au Japon à produire des IGBT sur des plaquettes de 300 mm. DENSO apporterait ses technologies de dispositifs et de procédés IGBT orientés système.
  • Dans le même temps, USJC fournira ses capacités de fabrication de plaquettes de 300 mm pour mettre en production de masse le procédé IGBT sur 300 mm, dont le démarrage est prévu pour le premier semestre 2023. Les IGBT sont perçus comme des dispositifs essentiels dans les cartes de puissance, servant de commutateurs de puissance efficaces dans les onduleurs pour convertir les courants continu et alternatif afin d'entraîner et de contrôler les moteurs de véhicules électriques.
  • De plus, en février 2022, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a annoncé qu'elle construirait une nouvelle installation de fabrication de plaquettes de 300 millimètres pour les semi-conducteurs de puissance, y compris les transistors, chez Kaga Toshiba Electronics Corporation dans la préfecture d'Ishikawa, sa principale base de production de semi-conducteurs discrets. La construction devrait se dérouler en deux phases, le démarrage de la production de la phase 1 étant prévu pour 2024. Lorsque la phase 1 atteindra sa pleine capacité, la capacité de production de semi-conducteurs de puissance de Toshiba sera 2,5 fois supérieure à celle de l'exercice 2021.
  • Également, en janvier 2022, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a lancé deux modules doubles MOSFET en carbure de silicium (SiC) : le « MG600Q2YMS3 », avec une tension nominale de 1 200 V et un courant de drain nominal de 600 A, et le « MG400V2YMS3 », avec une tension nominale de 1 700 V et un courant de drain nominal de 400 A. Les premiers produits Toshiba avec ces tensions nominales ont rejoint le MG800FXF2YMS3 précédemment lancé dans une gamme de dispositifs 1 200 V, 1 700 V et 3 300 V.

Paysage concurrentiel

Le marché japonais des transistors de puissance est fragmenté et devrait connaître une concurrence accrue au cours de la période de prévision en raison de l'entrée de plusieurs multinationales. Les fournisseurs se concentrent sur le développement de portefeuilles de solutions personnalisées pour répondre aux exigences locales. Les principaux acteurs opérant sur le marché comprennent Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V., Texas Instruments Inc., STMicroelectronics N.V., Linear Integrated Systems Inc., Mitsubishi Electric Corporation, etc.

En janvier 2023, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a lancé des MOSFET de puissance automobiles à canal N de 40 V - « XPQR3004PB » et « XPQ1R004PB » - qui utilisent le nouveau boîtier L-TOGL (grandes broches en aile de mouette pour transistors) et présentent une valeur nominale de courant de drain élevée avec une faible résistance à l'état passant.

En juin 2022, Mitsubishi Electric Corporation a dévoilé un nouveau module IGBT pour les applications dans les grandes installations photovoltaïques. L'entreprise affirme que le dispositif contribue à réduire le nombre d'onduleurs nécessaires dans les installations photovoltaïques connectées au réseau tout en permettant un fonctionnement simultané à haute tension et de faibles pertes de puissance.

Leaders du secteur japonais des transistors de puissance

  1. Champion Microelectronics Corporation

  2. Fairchild Semiconductor International Inc.

  3. Infineon Technologies AG

  4. Renesas Electronics Corporation

  5. NXP Semiconductors N.V.

  6. *Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier
Concentration du marché japonais des transistors de puissance
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Développements récents du secteur

  • Avril 2024 : Fuji Electric du Japon a lancé un nouveau module haute puissance dans sa série next-core basée sur sa dernière plateforme de transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) avec des diodes dotées d'une fonction de diode à roue libre (FWD). Le nouveau module de la série HPnC X de classe 1 700 V et 3 300 V, qui sera disponible en juin, est conçu pour les grands convertisseurs de puissance entre 1 700 V CC et 3,3 kV.
  • Février 2024 : Mitsubishi Electric Corporation a annoncé son dernier produit : un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET) haute puissance radiofréquence (RF) en silicium de 6,5 W. Ce composant, conçu pour les amplificateurs de puissance RF haute puissance dans les radios bidirectionnelles portables commerciales (talkies-walkies), est prévu pour des expéditions d'échantillons à partir du 28 février. Le MOSFET délivre une puissance de sortie de 6,5 W tout en fonctionnant à 3,6 V à partir d'une batterie lithium-ion à cellule unique. Ce développement vise à étendre la portée de communication et à réduire la consommation d'énergie des équipements radio commerciaux.

Table des matières du rapport sur le secteur japonais des transistors de puissance

1. INTRODUCTION

  • 1.1 Hypothèses de l'étude et définition du marché
  • 1.2 Portée de l'étude

2. MÉTHODOLOGIE DE RECHERCHE

3. RÉSUMÉ EXÉCUTIF

4. PERSPECTIVES DU MARCHÉ

  • 4.1 Aperçu du marché
  • 4.2 Attractivité du secteur - Analyse des cinq forces de Porter
    • 4.2.1 Menace des nouveaux entrants
    • 4.2.2 Pouvoir de négociation des acheteurs
    • 4.2.3 Pouvoir de négociation des fournisseurs
    • 4.2.4 Menace des produits de substitution
    • 4.2.5 Intensité de la rivalité concurrentielle
  • 4.3 Évaluation de l'impact de la COVID-19 sur le marché

5. DYNAMIQUES DU MARCHÉ

  • 5.1 Moteurs du marché
    • 5.1.1 Hausse de la demande en appareils connectés
    • 5.1.2 L'utilisation croissante des combustibles fossiles accroît la demande en dispositifs électroniques économes en énergie
  • 5.2 Freins du marché
    • 5.2.1 Limitations opérationnelles dues à des contraintes telles que la température, la fréquence, la capacité de blocage inverse, etc.

6. SEGMENTATION DU MARCHÉ

  • 6.1 Par produit
    • 6.1.1 FET basse tension
    • 6.1.2 Modules IGBT
    • 6.1.3 Transistors RF et micro-ondes
    • 6.1.4 FET haute tension
    • 6.1.5 Transistors IGBT
  • 6.2 Par type
    • 6.2.1 Transistor bipolaire à jonction
    • 6.2.2 Transistor à effet de champ
    • 6.2.3 Transistor bipolaire à hétérojonction
    • 6.2.4 Autres (MOSFET, JFET, transistor NPN, transistor PNP, transistor GaN)
  • 6.3 Par secteur d'utilisation finale
    • 6.3.1 Électronique grand public
    • 6.3.2 Communication et technologie
    • 6.3.3 Automobile
    • 6.3.4 Fabrication
    • 6.3.5 Énergie et puissance
    • 6.3.6 Autres secteurs d'utilisation finale

7. PAYSAGE CONCURRENTIEL

  • 7.1 Profils d'entreprises
    • 7.1.1 Champion Microelectronics Corporation
    • 7.1.2 Fairchild Semiconductor International Inc.
    • 7.1.3 Infineon Technologies AG
    • 7.1.4 Renesas Electronics Corporation
    • 7.1.5 NXP Semiconductors N.V.
    • 7.1.6 Texas Instruments Inc.
    • 7.1.7 STMicroelectronics N.V.
    • 7.1.8 Linear Integrated Systems Inc.
    • 7.1.9 Mitsubishi Electric Corporation
    • 7.1.10 Toshiba Corporation
    • 7.1.11 Vishay Intertechnology Inc.
    • 7.1.12 Analog Devices Inc.
    • 7.1.13 Broadcom Inc.

8. ANALYSE DES INVESTISSEMENTS

9. AVENIR DU MARCHÉ

Portée du rapport sur le marché japonais des transistors de puissance

Les transistors de puissance sont utilisés pour amplifier et réguler les signaux. Ils sont fabriqués à partir de matériaux semi-conducteurs haute performance tels que le germanium et le silicium. Ces transistors peuvent amplifier et contrôler un certain niveau de tension et gérer des plages spécifiques de tensions élevées et basses.

L'étude comprend différents produits : FET basse tension, modules IGBT, transistors RF et micro-ondes, FET haute tension, transistors IGBT, ainsi que différents types tels que les transistors bipolaires à jonction, les transistors à effet de champ, les transistors bipolaires à hétérojonction pour divers secteurs d'utilisation finale tels que l'électronique grand public, la communication et la technologie, l'automobile, la fabrication et l'énergie et la puissance. Le paysage concurrentiel prend en compte la pénétration du marché de plusieurs entreprises, ainsi que leurs stratégies de croissance organiques et inorganiques.

Pour tous les segments ci-dessus, les tailles de marché et les prévisions sont fournies en termes de valeur (USD).

Par produit
FET basse tension
Modules IGBT
Transistors RF et micro-ondes
FET haute tension
Transistors IGBT
Par type
Transistor bipolaire à jonction
Transistor à effet de champ
Transistor bipolaire à hétérojonction
Autres (MOSFET, JFET, transistor NPN, transistor PNP, transistor GaN)
Par secteur d'utilisation finale
Électronique grand public
Communication et technologie
Automobile
Fabrication
Énergie et puissance
Autres secteurs d'utilisation finale
Par produitFET basse tension
Modules IGBT
Transistors RF et micro-ondes
FET haute tension
Transistors IGBT
Par typeTransistor bipolaire à jonction
Transistor à effet de champ
Transistor bipolaire à hétérojonction
Autres (MOSFET, JFET, transistor NPN, transistor PNP, transistor GaN)
Par secteur d'utilisation finaleÉlectronique grand public
Communication et technologie
Automobile
Fabrication
Énergie et puissance
Autres secteurs d'utilisation finale

Questions clés auxquelles le rapport répond

Quelle est la taille du marché japonais des transistors de puissance ?

La taille du marché japonais des transistors de puissance devrait atteindre 3,19 milliards USD en 2025 et croître à un CAGR de 3,5 % pour atteindre 3,79 milliards USD d'ici 2030.

Quelle est la taille actuelle du marché japonais des transistors de puissance ?

En 2025, la taille du marché japonais des transistors de puissance devrait atteindre 3,19 milliards USD.

Qui sont les acteurs clés du marché japonais des transistors de puissance ?

Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation et NXP Semiconductors N.V. sont les principales entreprises opérant sur le marché japonais des transistors de puissance.

Quelles années ce rapport sur le marché japonais des transistors de puissance couvre-t-il, et quelle était la taille du marché en 2024 ?

En 2024, la taille du marché japonais des transistors de puissance était estimée à 3,08 milliards USD. Le rapport couvre la taille historique du marché japonais des transistors de puissance pour les années : 2019, 2020, 2021, 2022, 2023 et 2024. Le rapport prévoit également la taille du marché japonais des transistors de puissance pour les années : 2025, 2026, 2027, 2028, 2029 et 2030.

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Rapport sur le secteur japonais des transistors de puissance

Statistiques sur la part de marché, la taille et le taux de croissance des revenus du marché japonais des transistors de puissance en 2025, créées par Mordor Intelligence™ Industry Reports. L'analyse du marché japonais des transistors de puissance comprend des prévisions de marché pour la période 2025 à 2030 et un aperçu historique. Obtenez un échantillon de cette analyse sectorielle sous forme de téléchargement gratuit de rapport PDF.

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