Taille du marché des transistors de puissance au Japon

Résumé du marché des transistors de puissance au Japon
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Analyse du marché des transistors de puissance au Japon

Le marché japonais des transistors de puissance était évalué à 2 986,3 millions USD au cours de lannée en cours et devrait atteindre 3670,9 millions USD dici la fin de la période de prévision, enregistrant un TCAC de 3,50 % au cours de la période de prévision.

  • En raison de la pandémie, lindustrie automobile a connu une forte baisse de la demande, entraînant une croissance négative en 2020 et 2021. Au début de la pandémie, de nombreux constructeurs automobiles ont fixé des objectifs agressifs de réduction des coûts. Ils ont annoncé des réductions des dépenses dinvestissement pour rester rentables dans un contexte de faible production et de perspectives de demande incertaines.
  • Par exemple, Toyota a annoncé son intention de réduire sa production mondiale de 40 % en septembre 2021 par rapport aux plans précédents, car COVID-19 a restreint lapprovisionnement en semi-conducteurs. La société a annoncé des suspensions dopérations dans plusieurs usines japonaises ce mois-ci en raison dune pénurie de pièces résultant de la propagation du COVID-19 en Asie du Sud-Est.
  • Au Japon, lindustrie automobile représente une part importante de la demande totale de semi-conducteurs dans le pays, étant devenue le 5e plus grand marché automobile en 2022, selon lAssociation allemande de lindustrie automobile ou VDA. La migration de lindustrie automobile des véhicules à combustibles fossiles vers les véhicules hybrides et électriques stimule la demande de dispositifs électriques.
  • Dans le cadre de cette collaboration, une ligne IGBT serait installée dans lusine de plaquettes de lUSJC, qui serait la première au Japon à produire des IGBT sur des plaquettes de 300 mm. DENSO apporterait ses technologies de dispositifs et de procédés IGBT orientés système.
  • Dans le même temps, lUSJC fournira ses capacités de fabrication de plaquettes de 300 mm pour mettre le processus IGBT de 300 mm en production de masse, qui devrait commencer au premier semestre 2023. Les IGBT sont perçus comme des dispositifs essentiels dans les cartes dalimentation, servant dinterrupteurs dalimentation efficaces dans les onduleurs pour convertir les courants CC et CA afin dentraîner et de contrôler les moteurs des véhicules électriques.
  • En outre, en février 2022, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a annoncé quelle construirait une nouvelle usine de fabrication de plaquettes de 300 millimètres pour les semi-conducteurs de puissance, y compris les transistors, à Kaga Toshiba Electronics Corporation dans la préfecture dIshikawa, sa principale base de production de semi-conducteurs discrets. La construction devrait se dérouler en deux phases, le début de la production de la phase 1 étant prévu pour 2024. Lorsque la phase 1 atteindra sa capacité totale, la capacité de production de semi-conducteurs de puissance de Toshiba sera 2,5 fois supérieure à celle de lexercice 2021.
  • De plus, en janvier 2022, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a lancé deux modules doubles MOSFET en carbure de silicium (SiC) MG600Q2YMS3 , avec une tension nominale de 1200 V et un courant de drain nominal de 600 A et MG400V2YMS3 , avec une tension nominale de 1700 V et un courant nominal de drain de 400 A. Les premiers produits Toshiba avec ces tensions nominales ont rejoint les MG800FXF2YMS3 précédemment lancés dans une gamme dappareils 1200V, 1700V et 3300V.

Présentation de lindustrie japonaise des transistors de puissance

Le marché japonais des transistors de puissance est fragmenté et devrait croître en concurrence au cours de la période de prévision en raison de lentrée de plusieurs multinationales. Les fournisseurs se concentrent sur le développement de portefeuilles de solutions personnalisées pour répondre aux exigences locales. Les principaux acteurs opérant sur le marché comprennent Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V., Texas Instruments Inc., STMicroelectronics N.V., Linear Integrated Systems Inc., Mitsubishi Electric Corporation, etc.

En janvier 2023, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a lancé des MOSFET de puissance à canal N de 40 V pour lautomobile - 'XPQR3004PB' et 'XPQ1R004PB' - qui utilisent le nouveau boîtier L-TOGL (grands fils en aile de mouette à contour de transistor) et présentent un courant de consommation nominal élevé avec une faible résistance à létat continu.

En juin 2022, Mitsubishi Electric Corporation a dévoilé un nouveau module IGBT pour les applications dans les installations photovoltaïques à grande échelle. La société affirme que lappareil aide à réduire le nombre donduleurs nécessaires dans les installations photovoltaïques connectées au réseau tout en assurant un fonctionnement simultané à haute tension et de faibles pertes de puissance.

Leaders du marché japonais des transistors de puissance

  1. Champion Microelectronics Corporation

  2. Fairchild Semiconductor International Inc.

  3. Infineon Technologies AG

  4. Renesas Electronics Corporation

  5. NXP Semiconductors N.V.

  6. *Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier
Concentration du marché des transistors de puissance au Japon
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Nouvelles du marché des transistors de puissance au Japon

  • Août 2022 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation lance de nouveaux dispositifs dalimentation dans le cadre de la TWxxNxxxCseries. Cette série est sa troisième génération de MOSFET en carbure de silicium (SiC) qui peuvent offrir une faible résistance à létat passant et une perte de commutation considérablement réduite.
  • Février 2022 Vayyar Imaging, un fournisseur de radars dimagerie 4D, a annoncé louverture dun nouveau bureau à Tokyo, au Japon, alors que la société intensifie ses engagements avancés avec des entreprises de premier plan. VayyarImaging Japan LLC sera le fer de lance de lexpansion continue de la société dans la région APAC, principalement dans les secteurs des soins aux personnes âgées et de lautomobile.

Table of Contents

1. INTRODUCTION

  • 1.1 Hypothèses de l’étude et définition du marché
  • 1.2 Portée de l'étude

2. MÉTHODOLOGIE DE RECHERCHE

3. RÉSUMÉ EXÉCUTIF

4. APERÇU DU MARCHÉ

  • 4.1 Aperçu du marché
  • 4.2 Attractivité de l'industrie - Analyse des cinq forces de Porter
    • 4.2.1 La menace de nouveaux participants
    • 4.2.2 Le pouvoir de négociation des acheteurs
    • 4.2.3 Pouvoir de négociation des fournisseurs
    • 4.2.4 Menace des produits de substitution
    • 4.2.5 Intensité de la rivalité concurrentielle
  • 4.3 Évaluation de l'impact du COVID-19 sur le marché

5. DYNAMIQUE DU MARCHÉ

  • 5.1 Facteurs de marché
    • 5.1.1 Augmentation de la demande d'appareils connectés
    • 5.1.2 L’utilisation croissante des combustibles fossiles entraîne une demande croissante d’appareils électroniques économes en énergie
  • 5.2 Restrictions du marché
    • 5.2.1 Limitations des opérations dues à des contraintes telles que la température, la fréquence, la capacité de blocage inverse, etc.

6. SEGMENTATION DU MARCHÉ

  • 6.1 Par produit
    • 6.1.1 FET basse tension
    • 6.1.2 Modules IGBT
    • 6.1.3 Transistors RF et micro-ondes
    • 6.1.4 FET haute tension
    • 6.1.5 Transistors IGBT
  • 6.2 Par type
    • 6.2.1 Transitor à jonction bipolaire
    • 6.2.2 Transistor à effet de champ
    • 6.2.3 Transistor bipolaire à hétérojonction
    • 6.2.4 Autres (MOSFET, JFET, transistor NPN, transistor PNP, transistor GaN)
  • 6.3 Par secteur d'activité de l'utilisateur final
    • 6.3.1 Electronique grand public
    • 6.3.2 Communication et technologie
    • 6.3.3 Automobile
    • 6.3.4 Fabrication
    • 6.3.5 Énergie et puissance
    • 6.3.6 Autres industries d'utilisateurs finaux

7. PAYSAGE CONCURRENTIEL

  • 7.1 Profils d'entreprise
    • 7.1.1 Champion Microelectronics Corporation
    • 7.1.2 Fairchild Semiconductor International Inc.
    • 7.1.3 Infineon Technologies AG
    • 7.1.4 Société Renesas Electronique
    • 7.1.5 NXP Semiconductors N.V.
    • 7.1.6 Texas Instruments Inc.
    • 7.1.7 STMicroelectronics N.V.
    • 7.1.8 Linear Integrated Systems Inc.
    • 7.1.9 Mitsubishi Electric Corporation
    • 7.1.10 Toshiba Corporation
    • 7.1.11 Vishay Intertechnology Inc.
    • 7.1.12 Analog Devices Inc.
    • 7.1.13 Broadcom Inc.

8. ANALYSE D'INVESTISSEMENT

9. L'AVENIR DU MARCHÉ

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Segmentation de lindustrie des transistors de puissance au Japon

Les transistors de puissance sont utilisés pour amplifier et réguler les signaux. Ils sont fabriqués à partir de matériaux semi-conducteurs haute performance comme le germanium et le silicium. Ces transistors peuvent amplifier et contrôler un certain niveau de tension et gérer des plages spécifiques de tensions nominales de haut et de bas niveau.

Létude comprend différents produits FET basse tension, modules IGBT, transistors RF et micro-ondes, FET haute tension, transistors IGBT et différents types tels que transistors à jonction bipolaire, transistors à effet de champ, transistors bipolaires à hétérojonction pour diverses industries dutilisateurs finaux telles que lélectronique grand public, la communication et la technologie, lautomobile, la fabrication et lénergie et lénergie. Le paysage concurrentiel prend en compte la pénétration du marché de plusieurs entreprises, ainsi que leurs stratégies de croissance organique et inorganique. Létude prend également en compte limpact de la pandémie de COVID-19 sur le marché.

Pour tous les segments ci-dessus, la taille du marché et les prévisions sont fournies en termes de valeur (en millions USD).

Par produit
FET basse tension
Modules IGBT
Transistors RF et micro-ondes
FET haute tension
Transistors IGBT
Par type
Transitor à jonction bipolaire
Transistor à effet de champ
Transistor bipolaire à hétérojonction
Autres (MOSFET, JFET, transistor NPN, transistor PNP, transistor GaN)
Par secteur d'activité de l'utilisateur final
Electronique grand public
Communication et technologie
Automobile
Fabrication
Énergie et puissance
Autres industries d'utilisateurs finaux
Par produitFET basse tension
Modules IGBT
Transistors RF et micro-ondes
FET haute tension
Transistors IGBT
Par typeTransitor à jonction bipolaire
Transistor à effet de champ
Transistor bipolaire à hétérojonction
Autres (MOSFET, JFET, transistor NPN, transistor PNP, transistor GaN)
Par secteur d'activité de l'utilisateur finalElectronique grand public
Communication et technologie
Automobile
Fabrication
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Foire aux questions

Quelle est la taille actuelle du marché japonais des transistors de puissance ?

Le marché japonais des transistors de puissance devrait enregistrer un TCAC de 3,5 % au cours de la période de prévision (2024-2029)

Qui sont les principaux acteurs du marché japonais des transistors de puissance ?

Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V. sont les principales entreprises opérant sur le marché japonais des transistors de puissance.

Quelles sont les années couvertes par ce marché japonais des transistors de puissance ?

Le rapport couvre la taille historique du marché japonais des transistors de puissance pour les années 2019, 2020, 2021, 2022 et 2023. Le rapport prévoit également la taille du marché japonais des transistors de puissance pour les années suivantes 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 et 2029.

Dernière mise à jour de la page le:

Rapport sur lindustrie japonaise des transistors de puissance

Statistiques sur la part de marché, la taille et le taux de croissance des revenus des transistors de puissance au Japon en 2024, créées par Mordor Intelligence™ Industry Reports. Lanalyse des transistors de puissance au Japon comprend des prévisions du marché pour 2024 à 2029) et un aperçu historique. Avoir un échantillon de cette analyse de lindustrie sous forme de rapport gratuit à télécharger en format PDF.

Transistor de puissance Japon Instantanés du rapport