Taille du marché des transistors de puissance en Europe

Résumé du marché européen des transistors de puissance
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Analyse du marché des transistors de puissance en Europe

Le marché européen des transistors de puissance était évalué à 3 973,64 millions USD et devrait enregistrer un TCAC de 3,3 % au cours de la période de prévision pour atteindre 4828,258 millions USD dici la fin de la période de prévision.

  • Laugmentation de la demande dappareils connectés devrait avoir un impact significatif sur la croissance du marché mondial des transistors de puissance au cours de la période de prévision. Les transistors de puissance aident à dissiper rapidement la chaleur, empêchent la surchauffe, réduisent les émissions de dioxyde de carbone et réduisent les coûts délectricité.
  • Selon Cisco, le nombre dappareils en réseau en Europe centrale et orientale devrait passer de 1,2 milliard en 2018 à 2,0 milliards dici 2023. Dici 2023, lEurope centrale et orientale comptera 4,0 appareils en réseau par personne, contre 2,5 en 2018.
  • Les transistors de puissance sont généralement utilisés dans les applications automobiles en raison de leur capacité à gérer efficacement les niveaux de tension et de courant élevés. Ils sont utilisés dans divers domaines du véhicule, notamment les systèmes de contrôle du moteur, les systèmes de transmission, la gestion de lénergie, la gestion de la batterie et les systèmes déclairage, entre autres.
  • Les transistors de puissance automobiles sont conçus pour répondre à des exigences strictes en matière de fiabilité, de durabilité et de sécurité. Ils sont utilisés dans les circuits de commande du moteur pour réguler la vitesse du moteur. Ils sont également utilisés dans les véhicules électriques et hybrides pour contrôler le moteur utilisé pour la propulsion. Les transistors de puissance sont utilisés dans les systèmes de gestion de batterie pour surveiller létat de la batterie et létat de charge, pour contrôler le courant de charge, et dans les systèmes de transmission automatique pour contrôler le changement de vitesse.
  • Parmi les autres facteurs qui devraient stimuler le marché à létude, citons la sécurité, linfodivertissement, la navigation et lefficacité énergétique des composants automobiles, ainsi que la sécurité, lautomatisation, léclairage à semi-conducteurs, le transport et la gestion de lénergie dans les composants industriels. Par exemple, le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT), un élément clé du système électronique de puissance des VE, devrait connaître une forte demande à mesure que les ventes de VE augmentent à léchelle internationale.
  • Selon lAutorité fédérale des transports motorisés, en Allemagne, 1,2 % de toutes les voitures particulières étaient électrifiées (véhicules électriques à batterie (BEV) et véhicules électriques hybrides rechargeables (PHEV)) en 2020. Les prévisions indiquent que dici 2030, la part passera à 24,4 %, soit plus de 11,55 millions de véhicules. Une telle augmentation des véhicules électriques (VE) stimulerait le marché.
  • La région est également témoin de plusieurs innovations répondant aux demandes complexes des consommateurs. Par exemple, en juin 2022, le premier transistor organique bipolaire vertical haute performance a été créé par des scientifiques du Centre intégré de physique appliquée et des matériaux photoniques (IAPP) de Dresde en Allemagne, ouvrant la voie à la création de systèmes logiques organiques adaptables. Au cours des 20 dernières années, des transistors organiques à effet de champ (FET) ont été créés pour des utilisations telles que les pilotes décran ; cependant, en raison de leur faible mobilité des porteurs de charge, ils ne peuvent fonctionner que dans la gamme des mégahertz faibles à moyens. Le transistor à jonction bipolaire, quant à lui, offre une faible capacité et une faible résistance de contact, mais rencontre des difficultés de miniaturisation et dintégration des processus.
  • Dun autre côté, la technologie des transistors de puissance est confrontée à un certain nombre de défis. Certains de ces défis sont liés aux performances des appareils, tels que lamélioration de lefficacité et de la densité de puissance. Dautres défis sont liés à la fiabilité des appareils, tels que la réduction du risque de contrainte thermique et lamélioration de la fiabilité sous haute tension. Les transistors de puissance génèrent beaucoup de chaleur pendant le fonctionnement, ce qui peut causer des problèmes de fiabilité et limiter la densité de puissance des appareils. Lamélioration de la gestion thermique des transistors de puissance est un défi important.
  • De plus, lépidémie de COVID-19 a affecté les installations de production des industries automobiles du monde entier. Lépidémie de COVID-19 dans les pays européens a affecté lindustrie automobile de la région. Selon lAssociation des constructeurs automobiles étrangers et les représentants syndicaux nationaux des affaires étrangères des véhicules (UNRAE), lépidémie de COVID-19 et les faibles perspectives économiques ont entraîné une baisse de la demande dans le secteur automobile. De tels facteurs pourraient limiter la croissance du marché étudié dans la région.

Vue densemble de lindustrie européenne des transistors de puissance

Le marché européen des transistors de puissance est modérément fragmenté, avec la présence de plusieurs acteurs comme Infineon Technologies, Renesas Electronics, Texas Instruments, etc. Étant donné que le marché est fortement concurrentiel, les acteurs du marché sefforcent constamment dadopter des technologies de pointe et dinnover des produits complets pour répondre aux besoins changeants de leurs clients.

En mars 2023, LITEON Technology a choisi le transistor à effet de champ (FET) en nitrure de gallium (GaN) hautement intégré de Texas Instruments ainsi que C2000TM microcontrôleurs en temps réel (MCU) pour son dernier bloc dalimentation (PSU) de serveur haute performance pour le marché nord-américain, selon la société. Le bloc dalimentation nouvellement commercialisé, qui utilise le FET GaN LMG3522R030 de TI et un microcontrôleur temps réel TMS320F28003x C2000, a une densité de puissance de plus de 95 W/in3 et répond aux critères 80 Plus Titanium.

En avril 2022, Mitsubishi Electric a annoncé son intention dexpédier le mois prochain des échantillons de son module de transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) de 2,0 kV à usage industriel. Le module IGBT de la série T de type LV100 devrait réduire la taille et la consommation dénergie des convertisseurs 1500 V pour les sources dénergie renouvelables avec une fréquence de commutation de 1 à 5 kHz. 1500V est la limite supérieure de la directive basse tension de lUE, qui pourrait être difficile à atteindre avec des appareils 1700V. Les échantillons de modules ont une capacité de tension de blocage de 2,0 kV pour les systèmes de grande capacité de plusieurs centaines de kW à plusieurs MW.

Leaders du marché européen des transistors de puissance

  1. Infineon Technologies AG

  2. Renesas Electronics Corporation

  3. Texas Instruments Inc.

  4. NXP Semiconductors N.V.

  5. Mitsubishi Electric Corporation

  6. *Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier
Concentration du marché européen des transistors de puissance
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Nouvelles du marché des transistors de puissance en Europe

  • Mars 2023 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation a présenté le transistor bipolaire à grille isolée discrète (IGBT) 650 V GT30J65MRB pour les circuits de correction du facteur de puissance (PFC) dans les climatiseurs et les grandes alimentations pour les équipements industriels. Toshiba intègre la méthode la plus récente dans son nouvel IGBT. Une structure de tranchée optimisée permet dobtenir une faible perte de commutation (perte de commutation darrêt) de 0,35 mJ, soit environ 42 % de moins que le produit précédent de Toshiba, GT50JR22. Le nouvel IGBT comprend également une diode avec une tension directe de 1,20 V, soit environ 43 % de moins que la GT50JR22.
  • Janvier 2023 NXP a présenté le MMRF5018HS 125 W CW GaN sur transistor de puissance RF SiC. Le MMRF5018HS est contenu dans un boîtier en céramique à cavité à air NI-400HS avec un faible Rth. Le MMRF5018HS convient aux applications RF CW, impulsionnelles et large bande en raison de son gain élevé et de sa robustesse. Les performances MMRF5018HS large bande multi-octave sont optimisées pour les applications 1-2700 MHz. Les thermiques deviennent un facteur important dans la façon dévacuer la chaleur tout en fonctionnant à des bandes passantes aussi larges à haute puissance. Avec sa faible résistance thermique de 1,21° C/W (calculée par FEA) à 90°C et 109W dissipé, NXP continue de renforcer son portefeuille de GaN à large bande.

Table of Contents

1. INTRODUCTION

  • 1.1 Hypothèses de l’étude et définition du marché
  • 1.2 Portée de l'étude

2. MÉTHODOLOGIE DE RECHERCHE

3. RÉSUMÉ EXÉCUTIF

4. APERÇU DU MARCHÉ

  • 4.1 Aperçu du marché
  • 4.2 Attractivité de l'industrie - Analyse des cinq forces de Porter
    • 4.2.1 Pouvoir de négociation des fournisseurs
    • 4.2.2 Le pouvoir de négociation des acheteurs
    • 4.2.3 La menace de nouveaux participants
    • 4.2.4 Intensité de la rivalité concurrentielle
    • 4.2.5 La menace des substituts
  • 4.3 Tendances technologiques
  • 4.4 Analyse de la chaîne de valeur
  • 4.5 Évaluation de l'impact du COVID-19 sur le marché

5. DYNAMIQUE DU MARCHÉ

  • 5.1 Facteurs de marché
    • 5.1.1 Augmentation de la demande d’appareils connectés
    • 5.1.2 Demande croissante d’appareils électroniques économes en énergie
  • 5.2 Le marché restreint
    • 5.2.1 Limitations des opérations dues à des contraintes telles que la température, la fréquence, la capacité de blocage inverse, etc.

6. SEGMENATION DU MARCHÉ

  • 6.1 Par produit
    • 6.1.1 FET basse tension
    • 6.1.2 Modules IGBT
    • 6.1.3 Transistors RF et micro-ondes
    • 6.1.4 FET haute tension
    • 6.1.5 Transistors IGBT
  • 6.2 Par type
    • 6.2.1 Transitor à jonction bipolaire
    • 6.2.2 Transistor à effet de champ
    • 6.2.3 Transistor bipolaire à hétérojonction
    • 6.2.4 Autres types (MOSFET, JFET, transistor NPN, transistor PNP, transistor GaN)
  • 6.3 Par utilisateur final
    • 6.3.1 Electronique grand public
    • 6.3.2 Communication et technologie
    • 6.3.3 Automobile
    • 6.3.4 Énergie et puissance
    • 6.3.5 Fabrication
    • 6.3.6 Autres industries d'utilisateurs finaux
  • 6.4 Par géographie
    • 6.4.1 Royaume-Uni
    • 6.4.2 Allemagne
    • 6.4.3 France
    • 6.4.4 Italie
    • 6.4.5 Le reste de l'Europe

7. PAYSAGE CONCURRENTIEL

  • 7.1 Profils d'entreprise
    • 7.1.1 Infineon Technologies AG
    • 7.1.2 Renesas Electronics Corporation
    • 7.1.3 Texas Instruments Inc.
    • 7.1.4 STMicroelectronics N.V.
    • 7.1.5 Mitsubishi Electric Corporation
    • 7.1.6 Toshiba Corporation
    • 7.1.7 Skyworks Solutions, Inc.
    • 7.1.8 ON Semiconductor
    • 7.1.9 NXP Semiconductors N.V.

8. ANALYSE D'INVESTISSEMENT

9. L'AVENIR DU MARCHÉ

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Segmentation de lindustrie des transistors de puissance en Europe

Les transistors de puissance sont utilisés pour amplifier et réguler les signaux. Ils sont fabriqués à partir de matériaux semi-conducteurs haute performance comme le germanium et le silicium. Ces transistors peuvent amplifier et réguler un certain niveau de tension et gérer des plages spécifiques de tensions nominales de haut et de bas niveau.

Le marché européen des transistors de puissance est segmenté par produit (FET basse tension, modules IGBT, transistors RF et micro-ondes, FET haute tension et transistors IGBT), par type (transistor à jonction bipolaire, transistor à effet de champ, transistor bipolaire à hétérojonction et autres types), par utilisateur final (électronique grand public, communication et technologie, automobile, fabrication, énergie et puissance, et autres utilisateurs finaux) et géographie (Royaume-Uni, Allemagne, France, Italie, reste de lEurope).

Les tailles de marché et les prévisions sont fournies en termes de valeur (en millions USD) pour tous les segments ci-dessus.

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Foire aux questions

Quelle est la taille actuelle du marché européen des transistors de puissance ?

Le marché européen des transistors de puissance devrait enregistrer un TCAC de 3,30 % au cours de la période de prévision (2024-2029)

Qui sont les principaux acteurs du marché européen des transistors de puissance ?

Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Texas Instruments Inc., NXP Semiconductors N.V., Mitsubishi Electric Corporation sont les principales entreprises opérant sur le marché européen des transistors de puissance.

Quelles sont les années couvertes par ce marché européen des transistors de puissance ?

Le rapport couvre la taille historique du marché européen des transistors de puissance pour les années 2019, 2020, 2021, 2022 et 2023. Le rapport prévoit également la taille du marché européen des transistors de puissance pour les années suivantes 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 et 2029.

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Rapport sur lindustrie des transistors de puissance en Europe

Statistiques sur la part de marché, la taille et le taux de croissance des revenus des transistors de puissance en Europe en 2024, créées par Mordor Intelligence™ Industry Reports. Lanalyse des transistors de puissance en Europe comprend une prévision du marché, des perspectives et un aperçu historique. Avoir un échantillon de cette analyse de lindustrie sous forme de rapport gratuit à télécharger en format PDF.

Transistor de puissance Europe Instantanés du rapport