Taille et part du marché des transistors de puissance en Chine

Résumé du marché des transistors de puissance en Chine
Image © Mordor Intelligence. La réutilisation nécessite une attribution sous CC BY 4.0.

Analyse du marché des transistors de puissance en Chine par Mordor Intelligence

La taille du marché des transistors de puissance en Chine est estimée à 9,19 milliards USD en 2025, et devrait atteindre 12,35 milliards USD d'ici 2030, à un CAGR de 6,1 % au cours de la période de prévision (2025-2030).

L'électronique de puissance est largement utilisée dans l'électronique grand public pour réguler et contrôler le flux d'énergie électrique. Il s'agit d'un composant essentiel dans l'électronique grand public, car ses applications comprennent l'amélioration des performances et de l'utilité des appareils électroniques grand public en augmentant l'efficacité énergétique, en réduisant la taille et le coût des systèmes, et en permettant des designs plus élégants.

  • La Chine est l'un des principaux pays du marché étudié, en raison d'un marché lucratif pour les véhicules hybrides et électriques. Le pays vise à ce que les véhicules électriques représentent 40 % de toutes les ventes de voitures d'ici 2030. En 2020, le gouvernement a imposé un mandat pour les véhicules électriques et a progressivement supprimé les subventions.
  • L'initiative Made In China 2025 du gouvernement contribue également à la croissance du marché de l'électronique de puissance. L'initiative attire également de nouveaux investissements dans la région pour l'électronique de puissance. Par exemple, IIVI Incorporated, un acteur de premier plan dans les semi-conducteurs composés à large bande interdite, a récemment étendu son empreinte de fabrication de finition de plaquettes en carbure de silicium (SiC) en Chine.
  • Le secteur de la fabrication électronique a également maintenu une expansion régulière ces derniers temps. Selon un rapport de l'Académie chinoise des technologies de l'information et des communications, au cours des deux mois de janvier à février 2022, la valeur ajoutée des principaux fabricants d'électronique a augmenté de 12,7 % en glissement annuel, contre une croissance de 7,5 % observée dans l'ensemble du secteur industriel du pays.
  • Par ailleurs, la popularité des véhicules électriques est en hausse, et la Chine est considérée comme l'un des principaux adoptants de véhicules électriques. Le 13e plan quinquennal du pays promeut le développement de solutions de transport écologiques, telles que les véhicules hybrides et électriques, pour faire progresser le secteur des transports du pays.
  • Les voitures électriques chinoises sont sur la bonne voie et ont atteint l'objectif de pénétration nationale de 20 % en 2022, bien avant les prévisions du gouvernement chinois pour 2025, grâce aux nouveaux modèles de dizaines de concurrents attirant de nouveaux acheteurs et encourageant les propriétaires à passer aux véhicules électriques.

Paysage concurrentiel

La rivalité concurrentielle sur le marché des transistors de puissance en Chine est élevée, car le marché étudié accueille des fournisseurs de premier plan tels que Toshiba, Mitsubishi Electric et Renesas, entre autres, qui détiennent une part de marché importante dans différents segments et ont accès à des réseaux de distribution bien établis. Étant donné que le secteur de l'électronique est l'un des plus grands marchés, l'existence d'un si grand nombre de fournisseurs majeurs sans compromettre leurs parts de marché est viable. Cependant, chaque fournisseur se bat âprement pour obtenir une plus grande part du marché étudié. Parmi les développements adoptés par ces fournisseurs, on peut citer :.

En septembre 2022, ROHM Semiconductor a annoncé un partenariat avec Nanjing SemiDrive Technology Ltd. pour le développement de technologies avancées destinées au secteur automobile. Les derniers SoC automobiles de SemiDrive (série X9) ont été adoptés par divers constructeurs automobiles pour fournir des fonctionnalités avancées pour les habitacles et d'autres applications véhicules.

En septembre 2022, BYD Semiconductor Co. Ltd., une filiale du constructeur automobile chinois BYD, a annoncé la mise en place d'une ligne de production de puces automobiles de 8 pouces avec une capacité annuelle ciblée de 500 000 puces de qualité automobile. Elle est située à Changsha, dans la province du Hunan, avec un investissement total prévu de 1 milliard de yuans (144,5 millions USD).

Leaders du secteur des transistors de puissance en Chine

  1. Champion Microelectronics Corp

  2. Infineon Technologies AG

  3. Renesas Electronics Corporation

  4. NXP Semiconductors N.V.

  5. Texas Instruments Inc.

  6. *Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier
Concentration du marché des transistors de puissance en Chine
Image © Mordor Intelligence. La réutilisation nécessite une attribution sous CC BY 4.0.

Développements récents du secteur

  • Mars 2024 : Cerebras Systems, une startup d'intelligence artificielle soutenue par Sequoia Capital, a présenté le WSE-3, une version améliorée de ses puces à grande échelle. Cette nouvelle version offre des performances doublées tout en maintenant le prix d'origine. Le WSE-3 est alimenté par quatre billions de transistors, offrant 125 pétaflops de puissance de calcul. Ces puces sont fabriquées selon le procédé 5 nm de TSMC, basé en Chine.
  • Février 2024 : Mitsubishi Electric Corporation a annoncé son dernier produit : un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (MOSFET) RF haute puissance en silicium de 6,5 W. Ce composant, conçu pour les amplificateurs de puissance RF dans les radios bidirectionnelles portables commerciales (talkies-walkies), commencera ses expéditions d'échantillons le 28 février. Ce modèle délivre une puissance de sortie de 6,5 W à partir d'une batterie lithium-ion monocellule de 3,6 V. Il devrait étendre la portée et réduire la consommation d'énergie des équipements radio commerciaux.

Table des matières du rapport sur le secteur des transistors de puissance en Chine

1. INTRODUCTION

  • 1.1 Hypothèses de l'étude et définition du marché
  • 1.2 Portée de l'étude

2. MÉTHODOLOGIE DE RECHERCHE

3. RÉSUMÉ EXÉCUTIF

4. PERSPECTIVES DU MARCHÉ

  • 4.1 Aperçu du marché
  • 4.2 Attractivité du secteur - Analyse des cinq forces de Porter
    • 4.2.1 Menace des nouveaux entrants
    • 4.2.2 Pouvoir de négociation des acheteurs
    • 4.2.3 Pouvoir de négociation des fournisseurs
    • 4.2.4 Menace des produits de substitution
    • 4.2.5 Intensité de la rivalité concurrentielle
  • 4.3 Évaluation de l'impact de la COVID-19 sur le secteur

5. DYNAMIQUES DU MARCHÉ

  • 5.1 Moteurs du marché
    • 5.1.1 Hausse de la demande d'appareils connectés
    • 5.1.2 L'utilisation croissante des combustibles fossiles accroît la demande d'appareils électroniques économes en énergie
  • 5.2 Freins du marché
    • 5.2.1 Limitations opérationnelles dues à des contraintes telles que la température, la fréquence, la capacité de blocage inverse, etc.

6. SEGMENTATION DU MARCHÉ

  • 6.1 Par produit
    • 6.1.1 FET basse tension
    • 6.1.2 Modules IGBT
    • 6.1.3 Transistors RF et micro-ondes
    • 6.1.4 FET haute tension
    • 6.1.5 Transistors IGBT
  • 6.2 Par type
    • 6.2.1 Transistor bipolaire à jonction
    • 6.2.2 Transistor à effet de champ
    • 6.2.3 Transistor bipolaire à hétérojonction
    • 6.2.4 Autres types (MOSFET, JFET, transistor NPN, transistor PNP, transistor GaN)
  • 6.3 Par secteur d'utilisation final
    • 6.3.1 Électronique grand public
    • 6.3.2 Communication et technologie
    • 6.3.3 Automobile
    • 6.3.4 Énergie et puissance
    • 6.3.5 Fabrication
    • 6.3.6 Autres secteurs d'utilisation final

7. PAYSAGE CONCURRENTIEL

  • 7.1 Profils d'entreprises
    • 7.1.1 Champion Microelectronics Corp
    • 7.1.2 Infineon Technologies AG
    • 7.1.3 Renesas Electronics Corporation
    • 7.1.4 NXP Semiconductors N.V.
    • 7.1.5 Texas Instruments Inc.
    • 7.1.6 STMicroelectronics N.V.
    • 7.1.7 Fairchild Semiconductor International Inc.
    • 7.1.8 Linear Integrated Systems Inc.
    • 7.1.9 Mitsubishi Electric Corporation
    • 7.1.10 Toshiba Corporation

8. ANALYSE DES INVESTISSEMENTS

9. PERSPECTIVES D'AVENIR DU MARCHÉ

Portée du rapport sur le marché des transistors de puissance en Chine

Les transistors de puissance sont utilisés pour amplifier et réguler les signaux. Ils sont fabriqués à partir de matériaux semi-conducteurs haute performance tels que le germanium et le silicium. Ces transistors peuvent amplifier et réguler un certain niveau de tension et gérer des plages spécifiques de niveaux de tension élevés et faibles.

Le marché des transistors de puissance en Chine est segmenté par produit (FET basse tension, modules IGBT, transistors RF et micro-ondes, FET haute tension et transistors IGBT), par type (transistor bipolaire à jonction, transistor à effet de champ, transistor bipolaire à hétérojonction et autres types) et par secteur d'utilisation final (électronique grand public, communications et technologie, automobile, énergie et puissance, fabrication et autres secteurs d'utilisation final).

Les tailles de marché et les prévisions sont fournies en termes de valeur (USD) pour tous les segments.

Par produit
FET basse tension
Modules IGBT
Transistors RF et micro-ondes
FET haute tension
Transistors IGBT
Par type
Transistor bipolaire à jonction
Transistor à effet de champ
Transistor bipolaire à hétérojonction
Autres types (MOSFET, JFET, transistor NPN, transistor PNP, transistor GaN)
Par secteur d'utilisation final
Électronique grand public
Communication et technologie
Automobile
Énergie et puissance
Fabrication
Autres secteurs d'utilisation final
Par produitFET basse tension
Modules IGBT
Transistors RF et micro-ondes
FET haute tension
Transistors IGBT
Par typeTransistor bipolaire à jonction
Transistor à effet de champ
Transistor bipolaire à hétérojonction
Autres types (MOSFET, JFET, transistor NPN, transistor PNP, transistor GaN)
Par secteur d'utilisation finalÉlectronique grand public
Communication et technologie
Automobile
Énergie et puissance
Fabrication
Autres secteurs d'utilisation final

Questions clés auxquelles répond le rapport

Quelle est la taille du marché des transistors de puissance en Chine ?

La taille du marché des transistors de puissance en Chine devrait atteindre 9,19 milliards USD en 2025 et croître à un CAGR de 6,10 % pour atteindre 12,35 milliards USD d'ici 2030.

Quelle est la taille actuelle du marché des transistors de puissance en Chine ?

En 2025, la taille du marché des transistors de puissance en Chine devrait atteindre 9,19 milliards USD.

Quels sont les acteurs clés du marché des transistors de puissance en Chine ?

Champion Microelectronics Corp, Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V. et Texas Instruments Inc. sont les principales entreprises opérant sur le marché des transistors de puissance en Chine.

Quelles années couvre ce rapport sur le marché des transistors de puissance en Chine, et quelle était la taille du marché en 2024 ?

En 2024, la taille du marché des transistors de puissance en Chine était estimée à 8,63 milliards USD. Le rapport couvre la taille historique du marché des transistors de puissance en Chine pour les années : 2019, 2020, 2021, 2022, 2023 et 2024. Le rapport prévoit également la taille du marché des transistors de puissance en Chine pour les années : 2025, 2026, 2027, 2028, 2029 et 2030.

Dernière mise à jour de la page le:

Rapport sur le secteur des transistors de puissance en Chine

Statistiques sur la part de marché, la taille et le taux de croissance des revenus du marché des transistors de puissance en Chine pour 2025, créées par Mordor Intelligence™ Industry Reports. L'analyse des transistors de puissance en Chine comprend des prévisions de marché pour 2025 à 2030 et un aperçu historique. Obtenez un échantillon de cette analyse sectorielle sous forme de téléchargement gratuit de rapport PDF.

transistors de puissance en Chine Instantanés du rapport