Tamaño del mercado de nitruro de galio por radiofrecuencia
| Período de Estudio | 2019 - 2029 |
| Volumen del mercado (2024) | USD 1.70 mil millones de dólares |
| Volumen del mercado (2029) | USD 4.03 mil millones de dólares |
| CAGR(2024 - 2029) | 18.76 % |
| Mercado de Crecimiento Más Rápido | Asia Pacífico |
| Mercado Más Grande | América del norte |
Principales actores
*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial |
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Análisis de mercado de nitruro de galio por radiofrecuencia
El tamaño del mercado RF GaN se estima en 1,7 mil millones de dólares en 2024 y se espera que alcance los 4,03 mil millones de dólares en 2029, creciendo a una tasa compuesta anual del 18,76% durante el período previsto (2024-2029).
Debido a los beneficios del uso de RF GaN en una amplia gama de dispositivos y aplicaciones vinculados en tiempo real, se espera que más industrias utilicen la tecnología de Internet de las cosas (IoT), que se espera impulse el crecimiento del mercado. Con la tecnología GaN en continua evolución, GaN permite frecuencias más altas en aplicaciones más complejas, como conjuntos en fase, radares y estaciones transceptoras base para televisión por cable (CATV), terminales de muy pequeña apertura (VSAT) y comunicaciones de defensa.
- RF GaN desempeña un papel clave en la infraestructura inalámbrica, mejorando la eficiencia y ampliando el ancho de banda para soportar velocidades de transmisión de datos cada vez mayores. El mercado de RF GaN está impulsado principalmente por la creciente adopción de 5G y los avances en las comunicaciones inalámbricas. Los operadores de telecomunicaciones también podrían beneficiarse de un mayor uso de transistores de potencia GaN.
- La creciente adopción de RF GaN en la automoción eléctrica es también uno de los principales factores que impulsan la demanda en este mercado. Los dispositivos de carburo de silicio se utilizan en los cargadores de baterías a bordo de autobuses eléctricos, taxis, camiones y turismos. Además, el aumento de las leyes gubernamentales que favorecen el mercado de vehículos eléctricos estimula la demanda en el mercado RF GaN.
- La infraestructura necesaria para crear vehículos autónomos y drones es otro factor que aumenta la demanda de tecnologías RF GaN. Por lo tanto, se espera que el crecimiento en la adopción y el desarrollo de vehículos autónomos y drones para diversas aplicaciones, especialmente militares y de defensa, aumente aún más la adopción de dispositivos RF GaN durante el período previsto.
- Las ventajas materiales inherentes del GaN conllevan algunos desafíos de fabricación asociados que incluyen el costo y la optimización del procesamiento y embalaje del dispositivo. Otros problemas incluyen el atrapamiento de carga y el colapso actual, que deben resolverse para una mayor adopción de estos dispositivos. Aunque se han realizado mejoras significativas en los dispositivos RF basados en GaN (rendimiento y rendimiento), todavía existen algunas barreras que impiden que el nitruro de galio sobre carburo de silicio (GaN-on-SiC) ingrese a aplicaciones convencionales (es decir, en estaciones base de telecomunicaciones inalámbricas). o CATV).
- La pandemia de COVID-19 afectó a las líneas de suministro y a la industria de las telecomunicaciones. Obstaculizó considerablemente la penetración del 5G en el sector de las telecomunicaciones. En esta situación crítica, se espera que los consumidores sigan usando teléfonos móviles, pero es posible que la mayoría de ellos no puedan invertir más en una tecnología que aún se encuentra en una etapa incipiente.
- El rápido aumento del consumo de datos ha dado lugar al crecimiento de las redes comerciales y está animando a los proveedores de redes a adoptar redes de próxima generación, como 4G y 5G. Según el Cisco Visual Networking Index, se espera que el tráfico global de datos móviles registre una CAGR del 46%, alcanzando los 77,5 exabytes por mes en 2022.
- Organizaciones de todo el mundo están innovando con nuevos productos y ampliando sus negocios. Por ejemplo, en junio de 2022, Integra, un proveedor de soluciones innovadoras de energía de microondas y RF, anunció que había comenzado a enviar su innovadora tecnología RF GaN de 100 V a clientes de Estados Unidos y Europa. La compañía también anunció la ampliación de su cartera de productos RF GaN de 100 V con el lanzamiento de siete nuevos productos para los segmentos de mercado de aviónica, energía dirigida, guerra electrónica, radar y científico, que ofrecen niveles de potencia de hasta 5 kW en un solo transistor.
Tendencias del mercado de nitruro de galio por radiofrecuencia
Fuerte demanda del segmento de infraestructura de telecomunicaciones impulsada por avances en la implementación de 5G
- Como impulsor principal de la digitalización global y una industria que está experimentando cambios integrales en el entorno del mercado, la industria de las telecomunicaciones es considerada un usuario importante de tecnologías de transformación digital. La inversión de la industria de las telecomunicaciones en interoperabilidad y tecnología ha facilitado un cambio de paradigma en el flujo de capital e información en toda la economía global, proporcionando los cimientos para el surgimiento de modelos de negocios completamente nuevos en toda la industria.
- Se espera que la tecnología 5G revolucione el dominio de diversos servicios de banda ancha y potencie la conectividad entre diferentes verticales de usuarios finales. Los principales factores que impulsan la cuota de mercado de GaN son el aumento de las suscripciones móviles, la transmisión de contenidos de vídeo en línea, la infraestructura 5G y diversas aplicaciones de IoT que utilizan 5G. Se prevé que 5G admita diferentes servicios y requisitos de servicios asociados en múltiples escenarios.
- Actualmente, el número de suscripciones móviles 5G está valorado en 0,42 millones y se espera que alcance los 400 millones de suscripciones en 2022. Con el crecimiento sustancial en los despliegues de la tecnología 5G a nivel mundial, se espera que aumente la demanda de tecnología RF GaN.
- En mayo de 2022, STMicroelectronics (ST) y MACOM Technology Solutions Holdings (MACOM), un proveedor de productos semiconductores para las industrias de telecomunicaciones, industrial, de defensa y de centros de datos, anunciaron la producción de RF GaN sobre silicio (RF Gan-on-Si ) prototipos. Con este éxito, ST y MACOM continuarán trabajando juntos y ampliando su relación. Se prevé que la tecnología GaN-on-Si que están desarrollando ST y MACOM ofrezca un rendimiento competitivo y importantes economías de escala gracias a la integración en flujos de procesos de semiconductores estándar.
- Qorvo es uno de los proveedores de soluciones de RF para los fabricantes de estaciones base 2G, 3G y 4G. Está en una posición única en el mercado para respaldar el desarrollo de infraestructura inalámbrica sub-6 GHz y cmWave/mmWave. Qorvo ha estado invirtiendo en soluciones de productos que cubren bandas 5G relevantes, como 3,5, 4,8 y 28, y 39GHz, para dar servicio al mercado, principalmente para habilitar 5G.
- La necesidad de conjuntos de antenas densos y de pequeña escala en la infraestructura 5G genera desafíos clave con la gestión térmica y de energía en los sistemas de radiofrecuencia (RF). Con su rendimiento de banda ancha, eficiencia y densidad de potencia mejorados, los dispositivos GaN ofrecen el potencial para soluciones más compactas que pueden abordar estos desafíos.
Para comprender las principales tendencias, descargue el informe de muestra
Se espera que Asia-Pacífico experimente un crecimiento significativo
- La industria de semiconductores discretos de la región de Asia y el Pacífico está impulsada por China, Japón, Taiwán y Corea del Sur, y constituye alrededor del 65% del mercado mundial de semiconductores discretos. En cambio, otros, como Vietnam, Tailandia, Malasia y Singapur, contribuyen al dominio de la región en el mercado.
- Según la Asociación de Electrónica y Semiconductores de la India, el mercado indio de componentes semiconductores registraría una tasa compuesta anual del 10,1% (2018-2025) hasta alcanzar los 32.350 millones de dólares en 2025. El país es un destino vital para los centros mundiales de investigación y desarrollo. Por lo tanto, se espera que la actual iniciativa Make in India del Gobierno de la India dé como resultado una inversión significativa en el mercado de semiconductores. Este tipo de iniciativas del gobierno de la India aprovecharán el mercado de RF GaN.
- En febrero de 2022, Navitas Semiconductor, un proveedor de circuitos integrados (CI) de GaN, anunció su participación en la Conferencia de inversores de China International Capital Corporation Limited (CICC). El circuito integrado de potencia GaN patentado por la compañía integra potencia GaN y accionamiento, control y protección de GaN en un solo paquete SMT. Dicha participación aprovechará el mercado de GaN en la región.
- Se espera que aumente la demanda de RF GaN en la región APAC debido al creciente interés de los inversores en el desarrollo de infraestructura para respaldar la tecnología 5G. Por ejemplo, según la GSMA, se espera que el operador móvil de Asia y el Pacífico gaste más de 400 mil millones de dólares para 2025, de los cuales 331 mil millones de dólares se gastarán en implementaciones de 5G.
- El crecimiento de las empresas de RF GaN en China es parte de una tendencia más amplia a medida que la nación pasa de una economía impulsada por la fabricación a una economía impulsada por la innovación. El mercado chino está presenciando una demanda explosiva de aplicaciones comerciales de telecomunicaciones inalámbricas, y las empresas chinas ya están desarrollando redes de telecomunicaciones de próxima generación.
- Además, en diciembre de 2021, investigadores del IIT Kanpur en India desarrollaron un modelo de alto rendimiento y estándar de la industria de transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) de aluminio GaN (AlGaN). Este modelo proporciona un método de diseño simple que se puede utilizar para fabricar circuitos de RF de alta potencia. Los circuitos de RF incluyen amplificadores e interruptores utilizados en transmisiones inalámbricas y son útiles en aplicaciones aeroespaciales y de defensa. Las constantes innovaciones de los investigadores impulsarán el crecimiento del mercado de RF GaN en la región.
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Descripción general de la industria del nitruro de galio por radiofrecuencia
La rivalidad competitiva entre los actores en el mercado RF GaN es alta debido a la presencia de algunos actores clave como Raytheon Technologies, microelectrónica STM, entre otros. Su capacidad para innovar continuamente sus ofertas les ha permitido obtener una ventaja competitiva sobre otros jugadores. A través de investigación y desarrollo, asociaciones estratégicas y fusiones y adquisiciones, estos actores han podido afianzarse en el mercado.
En junio de 2022, Qorvo, un destacado proveedor de soluciones de RF innovadoras que conectan el mundo, fue seleccionado por el Departamento de Defensa de EE. UU. (DoD) para continuar con el proyecto de integración avanzada, interconexión y fabricación de tecnología nacional de última generación (SOTA). ) Programa RF GaN, también conocido como STARRY NITE, como parte de la hoja de ruta de microelectrónica de la Oficina del Subsecretario de Investigación e Ingeniería de Defensa (OUSD RE). El programa busca desarrollar y madurar fundiciones SOTA RF GaN abiertas y nacionales en alineación con el ecosistema de empaque avanzado del Departamento de Defensa.
En mayo de 2022, STMicroelectronics y MACOM Technology Solutions Holdings Inc., un importante proveedor de productos semiconductores para las industrias industrial, de telecomunicaciones, de defensa y de centros de datos, anunciaron la producción exitosa de prototipos de RF Gan on Silicon (RF Gan-on-Si).. Con este logro, ST y MACOM continuarían trabajando juntos y mejorando su relación.
Líderes del mercado de nitruro de galio por radiofrecuencia
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Mitsubishi Electric Corporation
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STMicroelectronics NV
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Qorvo Inc.
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Analog Devices Inc.
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Raytheon Technologies
*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial
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Noticias del mercado de nitruro de galio por radiofrecuencia
- Septiembre de 2022 MaxLinear Inc. y RFHIC anunciaron una colaboración para ofrecer una solución de amplificador de potencia de 400 MHz lista para producción para radios Macrocell 5G, utilizando las tecnologías de predistorsión digital MaxLIN y reducción del factor de cresta para optimizar el rendimiento de los últimos transistores de RF GaN de la serie ID-400W de RFHIC.. Combinar el transistor RF GaN inverso dual ID41411DR de RFHIC con MaxLIN DPD y ponerlo a disposición como una solución previamente verificada permitiría a los desarrolladores de productos de red de acceso por radio (RAN) ofrecer rápidamente Macro PA de banda ultraancha de 400 MHz para todas las implementaciones globales de banda media 5G con alta eficiencia energética y bajas emisiones.
- Junio de 2022 Para su línea de productos RF GaN de 100 V, Integra anunció la inclusión de siete dispositivos más con niveles de potencia de hasta 5 kW en un solo transistor para las áreas de aviónica, energía dirigida, guerra electrónica, radar y aplicaciones científicas. Estos artículos utilizan la tecnología RF GaN de 100 V de Integra, que está diseñada para brindar la máxima potencia y eficiencia posibles en un solo transistor mientras mantiene temperaturas de unión operativas estables.
Informe de mercado de nitruro de galio por radiofrecuencia índice
1. INTRODUCCIÓN
1.1 Supuestos de estudio y definición de mercado
1.2 Alcance del estudio
2. METODOLOGÍA DE INVESTIGACIÓN
3. RESUMEN EJECUTIVO
4. PERSPECTIVAS DEL MERCADO
4.1 Visión general del mercado
4.2 Análisis de la cadena de valor de la industria
4.3 Atractivo de la industria: análisis de las cinco fuerzas de Porter
4.3.1 Amenaza de nuevos participantes
4.3.2 El poder de negociación de los compradores
4.3.3 El poder de negociacion de los proveedores
4.3.4 Amenaza de productos sustitutos
4.3.5 La intensidad de la rivalidad competitiva
4.4 Instantánea de la tecnología
4.5 Evaluación del impacto del COVID-19 en la industria
5. DINÁMICA DEL MERCADO
5.1 Indicadores de mercado
5.1.1 Fuerte demanda del segmento de infraestructura de telecomunicaciones impulsada por avances en la implementación de 5G
5.1.2 Atributos favorables como alto rendimiento y factor de forma pequeño para
5.2 Restricciones del mercado
5.2.1 Costos y desafíos operativos
6. SEGMENTACIÓN DE MERCADO
6.1 Por aplicación
6.1.1 Militar
6.1.2 Infraestructura de telecomunicaciones (Backhaul, RRH, Massive MIMO, Small Cells)
6.1.3 Comunicación por satélite
6.1.4 Banda ancha por cable
6.1.5 Radar Comercial y Aviónica
6.1.6 Energía de radiofrecuencia
6.2 Por tipo de material
6.2.1 GaN-sobre-Si
6.2.2 GaN-sobre-SiC
6.2.3 Otros tipos de materiales (GaN-on-GaN, GaN-on-Diamond)
6.3 Geografía
6.3.1 América del norte
6.3.2 Europa
6.3.3 Asia Pacífico
6.3.4 Medio Oriente y África
7. PANORAMA COMPETITIVO
7.1 Perfiles de empresa
7.1.1 Aethercomm Inc.
7.1.2 Analog Devices Inc.
7.1.3 Wolfspeed Inc. (Cree Inc.)
7.1.4 Integra Technologies Inc.
7.1.5 MACOM Technology Solutions Holdings Inc.
7.1.6 Microsemi Corporation (Microchip Technology Incorporated)
7.1.7 Mitsubishi Electric Corporation
7.1.8 NXP Semiconductors NV
7.1.9 Qorvo Inc.
7.1.10 STMicroelectronics NV
7.1.11 Sumitomo Electric Device Innovations Inc.
7.1.12 HRL Laboratories
7.1.13 Raytheon Technologies
7.1.14 Mercury Systems, Inc
8. ANÁLISIS DE INVERSIONES
9. OPORTUNIDADES DE MERCADO Y TENDENCIAS FUTURAS
Segmentación de la industria del nitruro de galio por radiofrecuencia
GAN se destaca en las aplicaciones de RF por varias razones, como un alto campo de ruptura, una alta velocidad de saturación y propiedades térmicas robustas, ya que han sido fundamentales en la transmisión de señales a largas distancias o en niveles de potencia de alto nivel.
Este informe segmenta el mercado por aplicación (militar, infraestructura de telecomunicaciones, comunicación por satélite, banda ancha por cable, radar y aviónica comercial y energía de RF), material (GaN-on-Sic y GaN-on-Silicon) y geografía (América del Norte, Europa, Asia-Pacífico y Oriente Medio y África). Los tamaños de mercado y las previsiones se proporcionan en términos de valor (millones de dólares) para todos los segmentos anteriores.
| Por aplicación | ||
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Preguntas frecuentes sobre investigación de mercado de nitruro de galio por radiofrecuencia
¿Qué tamaño tiene el mercado RF GaN?
Se espera que el tamaño del mercado RF GaN alcance los 1,70 mil millones de dólares en 2024 y crezca a una tasa compuesta anual del 18,76% hasta alcanzar los 4,03 mil millones de dólares en 2029.
¿Cuál es el tamaño actual del mercado RF GaN?
En 2024, se espera que el tamaño del mercado RF GaN alcance los 1,70 mil millones de dólares.
¿Quiénes son los actores clave en el mercado RF GaN?
Mitsubishi Electric Corporation, STMicroelectronics NV, Qorvo Inc., Analog Devices Inc., Raytheon Technologies son las principales empresas que operan en el mercado RF GaN.
¿Cuál es la región de más rápido crecimiento en el mercado RF GaN?
Se estima que Asia Pacífico crecerá a la CAGR más alta durante el período previsto (2024-2029).
¿Qué región tiene la mayor participación en el mercado RF GaN?
En 2024, América del Norte representa la mayor cuota de mercado en el mercado RF GaN.
¿Qué años cubre este mercado de RF GaN y cuál era el tamaño del mercado en 2023?
En 2023, el tamaño del mercado de RF GaN se estimó en 1,43 mil millones de dólares. El informe cubre el tamaño histórico del mercado de RF GaN para los años 2019, 2020, 2021, 2022 y 2023. El informe también pronostica el tamaño del mercado de RF GaN para los años 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 y 2029.
Informe de la industria RF GaN
Estadísticas para la participación de mercado, el tamaño y la tasa de crecimiento de ingresos de RF GaN en 2024, creadas por Mordor Intelligence™ Industry Reports. El análisis de RF GaN incluye una perspectiva de previsión del mercado hasta 2029 y una descripción histórica. Obtenga una muestra de este análisis de la industria como descarga gratuita del informe en PDF.
GaN RF Panorama de los reportes
