Mercado de RF GaN (nitruro de galio por radiofrecuencia): crecimiento, tendencias, impacto de COVID-19 y pronósticos (2022 - 2027)

El mercado de RF GaN (nitruro de galio por radiofrecuencia) está segmentado por aplicación (militar, infraestructura de telecomunicaciones, comunicación por satélite, banda ancha por cable, radar comercial y aviónica, y energía de RF), material (GaN-on-Sic y GaN-on-Silicon ), y Geografía.

Instantánea del mercado

RF GaN Market Overview
Study Period: 2018 - 2026
Base Year: 2021
Fastest Growing Market: Asia Pacific
Largest Market: Asia Pacific
CAGR: 30.58 %
RF GaN Market Major Players

Need a report that reflects how COVID-19 has impacted this market and its growth?

Visión general del mercado

El RF GaN Market se valoró en USD 665,81 millones en 2020 y se proyecta que tenga un valor de USD 3.057,397 millones para 2026, registrando una CAGR de 30,58% durante el período 2020-2026.

  • La creciente adopción de RF GaN en la automoción eléctrica también es uno de los principales factores que impulsan la demanda en este mercado. Los dispositivos de carburo de silicio ya se utilizan en los cargadores de baterías a bordo de autobuses, taxis, camiones y turismos eléctricos. Además, el aumento de las regulaciones gubernamentales a favor del mercado de vehículos eléctricos a nivel mundial está estimulando aún más la demanda en el mercado de RF GaN.
  • Por ejemplo, en India, el Plan de Acción NITI Aayog para Transporte Limpio, que se publicó en 2018, recomendó eliminar todos los requisitos de permisos para EVS, a fin de fomentar la movilidad eléctrica. Además, según la Agencia Internacional de Energía, en 2018 se vendieron casi 1,5 millones de vehículos eléctricos con batería en todo el mundo. Estos hechos indican que se espera que el crecimiento de los vehículos eléctricos impulse la adopción de RF GaN durante el período de pronóstico.
  • La inteligencia artificial, la realidad aumentada y otras tecnologías de detección requieren una latencia baja para diversas aplicaciones, como las aplicaciones de uso final de misión crítica. Se espera que esto impulse aún más la demanda de dispositivos RF GaN.
  • Algunos de los actores destacados de la industria a través de asociaciones estratégicas, investigación y desarrollo, y fusiones y adquisiciones, han podido promover la tecnología y, por lo tanto, impulsar el crecimiento del mercado durante el período de pronóstico. Por ejemplo, en febrero de 2019, MACOM Technology Solutions Holdings Inc. y STMicroelectronics anunciaron la expansión de la capacidad de producción de GaN sobre silicio de 150 mm en las fábricas de ST y de 200 mm, según la demanda. La expansión está diseñada para dar servicio a la construcción de telecomunicaciones 5G en todo el mundo.
  • La creciente implementación de dispositivos IoT dará como resultado una congestión de la señal y exigirá el uso de la tecnología GaN que puede amplificar la potencia, la capacidad y el ancho de banda necesarios para comunicarse con todos los dispositivos interconectados. Se espera que la tecnología 5G dé rienda suelta a un ecosistema IoT masivo que aumentaría la base de usuarios y aumentará la demanda de estos semiconductores, ya que los operadores de red tienen que atender a miles de millones de dispositivos conectados.

Alcance del Informe

GAN se destaca en las aplicaciones de RF debido a varias razones, como campo de ruptura alto, velocidad de saturación alta, propiedades térmicas sobresalientes, ya que han sido fundamentales en la transmisión de señales a largas distancias o en niveles de potencia de alto nivel. Este informe segmenta el mercado por aplicación (militar, infraestructura de telecomunicaciones, comunicación por satélite, banda ancha por cable, radar comercial y aviónica y energía de RF), material (GaN-on-Sic y GaN-on-Silicon) y geografía.

By Application
Military
Telecom Infrastructure (Backhaul, RRH, Massive MIMO, Small Cells)
Satellite Communication
Wired Broadband
Commercial Radar and Avionics
RF Energy
By Material Type
GaN-on-Si
GaN-on-SiC
Other Material Types (GaN-on-GaN, GaN-on-Diamond)
Geography
North America
Europe
Asia Pacific
Middle East and Africa

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Tendencias clave del mercado

Fuerte demanda del segmento de infraestructura de telecomunicaciones impulsada por los avances en la implementación de 5G

  • Debido a la capacidad de proporcionar conexiones de ancho de banda de datos de mayor frecuencia, la tecnología GaN RF se está convirtiendo en la opción ideal para los proveedores de servicios de red. Estos dispositivos ayudan a garantizar que el dispositivo genere la frecuencia máxima en la banda necesaria y también evita cualquier interferencia de otras bandas de frecuencia.
  • El despliegue de dispositivos de potencia GaN RF permitirá que los dispositivos móviles avanzados ofrezcan velocidades que permitan a los consumidores cargar y descargar contenido de alta calidad, como música y fotografías, y también jugar juegos en línea y ver programas de televisión en línea en bandas de frecuencia máxima, lo cual es espera que conduzca a un aumento en sus tasas de adopción.
  • Además, las empresas están invirtiendo en el desarrollo de arquitectura y servicios básicos de 5G. Por ejemplo, ZTE Corporation, en enero de 2019, completó la tercera fase IMT-2020 de la prueba 5G para la estabilidad del rendimiento de la red central y la función de seguridad, verificando minuciosamente la madurez de la red central 5G de ZTE.
  • Se esperaba que la mayoría de los operadores implementaran 5G en la segunda mitad de 2019, y se espera que la mayor parte del despliegue tenga lugar en áreas urbanas. Había alrededor de 2100 millones de suscripciones VoLTE, según el informe Ericsson Mobility de noviembre de 2019. Para 2025, se espera que estas suscripciones alcancen los 6400 millones, lo que representa más del 85 % de las suscripciones combinadas de LTE y 5G.
  • China otorgó licencias comerciales a cuatro gigantes de telecomunicaciones estatales (China Telecom, China Mobile, China Unicom y China Radio and Television) en junio de 2019 para comenzar a implementar servicios 5G, lo que indica la determinación de Beijing de ser el líder mundial en la creación de redes inalámbricas ultrarrápidas. redes en medio de tensiones con Estados Unidos por tecnología y comercio.
RF GaN Market Share

Se espera que Asia-Pacífico experimente un crecimiento significativo

  • La industria de semiconductores discretos de la región de Asia-Pacífico está impulsada por China, Japón, Taiwán y Corea del Sur, que juntos constituyen alrededor del 65 % del mercado global de semiconductores discretos, mientras que otros, como Vietnam, Tailandia, Malasia y Singapur, también contribuyen significativamente. al dominio de la región en el mercado.
  • Según la Asociación India de Electrónica y Semiconductores, se espera que el mercado de componentes de semiconductores del país tenga un valor de USD 32,350 millones para 2025, registrando una CAGR del 10,1 % (2018-2025). El país es un destino lucrativo para los centros globales de I+D. Por lo tanto, se espera que la iniciativa Make In India en curso del gobierno indio resulte en grandes inversiones en el mercado de semiconductores.
  • En los últimos años, la industria de la radiofrecuencia (RF) ha recibido un impulso gracias a la implementación de la tecnología GaN. GaN es el principal impulsor de las aplicaciones de telecomunicaciones y defensa. WAVEPIA, una empresa de GaN de RF sin fábrica de Corea del Sur, ofrece sistemas de GaN de vanguardia para energía de RF, junto con transistores de GaN que respaldan los crecientes mercados de telecomunicaciones y defensa.
  • Se espera que el creciente enfoque en las inversiones para desarrollar infraestructura, a fin de respaldar la tecnología 5G, aumente la demanda de semiconductores de RF en toda la región APAC. Por ejemplo, según GSMA, se espera que los operadores móviles de la región de Asia y el Pacífico inviertan más de 400 000 millones de USD en sus redes entre 2020 y 2025, de los cuales 331 000 millones de USD se gastarán en despliegues de 5G.
RF GaN Market Growth Rate By Region

Panorama competitivo

La rivalidad competitiva entre los jugadores en el mercado de RF GaN es alta debido a la presencia de algunos jugadores clave como Raytheon Technologies, STM microelectronics, entre otros. Su capacidad para innovar continuamente sus ofertas les ha permitido obtener una ventaja competitiva frente a otros jugadores. A través de la investigación y el desarrollo, las asociaciones estratégicas y las fusiones y adquisiciones, estos jugadores han podido obtener una posición sólida en el mercado.

  • Julio de 2020: Mitsubishi Electric Corporation desarrolló una nueva tecnología para realizar un módulo amplificador de potencia de nitruro de galio (GaN) para estaciones base 5G que ofrece una combinación de tamaño compacto (6 mm por 10 mm) y eficiencia energética extra alta, esta última superando un calificación sin precedentes del 43%. Se espera que el módulo, que utiliza una cantidad mínima de componentes de chip en el circuito de adaptación para controlar la salida de señal de alta calidad, ayude a crear estaciones base 5G que sean ampliamente implementables y de alta eficiencia energética.
  • Marzo de 2020: STMicroelectronics NV anunció un acuerdo para adquirir una participación mayoritaria en el innovador francés de nitruro de galio (GaN) Exagan. La experiencia de Exagan en epitaxia, desarrollo de productos y conocimientos de aplicaciones ampliará y acelerará la hoja de ruta y el negocio de Power GaN de ST para aplicaciones automotrices, industriales y de consumo. Exagan continuará ejecutando su hoja de ruta de productos y contará con el apoyo de ST para implementar sus productos.

Principales actores

  1. Mitsubishi Electric Corporation

  2. STMicroelectronics NV

  3. Qorvo Inc.

  4. Analog Devices Inc.

  5. Raytheon Technologies

Mitsubishi Electric Corporation, STMicroelectronics NV, Qorvo Inc., Analog Devices Inc., Raytheon Technologies

Recent Developments

 

Table of Contents

  1. 1. INTRODUCTION

    1. 1.1 Study Assumptions​ and Market Definition​

    2. 1.2 Scope of the Study

  2. 2. RESEARCH METHODOLOGY

  3. 3. EXECUTIVE SUMMARY

  4. 4. MARKET INSIGHTS

    1. 4.1 Market Overview

    2. 4.2 Market Drivers

      1. 4.2.1 Strong Demand from Telecom Infrastructure Segment Driven by Advancements in 5G Implementation

      2. 4.2.2 Favorable Attributes Such As High-performance and Small Form Factor to Drive Adoption in the Military Segment

    3. 4.3 Market Challenges

      1. 4.3.1 Cost & Operational Challenges

    4. 4.4 Market Opportunities

    5. 4.5 Patent Analysis

    6. 4.6 Industry Ecosystem Analysis

    7. 4.7 Industry Attractiveness - Porter's Five Force Analysis

      1. 4.7.1 Threat of New Entrants

      2. 4.7.2 Bargaining Power of Buyers/Consumers

      3. 4.7.3 Bargaining Power of Suppliers

      4. 4.7.4 Threat of Substitute Products

      5. 4.7.5 Intensity of Competitive Rivalry

    8. 4.8

    9. 4.9 Impact of COVID-19 on RF GaN Industry

      1. 4.9.1 Anticipated Changes in 5G Deployment Plans with Overall Scenario Expected to Return to Stability Towards end of 2020

      2. 4.9.2 Impact of the Ongoing Trade Tussle Between the United States and China Expected to Affect Near-term Performance due to Changes in Supply Chain

      3. 4.9.3 Impact on Other Major End-user Segments, such as Military

    10. 4.10 Comparative Analysis of GaN and LDMOS (and Other Competing Technologies)

    11. 4.11 Adoption Roadmap of GaN on SiC, GaN on Si, GaN on Diamond & Bulk GaN

  5. 5. MARKET SEGMENTATION

    1. 5.1 By Application

      1. 5.1.1 Military

      2. 5.1.2 Telecom Infrastructure (Backhaul, RRH, Massive MIMO, Small Cells)

      3. 5.1.3 Satellite Communication

      4. 5.1.4 Wired Broadband

      5. 5.1.5 Commercial Radar and Avionics

      6. 5.1.6 RF Energy

    2. 5.2 By Material Type

      1. 5.2.1 GaN-on-Si

      2. 5.2.2 GaN-on-SiC

      3. 5.2.3 Other Material Types (GaN-on-GaN, GaN-on-Diamond)

    3. 5.3 Geography

      1. 5.3.1 North America

      2. 5.3.2 Europe

      3. 5.3.3 Asia Pacific

      4. 5.3.4 Middle East and Africa

  6. 6. COMPETITIVE INTELLIGENCE

    1. 6.1 Company Profiles*

      1. 6.1.1 Aethercomm Inc.

      2. 6.1.2 Analog Devices Inc.

      3. 6.1.3 Wolfspeed Inc. (Cree Inc.)

      4. 6.1.4 Integra Technologies Inc.

      5. 6.1.5 MACOM Technology Solutions Holdings Inc.

      6. 6.1.6 Microsemi Corporation (Microchip Technology Incorporated)

      7. 6.1.7 Mitsubishi Electric Corporation

      8. 6.1.8 NXP Semiconductors NV

      9. 6.1.9 Qorvo Inc.

      10. 6.1.10 STMicroelectronics NV

      11. 6.1.11 Sumitomo Electric Device Innovations Inc.

      12. 6.1.12 HRL Laboratories

      13. 6.1.13 Raytheon Technologies

      14. 6.1.14 Mercury Systems, Inc

  7. 7. INVESTMENT ANALYSIS

  8. 8. MARKET OPPORTUNITIES AND FUTURE TRENDS

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Frequently Asked Questions

El mercado de RF GaN Market se estudia desde 2018 hasta 2026.

El mercado RF GaN está creciendo a una CAGR del 30,58 % en los próximos 5 años.

Asia Pacífico está creciendo a la CAGR más alta durante 2021-2026.

Asia Pacífico tiene la participación más alta en 2021.

Mitsubishi Electric Corporation, STMicroelectronics NV, Qorvo Inc., Analog Devices Inc., Raytheon Technologies son las principales empresas que operan en el mercado RF GaN.

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