Tamaño del mercado de dispositivos semiconductores GaN y análisis de participación tendencias de crecimiento y pronósticos (2024-2029)

El informe cubre la participación y el análisis del mercado global de dispositivos semiconductores de nitruro de galio y está segmentado por tipo (potencia, optoelectrónico, RF), dispositivo (transistores, diodos, rectificadores, circuitos integrados de potencia), industria de usuario final (electrónica de consumo, automoción, aeroespacial y Defensa, Medicina, Información, Comunicación y Tecnología) y Región.

Tamaño del mercado de dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN)

Análisis de mercado de dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN)

Se espera que el mercado de dispositivos semiconductores GaN registre una tasa compuesta anual del 17,21% durante el período previsto. GaN (nitruro de galio) está creando un cambio innovador en todo el sector de la electrónica de potencia. Durante décadas, los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) basados ​​en silicio han sido una parte integral del mundo moderno cotidiano que ayuda a convertir energía en potencia. GaN está reemplazando al silicio como columna vertebral de la tecnología de conmutación de energía, ya que puede satisfacer las crecientes necesidades con un mejor rendimiento, eficiencia y costo del sistema de energía.

  • GaN se utiliza para producir dispositivos de potencia semiconductores, componentes de RF y diodos emisores de luz (LED). Ha alterado la tecnología de los semiconductores de silicio que se utilizan en RF, conversión de energía y aplicaciones analógicas. El aumento del gasto en semiconductores tiene un impacto positivo en el crecimiento del mercado considerado.
  • Además, el mercado de dispositivos semiconductores de GaN está siendo impulsado por la creciente necesidad de radiofrecuencia en el mercado de semiconductores, el crecimiento de la industria de la electrónica de consumo, especialmente en iluminación y pantallas basadas en LED, y el aumento de los vehículos eléctricos, el suministro de energía, e inversores fotovoltaicos.
  • Además, GaN ofrece rentabilidad y la eliminación de los requisitos de refrigeración en comparación con el silicio y el arseniuro de galio. Además, el coste de producción de un dispositivo GaN es mucho menor que el coste de producción de un dispositivo MOSFET, ya que los dispositivos GaN se fabrican utilizando procedimientos estándar de fabricación de silicio en las mismas fábricas donde se fabrican los semiconductores de silicio tradicionales, y como los dispositivos GaN se fabrican mucho más pequeño para el mismo rendimiento funcional.
  • Los fabricantes de dispositivos semiconductores están integrando un número cada vez mayor de componentes pasivos por circuito, lo que genera una mayor complejidad en el diseño de los circuitos y limitaciones de acceso físico. Esto requeriría un patrón significativo que utilice máscaras sin errores para transferir el patrón a obleas sin errores ni defectos. Por lo tanto, la apremiante necesidad de los OEM de tener una ventaja en el rendimiento de los dispositivos impulsa el mercado estudiado.
  • Además, con el creciente desarrollo de materiales de banda ancha (WBG), se estimula a los proveedores del mercado a fabricar productos de mercado pequeños sin comprometer el rendimiento. GaN presenta algunos desafíos únicos para los componentes pasivos esenciales utilizados en la conversión de energía y los circuitos de accionamiento de motores para igualar el ritmo de las innovaciones en el proceso de semiconductores.
  • La pandemia de COVID-19 ha provocado enormes interrupciones en las cadenas de suministro en todas las industrias a nivel mundial, debido a que muchas empresas en todo el mundo han detenido o reducido sus operaciones para ayudar a combatir la propagación del virus. La pandemia ha impactado el mercado estudiado, provocando una caída en los niveles de operación en toda la cadena de producción de materias primas y suministro para la producción de componentes. Esto indica una caída en las ventas entre varios países y regiones.

Descripción general de la industria de dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN)

El mercado de dispositivos semiconductores GaN es intrínsecamente competitivo. Algunos de los actores importantes del mercado son Toshiba Electronic Devices Storage Corporation, GaN Systems, Infineon Technologies AG, Efficient Power Conversion Corporation, NXP Semiconductors y muchos más. Las empresas están aumentando su participación de mercado formando múltiples asociaciones e invirtiendo en la introducción de nuevos productos para obtener una ventaja competitiva durante el período de pronóstico.

En julio de 2022, GaN Systems se asoció con PowerSphyr Advance para ofrecer soluciones integrales de energía inalámbrica. Las empresas anunciaron su asociación para proporcionar una cartera pionera en la industria de soluciones de energía inalámbrica de extremo a extremo (30 vatios, 100 vatios y 500 vatios) para aplicaciones industriales y automotrices a nivel mundial. La asociación combina los semiconductores GaN líderes en la industria de GaN Systems con los años de experiencia en tecnología energética de PowerSphyr. Por ejemplo, PowerSphyr está implementando semiconductores de potencia de sistemas GaN en el receptor de la solución de carga inalámbrica además del transmisor. La combinación cambia las reglas del juego al ofrecer soluciones de carga de alto rendimiento, fáciles de usar y completamente inalámbricas.

En julio de 2022, Infineon Technologies AG colaboró ​​con Delta Electronics en soluciones de energía para PC para juegos y servidores basados ​​en WBG para ofrecer soluciones superiores a los clientes finales. Los últimos ejemplos de cooperación incluyen la plataforma de energía para juegos Titanium de 1,6 kW de Delta y una fuente de alimentación para servidores de 1,4 kW. La fuente de alimentación del servidor de 1,4 kilovatios aprovecha la tecnología MOSFET CoolSiC de Infineon Technology y la competencia central de electrónica de potencia de varias décadas de Delta para lograr una eficiencia del 96 %. Otro ejemplo de la mayor eficiencia es la plataforma de potencia para juegos de 1,6 kW impulsada por la tecnología CoolGaN de Infineon, complementada con circuitos integrados de controlador de puerta EiceDRIVER. Este diseño tiene una eficiencia de hasta el 96 % en una amplia gama de entradas y múltiples salidas, y cumple con el estándar Titanium en el ámbito industrial. Este HEMT en modo electrónico de 600 voltios, adaptado en una topología PFC de tótem entrelazado, es posible gracias al CoolGaN GIT de Infineon.

Dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN) Líderes del mercado

  1. GaN Systems

  2. Infineon Technologies AG

  3. Efficient Power Conversion Corporation

  4. Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

  5. NXP Semiconductors

  6. *Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial
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Noticias del mercado de dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN)

  • Junio ​​de 2022 GaN Systems lanzó un nuevo transistor de alto rendimiento y bajo costo en la cartera más amplia de transistores de potencia GaN de la industria para aplicaciones de consumo, industriales y de centros de datos. El GS-065-018-2-L amplía la cartera de transistores de alto rendimiento y bajo costo de la compañía y presenta una menor resistencia de encendido, mayor robustez y rendimiento térmico, y una clasificación VDS (transitoria) de 850 V. El factor de forma PDFN de 88 mm, estándar de la industria, del transistor facilita la adopción, la escalabilidad y la comercialización por parte del cliente. El GS-065-018-2-L es un transistor enfriado en la parte inferior de 650 V, 18 A y 78 m-ohm, ideal para adaptadores de consumo más pequeños y livianos para computadoras portátiles y consolas de juegos, y mayor densidad de potencia y eficiencia en televisores y servidores SMPS.
  • Febrero de 2022 Infineon Technologies AG está fortaleciendo su liderazgo en el mercado de semiconductores de potencia al agregar importantes capacidades de fabricación en semiconductores de banda ancha (SiC y GaN). La empresa está invirtiendo más de 2.000 millones de euros (2.120 millones de dólares) para construir un tercer módulo en sus instalaciones de Kulim, Malasia. Una vez completamente equipado, el nuevo módulo generará 2.000 millones de euros (2.120 millones de dólares) en ingresos anuales adicionales con productos basados ​​en carburo de silicio y nitruro de galio. La expansión de la capacidad de SiC y GaN está preparando a Infineon Technologies AG para la aceleración de los mercados de banda prohibida amplia.

Informe de mercado Dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN) – Tabla de contenidos

1. INTRODUCCIÓN

  • 1.1 Supuestos de estudio y definición de mercado
  • 1.2 Alcance del estudio

2. METODOLOGÍA DE INVESTIGACIÓN

3. RESUMEN EJECUTIVO

4. PERSPECTIVAS DEL MERCADO

  • 4.1 Visión general del mercado
  • 4.2 Atractivo de la industria: análisis de las cinco fuerzas de Porter
    • 4.2.1 El poder de negociacion de los proveedores
    • 4.2.2 Poder de negociación de los consumidores
    • 4.2.3 Amenaza de nuevos participantes
    • 4.2.4 Amenaza de sustitutos
    • 4.2.5 La intensidad de la rivalidad competitiva
  • 4.3 Impacto de COVID-19 en el mercado de dispositivos semiconductores de GaN

5. DINÁMICA DEL MERCADO

  • 5.1 Indicadores de mercado
    • 5.1.1 Fuerte demanda del segmento de infraestructura de telecomunicaciones impulsada por avances en la implementación de 5G
    • 5.1.2 Atributos favorables como el alto rendimiento y el factor de forma pequeño para impulsar la adopción en el segmento militar
  • 5.2 Desafíos del mercado
    • 5.2.1 Costos y desafíos operativos

6. SEGMENTACIÓN DE MERCADO

  • 6.1 Por tipo
    • 6.1.1 Semiconductores de potencia
    • 6.1.2 Opto-Semiconductores
    • 6.1.3 Semiconductores de radiofrecuencia
  • 6.2 Por dispositivos
    • 6.2.1 Transistores
    • 6.2.2 diodos
    • 6.2.3 Rectificadores
    • 6.2.4 Circuitos integrados de potencia
  • 6.3 Por industria de usuarios finales
    • 6.3.1 Automotor
    • 6.3.2 Electrónica de consumo
    • 6.3.3 Aeroespacial y Defensa
    • 6.3.4 Médico
    • 6.3.5 Información, comunicación y tecnología.
    • 6.3.6 Otras industrias de usuarios finales
  • 6.4 Por geografía
    • 6.4.1 América del norte
    • 6.4.1.1 Estados Unidos
    • 6.4.1.2 Canada
    • 6.4.2 Europa
    • 6.4.2.1 Reino Unido
    • 6.4.2.2 Alemania
    • 6.4.2.3 Francia
    • 6.4.2.4 El resto de Europa
    • 6.4.3 Asia Pacífico
    • 6.4.3.1 Porcelana
    • 6.4.3.2 Japón
    • 6.4.3.3 India
    • 6.4.3.4 Corea del Sur
    • 6.4.3.5 Resto de Asia-Pacífico
    • 6.4.4 América Latina
    • 6.4.5 Medio Oriente y África

7. PANORAMA COMPETITIVO

  • 7.1 Perfiles de empresa
    • 7.1.1 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    • 7.1.2 GaN Systems
    • 7.1.3 Infineon Technologies AG
    • 7.1.4 Efficient Power Conversion Corporation
    • 7.1.5 NXP Semiconductors
    • 7.1.6 Texas Instruments Incorporated
    • 7.1.7 Wolfspeed, Inc.
    • 7.1.8 NexGen Power Systems
    • 7.1.9 Microchip Technology Inc.
    • 7.1.10 Soitec
    • 7.1.11 Qorvo, Inc.
    • 7.1.12 NTT Advanced Technology Corporation

8. ANÁLISIS DE INVERSIONES

9. FUTURO DEL MERCADO

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Segmentación de la industria de dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN)

GaN es una tecnología emergente en comparación con los MOSFET de silicio. Los distintos dispositivos considerados en el mercado estudiado son transistores, rectificadores y diodos. Los dispositivos semiconductores de GaN considerados son semiconductores de potencia, optosemiconductores y semiconductores de RF.

El mercado de dispositivos semiconductores GaN está segmentado por tipo (semiconductores de potencia, opto-semiconductores, semiconductores de RF), por dispositivos (transistores, diodos, rectificadores, circuitos integrados de potencia), por industria de usuario final (automotriz, electrónica de consumo, aeroespacial y de defensa, médica). , Tecnologías de la Información y las Comunicaciones) y por Geografía. Los tamaños de mercado y las previsiones se proporcionan en términos de valor (millones de dólares) para todos los segmentos anteriores.

Por tipo Semiconductores de potencia
Opto-Semiconductores
Semiconductores de radiofrecuencia
Por dispositivos Transistores
diodos
Rectificadores
Circuitos integrados de potencia
Por industria de usuarios finales Automotor
Electrónica de consumo
Aeroespacial y Defensa
Médico
Información, comunicación y tecnología.
Otras industrias de usuarios finales
Por geografía América del norte Estados Unidos
Canada
Europa Reino Unido
Alemania
Francia
El resto de Europa
Asia Pacífico Porcelana
Japón
India
Corea del Sur
Resto de Asia-Pacífico
América Latina
Medio Oriente y África
Por tipo
Semiconductores de potencia
Opto-Semiconductores
Semiconductores de radiofrecuencia
Por dispositivos
Transistores
diodos
Rectificadores
Circuitos integrados de potencia
Por industria de usuarios finales
Automotor
Electrónica de consumo
Aeroespacial y Defensa
Médico
Información, comunicación y tecnología.
Otras industrias de usuarios finales
Por geografía
América del norte Estados Unidos
Canada
Europa Reino Unido
Alemania
Francia
El resto de Europa
Asia Pacífico Porcelana
Japón
India
Corea del Sur
Resto de Asia-Pacífico
América Latina
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Preguntas frecuentes sobre investigación de mercado de dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN)

¿Cuál es el tamaño actual del mercado Dispositivos semiconductores de GaN?

Se proyecta que el mercado de dispositivos semiconductores GaN registrará una tasa compuesta anual del 17,21% durante el período de pronóstico (2024-2029).

¿Quiénes son los actores clave en el mercado Dispositivos semiconductores GaN?

GaN Systems, Infineon Technologies AG, Efficient Power Conversion Corporation, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, NXP Semiconductors son las principales empresas que operan en el mercado de dispositivos semiconductores de GaN.

¿Cuál es la región de más rápido crecimiento en el mercado Dispositivos semiconductores GaN?

Se estima que Asia Pacífico crecerá a la CAGR más alta durante el período previsto (2024-2029).

¿Qué región tiene la mayor participación en el mercado de dispositivos semiconductores GaN?

En 2024, América del Norte representa la mayor cuota de mercado en el mercado de dispositivos semiconductores GaN.

¿Qué años cubre este mercado de Dispositivos semiconductores de GaN?

El informe cubre el tamaño histórico del mercado de Dispositivos semiconductores de GaN durante los años 2021, 2022 y 2023. El informe también pronostica el tamaño del mercado de Dispositivos semiconductores de GaN para los años 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 y 2029.

Última actualización de la página el: Diciembre 12, 2023

Informe de la industria de dispositivos semiconductores GaN

Estadísticas para la participación de mercado, el tamaño y la tasa de crecimiento de ingresos de dispositivos semiconductores GaN en 2024, creadas por Mordor Intelligence™ Industry Reports. El análisis de dispositivos semiconductores GaN incluye una perspectiva de previsión del mercado hasta 2029 y una descripción histórica. Obtenga una muestra de este análisis de la industria como descarga gratuita del informe en PDF.

GaN Semiconductor Devices Panorama de los reportes

Global Mercado de dispositivos semiconductores GaN