| Período de Estudio | 2021 - 2029 |
| Año Base Para Estimación | 2023 |
| CAGR | 17.21% |
| Mercado de Crecimiento Más Rápido | Asia Pacífico |
| Mercado Más Grande | América del norte |
| Concentración del Mercado | Bajo |
Jugadores principales*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial |
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Análisis de mercado de dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN)
Se espera que el mercado de dispositivos semiconductores GaN registre una tasa compuesta anual del 17,21% durante el período previsto. GaN (nitruro de galio) está creando un cambio innovador en todo el sector de la electrónica de potencia. Durante décadas, los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) basados en silicio han sido una parte integral del mundo moderno cotidiano que ayuda a convertir energía en potencia. GaN está reemplazando al silicio como columna vertebral de la tecnología de conmutación de energía, ya que puede satisfacer las crecientes necesidades con un mejor rendimiento, eficiencia y costo del sistema de energía.
- GaN se utiliza para producir dispositivos de potencia semiconductores, componentes de RF y diodos emisores de luz (LED). Ha alterado la tecnología de los semiconductores de silicio que se utilizan en RF, conversión de energía y aplicaciones analógicas. El aumento del gasto en semiconductores tiene un impacto positivo en el crecimiento del mercado considerado.
- Además, el mercado de dispositivos semiconductores de GaN está siendo impulsado por la creciente necesidad de radiofrecuencia en el mercado de semiconductores, el crecimiento de la industria de la electrónica de consumo, especialmente en iluminación y pantallas basadas en LED, y el aumento de los vehículos eléctricos, el suministro de energía, e inversores fotovoltaicos.
- Además, GaN ofrece rentabilidad y la eliminación de los requisitos de refrigeración en comparación con el silicio y el arseniuro de galio. Además, el coste de producción de un dispositivo GaN es mucho menor que el coste de producción de un dispositivo MOSFET, ya que los dispositivos GaN se fabrican utilizando procedimientos estándar de fabricación de silicio en las mismas fábricas donde se fabrican los semiconductores de silicio tradicionales, y como los dispositivos GaN se fabrican mucho más pequeño para el mismo rendimiento funcional.
- Los fabricantes de dispositivos semiconductores están integrando un número cada vez mayor de componentes pasivos por circuito, lo que genera una mayor complejidad en el diseño de los circuitos y limitaciones de acceso físico. Esto requeriría un patrón significativo que utilice máscaras sin errores para transferir el patrón a obleas sin errores ni defectos. Por lo tanto, la apremiante necesidad de los OEM de tener una ventaja en el rendimiento de los dispositivos impulsa el mercado estudiado.
- Además, con el creciente desarrollo de materiales de banda ancha (WBG), se estimula a los proveedores del mercado a fabricar productos de mercado pequeños sin comprometer el rendimiento. GaN presenta algunos desafíos únicos para los componentes pasivos esenciales utilizados en la conversión de energía y los circuitos de accionamiento de motores para igualar el ritmo de las innovaciones en el proceso de semiconductores.
- La pandemia de COVID-19 ha provocado enormes interrupciones en las cadenas de suministro en todas las industrias a nivel mundial, debido a que muchas empresas en todo el mundo han detenido o reducido sus operaciones para ayudar a combatir la propagación del virus. La pandemia ha impactado el mercado estudiado, provocando una caída en los niveles de operación en toda la cadena de producción de materias primas y suministro para la producción de componentes. Esto indica una caída en las ventas entre varios países y regiones.
Tendencias del mercado de dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN)
La electrónica de consumo mantendrá una importante cuota de mercado
- Una ventaja significativa de la capacidad de frecuencia de conmutación más alta es que el valor y, por tanto, el tamaño correspondiente de los condensadores e inductores debe ser considerablemente menor. Junto con los requisitos del dispositivo GaN de menor tamaño, los componentes pasivos más pequeños dan como resultado un tamaño total significativamente más pequeño de un convertidor o unidad. Las bajas pérdidas por conducción (Rds-on) dan como resultado una menor disipación de calor, lo que requiere gestión térmica. Esto hace que la solución sea más eficiente energéticamente y reduce aún más el tamaño general del sistema.
- En todas las industrias de usuarios finales, el segmento de electrónica de consumo está presenciando una demanda significativa de dispositivos semiconductores de GaN debido a la creciente demanda de teléfonos inteligentes, dispositivos de juegos, computadoras portátiles y televisores. Según un estudio de la Consumer Technology Association, entre 2020 y 2021, se esperaba que la industria de la electrónica de consumo en Estados Unidos creciera un 4,3%. Sin embargo, debido al impacto de la pandemia de COVID-19, el mercado de tecnología de consumo de EE. UU. experimentó una caída del 2,2 % en 2020. Se espera que este mercado se recupere en 2021, sujeto a la situación pospandemia.
- Según MeitY (India), en el ejercicio financiero de 2021, el valor de producción total estimado de la industria electrónica superó los 5,5 billones de INR (66,45 mil millones de dólares). La producción de teléfonos móviles fue el sector más valioso, con un valor de producción estimado de INR 2,2 billones (USD 26,58 mil millones). Otros sectores que obtuvieron una alta puntuación en valor fueron los componentes electrónicos, la electrónica de consumo y la electrónica industrial.
- GaN es un semiconductor de nueva producción que se espera reemplace al silicio en muchas aplicaciones en los próximos años, y la carga de baterías es el primer mercado de gran volumen que demuestra tal adopción. GaN (nitruro de galio) tiene un rendimiento superior en comparación con el silicio a voltajes, temperaturas y frecuencias de conmutación muy altos, lo que permite una eficiencia energética significativamente mayor. Con muchos cargadores y adaptadores GaN que van desde 27W a 300W en producción en masa, alimentando todo, desde teléfonos móviles hasta drones, el mercado de cargadores móviles está destinado a cambiar drásticamente.
- Además, los avances tecnológicos, como los estándares 5G, están impulsando la demanda de estaciones base y transistores de alta potencia, aumentando la demanda de semiconductores de potencia GaN en el segmento de la electrónica de consumo. Muchos proveedores trabajan juntos y forman asociaciones con industrias que utilizan sus productos, como la electrónica de consumo, para aumentar su participación de mercado.
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América del Norte será testigo de un crecimiento significativo
- Recientemente, la región de América del Norte ha sido la principal adoptante de las nuevas tecnologías de diseño, fabricación e investigación de la industria de semiconductores. El crecimiento del mercado de RF GaN en América del Norte se correlaciona fuertemente con el desarrollo de industrias de usuarios finales como las de telecomunicaciones, aeroespacial y de defensa, electrónica de consumo y otras.
- En febrero de 2021, el presidente Joe Biden dijo que la fabricación nacional de semiconductores era una prioridad para su administración. La nueva administración de Estados Unidos está preparada para solucionar la creciente escasez de chips y abordar las preocupaciones de los legisladores de que la subcontratación de la fabricación de chips había hecho a Estados Unidos más vulnerable a las interrupciones en la cadena de suministro. En una acción ejecutiva, Biden inició una revisión de 100 días que podría impulsar a las empresas estadounidenses de chips con apoyo gubernamental adicional y nuevas políticas.
- Estados Unidos también ha sido pionero en tecnología avanzada para aplicaciones militares. Además, el país tiene el gasto militar más alto a nivel mundial, que es significativamente más alto que el de los cinco países siguientes combinados, lo que lo convierte en una industria de usuario final lucrativa para el mercado RF GaN.
- En Estados Unidos, la mayor parte de la demanda de chips incluye grandes PC, infraestructura de información y comunicaciones (incluidos centros de datos y equipos de red), mercados de aplicaciones, equipos industriales y teléfonos inteligentes. Entre los clientes de TSMC se incluyen destacados fabricantes de teléfonos inteligentes de Estados Unidos, como Apple.
- En 2021, el gobierno de Estados Unidos solicitó una financiación de 50.000 millones de dólares para apoyar la fabricación nacional de chips. TSMC está sopesando planes para inyectar decenas de miles de millones de dólares más de lo que había revelado anteriormente a las fábricas de chips en el estado estadounidense de Arizona. Es probable que TSMC compita contra Intel Corp. y Samsung Electronics Co. Ltd. por los subsidios del gobierno estadounidense para la construcción de las plantas. Se espera que este apoyo gubernamental respalde el crecimiento de la fabricación de dispositivos semiconductores de GaN en el país.
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Descripción general de la industria de dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN)
El mercado de dispositivos semiconductores GaN es intrínsecamente competitivo. Algunos de los actores importantes del mercado son Toshiba Electronic Devices Storage Corporation, GaN Systems, Infineon Technologies AG, Efficient Power Conversion Corporation, NXP Semiconductors y muchos más. Las empresas están aumentando su participación de mercado formando múltiples asociaciones e invirtiendo en la introducción de nuevos productos para obtener una ventaja competitiva durante el período de pronóstico.
En julio de 2022, GaN Systems se asoció con PowerSphyr Advance para ofrecer soluciones integrales de energía inalámbrica. Las empresas anunciaron su asociación para proporcionar una cartera pionera en la industria de soluciones de energía inalámbrica de extremo a extremo (30 vatios, 100 vatios y 500 vatios) para aplicaciones industriales y automotrices a nivel mundial. La asociación combina los semiconductores GaN líderes en la industria de GaN Systems con los años de experiencia en tecnología energética de PowerSphyr. Por ejemplo, PowerSphyr está implementando semiconductores de potencia de sistemas GaN en el receptor de la solución de carga inalámbrica además del transmisor. La combinación cambia las reglas del juego al ofrecer soluciones de carga de alto rendimiento, fáciles de usar y completamente inalámbricas.
En julio de 2022, Infineon Technologies AG colaboró con Delta Electronics en soluciones de energía para PC para juegos y servidores basados en WBG para ofrecer soluciones superiores a los clientes finales. Los últimos ejemplos de cooperación incluyen la plataforma de energía para juegos Titanium de 1,6 kW de Delta y una fuente de alimentación para servidores de 1,4 kW. La fuente de alimentación del servidor de 1,4 kilovatios aprovecha la tecnología MOSFET CoolSiC de Infineon Technology y la competencia central de electrónica de potencia de varias décadas de Delta para lograr una eficiencia del 96 %. Otro ejemplo de la mayor eficiencia es la plataforma de potencia para juegos de 1,6 kW impulsada por la tecnología CoolGaN de Infineon, complementada con circuitos integrados de controlador de puerta EiceDRIVER. Este diseño tiene una eficiencia de hasta el 96 % en una amplia gama de entradas y múltiples salidas, y cumple con el estándar Titanium en el ámbito industrial. Este HEMT en modo electrónico de 600 voltios, adaptado en una topología PFC de tótem entrelazado, es posible gracias al CoolGaN GIT de Infineon.
Dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN) Líderes del mercado
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GaN Systems
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Infineon Technologies AG
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Efficient Power Conversion Corporation
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
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NXP Semiconductors
- *Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial
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Noticias del mercado de dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN)
- Junio de 2022 GaN Systems lanzó un nuevo transistor de alto rendimiento y bajo costo en la cartera más amplia de transistores de potencia GaN de la industria para aplicaciones de consumo, industriales y de centros de datos. El GS-065-018-2-L amplía la cartera de transistores de alto rendimiento y bajo costo de la compañía y presenta una menor resistencia de encendido, mayor robustez y rendimiento térmico, y una clasificación VDS (transitoria) de 850 V. El factor de forma PDFN de 88 mm, estándar de la industria, del transistor facilita la adopción, la escalabilidad y la comercialización por parte del cliente. El GS-065-018-2-L es un transistor enfriado en la parte inferior de 650 V, 18 A y 78 m-ohm, ideal para adaptadores de consumo más pequeños y livianos para computadoras portátiles y consolas de juegos, y mayor densidad de potencia y eficiencia en televisores y servidores SMPS.
- Febrero de 2022 Infineon Technologies AG está fortaleciendo su liderazgo en el mercado de semiconductores de potencia al agregar importantes capacidades de fabricación en semiconductores de banda ancha (SiC y GaN). La empresa está invirtiendo más de 2.000 millones de euros (2.120 millones de dólares) para construir un tercer módulo en sus instalaciones de Kulim, Malasia. Una vez completamente equipado, el nuevo módulo generará 2.000 millones de euros (2.120 millones de dólares) en ingresos anuales adicionales con productos basados en carburo de silicio y nitruro de galio. La expansión de la capacidad de SiC y GaN está preparando a Infineon Technologies AG para la aceleración de los mercados de banda prohibida amplia.
Segmentación de la industria de dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN)
GaN es una tecnología emergente en comparación con los MOSFET de silicio. Los distintos dispositivos considerados en el mercado estudiado son transistores, rectificadores y diodos. Los dispositivos semiconductores de GaN considerados son semiconductores de potencia, optosemiconductores y semiconductores de RF.
El mercado de dispositivos semiconductores GaN está segmentado por tipo (semiconductores de potencia, opto-semiconductores, semiconductores de RF), por dispositivos (transistores, diodos, rectificadores, circuitos integrados de potencia), por industria de usuario final (automotriz, electrónica de consumo, aeroespacial y de defensa, médica). , Tecnologías de la Información y las Comunicaciones) y por Geografía. Los tamaños de mercado y las previsiones se proporcionan en términos de valor (millones de dólares) para todos los segmentos anteriores.
| Por tipo | Semiconductores de potencia | ||
| Opto-Semiconductores | |||
| Semiconductores de radiofrecuencia | |||
| Por dispositivos | Transistores | ||
| diodos | |||
| Rectificadores | |||
| Circuitos integrados de potencia | |||
| Por industria de usuarios finales | Automotor | ||
| Electrónica de consumo | |||
| Aeroespacial y Defensa | |||
| Médico | |||
| Información, comunicación y tecnología. | |||
| Otras industrias de usuarios finales | |||
| Por geografía | América del norte | Estados Unidos | |
| Canada | |||
| Europa | Reino Unido | ||
| Alemania | |||
| Francia | |||
| El resto de Europa | |||
| Asia Pacífico | Porcelana | ||
| Japón | |||
| India | |||
| Corea del Sur | |||
| Resto de Asia-Pacífico | |||
| América Latina | |||
| Medio Oriente y África | |||
Por tipo
| Semiconductores de potencia |
| Opto-Semiconductores |
| Semiconductores de radiofrecuencia |
Por dispositivos
| Transistores |
| diodos |
| Rectificadores |
| Circuitos integrados de potencia |
Por industria de usuarios finales
| Automotor |
| Electrónica de consumo |
| Aeroespacial y Defensa |
| Médico |
| Información, comunicación y tecnología. |
| Otras industrias de usuarios finales |
Por geografía
| América del norte | Estados Unidos |
| Canada | |
| Europa | Reino Unido |
| Alemania | |
| Francia | |
| El resto de Europa | |
| Asia Pacífico | Porcelana |
| Japón | |
| India | |
| Corea del Sur | |
| Resto de Asia-Pacífico | |
| América Latina | |
| Medio Oriente y África |
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Preguntas frecuentes sobre investigación de mercado de dispositivos semiconductores de nitruro de galio (GaN)
¿Cuál es el tamaño actual del mercado Dispositivos semiconductores de GaN?
Se proyecta que el mercado de dispositivos semiconductores GaN registrará una tasa compuesta anual del 17,21% durante el período de pronóstico (2024-2029).
¿Quiénes son los actores clave en el mercado Dispositivos semiconductores GaN?
GaN Systems, Infineon Technologies AG, Efficient Power Conversion Corporation, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, NXP Semiconductors son las principales empresas que operan en el mercado de dispositivos semiconductores de GaN.
¿Cuál es la región de más rápido crecimiento en el mercado Dispositivos semiconductores GaN?
Se estima que Asia Pacífico crecerá a la CAGR más alta durante el período previsto (2024-2029).
¿Qué región tiene la mayor participación en el mercado de dispositivos semiconductores GaN?
En 2024, América del Norte representa la mayor cuota de mercado en el mercado de dispositivos semiconductores GaN.
¿Qué años cubre este mercado de Dispositivos semiconductores de GaN?
El informe cubre el tamaño histórico del mercado de Dispositivos semiconductores de GaN durante los años 2021, 2022 y 2023. El informe también pronostica el tamaño del mercado de Dispositivos semiconductores de GaN para los años 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 y 2029.
Última actualización de la página el: Diciembre 12, 2023
Informe de la industria de dispositivos semiconductores GaN
Estadísticas para la participación de mercado, el tamaño y la tasa de crecimiento de ingresos de dispositivos semiconductores GaN en 2024, creadas por Mordor Intelligence™ Industry Reports. El análisis de dispositivos semiconductores GaN incluye una perspectiva de previsión del mercado hasta 2029 y una descripción histórica. Obtenga una muestra de este análisis de la industria como descarga gratuita del informe en PDF.
