Mercado de semiconductores de potencia RF: crecimiento, tendencias, impacto de COVID-19 y pronósticos (2022 - 2027)

El mercado de semiconductores de potencia de RF está segmentado por tecnología (LDMOS, GaAs y GaN), aplicación (infraestructura de telecomunicaciones y aeroespacial y defensa) y geografía.

Instantánea del mercado

rf power semiconductor market
Study Period: 2018 - 2026
Base Year: 2021
Fastest Growing Market: Asia Pacific
Largest Market: Asia Pacific
CAGR: 13.25 %

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Visión general del mercado

Se espera que el mercado de semiconductores de potencia de RF registre una CAGR del 13,25 % durante el período de pronóstico (2021 - 2026). La creciente adopción de semiconductores de potencia de RF en los teléfonos inteligentes y el uso de 5G es uno de los principales factores que aumentan la demanda. Con el aumento de la necesidad de velocidades de datos más altas y una mayor eficiencia espectral, la demanda de Internet de banda ancha móvil de alta velocidad está aumentando. Esto ha llevado a la implementación de LTE, que se espera que impulse aún más la expansión del mercado de energía de RF.

  • La creciente adopción de soluciones de gestión eficaces en la industria energética también está atrayendo a muchos proveedores para innovar productos orientados al sector. Esto está ampliando aún más el alcance de los dispositivos semiconductores de potencia de RF. Por ejemplo, Cadence Design Systems, Inc. anunció que había mejorado la solución de integridad de energía Cadence Voltus IC con una opción de algoritmo ampliamente paralelo (XP) que emplea tecnología de procesamiento distribuido para la aprobación de la red eléctrica en tecnologías de proceso de nodo avanzado.
  • La tendencia creciente de la digitalización y el aumento de los proyectos de ciudades inteligentes en varios países del mundo también está creando oportunidades potenciales para el crecimiento del mercado de semiconductores de potencia de RF. El aumento en el uso de dispositivos de potencia de RF en diversas aplicaciones de iluminación también está impulsando el crecimiento en el mercado global de potencia de RF.
  • Sin embargo, se estima que los problemas relacionados con el alto costo de la energía de RF debido al rendimiento mejorado desafiarán el crecimiento del mercado. Por ejemplo, en octubre de 2018, Cree, Inc. anunció que había firmado un acuerdo estratégico a largo plazo para producir y suministrar sus obleas de carburo de silicio Wolfspeed a una de las empresas de dispositivos de energía líderes en el mundo.

Alcance del Informe

Un semiconductor de potencia de radiofrecuencia es un dispositivo que se puede utilizar como interruptor o rectificador en la electrónica de potencia. El semiconductor de potencia de RF está diseñado para funcionar en el espectro de radiofrecuencia, que es de aproximadamente 3 KHz hasta 300 GHz. Dependiendo de las diversas aplicaciones, el semiconductor de potencia de RF se puede utilizar en diferentes tecnologías.

By Technology
LDMOS
GaAs
GaN
By Application
Telecom Infrastructure
Aerospace and Defense
Wired Broadband
Satellite Communication
RF Energy (Automotive)
Other Applications
Geography
North America
United States
Canada
Europe
United Kingdom
Germany
France
Rest of Europe
Asia-Pacific
China
India
South Korea
Japan
Rest of Asia-Pacific
Rest of the World
Latin America
Middle-East & Africa

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Tendencias clave del mercado

El sector aeroespacial y de defensa ofrecerá oportunidades potenciales de crecimiento

  • La modernización de los equipos de defensa ha llevado a la necesidad de dispositivos semiconductores de alta potencia, como los dispositivos GaN RF y LDMOS. Los circuitos integrados utilizados en las placas de radar incorporan GaN que permite una navegación eficiente, facilita la prevención de colisiones y permite el control del tráfico aéreo en tiempo real.
  • Los amplificadores de potencia de RF utilizados en los sistemas de radar tienen poca potencia y rendimiento. El rendimiento del ancho de banda y la eficiencia de los dispositivos de potencia de RF son sustancialmente mayores y, por lo tanto, se utilizan en los radares para ofrecer un mayor rendimiento en términos de potencia y alcance del radar. Esto reduce la cantidad de sistemas de radar necesarios para monitorear el mismo perímetro, lo que reduce los costos. Por lo tanto, la demanda de dispositivos de potencia de RF crecerá en el sector de defensa durante el período de pronóstico. 
  • Además, el creciente enfoque de la Agencia Espacial Europea (ESA) en el mayor uso de GaN en proyectos espaciales y el uso de transistores basados ​​en GaN en los sectores militar y de defensa ayudarán al mercado de energía de RF a ganar terreno durante el período de pronóstico.
rf power semiconductor market

Se espera que Asia-Pacífico ocupe una participación significativa en el mercado de semiconductores de potencia de RF

  • La industria electrónica establecida de Asia-Pacífico y la adopción de tecnologías innovadoras han brindado a las organizaciones de la región una ventaja competitiva en el mercado.
  • Se espera que el aumento de la producción de vehículos eléctricos en Asia-Pacífico impulse la demanda de RF GaN, lo que a su vez puede impulsar el mercado de energía de RF en la región. China es el mayor fabricante de vehículos eléctricos. En 2018 vendió 28.081.000, entre autobuses y vehículos comerciales, según la Asociación China de Fabricantes de Automóviles.
  • El aumento de la demanda de mejores redes celulares de China, India, Corea del Sur, Taiwán y Malasia y la creciente producción de dispositivos semiconductores impulsarán las perspectivas de crecimiento del mercado en esta región.
  • Según Ericsson, la cantidad estimada de suscripciones de teléfonos inteligentes es máxima en Asia-Pacífico (excluyendo China e India) con USD 1575 millones en el primer trimestre de 2018. Esta tasa de adopción impulsará a los fabricantes de dispositivos de RF a desarrollar filtros de RF de alto rendimiento que puedan satisfacer las necesidades de los fabricantes de equipos originales de teléfonos inteligentes y tabletas, lo que estimulará aún más el crecimiento del mercado en esta región.
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Panorama competitivo

El mercado de semiconductores de potencia de RF se consolida. La mayor parte del mercado está ocupada por los mejores jugadores del mercado. Además, el costo de fabricación de los semiconductores de potencia de RF es alto, lo que dificulta la entrada en el mercado del nuevo jugador. Algunos de los jugadores clave incluyen Analog Devices Inc., Aethercomm Inc., Cree Inc., Mitsubishi Electric Corporation, NXP Semiconductors NV, Qorvo Inc., STMicroelectronics NV, entre otros.

  • Junio ​​de 2019: NXP Semiconductors NV presentó una de las carteras de soluciones de RF más integradas de la industria para infraestructura celular 5G, mercados industriales y comerciales. Sobre la base de su sólido legado, investigación y desarrollo disruptivo, fabricación de clase mundial y presencia global, el conjunto completo de soluciones de NXP supera las demandas actuales de amplificación de potencia de RF 5G para estaciones base, desde MIMO hasta sistemas masivos de antena activa basados ​​en MIMO para celulares y de onda milimétrica (mmWave). ) bandas de espectro.
  • Mayo de 2019: como parte de su estrategia de crecimiento a largo plazo, Cree, Inc. anunció que invertirá hasta USD 1000 millones en la expansión de su capacidad de carburo de silicio con el desarrollo de una máquina de silicio de 200 mm automatizada y de última generación. una planta de fabricación de carburo y una megafábrica de materiales en la sede del campus de EE. UU. en Durham, Carolina del Norte, marcó la inversión más grande de la compañía hasta la fecha para impulsar su negocio de carburo de silicio Wolfspeed y GaN en carburo de silicio. Una vez finalizadas en 2024, las instalaciones aumentarán sustancialmente la capacidad de materiales de carburo de silicio y la capacidad de fabricación de obleas de la empresa, lo que permitirá soluciones de semiconductores de banda prohibida amplia que permitirán los cambios tecnológicos drásticos que se están produciendo en los mercados industrial, de infraestructura de comunicaciones y automotriz.

Table of Contents

  1. 1. INTRODUCTION

    1. 1.1 Study Deliverables

    2. 1.2 Study Assumptions

    3. 1.3 Scope of the Study

  2. 2. RESEARCH METHODOLOGY

  3. 3. EXECUTIVE SUMMARY

  4. 4. MARKET DYNAMICS

    1. 4.1 Market Overview

    2. 4.2 Market Drivers

      1. 4.2.1 Increasing Usage of Smartphones

      2. 4.2.2 Growing Transition toward 5G and Long-term Evolution (LTE) Implementation

    3. 4.3 Market Restraints

      1. 4.3.1 High Cost of RF Power

    4. 4.4 Industry Value Chain Analysis

    5. 4.5 Industry Attractiveness - Porter's Five Force Analysis

      1. 4.5.1 Bargaining Power of Suppliers

      2. 4.5.2 Bargaining Power of Buyers/Consumers

      3. 4.5.3 Threat of New Entrants

      4. 4.5.4 Threat of Substitute Products

      5. 4.5.5 Intensity of Competitive Rivalry

  5. 5. MARKET SEGMENTATION

    1. 5.1 By Technology

      1. 5.1.1 LDMOS

      2. 5.1.2 GaAs

      3. 5.1.3 GaN

    2. 5.2 By Application

      1. 5.2.1 Telecom Infrastructure

      2. 5.2.2 Aerospace and Defense

      3. 5.2.3 Wired Broadband

      4. 5.2.4 Satellite Communication

      5. 5.2.5 RF Energy (Automotive)

      6. 5.2.6 Other Applications

    3. 5.3 Geography

      1. 5.3.1 North America

        1. 5.3.1.1 United States

        2. 5.3.1.2 Canada

      2. 5.3.2 Europe

        1. 5.3.2.1 United Kingdom

        2. 5.3.2.2 Germany

        3. 5.3.2.3 France

        4. 5.3.2.4 Rest of Europe

      3. 5.3.3 Asia-Pacific

        1. 5.3.3.1 China

        2. 5.3.3.2 India

        3. 5.3.3.3 South Korea

        4. 5.3.3.4 Japan

        5. 5.3.3.5 Rest of Asia-Pacific

      4. 5.3.4 Rest of the World

        1. 5.3.4.1 Latin America

        2. 5.3.4.2 Middle-East & Africa

  6. 6. COMPETITIVE LANDSCAPE

    1. 6.1 Company Profiles

      1. 6.1.1 Aethercomm Inc.

      2. 6.1.2 Analog Devices Inc.

      3. 6.1.3 Cree Inc.

      4. 6.1.4 M/A-COM Technology Solutions Holdings Inc.

      5. 6.1.5 Mitsubishi Electric Corporation

      6. 6.1.6 NXP Semiconductors NV

      7. 6.1.7 Qorvo Inc.

      8. 6.1.8 Qualcomm Inc.

      9. 6.1.9 Murata Manufacturing Co. Ltd

      10. 6.1.10 STMicroelectronics NV

      11. 6.1.11 Toshiba Corporation

    2. *List Not Exhaustive
  7. 7. INVESTMENT ANALYSIS

  8. 8. MARKET OPPORTUNITIES AND FUTURE TRENDS

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Frequently Asked Questions

El mercado de RF Power Semiconductor Market se estudia desde 2018 hasta 2026.

El mercado de semiconductores de potencia de RF está creciendo a una CAGR del 13,25 % en los próximos 5 años.

Asia Pacífico está creciendo a la CAGR más alta durante 2021-2026.

Asia Pacífico tiene la participación más alta en 2021.

Cree Inc., Mitsubishi Electric Corporation, NXP Semiconductors NV, Qualcomm Inc., Analog Devices Inc. son las principales empresas que operan en el mercado de semiconductores de potencia de RF.

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