Анализ размера и доли рынка транзисторов нового поколения – тенденции роста и прогнозы (2024–2029 гг.)

Отчет о рынке охватывает мировые компании, производящие транзисторы, и сегментирован по типам (транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT), биполярный переходной транзистор (BJT), полевые транзисторы (FET), многоэмиттерный транзистор (MET), металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор с двойным затвором ), отрасль конечных пользователей (аэрокосмическая и оборонная промышленность, промышленность, телекоммуникации, бытовая электроника) и география. Объем рынка и прогнозы представлены в стоимостном выражении (млн долларов США) для всех вышеперечисленных сегментов.

Объем рынка транзисторов нового поколения

Однопользовательская лицензия

$4750

Командная лицензия

$5250

Корпоративная лицензия

$8750

Забронировать До
Обзор рынка транзисторов нового поколения
share button
Период исследования 2019 - 2029
Базовый Год Для Оценки 2023
CAGR 4.00 %
Самый Быстрорастущий Рынок Азиатско-Тихоокеанский регион
Самый Большой Рынок Северная Америка
Концентрация рынка Низкий

Основные игроки

Основные игроки рынка транзисторов нового поколения

*Отказ от ответственности: основные игроки отсортированы в произвольном порядке

Как мы можем помочь?

Однопользовательская лицензия

$4750

Командная лицензия

$5250

Корпоративная лицензия

$8750

Забронировать До

Анализ рынка транзисторов следующего поколения

Ожидается, что рынок транзисторов следующего поколения будет расти в среднем на 4% в течение прогнозируемого периода. В первую очередь за счет увеличения рынка бытовой электроники. В новейших смартфонах на рынке присутствует миллиард транзисторов, обеспечивающих более быструю работу гаджета. По данным IBEF, выручка рынка смартфонов в Индии недавно превысила 38 миллиардов долларов США, увеличившись на 27% в годовом сопоставлении. Кроме того, Xiaomi, ведущая компания по производству смартфонов, во втором квартале 2022 года поставила 39,5 миллионов устройств.

  • Полупроводниковые материалы представляют собой одну из значительных инноваций в электронной промышленности. Это можно объяснить их высокой подвижностью электронов, широкими температурными пределами и низким энергопотреблением. По данным SEMI, мировые продажи оборудования для производства полупроводников производителями оригинального оборудования достигли рекордных 117,5 млрд долларов США в 2022 году, увеличившись на 14,7% по сравнению с предыдущим отраслевым максимумом в 102,5 млрд долларов США в 2021 году и, согласно прогнозам, увеличатся на 120,8 млрд долларов США в 2023 году.
  • Растущий объем расширенных функций потребительских устройств также усиливает потребность в быстрой обработке данных в режиме реального времени. Более того, с появлением Интернета вещей такие функции, как искусственный интеллект, анализ данных, передача и обработка данных в реальном времени, становятся основной необходимостью для любых современных устройств, создавая огромные возможности для поставщиков изучаемого рынка. Кроме того, TSMC продемонстрировала свою будущую технологию производственного процесса на Североамериканском технологическом симпозиуме компании в 2022 году, при этом основным моментом стали подробности о 2-нм узле следующего поколения, известном внутри компании как N2. Компания запустит производство на 3-нм узле в конце 2022 года.
  • Более того, в апреле 2022 года ученые создали, по их мнению, первый магнитоэлектрический транзистор, который может помочь сделать электронику более энергоэффективной. Помимо ограничения энергопотребления любой микроэлектроники, в которой он используется, разработка команды может сократить количество транзисторов, необходимых для хранения конкретных данных, на целых 75 процентов, что приведет к уменьшению размеров устройств. Он также может предоставить микроэлектронике память стальной ловушки, которая точно помнит, где ее пользователи остановились, даже после выключения или резкого отключения питания.
  • Кроме того, многие игроки на рынке переходят на использование нанолистов в своем производственном процессе. Например, в июне 2022 года тайваньский производитель микросхем TSMC раскрыл подробности своего долгожданного 2-нм производственного узла, который должен появиться в 2025 году, который будет использовать архитектуру нанолистовых транзисторов и усовершенствования 3-нм технологии. По данным компании. Ожидается, что новые поколения кремниевых полупроводниковых чипов повысят скорость. Они будут более энергоэффективными, поскольку технологические узлы сокращаются, а технологическая отрасль продолжает бороться за соблюдение закона Мура.
  • Более того, пост Covid 19 влияет на производство и производственные мощности отрасли полупроводников и других электронных компонентов. Например, в июне 2022 года, по данным источников китайской прессы, локаут Omicron в Шэньчжэне вынудил Huaqiangbei, один из крупнейших в мире рынков электроники, снова частично закрыться. Huaqiangbei, центр поставок полупроводников, мобильных телефонов и другой электроники, расположен в районе Футянь Шэньчжэня. По данным финансовых СМИ Cailianshe, некоторые продавцы в Хуацянбэй временно прекратили свою деятельность, поскольку Шэньчжэнь усилил меры по контролю за распространением высокозаразного Omicron Covid-19. В число этих поставщиков входят первый и второй магазины HuaqiangElectronics World.

Тенденции рынка транзисторов следующего поколения

Растущее внедрение транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT)

  • Транзисторы с высокой подвижностью электронов обеспечивают высокий коэффициент усиления, что делает эти транзисторы очень полезными в качестве усилителей. Они могут быстро переключать скорости. И небольшие значения шума возникают, поскольку изменения тока в этих транзисторах относительно невелики.
  • Многие компании разрабатывают устройства HEMT, которые работают на более высоких частотах, чем обычные транзисторы. Например, в ноябре 2022 года компания Nanoscience Technology анонсировала новое устройство GaN HEMT с низким RDS(on) 650 В E-режимом. В стандартном корпусе DFN 8x8 силовые транзисторы INN650D080BS имеют сопротивление в открытом состоянии 80 м (обычно 60 м), что позволяет использовать приложения с более высокой мощностью, такие как архитектуры LLC с тотемным столбом или быстрые зарядные устройства.
  • Например, в сентябре 2022 года компания Ampleon выпустила новый транзистор CLL3H0914L-700 GaN-SiC с высокой подвижностью электронов. Этот прочный GaN-транзистор оптимизирован для радаров, где необходимы большая ширина импульса и высокие рабочие циклы. Транзистор был разработан для достижения пиковой выходной мощности более 700 Вт от одного транзистора при работе при напряжении 50 В с лучшим в отрасли КПД более 70%, а также термически разработан для приложений с длинными импульсами, например, с шириной импульса (~ 2 миллисекунды) и рабочий цикл 20%.
  • Более того, растущий спрос на бытовую электронику и возможность применения транзисторов с высокой подвижностью электронов стимулируют рост рынка. По данным IBEF, объем индийской отрасли бытовой техники и бытовой электроники в последнее время составлял 9,84 миллиарда долларов США, и ожидается, что к 2025 году он увеличится более чем вдвое и достигнет 1,48 крора индийских рупий (21,18 миллиарда долларов США)..
  • Кроме того, компания STMicroelectronics недавно анонсировала новое семейство GaN-деталей, получившее обозначение STi2GaN, что означает ST Intelligent and Integrated GaN. В изделиях используется технология беспроволочной упаковки ST, обеспечивающая прочность и надежность. Новое семейство продуктов призвано использовать высокую плотность мощности и эффективность GaN, чтобы предложить линейку транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMT) на напряжение 100 и 650 В.
Рынок транзисторов следующего поколения — доходы отрасли от производства диодов, транзисторов и полупроводниковых приборов, в миллиардах долларов США, Южная Корея, 2020–2024 гг.

Азиатско-Тихоокеанский регион ожидает значительный рост рынка

  • Азиатско-Тихоокеанский регион является центром электроники, где ежегодно производятся миллиарды электронных устройств для потребления, особенно в этом регионе. Однако Азиатско-Тихоокеанский регион играет значительную роль в экспорте электронных компонентов по всему миру. Быстрый рост рынка бытовой электроники в этом регионе является ключевым фактором роста Азиатско-Тихоокеанского региона на мировом рынке транзисторов следующего поколения.
  • Кроме того, развивающиеся экономики региона, такие как Китай и Япония, имеют огромные базы по производству электроники и имеют потенциал стать важными игроками на рынке транзисторов. Кроме того, телефоны следующего поколения будут полностью сосредоточены на улучшении производительности телефонов с лучшими характеристиками. Ожидается, что интеграция большего количества транзисторов приведет к созданию телефонов меньшего размера с более быстрой обработкой данных, что идеально соответствует потребностям потребителей. По данным IBEF, поставки смартфонов Сделано в Индии выросли на 7% в годовом сопоставлении в первом квартале 2022 года и достигли более 48 миллионов единиц, при этом было отгружено более 190 миллионов смартфонов, произведенных в Индии.
  • По данным IBEF, Национальная политика в области электроники на 2019 год нацелена на производство одного миллиарда мобильных телефонов на сумму 190 миллиардов долларов США к 2025 году, из которых 600 миллионов телефонов на сумму 100 миллиардов долларов США, вероятно, будут экспортированы.
  • Более того, Китай сделал рост своей полупроводниковой промышленности ключевым компонентом своей программы Сделано в Китае 2025, чтобы изменить эту ситуацию. Китай намерен увеличить свою долю на рынке электроники, в то время как местное производство микросхем будет удовлетворять 80% внутреннего спроса на многочисленные смартфоны, ПК и другие устройства, которыми ежедневно пользуются 1,4 миллиарда его граждан. Ожидается, что все эти элементы будут способствовать расширению рынка.
  • Более того, в регионе есть несколько игроков на рынке полупроводников, таких как Samsung, Intel и TSMC. Эти фирмы признали, что начиная с 2023 года производство логических устройств с использованием технологий 3 или 2 нм будет постепенно переключаться с рабочей лошадки транзисторных архитектур FinFET на архитектуры, подобные нанолистам.
  • Кроме того, в апреле 2022 года третий по величине конгломерат в Южной Корее, SK Group, приобретет Yes Powertechnix, единственного отечественного производителя силовых полупроводников на основе кремния и карбида (SiC), которые становятся ключевым компонентом электромобилей в рамках общегрупповых усилий по укреплению бизнеса, связанного с аккумуляторами. SK Inc. заявила, что приобретет права управления и еще 120 миллиардов вон (95 миллионов долларов США) для приобретения 95,8% Yes Powertechnix. Кроме того, компания недавно инвестировала 26,8 млрд вон в приобретение 33,6% акций Yes Powertechnix. Такое развитие событий может стимулировать спрос в регионе.
Рынок транзисторов нового поколения – темпы роста по регионам

Обзор отрасли транзисторов нового поколения

Рынок транзисторов нового поколения является высококонкурентным. Сама полупроводниковая промышленность переживает этап специализации. Исторически сложилось так, что отрасль концентрировалась на производстве компьютерных чипов, которые могли бы выполнять несколько общих функций. Эти чипы были в некоторой степени связаны друг с другом. Но сегодня применение полупроводников становится более тонким и дифференцированным, что приводит к увеличению числа нишевых игроков со специализированным опытом в различных вертикалях. Более того, в этой отрасли многие игроки передают свои функции на аутсорсинг, за исключением нескольких крупных игроков, таких как Intel, которые проектируют, производят и производят полупроводниковую продукцию. Это делает этот сектор тесно связанным с глобальными цепочками поставок и делает эту отрасль жесткой конкуренцией и тесным сотрудничеством.

  • Июнь 2022 г. — GaN Systems, международный игрок на рынке силовых полупроводников GaN (нитрид галлия), представила новый транзистор в самой широкой в ​​отрасли линейке силовых транзисторов GaN. GS-065-018-2-L расширяет линейку высокопроизводительных и недорогих транзисторов компании и отличается более низким сопротивлением в открытом состоянии, повышенной надежностью и тепловыми характеристиками, а также номиналом VDS (переходный процесс) 850 В.

Лидеры рынка транзисторов нового поколения

  1. NXP Semiconductors N.V.

  2. Infineon Technologies AG

  3. STMicroelectronics N.V.

  4. Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.)

  5. Texas Instruments Incorporated

*Отказ от ответственности: основные игроки отсортированы в произвольном порядке

Концентрация рынка транзисторов нового поколения
bookmark Нужны дополнительные сведения о игроках и конкурентах на рынке?
Скачать образец

Новости рынка транзисторов нового поколения

  • Сентябрь 2022 г. - EPC Power Conversion Corporation анонсировала EPC2050, GaN-транзистор на 350 В с максимальным RDS(on) 80 мОм и импульсным выходным током 26 А. Размеры EPC2050 составляют всего 1,95 x 1,95 мм, что позволяет создавать решения на базе EPC2050. в десять раз меньше, чем решения, использующие эквивалентные кремниевые устройства.
  • Июль 2022 г. - Magnachip Semiconductor Corporation объявила о том, что компания представила новый полевой транзистор металл-оксид-полупроводник (MOSFET) напряжением 24 В для батарей беспроводных наушников. Новый МОП-транзистор на 24 В решает задачу разработчиков аккумуляторов по увеличению срока службы батареи после быстрой зарядки за счет уменьшения потерь проводимости. Плотность основных ячеек этого нового продукта была увеличена на 30% по сравнению с предыдущей версией, а конструкция основной ячейки, терминаторов и истоковых площадок была улучшена, чтобы уменьшить RDS(on) на 24%.
  • Март 2022 г. — NXP Semiconductors анонсировала новые силовые RF GaN-транзисторы для активных антенных систем 32T32R, в которых используется самая устаревшая запатентованная технология нитрида галлия (GaN). Эта уникальная серия дополняет существующий портфель дискретных усилителей мощности NXP для радиостанций 64T64R, защищая все диапазоны частот сотовой связи от 2,3 ГГц до 4,0 ГГц.

Отчет о рынке транзисторов следующего поколения – Содержание

  1. 1. ВВЕДЕНИЕ

    1. 1.1 Результаты исследования

      1. 1.2 Предположения исследования

        1. 1.3 Объем исследования

        2. 2. МЕТОДОЛОГИЯ ИССЛЕДОВАНИЯ

          1. 3. УПРАВЛЯЮЩЕЕ РЕЗЮМЕ

            1. 4. ДИНАМИКА РЫНКА

              1. 4.1 Обзор рынка

                1. 4.2 Введение в динамику рынка

                  1. 4.3 Драйверы рынка

                    1. 4.3.1 Технологические достижения, ведущие к требованию увеличения плотности устройств

                      1. 4.3.2 Распространение бытовой электроники

                      2. 4.4 Рыночные ограничения

                        1. 4.4.1 Стоимость соблюдения закона Мура становится выше при низкой доходности

                        2. 4.5 Анализ цепочки создания стоимости в отрасли

                          1. 4.6 Привлекательность отрасли: анализ пяти сил Портера

                            1. 4.6.1 Угроза новых участников

                              1. 4.6.2 Переговорная сила покупателей

                                1. 4.6.3 Рыночная власть поставщиков

                                  1. 4.6.4 Угроза продуктов-заменителей

                                    1. 4.6.5 Интенсивность конкурентного соперничества

                                  2. 5. СЕГМЕНТАЦИЯ РЫНКА

                                    1. 5.1 По типу

                                      1. 5.1.1 Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT)

                                        1. 5.1.2 Биполярный переходной транзистор (BJT)

                                          1. 5.1.3 Полевые транзисторы (FET)

                                            1. 5.1.4 Многоэмиттерный транзистор (МЕТ)

                                              1. 5.1.5 Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор с двойным затвором

                                              2. 5.2 По отраслям конечных пользователей

                                                1. 5.2.1 Аэрокосмическая и оборонная промышленность

                                                  1. 5.2.2 Промышленный

                                                    1. 5.2.3 Телекоммуникации

                                                      1. 5.2.4 Бытовая электроника

                                                      2. 5.3 По географии

                                                        1. 5.3.1 Северная Америка

                                                          1. 5.3.2 Европа

                                                            1. 5.3.3 Азиатско-Тихоокеанский регион

                                                              1. 5.3.4 Латинская Америка

                                                                1. 5.3.5 Ближний Восток и Африка

                                                              2. 6. КОНКУРЕНТНАЯ СРЕДА

                                                                1. 6.1 Профили компании

                                                                  1. 6.1.1 NXP Semiconductors N.V.

                                                                    1. 6.1.2 Infineon Technologies AG

                                                                      1. 6.1.3 STMicroelectronics N.V.

                                                                        1. 6.1.4 Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.)

                                                                          1. 6.1.5 Texas Instruments Incorporated

                                                                            1. 6.1.6 Intel Corporation

                                                                              1. 6.1.7 GLOBALFOUNDRIES Inc.

                                                                                1. 6.1.8 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company

                                                                                  1. 6.1.9 Samsung Electronics Co., Ltd

                                                                                    1. 6.1.10 Microchip Technology Inc.

                                                                                  2. 7. ИНВЕСТИЦИОННЫЙ АНАЛИЗ

                                                                                    1. 8. БУДУЩЕЕ РЫНКА

                                                                                      bookmark Вы можете приобрести части этого отчета. Проверьте цены для конкретных разделов
                                                                                      Получить разбивку цен прямо сейчас

                                                                                      Сегментация отрасли транзисторов нового поколения

                                                                                      Транзистор — это полупроводниковое устройство, которое усиливает или переключает электрические сигналы и мощность. Транзистор является одним из основных строительных блоков современной электроники. В исследовании анализируется рынок различных типов транзисторов, которые развиваются и используют в своем производственном процессе новые материалы, отличные от кремния.

                                                                                      Рынок транзисторов следующего поколения сегментирован по типам (транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT), биполярный переходной транзистор (BJT), полевые транзисторы (FET), многоэмиттерный транзистор (MET), металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор с двойным затвором), Отрасль конечных пользователей (аэрокосмическая и оборонная промышленность, промышленность, телекоммуникации, бытовая электроника) и география. Размеры рынка и прогнозы представлены в стоимостном выражении (млн долларов США) для всех вышеперечисленных сегментов. Влияние Covid-19 на рынок и его затронутые компоненты также рассматриваются в рамках исследования. Кроме того, разрушение факторов, влияющих на расширение рынка, было рассмотрено в обзоре движущих сил и ограничений.

                                                                                      По типу
                                                                                      Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT)
                                                                                      Биполярный переходной транзистор (BJT)
                                                                                      Полевые транзисторы (FET)
                                                                                      Многоэмиттерный транзистор (МЕТ)
                                                                                      Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор с двойным затвором
                                                                                      По отраслям конечных пользователей
                                                                                      Аэрокосмическая и оборонная промышленность
                                                                                      Промышленный
                                                                                      Телекоммуникации
                                                                                      Бытовая электроника
                                                                                      По географии
                                                                                      Северная Америка
                                                                                      Европа
                                                                                      Азиатско-Тихоокеанский регион
                                                                                      Латинская Америка
                                                                                      Ближний Восток и Африка

                                                                                      Часто задаваемые вопросы по исследованию рынка транзисторов нового поколения

                                                                                      Прогнозируется, что среднегодовой темп роста рынка транзисторов следующего поколения составит 4% в течение прогнозируемого периода (2024-2029 гг.).

                                                                                      NXP Semiconductors N.V., Infineon Technologies AG, STMicroelectronics N.V., Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.), Texas Instruments Incorporated – основные компании, работающие на рынке Транзисторы следующего поколения.

                                                                                      По оценкам, Азиатско-Тихоокеанский регион будет расти с самым высоким среднегодовым темпом роста за прогнозируемый период (2024-2029 гг.).

                                                                                      В 2024 году на Северную Америку будет приходиться наибольшая доля рынка транзисторов следующего поколения.

                                                                                      В отчете рассматривается исторический размер рынка Транзисторы следующего поколения за годы 2019, 2020, 2021, 2022 и 2023 годы. В отчете также прогнозируется размер рынка Транзисторы следующего поколения на годы 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 и 2029 годы..

                                                                                      Отчет об отрасли транзисторов нового поколения

                                                                                      Статистические данные о доле, размере и темпах роста доходов на рынке Транзисторы следующего поколения в 2024 году, предоставленные Mordor Intelligence™ Industry Reports. Анализ транзисторов следующего поколения включает прогноз рынка до 2029 года и исторический обзор. Получите образец этого отраслевого анализа в виде бесплатного отчета в формате PDF, который можно загрузить.

                                                                                      close-icon
                                                                                      80% наших клиентов ищут индивидуальные отчеты. Как вы хотите, чтобы мы настроили ваш?

                                                                                      Пожалуйста, введите действительный идентификатор электронной почты

                                                                                      Пожалуйста, введите действительное сообщение!

                                                                                      Анализ размера и доли рынка транзисторов нового поколения – тенденции роста и прогнозы (2024–2029 гг.)