| 調査期間 | 2019 - 2029 |
| 推定の基準年 | 2023 |
| 予測データ期間 | 2024 - 2029 |
| 市場規模 (2024) | 2.51 十億米ドル |
| 市場規模 (2029) | 3.14 十億米ドル |
| CAGR (2024 - 2029) | 4.60% |
| 市場集中度 | 低い |
主要プレーヤー
*免責事項:主要選手の並び順不同 |
米州パワートランジスタ市場分析
米州のパワートランジスタ市場規模は、2024年にUSD 2.40 billionと推定され、2029年にはUSD 3 billionに達し、予測期間中（2024～2029）に4.60%のCAGRで成長すると予測されている。
金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）や絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT）などのパワートランジスタは、熱の迅速な放散に役立ち、過熱を防ぎ、二酸化炭素の排出と電気料金を最小限に抑える。これらの利点により、IGBTはさまざまな電子製品に欠かせない部品となっている。世界的な人口の増加と化石燃料の使用量の増加により、電力効率の高い電子機器に対する需要が高まっている。
- BJTよりもMOSFETの需要が高まっているのは、BJTよりも大電流での熱損失が大幅に少ないからである。同様に、MOSFETは他のデバイスよりも効率が高く、パワーエレクトロニクスにおけるMOSFETの需要を牽引している。ベンダー各社は、パワーエレクトロニクスやパワーアンプなどで使用される高出力・高周波MOSFETの導入に注力している。
- 例えば、三菱電機は2022年7月、業務用無線機のパワーアンプに使用する50Wの高出力シリコン高周波MOSFETモジュールを発売した。このシリコンRFハイパワーMOSFET（RA50H7687M1）は、700MHzの周波数帯に適した業務用無線機向けに、高い総合効率と比類のない出力を実現している。これにより、無線機の通信距離の拡大と消費電力の低減が見込まれます。
- さらに、従来の電力増幅器では電力損失が生じるため、入力または出力インピーダンス整合回路を内蔵し、出力電力性能が検証された無線周波数（RF）ハイパワーMOSFETモジュールの需要が生じている。三菱電機などの主要ベンダーは、新型MOSFETを搭載した900MHzモジュールを来年中に発売し、周波数帯域を拡大する計画だ。同社によると、763MHzから870MHz帯で50Wの出力を持ち、総合効率40％のモデルは、消費電力の削減と無線通信範囲の拡大に貢献すると予測されている。
- さらに、研究対象地域における電気自動車（EV）市場の加速に伴い、多くの自動車メーカーは現在、800V駆動システムを採用し、軽量化とコスト削減を図りながら、効率を高め、高速充電を実現し、航続距離を伸ばしている。SiCMOSFETのようなワイドバンドギャップ・デバイスは、自動車メーカーがEVパワートレインやそのような要素が重要なその他のアプリケーション向けに最先端のパワーデバイスを進化させるのに役立っている。
- 例えば、STマイクロエレクトロニクスは2022年12月、電気自動車の性能と走行距離を向上させるために設計された新しい炭化ケイ素（SiC）ハイパワー・モジュールを発表した。5つの新しいSiC-MOSFETベースのパワーモジュールは、KIA EV6といくつかのモデルで共有されるE-GMP電気自動車プラットフォームで使用されるために現代自動車によって選択された。
- さらに2022年9月、SemiQは第2世代炭化ケイ素パワースイッチである1200V 40mΩ SiC MOSFETの発売を発表し、SiCパワーデバイスのポートフォリオを拡大した。SiC MOSFETは、電気自動車や電源装置などの高性能アプリケーションに高効率をもたらし、過酷な環境でも確実に動作するよう特別に設計・テストされています。
米州パワートランジスタ市場動向
自動車が大きな市場シェアを占めると予想される
- 近年、自動車業界はパワーエレクトロニクス・システムに厳しい信頼性制約を課しており、コスト効率の高いソリューションに重点を置いています。ハイブリッド車（HEV）や電気自動車（EV）では、一般的な車両電気・電子システムに関連するもの以外にも、高電圧・大電流が要求されるため、電力変換に技術的な課題があります。これに伴い、絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ（IGBT）は、その高い内部電界と接合部の大きな温度変化の影響を受けやすいことから、（H）EVパワートレインの信頼性を確保する上で重要な役割を担っています。
- IGBTモジュールは、電気を別の形に変換するために必要であり、電気自動車を含め、人々が日常的に使用する多くのアイテムでエネルギーを便利かつ安全に使用できるようにします。IGBTパワーモジュールは、電気自動車の電動化ドライブトレインの「心臓部とみなされている。
- さらに、各地域でのEV市場の成長に伴い、多くのベンダーが研究開発費を増加させ、トラクション・ドライブおよび制御アプリケーション用の高度なソリューションを開発、統合、製造することで、H/EV市場のサポートに注力している。高スイッチング周波数と短絡定格の製品は、効率的で耐久性のある自動車設計をサポートするために、企業によって継続的に開発されている。
- 例えば、富士電機は、その広範な研究開発能力を駆使して、電気自動車やハイブリッド車のパワートレイン用の薄型直接液冷IGBTモジュールを開発した。このIGBTには電流・温度検出端子があり、短絡や過熱時に信頼性の高い保護が可能である。
- さらに、ルネサス エレクトロニクスは、EVの中核となるパワーエレクトロニクスを改善するため、2022年8月に新世代の小型高電圧IGBTを発表した。これらのデバイスの定格電流は最大300A、耐電圧は最大1,200Vである。自動車メーカーは、同社のAE5シリーズのIGBTでエネルギーを節約することで、バッテリーの電力を節約し、EVの航続距離を伸ばすことができるようになる。
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北米が大きな市場シェアを占めると予想される
- 同地域におけるコンシューマー・エレクトロニクス産業の隆盛は、市場の成長を促進する主な要因のひとつである。例えば、コンシューマー・テクノロジー協会（CTA）によると、米国のテクノロジー小売売上高は2023年に4,850億米ドルに達すると予想されている。2021年に記録的な5,120億米ドルに比べれば若干減少するものの、パンデミック前の水準を上回ると予想されている。
- 自動車研究センターによると、米国の自動車産業は経済成長の重要な要素であり、歴史的に国内総生産（GDP）全体に3～3.5％貢献してきた。また、同産業はこの地域の半導体部品総需要のかなりの部分を占めている。
- さらに、Edison Electric Institute（EEI）が2022年に発表した報告書「Electric Vehicle Sales and the Charging Infrastructure Required Through 2030によると、米国の道路を走るEVの数は、2018年の報告書で予測された1,870万台から、2030年には2,640万台に達すると予測されている。MOSFETとIGBTの両方を含むパワートランジスタは、電動化されたドライブトレインや充電システムを含むEVで広く使用されている。
- 近年、国内では電気自動車の利用を促進するために多くの規制が実施されている。例えば、ニューヨーク州議会は最近、2035年までに州内で販売されるすべての新型乗用車を電気で走行させることを実質的に義務付ける法案を可決した。さらに米国は、2030年までに国内で販売される自動車の半分を電気自動車にするという目標を掲げている。
- さらに、カナダにおける再生可能エネルギー分野の急成長も、市場の成長を支えるものと期待されている。カナダ再生可能エネルギー協会（CanREA）によると、カナダの風力・太陽光エネルギー部門は2022年に大きく成長した。同協会によると、太陽光発電の成長は著しく、2022年だけでカナダの全設備容量の4分の1以上が追加される。
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米州パワートランジスタ産業概要
米州のパワートランジスタ市場は断片化されており、複数の多国籍企業の参入により予測期間中に競争が激化すると予想される。各ベンダーは、地域の要件を満たすためにカスタマイズされたソリューション・ポートフォリオの開発に注力している。市場に参入している主要企業には、Champion Microelectronics Corporation、Fairchild Semiconductor International Inc.、Infineon Technologies AG、Renesas Electronics Corporation、NXP Semiconductors N.V.、Texas Instruments Inc.、STMicroelectronics N.V.、Linear Integrated Systems Inc.、三菱電機などがある。
- 2023年2月 - Microchip Technology Inc.は、コロラド州コロラドスプリングスの製造施設で炭化ケイ素（SiC）とシリコン（Si）の生産能力を増強するため、今後数年間で8億8,000万米ドルを投資する計画を発表しました。このような投資により、SiC MOSFETの品揃えを強化する能力が向上すると期待される。
- 2022年3月 - Microchip Technology Inc.は、業界最小のオン抵抗[RDS(on)]3.3kV SiC MOSFETと市場で入手可能な最高定格電流のSiC SBDの発売により、SiCポートフォリオを拡大すると発表しました。Microchip社のSiCポートフォリオの拡充により、設計者は電動化された輸送、再生可能エネルギー、航空宇宙、産業用アプリケーション向けに、より小型、軽量、高効率のソリューションを開発するためのツールを手に入れることができます。
米州パワートランジスタ市場のリーダー
-
Champion Microelectronics Corporation
-
Fairchild Semiconductor International Inc.
-
Infineon Technologies AG
-
Renesas Electronics Corporation
-
NXP Semiconductors N.V.
- *免責事項:主要選手の並び順不同
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米州パワートランジスタ市場ニュース
- 2024年6月は、画期的な MOSFET ベースの GaN-on-SiC ファウンドリ・プロセスを発表した。この技術革新により、従来のGaN HEMT技術を凌駕する高度なトランジスタやMMICの生産が可能になる。この新プロセスの特筆すべき利点には、動作電圧とRF電力密度の両方において最大4倍の顕著な向上が含まれる。これらの強化は、HF帯からW帯までの幅広い周波数帯域で特に顕著です。
- 2024 年 5 月：Infineon Technologies AG は、高電圧（HV）および中電圧（MV）CoolGaN デバイスの 2 つの新バージョンを発表した。これらの技術革新により、ユーザーは40Vから700Vまでの幅広い電圧範囲で窒化ガリウム（GaN）を利用できるようになります。このようなユーティリティの拡大は、デジタル化への取り組みを強化するだけでなく、脱炭素化の推進にもつながります。インフィニオンのCoolGaNラインアップに加わった高電圧および中電圧アプリケーション向けの最新製品は、この技術の利点を強調するだけでなく、8インチウェーハで製造されることにより、その俊敏性も強調している。
米州パワートランジスタ産業セグメント化
パワー・トランジスタは、信号の増幅と調整に使用される。ゲルマニウムやシリコンなどの高性能半導体材料で作られています。これらのトランジスタは、特定の電圧レベルを増幅および制御し、特定の範囲の高レベルおよび低レベルの定格電圧を扱うことができます。
この調査には、低電圧FET、IGBTモジュール、RFおよびマイクロ波トランジスタ、高電圧FET、IGBTトランジスタ、バイポーラ接合トランジスタ、電界効果トランジスタ、ヘテロ接合バイポーラトランジスタなど、北米および中南米地域の家電、通信・技術、自動車、製造、エネルギー・電力などさまざまなエンドユーザー産業向けのさまざまな製品が含まれる。競争環境は、複数企業の市場浸透度、有機的・無機的成長戦略を考慮に入れている。
上記のすべてのセグメントについて、市場規模および予測を金額（米ドル）で掲載しています。
製品別
| 低電圧FET |
| IGBTモジュール |
| RF およびマイクロ波トランジスタ |
| 高電圧FET |
| IGBTトランジスタ |
タイプ別
| バイポーラ接合トランジスタ |
| 電界効果トランジスタ |
| ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
| その他（MOSFET、JFET、NPNトランジスタ、PNPトランジスタ、GaNトランジスタ） |
エンドユーザー業界別
| 家電 |
| コミュニケーションとテクノロジー |
| 自動車 |
| 製造業 |
| エネルギーと電力 |
| その他のエンドユーザー産業 |
地域別
| 北米 |
| ラテンアメリカ |
| 製品別 | 低電圧FET |
| IGBTモジュール | |
| RF およびマイクロ波トランジスタ | |
| 高電圧FET | |
| IGBTトランジスタ | |
| タイプ別 | バイポーラ接合トランジスタ |
| 電界効果トランジスタ | |
| ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
| その他（MOSFET、JFET、NPNトランジスタ、PNPトランジスタ、GaNトランジスタ） | |
| エンドユーザー業界別 | 家電 |
| コミュニケーションとテクノロジー | |
| 自動車 | |
| 製造業 | |
| エネルギーと電力 | |
| その他のエンドユーザー産業 | |
| 地域別 | 北米 |
| ラテンアメリカ |
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米州パワートランジスタ市場調査 よくある質問
米州パワートランジスタ市場の規模は？
米州のパワートランジスタ市場規模は2024年に24億ドルに達し、年平均成長率4.60%で2029年には30億ドルに達すると予測される。
現在の米州パワートランジスタ市場規模は？
2024年、米州のパワートランジスタ市場規模は24億ドルに達すると予測される。
米州パワートランジスタ市場の主要プレーヤーは？
Champion Microelectronics Corporation、Fairchild Semiconductor International Inc.、Infineon Technologies AG、Renesas Electronics Corporation、NXP Semiconductors N.V.が、米州パワートランジスタ市場で事業を展開している主要企業である。
米州パワートランジスタ市場は何年をカバーし、2023年の市場規模は？
2023年の南北アメリカのパワートランジスタ市場規模は22億9000万米ドルと推定されます。この調査レポートは、南北アメリカのパワートランジスタ市場の過去市場規模を調査し、2019年、2020年、2021年、2022年、2023年の市場規模を掲載しています。また、2024年、2025年、2026年、2027年、2028年、2029年の米州パワートランジスタ市場規模を予測しています。
最終更新日:
米州パワートランジスタ産業レポート
Mordor Intelligence™の産業レポートが作成した2024年の南北アメリカのパワートランジスタ市場のシェア、規模、収益成長率に関する統計です。Americas Power Transistorの分析には、2024年から2029年までの市場予測展望と過去の概観が含まれます。この産業分析のサンプルを無料レポートPDFダウンロードで入手できます。
