日本のパワートランジスタ市場規模とシェア

日本のパワートランジスタ市場概要
画像 © Mordor Intelligence。再利用にはCC BY 4.0の表示が必要です。

Mordor Intelligenceによる日本のパワートランジスタ市場分析

日本のパワートランジスタ市場規模は2025年に30億1,900万米ドルと推定され、予測期間(2025年~2030年)にCAGR 3.5%で成長し、2030年までに37億9,000万米ドルに達すると予測されています。

日本では、自動車産業が国内半導体総需要の相当なシェアを占めており、ドイツ自動車工業会(VDA)によると、2022年に世界第5位の自動車市場として台頭しました。自動車産業における化石燃料車からハイブリッド車および電気自動車への移行が、パワーデバイスの需要を牽引しています。

  • この協業に基づき、USJCのウェーハファブにIGBTラインが設置される予定であり、これは日本で初めて300mmウェーハ上でIGBTを生産するものとなります。DENSOはシステム指向のIGBTデバイスおよびプロセス技術を提供します。
  • 同時に、USJCは300mmウェーハ製造能力を提供し、300mm IGBTプロセスの量産化を実現します。量産開始は2023年上半期を予定しています。IGBTはパワーカードのコアデバイスとして認識されており、インバーター内で効率的なパワースイッチとして機能し、直流・交流電流を変換して電気自動車モーターを駆動・制御します。
  • さらに、2022年2月、東芝デバイス&ストレージ株式会社は、主要な個別半導体生産拠点である石川県の加賀東芝エレクトロニクス株式会社において、トランジスタを含むパワー半導体向けの新たな300mmウェーハ製造施設を建設すると発表しました。建設は2フェーズで実施される予定であり、フェーズ1の生産開始は2024年に予定されています。フェーズ1が総生産能力に達した時点で、東芝のパワー半導体生産能力は2021年度比で2.5倍になる見込みです。
  • また、2022年1月、東芝デバイス&ストレージ株式会社は、2種類の炭化ケイ素(SiC)MOSFETデュアルモジュールを発売しました。「MG600Q2YMS3」は電圧定格1200V・ドレイン電流定格600A、「MG400V2YMS3」は電圧定格1700V・ドレイン電流定格400Aです。これらの電圧定格を持つ東芝初の製品として、既発売のMG800FXF2YMS3とともに1200V、1700V、3300Vのデバイスラインアップに加わりました。

競合環境

日本のパワートランジスタ市場は断片化されており、複数の多国籍企業(MNC)の参入により、予測期間中に競争が激化すると予測されています。ベンダーは地域の要件を満たすカスタマイズされたソリューションポートフォリオの開発に注力しています。市場で事業を展開する主要プレーヤーには、Champion Microelectronics Corporation、Fairchild Semiconductor International Inc.、Infineon Technologies AG、Renesas Electronics Corporation、NXP Semiconductors N.V.、Texas Instruments Inc.、STMicroelectronics N.V.、Linear Integrated Systems Inc.、Mitsubishi Electric Corporationなどが含まれます。

2023年1月、東芝デバイス&ストレージ株式会社は、新型L-TOGL(大型トランジスタアウトライン ガルウィングリード)パッケージを採用し、低オン抵抗で高いドレイン電流定格を特徴とする車載用40V Nチャネルパワーモスフェット「XPQR3004PB」および「XPQ1R004PB」を発売しました。

2022年6月、Mitsubishi Electric Corporationは、大規模太陽光発電設備向けの新型IGBTモジュールを発表しました。同社によると、このデバイスは系統連系型太陽光発電設備において必要なインバーター数を削減しながら、高電圧動作と低電力損失を同時に実現するとしています。

日本のパワートランジスタ産業リーダー

  1. Champion Microelectronics Corporation

  2. Fairchild Semiconductor International Inc.

  3. Infineon Technologies AG

  4. Renesas Electronics Corporation

  5. NXP Semiconductors N.V.

  6. *免責事項:主要選手の並び順不同
日本のパワートランジスタ市場の集中度
画像 © Mordor Intelligence。再利用にはCC BY 4.0の表示が必要です。
市場プレーヤーと競合他社の詳細が必要ですか?
PDFをダウンロード

最近の業界動向

  • 2024年4月:日本の富士電機は、フリーホイールダイオード(FWD)機能を備えたダイオードを搭載した最新の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)プラットフォームに基づく次世代コアシリーズの新型大電力モジュールを発売しました。6月に発売予定の新型HPnC Xシリーズ1700V・3,300Vクラスモジュールは、直流1700Vから3.3kVの大型電力変換装置向けに設計されています。
  • 2024年2月:Mitsubishi Electric Corporationは最新製品として、6.5Wシリコン無線周波数(RF)高出力金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を発表しました。業務用携帯型双方向無線機(トランシーバー)のRF高出力アンプ向けに設計されたこのコンポーネントは、2月28日よりサンプル出荷が開始される予定です。このMOSFETは、単セルリチウムイオン電池の3.6Vで動作しながら6.5Wの出力電力を実現します。この開発は、業務用無線機器の通信距離の延長と消費電力の削減を目的としています。

日本のパワートランジスタ産業レポートの目次

1. はじめに

  • 1.1 調査の前提条件と市場定義
  • 1.2 調査範囲

2. 調査方法

3. エグゼクティブサマリー

4. 市場インサイト

  • 4.1 市場概要
  • 4.2 業界の魅力度 - ポーターのファイブフォース分析
    • 4.2.1 新規参入の脅威
    • 4.2.2 買い手の交渉力
    • 4.2.3 売り手の交渉力
    • 4.2.4 代替製品の脅威
    • 4.2.5 競合の激しさ
  • 4.3 新型コロナウイルス感染症(COVID-19)の市場への影響評価

5. 市場ダイナミクス

  • 5.1 市場促進要因
    • 5.1.1 コネクテッドデバイスの需要増加
    • 5.1.2 化石燃料使用量の急増による省電力電子デバイスへの需要拡大
  • 5.2 市場抑制要因
    • 5.2.1 温度・周波数・逆阻止容量などの制約による動作上の制限

6. 市場セグメンテーション

  • 6.1 製品別
    • 6.1.1 低電圧FET
    • 6.1.2 IGBTモジュール
    • 6.1.3 RFおよびマイクロ波トランジスタ
    • 6.1.4 高電圧FET
    • 6.1.5 IGBTトランジスタ
  • 6.2 タイプ別
    • 6.2.1 バイポーラ接合トランジスタ
    • 6.2.2 電界効果トランジスタ
    • 6.2.3 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
    • 6.2.4 その他(MOSFET、JFET、NPNトランジスタ、PNPトランジスタ、GaNトランジスタ)
  • 6.3 エンドユーザー産業別
    • 6.3.1 コンシューマーエレクトロニクス
    • 6.3.2 通信・テクノロジー
    • 6.3.3 自動車
    • 6.3.4 製造業
    • 6.3.5 エネルギー・電力
    • 6.3.6 その他のエンドユーザー産業

7. 競合環境

  • 7.1 企業プロファイル
    • 7.1.1 Champion Microelectronics Corporation
    • 7.1.2 Fairchild Semiconductor International Inc.
    • 7.1.3 Infineon Technologies AG
    • 7.1.4 Renesas Electronics Corporation
    • 7.1.5 NXP Semiconductors N.V.
    • 7.1.6 Texas Instruments Inc.
    • 7.1.7 STMicroelectronics N.V.
    • 7.1.8 Linear Integrated Systems Inc.
    • 7.1.9 Mitsubishi Electric Corporation
    • 7.1.10 Toshiba Corporation
    • 7.1.11 Vishay Intertechnology Inc.
    • 7.1.12 Analog Devices Inc.
    • 7.1.13 Broadcom Inc.

8. 投資分析

9. 市場の将来展望

このレポートの一部を購入できます。特定のセクションの価格を確認してください
今すぐ価格分割を取得

日本のパワートランジスタ市場レポートの調査範囲

パワートランジスタは信号の増幅および調整に使用されます。ゲルマニウムやシリコンなどの高性能半導体材料から製造されており、特定の電圧レベルを増幅・制御し、高レベルおよび低レベルの電圧定格の特定範囲を処理することができます。

本調査には、低電圧FET、IGBTモジュール、RFおよびマイクロ波トランジスタ、高電圧FET、IGBTトランジスタなどの各種製品、ならびにバイポーラ接合トランジスタ、電界効果トランジスタ、ヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの各種タイプが含まれており、コンシューマーエレクトロニクス、通信・テクノロジー、自動車、製造業、エネルギー・電力などのさまざまなエンドユーザー産業を対象としています。競合環境では、複数企業の市場浸透度、ならびにオーガニックおよびインオーガニックな成長戦略を考慮しています。

上記のすべてのセグメントについて、市場規模および予測が金額ベース(米ドル)で提供されています。

製品別
低電圧FET
IGBTモジュール
RFおよびマイクロ波トランジスタ
高電圧FET
IGBTトランジスタ
タイプ別
バイポーラ接合トランジスタ
電界効果トランジスタ
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
その他(MOSFET、JFET、NPNトランジスタ、PNPトランジスタ、GaNトランジスタ)
エンドユーザー産業別
コンシューマーエレクトロニクス
通信・テクノロジー
自動車
製造業
エネルギー・電力
その他のエンドユーザー産業
製品別低電圧FET
IGBTモジュール
RFおよびマイクロ波トランジスタ
高電圧FET
IGBTトランジスタ
タイプ別バイポーラ接合トランジスタ
電界効果トランジスタ
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
その他(MOSFET、JFET、NPNトランジスタ、PNPトランジスタ、GaNトランジスタ)
エンドユーザー産業別コンシューマーエレクトロニクス
通信・テクノロジー
自動車
製造業
エネルギー・電力
その他のエンドユーザー産業
別の地域やセグメントが必要ですか?
今すぐカスタマイズ

レポートで回答されている主要な質問

日本のパワートランジスタ市場の規模はどのくらいですか?

日本のパワートランジスタ市場規模は2025年に30億1,900万米ドルに達し、CAGR 3.5%で成長して2030年までに37億9,000万米ドルに達すると予測されています。

日本のパワートランジスタ市場の現在の規模はどのくらいですか?

2025年、日本のパワートランジスタ市場規模は30億1,900万米ドルに達すると予測されています。

日本のパワートランジスタ市場の主要プレーヤーは誰ですか?

Champion Microelectronics Corporation、Fairchild Semiconductor International Inc.、Infineon Technologies AG、Renesas Electronics Corporation、NXP Semiconductors N.V.が日本のパワートランジスタ市場で事業を展開する主要企業です。

本レポートが対象とする日本のパワートランジスタ市場の期間と2024年の市場規模はどのくらいですか?

2024年の日本のパワートランジスタ市場規模は30億8,000万米ドルと推定されました。本レポートは、2019年、2020年、2021年、2022年、2023年、2024年の日本のパワートランジスタ市場の過去の市場規模を対象としています。また、2025年、2026年、2027年、2028年、2029年、2030年の日本のパワートランジスタ市場規模の予測も提供しています。

最終更新日:

日本のパワートランジスタ産業レポート

Mordor Intelligence™産業レポートが作成した2025年の日本のパワートランジスタ市場シェア、規模、収益成長率の統計データ。日本のパワートランジスタ分析には、2025年から2030年までの市場予測見通しと過去の概要が含まれています。この産業分析のサンプルを無料レポートPDFダウンロードとして入手できます。

日本のパワートランジスタ レポートスナップショット