Tamaño del mercado de transistores de potencia de América

Resumen del mercado de transistores de potencia de las Américas
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Análisis del mercado de transistores de potencia de América

El mercado de transistores de potencia de América se valoró en USD 2,198.9 millones durante el año en curso y se prevé que alcance los USD 2,880.1 millones al final del período de pronóstico, registrando una CAGR de 4.60% durante el período de pronóstico.

  • El COVID-19 tuvo un impacto significativo en el mercado en la fase inicial. La falta de disponibilidad de la mano de obra afectó la capacidad de producción de transistores de potencia y el crecimiento del mercado. Debido al confinamiento forzoso, los fabricantes de automóviles de todo el mundo redujeron los pedidos a medida que disminuían las ventas de vehículos. Sin embargo, en 2021 se normalizaron muchas restricciones en la región y la demanda de transistores de potencia volvió a la normalidad. En los próximos años, se espera que el mercado vuelva a crecer, con las tendencias crecientes de digitalización provocadas por la pandemia.
  • Los transistores de potencia, como los transistores de efecto de campo (MOSFET) de semiconductores de óxido metálico y los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT), ayudan a disipar rápidamente el calor, evitan el sobrecalentamiento y minimizan las emisiones de dióxido de carbono y el costo de la electricidad. Estas ventajas los convierten en un componente crucial de varios productos electrónicos. Debido al aumento de la población mundial y al uso de combustibles fósiles, ha habido una creciente demanda de dispositivos electrónicos de bajo consumo.
  • El aumento de la demanda de MOSFET sobre BJT se debe a que genera significativamente menos pérdida de calor a altas corrientes que BJT. Del mismo modo, tiene una mayor eficiencia que otros dispositivos, lo que impulsa la demanda de MOSFET en electrónica de potencia. Los proveedores se centran en la introducción de MOSFET de alta potencia y alta frecuencia para su uso en electrónica de potencia, amplificadores de potencia y otros.
  • Por ejemplo, en julio de 2022, Mitsubishi Electric Corporation lanzó un módulo MOSFET de radiofrecuencia de silicio de alta potencia de 50 W para su uso en amplificadores de potencia de radios comerciales. El MOSFET de alta potencia (RA50H7687M1) de RF de silicio logra una alta eficiencia total y una potencia de salida inigualable para radios comerciales que se adaptan bien a la banda de frecuencia de 700 MHz. Se prevé que esto aumente el alcance de la comunicación y reduzca el consumo de energía de las radios.
  • Además, la pérdida de potencia en los amplificadores de potencia convencionales crea una demanda de módulos MOSFET de alta potencia de radiofrecuencia (RF) que ofrecen un circuito de adaptación de impedancia de entrada o salida incorporado y un rendimiento de potencia de salida verificado. Los principales proveedores, como Mitsubishi Electric, planean ampliar el rango de frecuencias mediante el lanzamiento de un módulo de 900 MHz equipado con el nuevo MOSFET el próximo año. Según la compañía, se proyecta que el modelo con una potencia de salida de 50 W en la banda de 763 MHz a 870 MHz y una eficiencia total del 40% ayude a reducir el consumo de energía y aumentar el alcance de la comunicación por radio.
  • Además, con la aceleración del mercado de vehículos eléctricos (EV) en las regiones estudiadas, muchos fabricantes de automóviles ahora están adoptando sistemas de transmisión de 800 V para aumentar la eficiencia, lograr una carga más rápida y ampliar la autonomía de dichos vehículos, al tiempo que reducen el peso y el costo. Los dispositivos de banda prohibida amplia, como los SiCMOSFET, están ayudando a los fabricantes de automóviles a avanzar en dispositivos de potencia de última generación para trenes motrices de vehículos eléctricos y otras aplicaciones en las que estos factores son importantes.
  • Por ejemplo, en diciembre de 2022, STMicroelectronics lanzó nuevos módulos de alta potencia de carburo de silicio (SiC) diseñados para aumentar el rendimiento y la autonomía de los vehículos eléctricos. Los cinco nuevos módulos de potencia basados en SiC-MOSFET fueron elegidos por Hyundai para ser utilizados en la plataforma de vehículos eléctricos E-GMP compartida por KIA EV6 y varios modelos.
  • Además, en septiembre de 2022, SemiQ anunció el lanzamiento de su interruptor de potencia de carburo de silicio de 2ª generación, un MOSFET de SiC de 1200 V y 40 mΩ, ampliando su cartera de dispositivos de potencia de SiC. Los MOSFET de SiC aportan una alta eficiencia a las aplicaciones de alto rendimiento, incluidos los vehículos eléctricos y las fuentes de alimentación, y están diseñados y probados específicamente para funcionar de forma fiable en entornos extremos.

Visión general de la industria de transistores de potencia de las Américas

El mercado de transistores de potencia de América está fragmentado y se espera que crezca en competencia durante el período de pronóstico debido a la entrada de varias multinacionales. Los proveedores se están centrando en el desarrollo de carteras de soluciones personalizadas para cumplir con los requisitos locales. Los principales actores que operan en el mercado incluyen Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors NV, Texas Instruments Inc., STMicroelectronics NV, Linear Integrated Systems Inc., Mitsubishi Electric Corporation, etc.

  • Febrero de 2023 - Microchip Technology Inc. anunció planes para invertir 880 millones de dólares en los próximos años para aumentar su capacidad de producción de carburo de silicio (SiC) y silicio (Si) en su planta de fabricación de Colorado Springs, Colorado. Se prevé que estas inversiones aumenten la capacidad de la empresa para mejorar su selección de MOSFET de SiC.
  • Marzo de 2022 - Microchip Technology Inc. anunció la expansión de su cartera de SiC con el lanzamiento de los MOSFET de SiC de 3,3 kV de resistencia de encendido [RDS(on)] más bajos de la industria y los SBD de SiC con la clasificación de corriente más alta disponibles en el mercado. Con la expansión de la cartera de SiC de Microchip, se espera que los diseñadores estén equipados con las herramientas para desarrollar soluciones más pequeñas, livianas y eficientes para aplicaciones de transporte electrificado, energía renovable, aeroespacial e industrial.

Líderes del mercado de transistores de potencia de las Américas

  1. Champion Microelectronics Corporation

  2. Fairchild Semiconductor International Inc.

  3. Infineon Technologies AG

  4. Renesas Electronics Corporation

  5. NXP Semiconductors N.V.

  6. *Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial
Concentración del mercado de transistores de potencia de las Américas
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Noticias del mercado de transistores de potencia de América

  • Junio de 2022 - GaN Systems, el proveedor mundial de semiconductores de potencia de GaN (nitruro de galio), presentó un nuevo transistor en la cartera más amplia de transistores de potencia de GaN de la industria. El GS-065-018-2-L amplía la cartera de transistores de alto rendimiento y bajo costo de la compañía, presenta una menor resistencia de encendido, mayor robustez y rendimiento térmico, y una clasificación VDS (transitoria) de 850 V.
  • Marzo de 2022 - Transphorm, Inc. y TDK-Lambda, una empresa del grupo TDK, anunciaron que están ampliando su línea de productos de PFH500F basados en CA-CC GaN. La línea de productos incluye PFH500F-12 y PFH500F-48 en las fuentes de alimentación AC-DC de 500 vatios de TDK. La serie utiliza FET (TP65H070LDG) de GaN PQFN de 72 mΩ y 8x8 de Transphorm. La alta densidad de potencia de los transistores de potencia permitió a TDK enfriar las fuentes de alimentación de GaN a través de placas base delgadas.

Table of Contents

1. INTRODUCCIÓN

  • 1.1 Supuestos de estudio y definición de mercado
  • 1.2 Alcance del estudio

2. METODOLOGÍA DE INVESTIGACIÓN

3. RESUMEN EJECUTIVO

4. PERSPECTIVAS DEL MERCADO

  • 4.1 Visión general del mercado
  • 4.2 Atractivo de la industria: análisis de las cinco fuerzas de Porters
    • 4.2.1 Amenaza de nuevos participantes
    • 4.2.2 El poder de negociación de los compradores
    • 4.2.3 El poder de negociacion de los proveedores
    • 4.2.4 Amenaza de productos sustitutos
    • 4.2.5 La intensidad de la rivalidad competitiva
  • 4.3 Evaluación del Impacto del COVID-19 en el Mercado

5. DINÁMICA DEL MERCADO

  • 5.1 Indicadores de mercado
    • 5.1.1 Aumento de la demanda de dispositivos conectados
    • 5.1.2 El creciente uso de combustibles fósiles ha aumentado la demanda de dispositivos electrónicos energéticamente eficientes
  • 5.2 Restricciones del mercado
    • 5.2.1 Limitaciones en las Operaciones debido a Restricciones como Temperatura, Frecuencia, Capacidad de Bloqueo Inverso, etc.

6. SEGMENTACIÓN DE MERCADO

  • 6.1 Por producto
    • 6.1.1 FET de bajo voltaje
    • 6.1.2 Módulos IGBT
    • 6.1.3 Transistores de RF y microondas
    • 6.1.4 FET de alto voltaje
    • 6.1.5 Transistores IGBT
  • 6.2 Por tipo
    • 6.2.1 Transistor de unión bipolar
    • 6.2.2 Transistor de efecto de campo
    • 6.2.3 Transistor bipolar de heterounión
    • 6.2.4 Otros (MOSFET, JFET, Transistor NPN, Transistor PNP, Transistor GaN)
  • 6.3 Por industria de usuario final
    • 6.3.1 Electrónica de consumo
    • 6.3.2 Comunicación y Tecnología
    • 6.3.3 Automotor
    • 6.3.4 Fabricación
    • 6.3.5 Potencia energética
    • 6.3.6 Otras industrias de usuarios finales
  • 6.4 Por región
    • 6.4.1 América del norte
    • 6.4.2 América Latina

7. PANORAMA COMPETITIVO

  • 7.1 Perfiles de empresa
    • 7.1.1 Champion Microelectronics Corporation
    • 7.1.2 Fairchild Semiconductor International Inc.
    • 7.1.3 Infineon Technologies AG
    • 7.1.4 Renesas Electronics Corporation
    • 7.1.5 NXP Semiconductors N.V.
    • 7.1.6 Texas Instruments Inc.
    • 7.1.7 STMicroelectronics N.V.
    • 7.1.8 Linear Integrated Systems Inc.
    • 7.1.9 Mitsubishi Electric Corporation
    • 7.1.10 Toshiba Corporation
    • 7.1.11 Vishay Intertechnology Inc.
    • 7.1.12 Analog Devices Inc.
    • 7.1.13 Broadcom Inc.

8. ANÁLISIS DE INVERSIONES

9. FUTURO DEL MERCADO

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Segmentación de la industria de transistores de potencia de América

Los transistores de potencia se utilizan para amplificar y regular las señales. Están hechos de materiales semiconductores de alto rendimiento como el germanio y el silicio. Estos transistores pueden amplificar y controlar un nivel de voltaje particular y manejar rangos específicos de clasificaciones de voltaje de alto y bajo nivel.

El estudio incluye diferentes productos FET de bajo voltaje, módulos IGBT, transistores de RF y microondas, FET de alto voltaje, transistores IGBT y diferentes tipos, como transistores de unión bipolar, transistores de efecto de campo, transistores bipolares de heterounión para diversas industrias de usuarios finales como electrónica de consumo, comunicación y tecnología, automotriz, manufactura y energía y energía en la región de América del Norte y América Latina. El panorama competitivo tiene en cuenta la penetración en el mercado de múltiples empresas, así como sus estrategias de crecimiento orgánico e inorgánico. El estudio también considera el impacto en el mercado de la pandemia de COVID-19.

Para todos los segmentos anteriores, los tamaños de mercado y las previsiones se proporcionan en términos de valor (millones de USD).

Por producto
FET de bajo voltaje
Módulos IGBT
Transistores de RF y microondas
FET de alto voltaje
Transistores IGBT
Por tipo
Transistor de unión bipolar
Transistor de efecto de campo
Transistor bipolar de heterounión
Otros (MOSFET, JFET, Transistor NPN, Transistor PNP, Transistor GaN)
Por industria de usuario final
Electrónica de consumo
Comunicación y Tecnología
Automotor
Fabricación
Potencia energética
Otras industrias de usuarios finales
Por región
América del norte
América Latina
Por producto FET de bajo voltaje
Módulos IGBT
Transistores de RF y microondas
FET de alto voltaje
Transistores IGBT
Por tipo Transistor de unión bipolar
Transistor de efecto de campo
Transistor bipolar de heterounión
Otros (MOSFET, JFET, Transistor NPN, Transistor PNP, Transistor GaN)
Por industria de usuario final Electrónica de consumo
Comunicación y Tecnología
Automotor
Fabricación
Potencia energética
Otras industrias de usuarios finales
Por región América del norte
América Latina
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Preguntas Frecuentes

¿Cuál es el tamaño actual del mercado de transistores de potencia de América?

Se proyecta que el mercado de transistores de potencia de las Américas registre una CAGR del 4,60 % durante el período de pronóstico (2024-2029)

¿Quiénes son los actores clave en el mercado de transistores de potencia de América?

Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V. son las principales empresas que operan en el mercado de transistores de potencia de América.

¿Qué años cubre este mercado de transistores de potencia de América?

El informe cubre el tamaño histórico del mercado de transistores de potencia de América durante años 2019, 2020, 2021, 2022 y 2023. El informe también pronostica el tamaño del mercado de transistores de potencia de América para los años 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 y 2029.

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Estadísticas de la cuota de mercado, el tamaño y la tasa de crecimiento de los ingresos de los transistores de potencia de las Américas en 2024, creadas por Mordor Intelligence™ Industry Reports. El análisis de Transistor de potencia de América incluye una perspectiva de pronóstico del mercado para 2024 a 2029) y una descripción histórica. Obtener una muestra de este análisis de la industria como un informe gratuito para descargar en PDF.

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