| Período de Estudio | 2019 - 2029 |
| Año Base Para Estimación | 2023 |
| Período de Datos Pronosticados | 2024 - 2029 |
| Período de Datos Históricos | 2019 - 2022 |
| CAGR | 3.50% |
| Concentración del Mercado | Bajo |
Jugadores principales
*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial |
Análisis del mercado de transistores de potencia de Japón
El mercado japonés de transistores de potencia se valoró en USD 2,986.3 millones durante el año en curso y se prevé que alcance los USD 3670.9 millones al final del período de pronóstico, registrando una CAGR del 3.50% durante el período de pronóstico.
- Debido a la pandemia, la industria automotriz experimentó una severa caída de la demanda, lo que llevó a un crecimiento negativo en 2020 y 2021. Al inicio de la pandemia, muchos fabricantes de automóviles establecieron objetivos agresivos de reducción de costos. Anunciaron recortes en el gasto de capital para seguir siendo rentables en medio de una baja producción y un panorama incierto de la demanda.
- Por ejemplo, Toyota anunció planes para reducir la producción mundial en septiembre de 2021 en un 40% en comparación con los planes anteriores, ya que el COVID-19 restringió el suministro de semiconductores. La compañía anunció suspensiones de operaciones en varias plantas japonesas en ese mes debido a la escasez de piezas resultante de la propagación de COVID-19 en el sudeste asiático.
- En Japón, la industria automotriz representa una parte significativa de la demanda total de semiconductores en el país, habiéndose convertido en el 5º mercado automotriz más grande en 2022, según la Asociación Alemana de la Industria Automotriz o VDA. La migración de la industria automotriz de los vehículos de combustibles fósiles a los vehículos híbridos y eléctricos impulsa la demanda de dispositivos de potencia.
- Según la colaboración, se instalaría una línea de IGBT en la fábrica de obleas de USJC, que sería la primera en Japón en producir IGBT en obleas de 300 mm. DENSO contribuiría con sus tecnologías de proceso y dispositivos IGBT orientados al sistema.
- Al mismo tiempo, USJC proporcionará sus capacidades de fabricación de obleas de 300 mm para llevar el proceso IGBT de 300 mm a la producción en masa, programada para comenzar en la primera mitad de 2023. Los IGBT se perciben como dispositivos centrales en las tarjetas de alimentación, que sirven como interruptores de potencia eficientes en los inversores para convertir las corrientes de CC y CA en motores de vehículos eléctricos.
- Además, en febrero de 2022, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation anunció que construiría una nueva instalación de fabricación de obleas de 300 milímetros para semiconductores de potencia, incluidos transistores, en Kaga Toshiba Electronics Corporation en la prefectura de Ishikawa, su principal base de producción de semiconductores discretos. Se espera que la construcción se lleve a cabo en dos fases, con el inicio de la producción de la Fase 1 programado para 2024. Cuando la Fase 1 alcance su capacidad total, la capacidad de producción de semiconductores de potencia de Toshiba será 2,5 veces mayor que la del año fiscal 2021.
- Además, en enero de 2022, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation lanzó dos módulos duales MOSFET de carburo de silicio (SiC) 'MG600Q2YMS3', con una tensión nominal de 1200 V y una corriente nominal de drenaje de 600 A y 'MG400V2YMS3', con una tensión nominal de 1700 V y una corriente nominal de drenaje de 400 A. Los primeros productos de Toshiba con estas clasificaciones de voltaje se unieron a los MG800FXF2YMS3 lanzados anteriormente en una línea de dispositivos de 1200 V, 1700 V y 3300 V.
Tendencias del mercado de transistores de potencia de Japón
Se espera que la electrónica de consumo tenga una cuota de mercado significativa
- Los transistores de potencia tienen como objetivo principal cambiar las corrientes eléctricas rápidamente incurriendo en la menor cantidad de pérdidas de conmutación. Los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) se encuentran en diversas aplicaciones de electrónica de consumo. Para aplicaciones grandes como aires acondicionados, refrigeradores, lavadoras, hornos microondas, estufas de inducción y lavavajillas, los circuitos basados en IGBT son apropiados.
- Debido al creciente uso de inversores en aires acondicionados y la necesidad de reducir el consumo de energía en fuentes de alimentación a gran escala para equipos domésticos, existe una creciente demanda de dispositivos de conmutación altamente eficientes en electrodomésticos de consumo que consumen una cantidad significativa de electricidad. La necesidad de IGBT está aumentando debido a la mayor demanda de dispositivos de conmutación de baja pérdida y frecuencias de conmutación más altas en los circuitos PFC.
- Por ejemplo, en marzo de 2023, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation presentó el GT30J65MRB, un transistor bipolar (IGBT) de puerta aislada discreta de 650 V para circuitos de corrección del factor de potencia (PFC) en acondicionadores de aire y amplias fuentes de alimentación para equipos industriales. El GT30J65MRB de Toshiba es el primer IGBT de la compañía para PFC destinado a su uso por debajo de 60 kHz. Esto se logró reduciendo la pérdida de conmutación (pérdida de conmutación de apagado) para garantizar un funcionamiento de mayor frecuencia.
- Además, los hogares utilizan con frecuencia lavadoras automáticas eléctricas para limpiar la ropa del hogar. La potencia suministrada por el transistor de potencia se puede utilizar para controlar la velocidad del motor y la dirección de rotación en las lavadoras. La cantidad de agua y el par motor se pueden ajustar para adaptarse a la carga de lavado gracias al control del inversor con transistores de potencia, lo que reduce el ruido y la vibración del lavado/centrifugado.
- Además, la mayoría de los consumidores de hoy en día buscan características avanzadas que satisfagan sus necesidades de salud e higiene y, al mismo tiempo, sean energéticamente eficientes. Debido a un aumento de la demanda provocado por la reciente ola de calor que afectó a muchas zonas del mundo y a la demanda reprimida de los dos veranos anteriores, que se vio afectada por los cierres inducidos por la COVID-19, los fabricantes de aires acondicionados y frigoríficos aumentaron la producción a su capacidad total. Se espera que el aumento en las ventas de aire acondicionado y refrigeradores impulse la demanda de transistores de potencia.
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Se espera que el sector automotriz impulse el mercado
- La industria automotriz representa una parte significativa de la demanda total de semiconductores en el país. La migración de la industria automotriz de los vehículos de combustibles fósiles a los vehículos híbridos y eléctricos impulsa una fuerte demanda de transistores de potencia. Los principales fabricantes de transistores de potencia compiten para desarrollar dispositivos de mayor rendimiento en nuevos materiales como SiC y GaN.
- En abril de 2022, DENSO Corporation, un proveedor de movilidad, y United Semiconductor Japan Co., Ltd., una subsidiaria de la fundición global de semiconductores United Microelectronics Corporation, anunciaron que las empresas acordaron colaborar en la producción de semiconductores de potencia en la fábrica de 300 mm de USJC para satisfacer la creciente demanda en el mercado automotriz.
- Las actividades de investigación y desarrollo también continúan aumentando en la región, lo que ayudará a fomentar la innovación de productos. Por ejemplo, en julio de 2022, Estados Unidos y Japón decidieron recientemente poner en marcha un nuevo centro internacional conjunto de investigación de semiconductores. Acordaron trabajar en la investigación colaborativa de semiconductores de próxima generación, que impulsará el mercado estudiado en el país.
- En diciembre de 2022, Nidec-Read Corporation anunció que había lanzado NATS-1000, equipo de inspección de semiconductores en línea totalmente automático, para probar las funciones de los módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) / SiC (carburo de silicio) automotrices.
- Además, en septiembre de 2022, onsemi, un proveedor de tecnologías inteligentes de energía y detección, anunció un trío de módulos de transistores de potencia basados en carburo de silicio (SiC) en tecnología moldeada por transferencia que está destinado a su uso en la carga a bordo y la conversión DCDC de alto voltaje (HV) dentro de todo tipo de vehículos eléctricos (xEV). La serie APM32 es la primera de su tipo que adopta la tecnología SiC en un paquete moldeado por transferencia para mejorar la eficiencia y acortar el tiempo de carga de los xEV y está diseñada específicamente para cargadores a bordo (OBC) de alta potencia de 11-22 kW.
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Descripción general de la industria de transistores de potencia de Japón
El mercado de transistores de potencia de Japón está fragmentado y se espera que crezca en competencia durante el período de pronóstico debido a la entrada de varias multinacionales. Los proveedores se están centrando en el desarrollo de carteras de soluciones personalizadas para cumplir con los requisitos locales. Los principales actores que operan en el mercado incluyen Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors NV, Texas Instruments Inc., STMicroelectronics NV, Linear Integrated Systems Inc., Mitsubishi Electric Corporation, etc.
En enero de 2023, Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation lanzó MOSFET de potencia de canal N de 40 V para automóviles ('XPQR3004PB' y 'XPQ1R004PB') que utilizan el nuevo paquete L-TOGL (cables de ala de gaviota de contorno de transistor grande) y cuentan con una alta clasificación de corriente de drenaje con baja resistencia de encendido.
En junio de 2022, Mitsubishi Electric Corporation presentó un nuevo módulo IGBT para aplicaciones en instalaciones fotovoltaicas a gran escala. La compañía afirma que el dispositivo ayuda a reducir el número de inversores necesarios en las instalaciones fotovoltaicas conectadas a la red, al tiempo que proporciona un funcionamiento simultáneo de alto voltaje y bajas pérdidas de energía.
Líderes del mercado de transistores de potencia de Japón
-
Champion Microelectronics Corporation
-
Fairchild Semiconductor International Inc.
-
Infineon Technologies AG
-
Renesas Electronics Corporation
-
NXP Semiconductors N.V.
- *Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial
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Noticias del mercado de transistores de potencia de Japón
- Agosto de 2022 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation lanzó nuevos dispositivos de alimentación bajo la 'TWxxNxxxCseries'. Esta serie es su tercera generación de MOSFET de carburo de silicio (SiC) que pueden ofrecer una baja resistencia de encendido y una pérdida de conmutación significativamente reducida.
- Febrero de 2022 Vayyar Imaging, un proveedor de radares de imágenes 4D, anunció que abriría una nueva oficina en Tokio, Japón, a medida que la compañía intensifica sus compromisos avanzados con empresas líderes. VayyarImaging Japan LLC encabezará la expansión continua de la compañía en la región APAC, principalmente en las industrias automotriz y de cuidado de personas mayores.
Segmentación de la industria de transistores de potencia de Japón
Los transistores de potencia se utilizan para amplificar y regular las señales. Están hechos de materiales semiconductores de alto rendimiento como el germanio y el silicio. Estos transistores pueden amplificar y controlar un cierto nivel de voltaje y manejar rangos específicos de clasificaciones de voltaje de alto y bajo nivel.
El estudio incluye diferentes productos FET de bajo voltaje, módulos IGBT, transistores de RF y microondas, FET de alto voltaje, transistores IGBT y diferentes tipos, como transistores de unión bipolar, transistores de efecto de campo, transistores bipolares de heterounión para diversas industrias de usuarios finales como electrónica de consumo, comunicación y tecnología, automotriz, fabricación y energía y energía. El panorama competitivo tiene en cuenta la penetración en el mercado de múltiples empresas, así como sus estrategias de crecimiento orgánico e inorgánico. El estudio también considera el impacto en el mercado de la pandemia de COVID-19.
Para todos los segmentos anteriores, los tamaños de mercado y las previsiones se proporcionan en términos de valor (millones de USD).
Por producto
| FET de bajo voltaje |
| Módulos IGBT |
| Transistores de RF y microondas |
| FET de alto voltaje |
| Transistores IGBT |
Por tipo
| Transistor de unión bipolar |
| Transistor de efecto de campo |
| Transistor bipolar de heterounión |
| Otros (MOSFET, JFET, Transistor NPN, Transistor PNP, Transistor GaN) |
Por industria de usuarios finales
| Electrónica de consumo |
| Comunicación y Tecnología |
| Automotor |
| Fabricación |
| Potencia energética |
| Otras industrias de usuarios finales |
| Por producto | FET de bajo voltaje |
| Módulos IGBT | |
| Transistores de RF y microondas | |
| FET de alto voltaje | |
| Transistores IGBT | |
| Por tipo | Transistor de unión bipolar |
| Transistor de efecto de campo | |
| Transistor bipolar de heterounión | |
| Otros (MOSFET, JFET, Transistor NPN, Transistor PNP, Transistor GaN) | |
| Por industria de usuarios finales | Electrónica de consumo |
| Comunicación y Tecnología | |
| Automotor | |
| Fabricación | |
| Potencia energética | |
| Otras industrias de usuarios finales |
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Preguntas Frecuentes
¿Cuál es el tamaño actual del mercado de transistores de potencia de Japón?
Se proyecta que el mercado de transistores de potencia de Japón registre una CAGR del 3,5 % durante el período de pronóstico (2024-2029)
¿Quiénes son los actores clave en el mercado de transistores de potencia de Japón?
Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V. son las principales empresas que operan en el mercado de transistores de potencia de Japón.
¿Qué años cubre este mercado de transistores de potencia de Japón?
El informe cubre el tamaño histórico del mercado de transistores de potencia de Japón durante años 2019, 2020, 2021, 2022 y 2023. El informe también pronostica el tamaño del mercado de transistores de potencia de Japón para los años 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 y 2029.
Última actualización de la página el:
Informe de la industria de transistores de potencia de Japón
Estadísticas de la cuota de mercado, el tamaño y la tasa de crecimiento de los ingresos de Transistores de potencia de Japón en 2024, creadas por Mordor Intelligence™ Industry Reports. El análisis de transistores de potencia de Japón incluye una perspectiva de pronóstico del mercado para 2024 a 2029) y una descripción histórica. Obtener una muestra de este análisis de la industria como un informe gratuito para descargar en PDF.
