Marktanalyse für Leistungstransistoren in Nord- und Südamerika
Der Markt für Leistungstransistoren in Amerika wurde im laufenden Jahr auf 2.198,9 Mio. USD geschätzt und wird bis zum Ende des Prognosezeitraums voraussichtlich 2.880,1 Mio. USD erreichen, was einer CAGR von 4,60 % im Prognosezeitraum entspricht.
- COVID-19 hatte in der Anfangsphase erhebliche Auswirkungen auf den Markt. Die Nichtverfügbarkeit der Arbeitskräfte wirkte sich auf die Produktionskapazität für Leistungstransistoren und das Marktwachstum aus. Aufgrund des erzwungenen Lockdowns reduzierten die Automobilhersteller weltweit ihre Bestellungen, da die Fahrzeugverkäufe zurückgingen. Im Jahr 2021 wurden jedoch viele Beschränkungen in der Region normalisiert, und die Nachfrage nach Leistungstransistoren normalisierte sich wieder. In den kommenden Jahren wird erwartet, dass der Markt mit den durch die Pandemie verursachten steigenden Digitalisierungstrends erneut wachsen wird.
- Leistungstransistoren wie Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) und Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs) helfen bei der schnellen Wärmeableitung, verhindern Überhitzung und minimieren die Kohlendioxidemission und die Stromkosten. Diese Vorteile machen sie zu einem entscheidenden Bestandteil mehrerer elektronischer Produkte. Aufgrund der weltweit wachsenden Bevölkerung und des Verbrauchs fossiler Brennstoffe steigt die Nachfrage nach energieeffizienten elektronischen Geräten.
- Die erhöhte Nachfrage nach MOSFET gegenüber BJT ist darauf zurückzuführen, dass es bei hohen Strömen deutlich weniger Wärmeverlust erzeugt als BJT. Ebenso hat es einen höheren Wirkungsgrad als andere Geräte, was die Nachfrage nach MOSFETs in der Leistungselektronik antreibt. Die Anbieter konzentrieren sich auf die Einführung von Hochleistungs- und Hochfrequenz-MOSFETs für den Einsatz in Leistungselektronik, Leistungsverstärkern und anderen.
- Beispielsweise hat die Mitsubishi Electric Corporation im Juli 2022 ein 50-W-Hochleistungs-Silizium-Hochfrequenz-MOSFET-Modul für den Einsatz in Leistungsverstärkern kommerzieller Radios auf den Markt gebracht. Der Silizium-HF-Hochleistungs-MOSFET (RA50H7687M1) erreicht einen hohen Gesamtwirkungsgrad und eine unübertroffene Ausgangsleistung für kommerzielle Funkgeräte, die für das 700-MHz-Frequenzband geeignet sind. Dies soll die Kommunikationsreichweite erhöhen und den Stromverbrauch von Funkgeräten senken.
- Darüber hinaus führt die Verlustleistung herkömmlicher Leistungsverstärker zu einer Nachfrage nach Hochfrequenz-Hochleistungs-MOSFET-Modulen (HF), die eine integrierte Eingangs- oder Ausgangsimpedanzanpassungsschaltung und eine verifizierte Ausgangsleistung bieten. Die wichtigsten Anbieter, wie Mitsubishi Electric, planen, den Frequenzbereich zu erweitern, indem sie im kommenden Jahr ein 900-MHz-Modul auf den Markt bringen, das mit dem neuen MOSFET ausgestattet ist. Nach Angaben des Unternehmens soll das Modell mit einer Ausgangsleistung von 50 W im Band von 763 MHz bis 870 MHz und einem Gesamtwirkungsgrad von 40 % dazu beitragen, den Stromverbrauch zu senken und die Funkkommunikationsreichweite zu erhöhen.
- Darüber hinaus setzen viele Automobilhersteller mit der Beschleunigung des Marktes für Elektrofahrzeuge (EV) in den untersuchten Regionen jetzt auf 800-V-Antriebssysteme, um die Effizienz zu steigern, ein schnelleres Laden zu erreichen und die Reichweite solcher Fahrzeuge zu erweitern und gleichzeitig Gewicht und Kosten zu reduzieren. Wide-Bandgap-Bauelemente wie SiCMOSFETs helfen Automobilherstellern, hochmoderne Leistungsbauelemente für EV-Antriebsstränge und andere Anwendungen voranzutreiben, bei denen solche Faktoren wichtig sind.
- So hat STMicroelectronics im Dezember 2022 neue Hochleistungsmodule aus Siliziumkarbid (SiC) auf den Markt gebracht, die die Leistung und Reichweite von Elektrofahrzeugen erhöhen sollen. Die fünf neuen SiC-MOSFET-basierten Leistungsmodule wurden von Hyundai für den Einsatz in der E-GMP-Elektrofahrzeugplattform ausgewählt, die von KIA EV6 und mehreren Modellen gemeinsam genutzt wird.
- Darüber hinaus kündigte SemiQ im September 2022 die Einführung seines Siliziumkarbid-Leistungsschalters der 2. Generation an, eines 1200-V-40-mΩ-SiC-MOSFETs, der sein Portfolio an SiC-Leistungsbauelementen erweitert. SiC-MOSFETs bieten einen hohen Wirkungsgrad für Hochleistungsanwendungen, einschließlich Elektrofahrzeuge und Stromversorgungen, und wurden speziell für den zuverlässigen Betrieb in extremen Umgebungen entwickelt und getestet.
Markttrends für Leistungstransistoren in Amerika
Es wird erwartet, dass die Automobilindustrie einen bedeutenden Marktanteil halten wird
- In den letzten Jahren hat die Automobilindustrie strenge Zuverlässigkeitsanforderungen an leistungselektronische Systeme gestellt und sich auf kostengünstige Lösungen konzentriert. Abgesehen von denen, die typischerweise mit elektrischen und elektronischen Systemen von Fahrzeugen verbunden sind, stellen die in Hybrid-Elektrofahrzeugen (HEVs) und Elektrofahrzeugen (EVs) erforderliche Hochspannung und hoher Strom technische Herausforderungen für die Energieumwandlung dar. Dementsprechend haben Bipolartransistoren (IGBTs) mit isoliertem Gate aufgrund ihrer hohen internen elektrischen Felder und ihrer Anfälligkeit für erhebliche Sperrschichttemperaturschwankungen eine entscheidende Rolle bei der Gewährleistung der Zuverlässigkeit des (H)EV-Antriebsstrangs übernommen.
- IGBT-Module werden benötigt, um Strom von einer Form in eine andere umzuwandeln, was die bequeme und sichere Nutzung der Energie durch viele Gegenstände ermöglicht, die von Menschen täglich verwendet werden, einschließlich Elektroautos. Das IGBT-Leistungsmodul gilt als das Herz des elektrifizierten Antriebsstrangs in Elektrofahrzeugen.
- Darüber hinaus erhöhen viele Anbieter mit dem Wachstum des EV-Marktes in den Regionen ihre F&E-Ausgaben und konzentrieren sich auf die Unterstützung des H/EV-Marktes durch die Entwicklung, Integration und Herstellung fortschrittlicher Lösungen für Traktionsantriebs- und Steuerungsanwendungen. Produkte mit hoher Schaltfrequenz und Kurzschlussfestigkeit werden von Unternehmen kontinuierlich weiterentwickelt, um effiziente und langlebige Automobilkonstruktionen zu unterstützen.
- So hat Fuji Electric beispielsweise ein dünnes IGBT-Modul mit direkter Flüssigkeitskühlung für die Antriebsstränge von Elektro- und Hybridfahrzeugen entwickelt, das seine umfangreichen Forschungs- und Entwicklungskapazitäten nutzt. Der IGBT verfügt über eine Strom- und Temperaturerfassungsklemme, die einen zuverlässigen Schutz bei Kurzschluss- und Überhitzungssituationen ermöglicht.
- Um die Leistungselektronik im Kern von Elektrofahrzeugen zu verbessern, stellte Renesas Electronics im August 2022 eine neue Generation kleiner Hochspannungs-IGBTs vor. Diese Geräte haben Nennströme von bis zu 300 A und halten Spannungen von bis zu 1.200 V stand. Automobilhersteller werden in der Lage sein, Batteriestrom zu sparen und die Reichweite von Elektrofahrzeugen zu erhöhen, indem sie in den IGBTs der AE5-Serie des Unternehmens Energie sparen.
Nordamerika wird voraussichtlich einen bedeutenden Marktanteil halten
- Die sich ausbreitende Unterhaltungselektronikindustrie in der Region ist einer der Hauptfaktoren für das Wachstum des Marktes. Laut der Consumer Technology Association (CTA) wird beispielsweise erwartet, dass der Umsatz des US-Technologieeinzelhandels im Jahr 2023 485 Milliarden US-Dollar erreichen wird. Obwohl er leicht unter dem Rekordwert von 512 Milliarden US-Dollar im Jahr 2021 liegt, wird erwartet, dass der Umsatz nach Angaben der Organisation über dem Niveau vor der Pandemie bleiben wird.
- Die Automobilindustrie in den Vereinigten Staaten ist eine entscheidende Komponente des Wirtschaftswachstums und hat nach Angaben des Center for Automotive Research in der Vergangenheit 3 bis 3,5 % zum gesamten Bruttoinlandsprodukt (BIP) beigetragen. Die Branche trägt auch zu einem erheblichen Teil der Gesamtnachfrage der Region nach Halbleiterkomponenten bei.
- Darüber hinaus wird laut dem 2022 vom Edison Electric Institute (EEI) veröffentlichten Bericht Electric Vehicle Sales and the Charging Infrastructure Required Through 2030 die Zahl der Elektrofahrzeuge auf US-Straßen im Jahr 2030 voraussichtlich 26,4 Millionen erreichen, gegenüber den prognostizierten 18,7 Millionen im Bericht von 2018. Leistungstransistoren, einschließlich MOSFETs und IGBTs, finden weit verbreitete Verwendung in Elektrofahrzeugen, auch im elektrifizierten Antriebsstrang und in Ladesystemen.
- In den letzten Jahren wurden viele Vorschriften eingeführt, um die Nutzung von Elektrofahrzeugen im Land zu fördern. So hat der Gesetzgeber des Bundesstaates New York kürzlich ein Gesetz verabschiedet, das im Wesentlichen vorschreibt, dass alle neuen Personenkraftwagen, die im Bundesstaat verkauft werden, bis 2035 elektrisch betrieben werden müssen. Darüber hinaus haben sich die Vereinigten Staaten das Ziel gesetzt, bis 2030 sicherzustellen, dass die Hälfte der im Land verkauften Fahrzeuge elektrisch ist.
- Darüber hinaus wird erwartet, dass das schnelle Wachstum des Sektors der erneuerbaren Energien in Kanada das Marktwachstum unterstützen wird. Nach Angaben der Canadian Renewable Energy Association (CanREA) ist Kanadas Wind- und Solarenergiesektor im Jahr 2022 deutlich gewachsen. Nach Angaben der Organisation wächst die Solarenergie bemerkenswert schnell, wobei allein im Jahr 2022 mehr als ein Viertel der gesamten installierten Kapazität in Kanada hinzukommt.
Überblick über die Leistungstransistorindustrie in Nord- und Südamerika
Der amerikanische Markt für Leistungstransistoren ist fragmentiert und wird im Prognosezeitraum aufgrund des Eintritts mehrerer multinationaler Unternehmen voraussichtlich im Wettbewerb wachsen. Die Anbieter konzentrieren sich auf die Entwicklung maßgeschneiderter Lösungsportfolios, um die lokalen Anforderungen zu erfüllen. Zu den wichtigsten auf dem Markt tätigen Akteuren gehören Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V., Texas Instruments Inc., STMicroelectronics N.V., Linear Integrated Systems Inc., Mitsubishi Electric Corporation usw.
- Februar 2023 - Microchip Technology Inc. kündigte Pläne an, in den nächsten Jahren 880 Millionen US-Dollar zu investieren, um seine Produktionskapazität für Siliziumkarbid (SiC) und Silizium (Si) in seiner Produktionsstätte in Colorado Springs, Colorado, Colorado, zu erhöhen. Es wird erwartet, dass solche Investitionen die Kapazität des Unternehmens zur Verbesserung seiner Auswahl an SiC-MOSFETs erhöhen werden.
- März 2022 - Microchip Technology Inc. kündigte die Erweiterung seines SiC-Portfolios mit der Einführung der branchenweit niedrigsten 3,3-kV-SiC-MOSFETs mit dem niedrigsten On-Widerstand [RDS(on)] und der höchsten auf dem Markt erhältlichen SiC-SBDs mit dem höchsten Nennstrom an. Mit der Erweiterung des SiC-Portfolios von Microchip wird erwartet, dass die Entwickler mit den Werkzeugen ausgestattet werden, um kleinere, leichtere und effizientere Lösungen für elektrifiziertes Transportwesen, erneuerbare Energien, Luft- und Raumfahrt und industrielle Anwendungen zu entwickeln.
Amerikas Marktführer für Leistungstransistoren
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Champion Microelectronics Corporation
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Fairchild Semiconductor International Inc.
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Infineon Technologies AG
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Renesas Electronics Corporation
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NXP Semiconductors N.V.
- *Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
Marktnachrichten für Leistungstransistoren in Amerika
- Juni 2022 - GaN Systems, der globale Anbieter von GaN-Leistungshalbleitern (Galliumnitrid), hat einen neuen Transistor im branchenweit breitesten Portfolio an GaN-Leistungstransistoren vorgestellt. Der GS-065-018-2-L erweitert das leistungsstarke, kostengünstige Transistorportfolio des Unternehmens, zeichnet sich durch einen geringeren Einschaltwiderstand, eine erhöhte Robustheit und thermische Leistung sowie eine 850-V-VDS-Nennleistung (Transienten) aus.
- März 2022 - Transphorm, Inc. und TDK-Lambda, ein Konzernunternehmen von TDK, gaben bekannt, dass sie ihre AC-DC GaN-basierte PFH500F Produktlinie erweitern. Die Produktlinie umfasst PFH500F-12 und PFH500F-48 in den 500-Watt-AC/DC-Netzteilen von TDK. Die Serie verwendet 72 mΩ, 8x8 PQFN-GaN-FETs (TP65H070LDG) von Transphorm. Die hohe Leistungsdichte der Leistungstransistoren ermöglichte es TDK, die GaN-Netzteile über dünne Grundplatten zu kühlen.
Segmentierung der Leistungstransistorindustrie in Nord- und Südamerika
Die Leistungstransistoren dienen der Verstärkung und Regelung von Signalen. Sie bestehen aus Hochleistungs-Halbleitermaterialien wie Germanium und Silizium. Diese Transistoren können einen bestimmten Spannungspegel verstärken und steuern und bestimmte Bereiche von hohen und niedrigen Nennspannungen verarbeiten.
Die Studie umfasst verschiedene Produkte Niederspannungs-FETs, IGBT-Module, HF- und Mikrowellentransistoren, Hochspannungs-FETs, IGBT-Transistoren und verschiedene Typen wie Bipolartransistoren, Feldeffekttransistoren, Heterojunction-Bipolartransistoren für verschiedene Endverbraucherbranchen wie Unterhaltungselektronik, Kommunikation und Technologie, Automobil, Fertigung sowie Energie und Strom in Nord- und Lateinamerika. Die Wettbewerbslandschaft berücksichtigt die Marktdurchdringung mehrerer Unternehmen sowie ihre organischen und anorganischen Wachstumsstrategien. Die Studie berücksichtigt auch die Auswirkungen der COVID-19-Pandemie auf den Markt.
Für alle oben genannten Segmente werden Marktgrößen und Prognosen in Bezug auf den Wert (Mio. USD) bereitgestellt.
| Niederspannungs-FETs |
| IGBT-Module |
| HF- und Mikrowellentransistoren |
| Hochspannungs-FETs |
| IGBT-Transistoren |
| Bipolarer Sperrschichttransistor |
| Feldeffekttransistor |
| Heteroübergangs-Bipolartransistor |
| Andere (MOSFET, JFET, NPN-Transistor, PNP-Transistor, GaN-Transistor) |
| Unterhaltungselektronik |
| Kommunikation und Technologie |
| Automobilindustrie |
| Herstellung |
| Energie & Strom |
| Andere Endverbraucherbranchen |
| Nordamerika |
| Lateinamerika |
| Nach Produkt | Niederspannungs-FETs |
| IGBT-Module | |
| HF- und Mikrowellentransistoren | |
| Hochspannungs-FETs | |
| IGBT-Transistoren | |
| Nach Typ | Bipolarer Sperrschichttransistor |
| Feldeffekttransistor | |
| Heteroübergangs-Bipolartransistor | |
| Andere (MOSFET, JFET, NPN-Transistor, PNP-Transistor, GaN-Transistor) | |
| Nach Endverbraucherbranche | Unterhaltungselektronik |
| Kommunikation und Technologie | |
| Automobilindustrie | |
| Herstellung | |
| Energie & Strom | |
| Andere Endverbraucherbranchen | |
| Nach Region | Nordamerika |
| Lateinamerika |
Häufig gestellte Fragen
Wie groß ist der aktuelle Markt für Leistungstransistoren in Amerika?
Der amerikanische Markt für Leistungstransistoren wird im Prognosezeitraum (2024-2029) voraussichtlich eine CAGR von 4,60 % verzeichnen
Wer sind die Hauptakteure auf dem amerikanischen Markt für Leistungstransistoren?
Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V. sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem amerikanischen Leistungstransistormarkt tätig sind.
Welche Jahre deckt dieser amerikanische Leistungstransistormarkt ab?
Der Bericht deckt die historische Marktgröße des amerikanischen Leistungstransistormarktes für Jahre ab 2019, 2020, 2021, 2022 und 2023. Der Bericht prognostiziert auch die Größe des Marktes für Leistungstransistoren in Nord- und Südamerika für Jahre 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 und 2029.
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Bericht über die Amerika-Leistungstransistorindustrie
Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate von Leistungstransistoren in Amerika im Jahr 2024, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die Analyse von Americas Power Transistor enthält einen Marktprognoseausblick für 2024 bis 2029) und einen historischen Überblick. Erhalten Ein Beispiel dieser Branchenanalyse als kostenloser Bericht als PDF-Download.