Größe und Marktanteil des japanischen Leistungstransistormarkts

Zusammenfassung des japanischen Leistungstransistormarkts
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Analyse des japanischen Leistungstransistormarkts von Mordor Intelligence

Die Größe des japanischen Leistungstransistormarkts wird im Jahr 2025 auf 3,19 Milliarden USD geschätzt und soll bis 2030 bei einer CAGR von 3,5 % während des Prognosezeitraums (2025–2030) einen Wert von 3,79 Milliarden USD erreichen.

In Japan entfällt auf die Automobilindustrie ein erheblicher Anteil der gesamten Halbleiternachfrage im Land, da Japan laut dem Verband der Automobilindustrie (VDA) im Jahr 2022 als fünftgrößter Automobilmarkt hervorgegangen ist. Die Verlagerung der Automobilindustrie von Fahrzeugen mit fossilen Brennstoffen hin zu Hybrid- und Elektrofahrzeugen treibt die Nachfrage nach Leistungsbauelementen an.

  • Gemäß der Zusammenarbeit sollte eine IGBT-Linie im Wafer-Werk von USJC installiert werden, die als erste in Japan IGBTs auf 300-mm-Wafern produzieren würde. DENSO würde seine systemorientierten IGBT-Bauelement- und Prozesstechnologien einbringen.
  • Gleichzeitig wird USJC seine 300-mm-Wafer-Fertigungskapazitäten bereitstellen, um den 300-mm-IGBT-Prozess in die Massenproduktion zu überführen, die für die erste Hälfte des Jahres 2023 geplant war. IGBTs gelten als Kernbauelemente in Leistungskarten und dienen als effiziente Leistungsschalter in Wechselrichtern zur Umwandlung von Gleich- und Wechselstrom zum Antrieb und zur Steuerung von Elektromotoren in Fahrzeugen.
  • Darüber hinaus kündigte Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation im Februar 2022 an, eine neue 300-Millimeter-Wafer-Fertigungsanlage für Leistungshalbleiter, einschließlich Transistoren, bei der Kaga Toshiba Electronics Corporation in der Präfektur Ishikawa, ihrer wichtigsten Produktionsbasis für diskrete Halbleiter, zu errichten. Der Bau soll in zwei Phasen erfolgen, wobei der Produktionsstart von Phase 1 für 2024 geplant ist. Wenn Phase 1 die volle Kapazität erreicht, wird Toshibas Produktionskapazität für Leistungshalbleiter das 2,5-Fache des Geschäftsjahres 2021 betragen.
  • Außerdem brachte Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation im Januar 2022 zwei Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET-Dualmodule auf den Markt: „MG600Q2YMS3” mit einer Spannungsbewertung von 1200 V und einer Drain-Strombewertung von 600 A sowie „MG400V2YMS3” mit einer Spannungsbewertung von 1700 V und einer Drain-Strombewertung von 400 A. Die ersten Toshiba-Produkte mit diesen Spannungsbewertungen ergänzten das zuvor veröffentlichte MG800FXF2YMS3 in einer Gerätepalette mit 1200 V, 1700 V und 3300 V.

Wettbewerbslandschaft

Der japanische Leistungstransistormarkt ist fragmentiert und wird im Prognosezeitraum aufgrund des Eintritts mehrerer multinationaler Konzerne voraussichtlich an Wettbewerb zunehmen. Die Anbieter konzentrieren sich auf die Entwicklung maßgeschneiderter Lösungsportfolios zur Erfüllung lokaler Anforderungen. Zu den wichtigsten Akteuren auf dem Markt gehören Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V., Texas Instruments Inc., STMicroelectronics N.V., Linear Integrated Systems Inc., Mitsubishi Electric Corporation u. a.

Im Januar 2023 brachte Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation automotive 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs – „XPQR3004PB” und „XPQ1R004PB” – auf den Markt, die das neue L-TOGL-Gehäuse (großes Transistorgehäuse mit Möwenflügelzuleitungen) verwenden und eine hohe Drain-Strombewertung bei niedrigem Einschaltwiderstand aufweisen.

Im Juni 2022 stellte Mitsubishi Electric Corporation ein neues IGBT-Modul für Anwendungen in großen Photovoltaikanlagen vor. Das Unternehmen gibt an, dass das Bauelement dazu beiträgt, die Anzahl der benötigten Wechselrichter in netzgekoppelten Photovoltaikanlagen zu reduzieren und gleichzeitig einen gleichzeitigen Hochspannungsbetrieb bei geringen Leistungsverlusten zu ermöglichen.

Marktführer der japanischen Leistungstransistorbranche

  1. Champion Microelectronics Corporation

  2. Fairchild Semiconductor International Inc.

  3. Infineon Technologies AG

  4. Renesas Electronics Corporation

  5. NXP Semiconductors N.V.

  6. *Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
Marktkonzentration im japanischen Leistungstransistormarkt
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Jüngste Branchenentwicklungen

  • April 2024: Japans Fuji Electric hat ein neues Hochleistungsmodul in seiner Next-Core-Serie auf Basis seiner neuesten Bipolartransistor-mit-isoliertem-Gate (IGBT)-Plattform mit Dioden eingeführt, die eine Freilaufdioden (FWD)-Funktion aufweisen. Das neue HPnC-X-Serie-1700-V-3.300-V-Klasse-Modul, das im Juni erhältlich sein wird, ist für große Leistungsumrichter zwischen DC 1700 V und 3,3 kV ausgelegt.
  • Februar 2024: Mitsubishi Electric Corporation hat sein neuestes Produkt angekündigt: einen 6,5-W-Silizium-Hochfrequenz (HF)-Hochleistungs-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET). Dieses Bauelement, das für HF-Hochleistungsverstärker in kommerziellen tragbaren Zweiwegradios (Walkie-Talkies) konzipiert ist, ist ab dem 28. Februar für Musterverzendungen vorgesehen. Der MOSFET liefert eine Ausgangsleistung von 6,5 W bei einem Betrieb mit 3,6 V aus einer einzelligen Lithium-Ionen-Batterie. Diese Entwicklung zielt darauf ab, die Kommunikationsreichweite zu erweitern und den Stromverbrauch kommerzieller Funkgeräte zu reduzieren.

Inhaltsverzeichnis des Branchenberichts zur japanischen Leistungstransistorbranche

1. EINLEITUNG

  • 1.1 Studienannahmen und Marktdefinition
  • 1.2 Umfang der Studie

2. FORSCHUNGSMETHODIK

3. ZUSAMMENFASSUNG FÜR FÜHRUNGSKRÄFTE

4. MARKTEINBLICKE

  • 4.1 Marktübersicht
  • 4.2 Branchenattraktivität – Analyse der fünf Wettbewerbskräfte nach Porter
    • 4.2.1 Bedrohung durch neue Marktteilnehmer
    • 4.2.2 Verhandlungsmacht der Käufer
    • 4.2.3 Verhandlungsmacht der Lieferanten
    • 4.2.4 Bedrohung durch Ersatzprodukte
    • 4.2.5 Intensität des Wettbewerbs
  • 4.3 Bewertung der Auswirkungen von COVID-19 auf den Markt

5. MARKTDYNAMIK

  • 5.1 Markttreiber
    • 5.1.1 Steigende Nachfrage nach vernetzten Geräten
    • 5.1.2 Zunehmender Einsatz fossiler Brennstoffe erhöht die Nachfrage nach energieeffizienten elektronischen Geräten
  • 5.2 Markthemmnisse
    • 5.2.1 Betriebliche Einschränkungen durch Faktoren wie Temperatur, Frequenz, Rücksperrkapazität usw.

6. MARKTSEGMENTIERUNG

  • 6.1 Nach Produkt
    • 6.1.1 Niederspannungs-FETs
    • 6.1.2 IGBT-Module
    • 6.1.3 HF- und Mikrowellentransistoren
    • 6.1.4 Hochspannungs-FETs
    • 6.1.5 IGBT-Transistoren
  • 6.2 Nach Typ
    • 6.2.1 Bipolartransistor
    • 6.2.2 Feldeffekttransistor
    • 6.2.3 Heteroübergang-Bipolartransistor
    • 6.2.4 Sonstige (MOSFET, JFET, NPN-Transistor, PNP-Transistor, GaN-Transistor)
  • 6.3 Nach Endverbraucherbranche
    • 6.3.1 Unterhaltungselektronik
    • 6.3.2 Kommunikation und Technologie
    • 6.3.3 Automobilindustrie
    • 6.3.4 Fertigung
    • 6.3.5 Energie und Strom
    • 6.3.6 Sonstige Endverbraucherbranchen

7. WETTBEWERBSLANDSCHAFT

  • 7.1 Unternehmensprofile
    • 7.1.1 Champion Microelectronics Corporation
    • 7.1.2 Fairchild Semiconductor International Inc.
    • 7.1.3 Infineon Technologies AG
    • 7.1.4 Renesas Electronics Corporation
    • 7.1.5 NXP Semiconductors N.V.
    • 7.1.6 Texas Instruments Inc.
    • 7.1.7 STMicroelectronics N.V.
    • 7.1.8 Linear Integrated Systems Inc.
    • 7.1.9 Mitsubishi Electric Corporation
    • 7.1.10 Toshiba Corporation
    • 7.1.11 Vishay Intertechnology Inc.
    • 7.1.12 Analog Devices Inc.
    • 7.1.13 Broadcom Inc.

8. INVESTITIONSANALYSE

9. ZUKUNFT DES MARKTES

Berichtsumfang des japanischen Leistungstransistormarkts

Leistungstransistoren werden zur Verstärkung und Regulierung von Signalen eingesetzt. Sie werden aus Hochleistungshalbleitermaterialien wie Germanium und Silizium hergestellt. Diese Transistoren können einen bestimmten Spannungspegel verstärken und steuern sowie bestimmte Bereiche hoher und niedriger Spannungsbewertungen verarbeiten.

Die Studie umfasst verschiedene Produkte wie Niederspannungs-FETs, IGBT-Module, HF- und Mikrowellentransistoren, Hochspannungs-FETs, IGBT-Transistoren sowie verschiedene Typen wie Bipolartransistoren, Feldeffekttransistoren und Heteroübergang-Bipolartransistoren für verschiedene Endverbraucherbranchen wie Unterhaltungselektronik, Kommunikation und Technologie, Automobilindustrie, Fertigung sowie Energie und Strom. Die Wettbewerbslandschaft berücksichtigt die Marktdurchdringung mehrerer Unternehmen sowie deren organische und anorganische Wachstumsstrategien.

Für alle oben genannten Segmente werden Marktgrößen und Prognosen in Wertangaben (USD) bereitgestellt.

Nach Produkt
Niederspannungs-FETs
IGBT-Module
HF- und Mikrowellentransistoren
Hochspannungs-FETs
IGBT-Transistoren
Nach Typ
Bipolartransistor
Feldeffekttransistor
Heteroübergang-Bipolartransistor
Sonstige (MOSFET, JFET, NPN-Transistor, PNP-Transistor, GaN-Transistor)
Nach Endverbraucherbranche
Unterhaltungselektronik
Kommunikation und Technologie
Automobilindustrie
Fertigung
Energie und Strom
Sonstige Endverbraucherbranchen
Nach ProduktNiederspannungs-FETs
IGBT-Module
HF- und Mikrowellentransistoren
Hochspannungs-FETs
IGBT-Transistoren
Nach TypBipolartransistor
Feldeffekttransistor
Heteroübergang-Bipolartransistor
Sonstige (MOSFET, JFET, NPN-Transistor, PNP-Transistor, GaN-Transistor)
Nach EndverbraucherbrancheUnterhaltungselektronik
Kommunikation und Technologie
Automobilindustrie
Fertigung
Energie und Strom
Sonstige Endverbraucherbranchen

Im Bericht beantwortete Schlüsselfragen

Wie groß ist der japanische Leistungstransistormarkt?

Die Größe des japanischen Leistungstransistormarkts soll im Jahr 2025 einen Wert von 3,19 Milliarden USD erreichen und mit einer CAGR von 3,5 % auf 3,79 Milliarden USD bis 2030 wachsen.

Wie groß ist der aktuelle japanische Leistungstransistormarkt?

Im Jahr 2025 wird die Größe des japanischen Leistungstransistormarkts voraussichtlich 3,19 Milliarden USD erreichen.

Wer sind die wichtigsten Akteure im japanischen Leistungstransistormarkt?

Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation und NXP Semiconductors N.V. sind die wichtigsten Unternehmen, die im japanischen Leistungstransistormarkt tätig sind.

Welche Jahre deckt dieser japanische Leistungstransistormarkt ab, und wie groß war der Markt im Jahr 2024?

Im Jahr 2024 wurde die Größe des japanischen Leistungstransistormarkts auf 3,08 Milliarden USD geschätzt. Der Bericht deckt die historische Marktgröße des japanischen Leistungstransistormarkts für die Jahre 2019, 2020, 2021, 2022, 2023 und 2024 ab. Der Bericht prognostiziert außerdem die Größe des japanischen Leistungstransistormarkts für die Jahre 2025, 2026, 2027, 2028, 2029 und 2030.

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Branchenbericht zur japanischen Leistungstransistorbranche

Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate des japanischen Leistungstransistormarkts 2025, erstellt von Mordor Intelligence™ Branchenberichte. Die Analyse des japanischen Leistungstransistormarkts umfasst eine Marktprognose für 2025 bis 2030 sowie einen historischen Überblick. Laden Sie ein Muster dieser Branchenanalyse als kostenlosen Bericht im PDF-Format herunter.

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