| Studienzeitraum | 2019 - 2029 |
| Basisjahr für die Schätzung | 2023 |
| Prognosedatenzeitraum | 2024 - 2029 |
| Historischer Datenzeitraum | 2019 - 2022 |
| CAGR | 3.50% |
| Marktkonzentration | Niedrig |
Hauptakteure
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert |
Marktanalyse für japanische Leistungstransistoren
Der japanische Markt für Leistungstransistoren wurde im laufenden Jahr auf 2.986,3 Mio. USD geschätzt und wird bis zum Ende des Prognosezeitraums voraussichtlich 3670,9 Mio. USD erreichen, was einer CAGR von 3,50 % im Prognosezeitraum entspricht.
- Aufgrund der Pandemie erlebte die Automobilindustrie einen starken Nachfrageeinbruch, der in den Jahren 2020 und 2021 zu einem negativen Wachstum führte. Zu Beginn der Pandemie setzten sich viele Autohersteller aggressive Kostensenkungsziele. Sie kündigten Kürzungen der Investitionsausgaben an, um angesichts der geringen Produktion und der unsicheren Nachfrageaussichten profitabel zu bleiben.
- So kündigte Toyota an, die weltweite Produktion im September 2021 im Vergleich zu früheren Plänen um 40 % zu kürzen, da COVID-19 die Versorgung mit Halbleitern einschränkte. Das Unternehmen kündigte in diesem Monat die Einstellung des Betriebs in mehreren japanischen Werken aufgrund eines Teilemangels infolge der Ausbreitung von COVID-19 in Südostasien an.
- In Japan macht die Automobilindustrie einen erheblichen Anteil an der Gesamtnachfrage nach Halbleitern im Land aus und hat sich laut dem Verband der Automobilindustrie (VDA) im Jahr 2022 zum fünftgrößten Automobilmarkt entwickelt. Die Migration der Automobilindustrie von Fahrzeugen mit fossilen Brennstoffen zu Hybrid- und Elektrofahrzeugen treibt die Nachfrage nach Leistungsgeräten an.
- Im Rahmen der Zusammenarbeit wird eine IGBT-Linie in der Waferfabrik von USJC installiert, die die erste in Japan wäre, die IGBTs auf 300-mm-Wafern produziert. DENSO würde seine systemorientierten IGBT-Geräte- und Prozesstechnologien einbringen.
- Gleichzeitig wird USJC seine 300-mm-Wafer-Fertigungskapazitäten zur Verfügung stellen, um den 300-mm-IGBT-Prozess in die Massenproduktion zu bringen, die in der ersten Hälfte des Jahres 2023 beginnen soll. IGBTs werden als Kerngeräte in Leistungskarten wahrgenommen und dienen als effiziente Leistungsschalter in Wechselrichtern, um Gleich- und Wechselströme zum Antrieb und zur Steuerung von Elektrofahrzeugmotoren umzuwandeln.
- Darüber hinaus kündigte die Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation im Februar 2022 an, dass sie bei der Kaga Toshiba Electronics Corporation in der Präfektur Ishikawa, ihrer wichtigsten Produktionsbasis für diskrete Halbleiter, eine neue 300-Millimeter-Wafer-Fertigungsanlage für Leistungshalbleiter, einschließlich Transistoren, bauen wird. Der Bau wird voraussichtlich in zwei Phasen erfolgen, wobei der Produktionsstart von Phase 1 für 2024 geplant ist. Wenn Phase 1 die Gesamtkapazität erreicht, wird die Produktionskapazität von Toshiba für Leistungshalbleiter das 2,5-fache des Geschäftsjahres 2021 betragen.
- Außerdem brachte die Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation im Januar 2022 zwei Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET-Doppelmodule auf den Markt MG600Q2YMS3 mit einer Nennspannung von 1200 V und einem Strombelastbarkeit von 600 A und MG400V2YMS3 mit einer Nennspannung von 1700 V und einem Strombelastbarkeit von 400 A. Die ersten Toshiba-Produkte mit diesen Nennspannungen gesellten sich zu den zuvor veröffentlichten MG800FXF2YMS3 in einer Reihe von 1200-V-, 1700-V- und 3300-V-Geräten.
Markttrends für Leistungstransistoren in Japan
Es wird erwartet, dass Unterhaltungselektronik einen bedeutenden Marktanteil halten wird
- Leistungstransistoren zielen in erster Linie darauf ab, elektrische Ströme schnell zu schalten und dabei die geringsten Schaltverluste zu verursachen. Bipolartransistoren (IGBTs) mit isoliertem Gate sind in verschiedenen Anwendungen der Unterhaltungselektronik zu finden. Für große Anwendungen wie Klimaanlagen, Kühlschränke, Waschmaschinen, Mikrowellenherde, Induktionskochfelder und Geschirrspüler eignen sich IGBT-basierte Schaltungen.
- Aufgrund des zunehmenden Einsatzes von Wechselrichtern in Klimaanlagen und der Notwendigkeit, den Stromverbrauch in großen Netzteilen für Haushaltsgeräte zu reduzieren, steigt die Nachfrage nach hocheffizienten Schaltgeräten in Haushaltsgeräten, die viel Strom verbrauchen. Der Bedarf an IGBTs steigt aufgrund der gestiegenen Nachfrage nach verlustarmen Schaltgeräten und höheren Schaltfrequenzen in PFC-Schaltungen.
- Im März 2023 stellte die Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation beispielsweise den GT30J65MRB vor, einen diskreten 650-V-Bipolartransistor (IGBT) mit isoliertem Gate für Leistungsfaktorkorrekturschaltungen (PFC) in Klimaanlagen und umfangreiche Netzteile für Industrieanlagen. Der GT30J65MRB von Toshiba ist der erste IGBT des Unternehmens für PFC, der für den Einsatz unterhalb von 60 kHz vorgesehen ist. Dies wurde durch eine Verringerung der Schaltverluste (Abschaltverlust) erreicht, um einen Betrieb mit höherer Frequenz zu gewährleisten.
- Darüber hinaus verwenden Haushalte häufig elektrische automatische Waschmaschinen, um Haushaltswäsche zu reinigen. Die vom Leistungstransistor gelieferte Leistung kann verwendet werden, um die Drehzahl und Drehrichtung des Motors in den Waschmaschinen zu steuern. Die Wassermenge und das Motordrehmoment können dank der Wechselrichtersteuerung mit Leistungstransistoren an die Waschladung angepasst werden, wodurch Wasch-/Schleudergeräusche und Vibrationen reduziert werden.
- Darüber hinaus suchen die meisten Verbraucher heute nach fortschrittlichen Funktionen, die ihre Bedürfnisse nach Gesundheit und Hygiene erfüllen und gleichzeitig energieeffizient sind. Aufgrund eines Nachfrageanstiegs, der durch die jüngste Hitzewelle verursacht wurde, die viele Regionen der Welt betraf, und des Nachholbedarfs aus den beiden vorangegangenen Sommern, der durch die COVID-19-bedingten Lockdowns beeinträchtigt wurde, erhöhten die Hersteller von Klimaanlagen und Kühlschränken die Produktion auf ihre Gesamtkapazität. Es wird erwartet, dass der Anstieg der Verkäufe von Klimaanlagen und Kühlschränken die Nachfrage nach Leistungstransistoren ankurbeln wird.
Um die wichtigsten Trends zu verstehen, Musterbericht herunterladen
PDF herunterladen
Es wird erwartet, dass der Automobilsektor den Markt antreiben wird
- Die Automobilindustrie hat einen erheblichen Anteil an der Gesamtnachfrage nach Halbleitern im Land. Die Migration der Automobilindustrie von Fahrzeugen mit fossilen Brennstoffen zu Hybrid- und Elektrofahrzeugen treibt die starke Nachfrage nach Leistungstransistoren voran. Die führenden Hersteller von Leistungstransistoren konkurrieren um die Entwicklung leistungsfähigerer Bauelemente auf neuen Materialien wie SiC und GaN.
- Im April 2022 gaben die DENSO Corporation, ein Mobilitätsanbieter, und United Semiconductor Japan Co., Ltd., eine Tochtergesellschaft der globalen Halbleitergießerei United Microelectronics Corporation, bekannt, dass die Unternehmen vereinbart haben, bei der Produktion von Leistungshalbleitern in der 300-mm-Fabrik von USJC zusammenzuarbeiten, um die wachsende Nachfrage auf dem Automobilmarkt zu bedienen.
- Auch die Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten in der Region nehmen weiter zu, was zur Förderung der Produktinnovation beitragen wird. So haben die Vereinigten Staaten und Japan im Juli 2022 kürzlich beschlossen, ein neues gemeinsames internationales Halbleiterforschungszentrum zu gründen. Sie einigten sich darauf, an der gemeinsamen Forschung für Halbleiter der nächsten Generation zu arbeiten, die den untersuchten Markt im Land vorantreiben wird.
- Im Dezember 2022 gab die Nidec-Read Corporation bekannt, dass sie NATS-1000, ein vollautomatisches Inline-Halbleiterprüfgerät, auf den Markt gebracht hat, um die Funktionen von IGBT-/SiC-Modulen (Siliziumkarbid) für die Automobilindustrie zu testen.
- Darüber hinaus kündigte onsemi, ein Anbieter intelligenter Leistungs- und Sensortechnologien, im September 2022 ein Trio von Leistungstransistormodulen auf Siliziumkarbidbasis (SiC) in Transferformtechnologie an, das für den Einsatz beim Onboard-Laden und bei der Hochspannungs-DCDC-Umwandlung in allen Arten von Elektrofahrzeugen (xEV) vorgesehen ist. Die APM32-Serie ist die erste ihrer Art, die die SiC-Technologie in ein transfergeformtes Gehäuse überführt, um die Effizienz zu steigern und die Ladezeit von xEVs zu verkürzen, und wurde speziell für leistungsstarke 11-22-kW-Onboard-Ladegeräte (OBC) entwickelt.
Um geografische Trends zu verstehen, Musterbericht herunterladen
PDF herunterladen
Überblick über die japanische Leistungstransistorindustrie
Der japanische Markt für Leistungstransistoren ist fragmentiert und wird im Prognosezeitraum aufgrund des Eintritts mehrerer multinationaler Unternehmen voraussichtlich im Wettbewerb wachsen. Die Anbieter konzentrieren sich auf die Entwicklung maßgeschneiderter Lösungsportfolios, um die lokalen Anforderungen zu erfüllen. Zu den wichtigsten auf dem Markt tätigen Akteuren gehören Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V., Texas Instruments Inc., STMicroelectronics N.V., Linear Integrated Systems Inc., Mitsubishi Electric Corporation usw.
Im Januar 2023 brachte die Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs für die Automobilindustrie auf den Markt - XPQR3004PB und XPQ1R004PB -, die das neue L-TOGL-Gehäuse (Large Transistor Outline Gull-Wing-Leads) verwenden und sich durch einen hohen Drain-Strom bei geringem Einschaltwiderstand auszeichnen.
Im Juni 2022 stellte die Mitsubishi Electric Corporation ein neues IGBT-Modul für Anwendungen in PV-Großanlagen vor. Das Unternehmen behauptet, dass das Gerät dazu beiträgt, die Anzahl der in netzgekoppelten PV-Anlagen benötigten Wechselrichter zu reduzieren und gleichzeitig einen gleichzeitigen Hochspannungsbetrieb und geringe Leistungsverluste zu ermöglichen.
Japanische Marktführer für Leistungstransistoren
-
Champion Microelectronics Corporation
-
Fairchild Semiconductor International Inc.
-
Infineon Technologies AG
-
Renesas Electronics Corporation
-
NXP Semiconductors N.V.
- *Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
Mehr Details zu Marktteilnehmern und Wettbewerbern benötigt?
PDF herunterladen
Marktnachrichten für japanische Leistungstransistoren
- August 2022 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation bringt neue Leistungsgeräte unter der TWxxNxxxC-Serie auf den Markt. Diese Serie ist die dritte Generation von Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs, die einen niedrigen Einschaltwiderstand und deutlich reduzierte Schaltverluste bieten.
- Februar 2022 Vayyar Imaging, ein Anbieter von 4D-Bildgebungsradar, gab bekannt, dass es ein neues Büro in Tokio, Japan, eröffnen wird, da das Unternehmen seine fortschrittlichen Engagements mit führenden Unternehmen intensiviert. VayyarImaging Japan LLC wird die weitere Expansion des Unternehmens in der APAC-Region anführen, vor allem in der Seniorenpflege- und Automobilindustrie.
Segmentierung der japanischen Leistungstransistorindustrie
Die Leistungstransistoren dienen der Verstärkung und Regelung von Signalen. Sie bestehen aus Hochleistungs-Halbleitermaterialien wie Germanium und Silizium. Diese Transistoren können einen bestimmten Spannungspegel verstärken und steuern und bestimmte Bereiche von hohen und niedrigen Nennspannungen verarbeiten.
Die Studie umfasst verschiedene Produkte Niederspannungs-FETs, IGBT-Module, HF- und Mikrowellentransistoren, Hochspannungs-FETs, IGBT-Transistoren und verschiedene Typen wie Bipolartransistoren, Feldeffekttransistoren, Heterojunction-Bipolartransistoren für verschiedene Endverbraucherbranchen wie Unterhaltungselektronik, Kommunikation und Technologie, Automobil, Fertigung sowie Energie und Energie. Die Wettbewerbslandschaft berücksichtigt die Marktdurchdringung mehrerer Unternehmen sowie ihre organischen und anorganischen Wachstumsstrategien. Die Studie berücksichtigt auch die Auswirkungen der COVID-19-Pandemie auf den Markt.
Für alle oben genannten Segmente werden Marktgrößen und Prognosen in Bezug auf den Wert (Mio. USD) bereitgestellt.
Nach Produkt
| Niederspannungs-FETs |
| IGBT-Module |
| HF- und Mikrowellentransistoren |
| Hochspannungs-FETs |
| IGBT-Transistoren |
Nach Typ
| Bipolarer Sperrschichttransistor |
| Feldeffekttransistor |
| Heteroübergangs-Bipolartransistor |
| Andere (MOSFET, JFET, NPN-Transistor, PNP-Transistor, GaN-Transistor) |
Nach Endbenutzerbranche
| Unterhaltungselektronik |
| Kommunikation und Technologie |
| Automobilindustrie |
| Herstellung |
| Energie & Strom |
| Andere Endverbraucherbranchen |
| Nach Produkt | Niederspannungs-FETs |
| IGBT-Module | |
| HF- und Mikrowellentransistoren | |
| Hochspannungs-FETs | |
| IGBT-Transistoren | |
| Nach Typ | Bipolarer Sperrschichttransistor |
| Feldeffekttransistor | |
| Heteroübergangs-Bipolartransistor | |
| Andere (MOSFET, JFET, NPN-Transistor, PNP-Transistor, GaN-Transistor) | |
| Nach Endbenutzerbranche | Unterhaltungselektronik |
| Kommunikation und Technologie | |
| Automobilindustrie | |
| Herstellung | |
| Energie & Strom | |
| Andere Endverbraucherbranchen |
Benötigen Sie eine andere Region oder ein anderes Segment?
Jetzt anpassen
Häufig gestellte Fragen
Wie groß ist der aktuelle japanische Markt für Leistungstransistoren?
Der japanische Markt für Leistungstransistoren wird im Prognosezeitraum (2024-2029) voraussichtlich eine CAGR von 3,5 % verzeichnen
Wer sind die Hauptakteure auf dem japanischen Markt für Leistungstransistoren?
Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V. sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem japanischen Leistungstransistormarkt tätig sind.
Welche Jahre deckt dieser japanische Leistungstransistormarkt ab?
Der Bericht deckt die historische Marktgröße des japanischen Leistungstransistormarktes für Jahre ab 2019, 2020, 2021, 2022 und 2023. Der Bericht prognostiziert auch die Größe des japanischen Marktes für Leistungstransistoren für Jahre 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 und 2029.
Seite zuletzt aktualisiert am:
Bericht über die japanische Leistungstransistorindustrie
Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate von Japan Power Transistor im Jahr 2024, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die Analyse von Japan Power Transistor enthält einen Marktprognoseausblick für 2024 bis 2029) und einen historischen Überblick. Erhalten Ein Beispiel dieser Branchenanalyse als kostenloser Bericht als PDF-Download.
