
Analyse des japanischen Leistungstransistormarkts von Mordor Intelligence
Die Größe des japanischen Leistungstransistormarkts wird im Jahr 2025 auf 3,19 Milliarden USD geschätzt und soll bis 2030 bei einer CAGR von 3,5 % während des Prognosezeitraums (2025–2030) einen Wert von 3,79 Milliarden USD erreichen.
In Japan entfällt auf die Automobilindustrie ein erheblicher Anteil der gesamten Halbleiternachfrage im Land, da Japan laut dem Verband der Automobilindustrie (VDA) im Jahr 2022 als fünftgrößter Automobilmarkt hervorgegangen ist. Die Verlagerung der Automobilindustrie von Fahrzeugen mit fossilen Brennstoffen hin zu Hybrid- und Elektrofahrzeugen treibt die Nachfrage nach Leistungsbauelementen an.
- Gemäß der Zusammenarbeit sollte eine IGBT-Linie im Wafer-Werk von USJC installiert werden, die als erste in Japan IGBTs auf 300-mm-Wafern produzieren würde. DENSO würde seine systemorientierten IGBT-Bauelement- und Prozesstechnologien einbringen.
- Gleichzeitig wird USJC seine 300-mm-Wafer-Fertigungskapazitäten bereitstellen, um den 300-mm-IGBT-Prozess in die Massenproduktion zu überführen, die für die erste Hälfte des Jahres 2023 geplant war. IGBTs gelten als Kernbauelemente in Leistungskarten und dienen als effiziente Leistungsschalter in Wechselrichtern zur Umwandlung von Gleich- und Wechselstrom zum Antrieb und zur Steuerung von Elektromotoren in Fahrzeugen.
- Darüber hinaus kündigte Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation im Februar 2022 an, eine neue 300-Millimeter-Wafer-Fertigungsanlage für Leistungshalbleiter, einschließlich Transistoren, bei der Kaga Toshiba Electronics Corporation in der Präfektur Ishikawa, ihrer wichtigsten Produktionsbasis für diskrete Halbleiter, zu errichten. Der Bau soll in zwei Phasen erfolgen, wobei der Produktionsstart von Phase 1 für 2024 geplant ist. Wenn Phase 1 die volle Kapazität erreicht, wird Toshibas Produktionskapazität für Leistungshalbleiter das 2,5-Fache des Geschäftsjahres 2021 betragen.
- Außerdem brachte Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation im Januar 2022 zwei Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET-Dualmodule auf den Markt: „MG600Q2YMS3” mit einer Spannungsbewertung von 1200 V und einer Drain-Strombewertung von 600 A sowie „MG400V2YMS3” mit einer Spannungsbewertung von 1700 V und einer Drain-Strombewertung von 400 A. Die ersten Toshiba-Produkte mit diesen Spannungsbewertungen ergänzten das zuvor veröffentlichte MG800FXF2YMS3 in einer Gerätepalette mit 1200 V, 1700 V und 3300 V.
Trends und Erkenntnisse im japanischen Leistungstransistormarkt
Unterhaltungselektronik wird voraussichtlich einen erheblichen Marktanteil halten
- Leistungstransistoren zielen in erster Linie darauf ab, elektrische Ströme schnell zu schalten und dabei möglichst geringe Schaltverluste zu verursachen. Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs) finden sich in verschiedenen Anwendungen der Unterhaltungselektronik. Für große Anwendungen wie Klimaanlagen, Kühlschränke, Waschmaschinen, Mikrowellenherde, Induktionskochfelder und Geschirrspüler sind IGBT-basierte Schaltungen geeignet.
- Aufgrund des zunehmenden Einsatzes von Wechselrichtern in Klimaanlagen und der Notwendigkeit, den Stromverbrauch in großen Netzteilen für Haushaltsgeräte zu reduzieren, steigt die Nachfrage nach hocheffizienten Schaltbauelementen in Haushaltsgeräten, die erhebliche Mengen an Strom verbrauchen. Der Bedarf an IGBTs steigt aufgrund der erhöhten Nachfrage nach verlustarmen Schaltbauelementen und höheren Schaltfrequenzen in PFC-Schaltkreisen.
- So stellte Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation beispielsweise im März 2023 den „GT30J65MRB” vor, einen diskreten 650-V-Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)-Schaltkreise in Klimaanlagen und leistungsstarken Netzteilen für Industrieanlagen. Der GT30J65MRB von Toshiba ist das erste IGBT des Unternehmens für PFC, das für den Einsatz unterhalb von 60 kHz vorgesehen ist. Dies wurde durch die Reduzierung der Schaltverluste (Abschaltverluste) erreicht, um einen Betrieb bei höheren Frequenzen zu gewährleisten.
- Darüber hinaus werden in Haushalten häufig elektrische Automatikwaschmaschinen zur Reinigung von Haushaltswäsche eingesetzt. Die vom Leistungstransistor gelieferte Leistung kann zur Steuerung der Drehzahl und Drehrichtung des Motors in den Waschmaschinen verwendet werden. Die Wassermenge und das Motordrehmoment können dank der Wechselrichtersteuerung mit Leistungstransistoren an die Waschladung angepasst werden, wodurch Wasch- und Schleudergeräusche sowie Vibrationen reduziert werden.
- Darüber hinaus suchen die meisten Verbraucher heute nach fortschrittlichen Funktionen, die ihren Bedürfnissen nach Gesundheit und Hygiene entsprechen und gleichzeitig energieeffizient sind. Aufgrund eines Nachfrageanstiegs infolge der jüngsten Hitzewelle, die viele Teile der Welt betraf, und der aufgestauten Nachfrage aus den beiden vorangegangenen Sommern, die durch die COVID-19-bedingten Lockdowns beeinträchtigt worden war, steigerten die Hersteller von Klimaanlagen und Kühlschränken ihre Produktion auf volle Kapazität. Der Anstieg der Verkäufe von Klimaanlagen und Kühlschränken dürfte die Nachfrage nach Leistungstransistoren ankurbeln.

Der Automobilsektor wird voraussichtlich den Markt antreiben
- Die Automobilindustrie entfällt auf einen erheblichen Anteil der gesamten Halbleiternachfrage im Land. Die Verlagerung der Automobilindustrie von Fahrzeugen mit fossilen Brennstoffen hin zu Hybrid- und Elektrofahrzeugen treibt eine starke Nachfrage nach Leistungstransistoren an. Die führenden Leistungstransistorhersteller konkurrieren darum, leistungsfähigere Bauelemente aus neuen Materialien wie SiC und GaN zu entwickeln.
- Im April 2022 gaben DENSO Corporation, ein Mobilitätszulieferer, und United Semiconductor Japan Co., Ltd., eine Tochtergesellschaft der globalen Halbleiterfoundry United Microelectronics Corporation, bekannt, dass die Unternehmen eine Zusammenarbeit bei der Produktion von Leistungshalbleitern im 300-mm-Werk von USJC vereinbart haben, um die wachsende Nachfrage im Automobilmarkt zu bedienen.
- Auch die Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten nehmen in der Region weiter zu, was die Produktinnovation fördern wird. So beschlossen die Vereinigten Staaten und Japan beispielsweise im Juli 2022, ein neues gemeinsames internationales Halbleiterforschungszentrum zu gründen. Sie einigten sich auf eine gemeinsame Forschung für Halbleiter der nächsten Generation, was den untersuchten Markt im Land vorantreiben wird.
- Im Dezember 2022 gab Nidec-Read Corporation bekannt, dass sie NATS-1000 auf den Markt gebracht hat, eine vollautomatische Inline-Halbleiterprüfanlage zum Testen der Funktionen von IGBT (Bipolartransistor mit isoliertem Gate)/SiC (Siliziumkarbid)-Modulen für die Automobilindustrie.
- Darüber hinaus kündigte onsemi, ein Anbieter intelligenter Leistungs- und Sensortechnologien, im September 2022 drei auf Siliziumkarbid (SiC) basierende Leistungstransistormodule in Transfer-Moldtechnologie an, die für den Einsatz beim Laden an Bord und bei der Hochspannungs (HV)-DCDC-Umwandlung in allen Arten von Elektrofahrzeugen (xEV) vorgesehen sind. Die APM32-Serie ist die erste ihrer Art, die SiC-Technologie in ein Transfer-Mold-Gehäuse integriert, um die Effizienz zu steigern und die Ladezeit von xEVs zu verkürzen, und ist speziell für leistungsstarke 11–22-kW-Onboard-Ladegeräte (OBC) konzipiert.

Wettbewerbslandschaft
Der japanische Leistungstransistormarkt ist fragmentiert und wird im Prognosezeitraum aufgrund des Eintritts mehrerer multinationaler Konzerne voraussichtlich an Wettbewerb zunehmen. Die Anbieter konzentrieren sich auf die Entwicklung maßgeschneiderter Lösungsportfolios zur Erfüllung lokaler Anforderungen. Zu den wichtigsten Akteuren auf dem Markt gehören Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V., Texas Instruments Inc., STMicroelectronics N.V., Linear Integrated Systems Inc., Mitsubishi Electric Corporation u. a.
Im Januar 2023 brachte Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation automotive 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs – „XPQR3004PB” und „XPQ1R004PB” – auf den Markt, die das neue L-TOGL-Gehäuse (großes Transistorgehäuse mit Möwenflügelzuleitungen) verwenden und eine hohe Drain-Strombewertung bei niedrigem Einschaltwiderstand aufweisen.
Im Juni 2022 stellte Mitsubishi Electric Corporation ein neues IGBT-Modul für Anwendungen in großen Photovoltaikanlagen vor. Das Unternehmen gibt an, dass das Bauelement dazu beiträgt, die Anzahl der benötigten Wechselrichter in netzgekoppelten Photovoltaikanlagen zu reduzieren und gleichzeitig einen gleichzeitigen Hochspannungsbetrieb bei geringen Leistungsverlusten zu ermöglichen.
Marktführer der japanischen Leistungstransistorbranche
Champion Microelectronics Corporation
Fairchild Semiconductor International Inc.
Infineon Technologies AG
Renesas Electronics Corporation
NXP Semiconductors N.V.
- *Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert

Jüngste Branchenentwicklungen
- April 2024: Japans Fuji Electric hat ein neues Hochleistungsmodul in seiner Next-Core-Serie auf Basis seiner neuesten Bipolartransistor-mit-isoliertem-Gate (IGBT)-Plattform mit Dioden eingeführt, die eine Freilaufdioden (FWD)-Funktion aufweisen. Das neue HPnC-X-Serie-1700-V-3.300-V-Klasse-Modul, das im Juni erhältlich sein wird, ist für große Leistungsumrichter zwischen DC 1700 V und 3,3 kV ausgelegt.
- Februar 2024: Mitsubishi Electric Corporation hat sein neuestes Produkt angekündigt: einen 6,5-W-Silizium-Hochfrequenz (HF)-Hochleistungs-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET). Dieses Bauelement, das für HF-Hochleistungsverstärker in kommerziellen tragbaren Zweiwegradios (Walkie-Talkies) konzipiert ist, ist ab dem 28. Februar für Musterverzendungen vorgesehen. Der MOSFET liefert eine Ausgangsleistung von 6,5 W bei einem Betrieb mit 3,6 V aus einer einzelligen Lithium-Ionen-Batterie. Diese Entwicklung zielt darauf ab, die Kommunikationsreichweite zu erweitern und den Stromverbrauch kommerzieller Funkgeräte zu reduzieren.
Berichtsumfang des japanischen Leistungstransistormarkts
Leistungstransistoren werden zur Verstärkung und Regulierung von Signalen eingesetzt. Sie werden aus Hochleistungshalbleitermaterialien wie Germanium und Silizium hergestellt. Diese Transistoren können einen bestimmten Spannungspegel verstärken und steuern sowie bestimmte Bereiche hoher und niedriger Spannungsbewertungen verarbeiten.
Die Studie umfasst verschiedene Produkte wie Niederspannungs-FETs, IGBT-Module, HF- und Mikrowellentransistoren, Hochspannungs-FETs, IGBT-Transistoren sowie verschiedene Typen wie Bipolartransistoren, Feldeffekttransistoren und Heteroübergang-Bipolartransistoren für verschiedene Endverbraucherbranchen wie Unterhaltungselektronik, Kommunikation und Technologie, Automobilindustrie, Fertigung sowie Energie und Strom. Die Wettbewerbslandschaft berücksichtigt die Marktdurchdringung mehrerer Unternehmen sowie deren organische und anorganische Wachstumsstrategien.
Für alle oben genannten Segmente werden Marktgrößen und Prognosen in Wertangaben (USD) bereitgestellt.
| Niederspannungs-FETs |
| IGBT-Module |
| HF- und Mikrowellentransistoren |
| Hochspannungs-FETs |
| IGBT-Transistoren |
| Bipolartransistor |
| Feldeffekttransistor |
| Heteroübergang-Bipolartransistor |
| Sonstige (MOSFET, JFET, NPN-Transistor, PNP-Transistor, GaN-Transistor) |
| Unterhaltungselektronik |
| Kommunikation und Technologie |
| Automobilindustrie |
| Fertigung |
| Energie und Strom |
| Sonstige Endverbraucherbranchen |
| Nach Produkt | Niederspannungs-FETs |
| IGBT-Module | |
| HF- und Mikrowellentransistoren | |
| Hochspannungs-FETs | |
| IGBT-Transistoren | |
| Nach Typ | Bipolartransistor |
| Feldeffekttransistor | |
| Heteroübergang-Bipolartransistor | |
| Sonstige (MOSFET, JFET, NPN-Transistor, PNP-Transistor, GaN-Transistor) | |
| Nach Endverbraucherbranche | Unterhaltungselektronik |
| Kommunikation und Technologie | |
| Automobilindustrie | |
| Fertigung | |
| Energie und Strom | |
| Sonstige Endverbraucherbranchen |
Im Bericht beantwortete Schlüsselfragen
Wie groß ist der japanische Leistungstransistormarkt?
Die Größe des japanischen Leistungstransistormarkts soll im Jahr 2025 einen Wert von 3,19 Milliarden USD erreichen und mit einer CAGR von 3,5 % auf 3,79 Milliarden USD bis 2030 wachsen.
Wie groß ist der aktuelle japanische Leistungstransistormarkt?
Im Jahr 2025 wird die Größe des japanischen Leistungstransistormarkts voraussichtlich 3,19 Milliarden USD erreichen.
Wer sind die wichtigsten Akteure im japanischen Leistungstransistormarkt?
Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation und NXP Semiconductors N.V. sind die wichtigsten Unternehmen, die im japanischen Leistungstransistormarkt tätig sind.
Welche Jahre deckt dieser japanische Leistungstransistormarkt ab, und wie groß war der Markt im Jahr 2024?
Im Jahr 2024 wurde die Größe des japanischen Leistungstransistormarkts auf 3,08 Milliarden USD geschätzt. Der Bericht deckt die historische Marktgröße des japanischen Leistungstransistormarkts für die Jahre 2019, 2020, 2021, 2022, 2023 und 2024 ab. Der Bericht prognostiziert außerdem die Größe des japanischen Leistungstransistormarkts für die Jahre 2025, 2026, 2027, 2028, 2029 und 2030.
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Branchenbericht zur japanischen Leistungstransistorbranche
Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate des japanischen Leistungstransistormarkts 2025, erstellt von Mordor Intelligence™ Branchenberichte. Die Analyse des japanischen Leistungstransistormarkts umfasst eine Marktprognose für 2025 bis 2030 sowie einen historischen Überblick. Laden Sie ein Muster dieser Branchenanalyse als kostenlosen Bericht im PDF-Format herunter.



