Marktanalyse für Leistungstransistoren in Europa
Der europäische Markt für Leistungstransistoren wurde auf 3.973,64 Mio. USD geschätzt und wird im Prognosezeitraum voraussichtlich eine CAGR von 3,3 % verzeichnen und bis zum Ende des Prognosezeitraums 4828,258 Mio. USD erreichen.
- Es wird erwartet, dass der Anstieg der Nachfrage nach vernetzten Geräten im Laufe des Prognosezeitraums einen erheblichen Einfluss auf das Wachstum des weltweiten Marktes für Leistungstransistoren haben wird. Leistungstransistoren helfen bei der schnellen Wärmeableitung, verhindern Überhitzung, reduzieren Kohlendioxidemissionen und sparen Stromkosten.
- Laut Cisco wird die Zahl der vernetzten Geräte in Mittel- und Osteuropa von 1,2 Milliarden im Jahr 2018 auf 2,0 Milliarden im Jahr 2023 ansteigen. Bis 2023 wird es in Mittel- und Osteuropa 4,0 vernetzte Geräte pro Person geben, gegenüber 2,5 im Jahr 2018.
- Leistungstransistoren werden in der Regel in Automobilanwendungen eingesetzt, da sie hohe Spannungs- und Strompegel effizient verarbeiten können. Sie werden in verschiedenen Bereichen des Fahrzeugs eingesetzt, darunter Motorsteuerungssysteme, Getriebesysteme, Energiemanagement, Batteriemanagement und Beleuchtungssysteme.
- Leistungstransistoren für Kraftfahrzeuge sind so konzipiert, dass sie strenge Anforderungen an Zuverlässigkeit, Haltbarkeit und Sicherheit erfüllen. Sie werden in Motorsteuerkreisen eingesetzt, um die Drehzahl des Motors zu regeln. Sie werden auch in Elektro- und Hybridfahrzeugen verwendet, um den für den Antrieb verwendeten Motor zu steuern. Leistungstransistoren werden in Batteriemanagementsystemen verwendet, um den Batteriezustand und den Ladestatus zu überwachen, um den Ladestrom zu steuern, und in automatischen Getriebesystemen, um das Schalten von Gängen zu steuern.
- Weitere Faktoren, die den untersuchten Markt voraussichtlich antreiben werden, sind Sicherheit, Infotainment, Navigation und Kraftstoffeffizienz in Automobilkomponenten sowie Sicherheit, Automatisierung, Festkörperbeleuchtung, Transport und Energiemanagement in Industriekomponenten. So wird beispielsweise erwartet, dass der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), ein Schlüsselelement des EV-Leistungselektroniksystems, eine hohe Nachfrage erfahren wird, da die Verkäufe von Elektrofahrzeugen international steigen.
- Laut Kraftfahrt-Bundesamt waren in Deutschland im Jahr 2020 1,2 % aller Pkw elektrifiziert (batterieelektrische Fahrzeuge (BEVs) und Plug-in-Hybrid-Elektrofahrzeuge (PHEVs)). Die Prognose besagt, dass der Anteil bis 2030 auf 24,4 % oder über 11,55 Millionen Fahrzeuge steigen wird. Ein solcher Anstieg von Elektrofahrzeugen (EV) würde den Markt antreiben.
- Die Region erlebt auch mehrere Innovationen, die auf die komplexen Anforderungen der Verbraucher zugeschnitten sind. So wurde beispielsweise im Juni 2022 der erste vertikale bipolare organische Hochleistungstransistor von Wissenschaftlern des Dresden Integrated Centre for Applied Physics and Photonic Materials (IAPP) in Deutschland entwickelt und damit den Weg für die Entwicklung anpassungsfähiger organischer Logiksysteme geebnet. In den letzten 20 Jahren wurden organische Feldeffekttransistoren (FET) für Anwendungen wie Bildschirmtreiber entwickelt; Aufgrund ihrer schlechten Ladungsträgermobilität können sie jedoch nur im niedrigen bis mittleren Megahertz-Bereich arbeiten. Der Bipolartransistor hingegen bietet eine niedrige Kapazität und einen niedrigen Übergangswiderstand, hat aber Schwierigkeiten bei der Miniaturisierung und Prozessintegration.
- Auf der anderen Seite steht die Leistungstransistortechnologie vor einer Reihe von Herausforderungen. Einige dieser Herausforderungen hängen mit der Geräteleistung zusammen, z. B. der Verbesserung der Effizienz und Leistungsdichte. Weitere Herausforderungen beziehen sich auf die Zuverlässigkeit der Geräte, wie z. B. die Verringerung des Risikos thermischer Belastungen und die Verbesserung der Zuverlässigkeit bei hohen Spannungen. Leistungstransistoren erzeugen während des Betriebs viel Wärme, was zu Zuverlässigkeitsproblemen führen und die Leistungsdichte der Geräte einschränken kann. Die Verbesserung des Wärmemanagements von Leistungstransistoren ist eine wichtige Herausforderung.
- Darüber hinaus wirkte sich der Ausbruch von COVID-19 auf die Produktionsstätten der Automobilindustrie auf der ganzen Welt aus. Der COVID-19-Ausbruch in den europäischen Ländern wirkte sich auf die Automobilindustrie in der Region aus. Nach Angaben der Foreign Car Manufacturers Association und der National Union Representatives Vehicles Foreign Affairs (UNRAE) haben der COVID-19-Ausbruch und die schwachen Wirtschaftsaussichten einen Nachfragerückgang im Automobilsektor ausgelöst. Solche Faktoren könnten das Wachstum des untersuchten Marktes in der Region hemmen.
Markttrends für Leistungstransistoren in Europa
Es wird erwartet, dass das Segment Unterhaltungselektronik das Wachstum des Marktes vorantreiben wird
- Leistungstransistoren finden in der Unterhaltungselektronik breite Anwendung. Die zunehmende Beliebtheit von Unterhaltungselektronik wie Ohrhörern, Laptops, Smartphones, Wearables und anderen tragbaren Geräten trägt zur Expansion des Segments bei. Die steigende Nachfrage nach hochauflösendem Audio, Schnellladung und energieeffizienteren Designs wird das Wachstum der Galliumnitrid-Technologie (GaN) vorantreiben. Die GaN-Transistortechnologie wird die notwendige Anpassung zur Verbesserung der digitalen Welt bieten.
- Der Markt für 5G-fähige Geräte wird in der Region aufgrund steigender Verbrauchs- und Datenverarbeitungsanforderungen in Zukunft boomen. Chiphersteller für 5G-fähige Smartphones werden mit einer erhöhten Nachfrage nach 5G-Prozessoren konfrontiert sein, um die wachsende Nachfrage nach 5G-fähigen Handys zu befriedigen. Die Zunahme von Halbleiterchips wird zur Entwicklung des Halbleiters beitragen und schließlich den Bedarf an Leistungstransistoren decken. Laut Ericsson gab es im Jahr 2022 in Westeuropa 60,45 Millionen 5G-Mobilfunkverträge.
- Smartwatches verwenden in der Regel Transistoren mit geringem Stromverbrauch, wie z. B. Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), um Energie zu sparen und die Batterielebensdauer zu verlängern. Die Energieverwaltung ist ein wichtiger Bestandteil des Smartwatch-Designs, da diese Geräte für das Tragen über einen längeren Zeitraum ausgelegt sind und mit einer einzigen Ladung betrieben werden müssen. Die Einführung neuer Smartwatches würde den Markt antreiben.
- Zu diesem Zweck stellte Montblanc im Juni 2022 die nächste Welle von Wear OS 3-Uhren vor, darunter die Summit 3 zum Preis von 1.290 USD. Diese Version stellt ein bedeutendes Upgrade der Premium-Zeitmesser von Montblanc dar. Die neuen Uhren bieten eine Reihe von Merkmalen und Funktionen. Einige Zifferblätter sind beispielsweise so gestaltet, dass sie die ikonischen mechanischen Modelle von Montblanc nachahmen, wie z. B. die Geosphere von 1858. Darüber hinaus sind die Smartwatches mit erweiterten Funktionen wie Blutsauerstoffüberwachung, Schlafverfolgung und Unterstützung für Google Pay ausgestattet.
- Smartphones sind der Hauptverbraucher von Leistungstransistoren in diesem Segment. Das Smartphone war in den letzten Jahren ein sehr wettbewerbsintensiver Markt. Unternehmen haben in der Vergangenheit verschiedene neue Sensoren eingebaut, die batterieintensiv sind. Die Hersteller entwickeln Smartphone-Ladegeräte, die das Gerät in kürzerer Zeit aufladen können, sodass die Stromstärke für diese von 0,5 Milliampere auf 5 Milliampere gestiegen ist. Der Leistungstransistor im Adapter spielt eine entscheidende Rolle bei der Aufrechterhaltung der erforderlichen Strom- und Spannungspegel. Es gab viele Fälle, in denen ein gefälschter Adapter das Gerät explodieren ließ.
- Laut Ericsson werden sich die Smartphone-Abonnements in Westeuropa bis 2027 auf 439 Millionen belaufen. Im Jahr 2021 hatte Westeuropa rund 404 Millionen Smartphone-Abonnenten. Basierend auf der stetigen Entwicklung der Vorjahre wurde prognostiziert, dass die Zahl der Smartphone-Abonnenten in Mittel- und Osteuropa bis 2027 427 Millionen erreichen wird. Eine solche Zunahme der Akzeptanz von Smartphones dürfte das Wachstum des untersuchten Marktes ankurbeln.
Für das Vereinigte Königreich wird ein hohes Marktwachstum erwartet
- Im Vereinigten Königreich werden Galliumnitrid (GaN)-Leistungstransistoren in Rechenzentren eingesetzt, um Netzteile und andere Anwendungen mit kleineren Größen, höherem Wirkungsgrad und höherer Kapitalrendite herzustellen. GaN-Transistoren der nächsten Generation ermöglichen es Rechenzentren, noch mehr Einsparungen sowie eine höhere Leistungsdichte und Effizienz zu erzielen.
- Laut einem digitalen Strategiebericht der britischen Regierung unterstützen Rechenzentren beispielsweise im Durchschnitt die Internetwirtschaft, die fast 16 % des nationalen BIP, 10 % der Beschäftigung und 24 % aller britischen Exporte ausmacht und schneller wächst als jede andere G-20-Wirtschaft.
- Während der jährliche BWS-Beitrag eines bestehenden Rechenzentrums auf 291 Mio. GBP (401,58 Mio. USD) und 320 Mio. GBP (441,60 Mio. USD) geschätzt wird, liegt jedes neue Rechenzentrum zwischen 397 Mio. GBP (547,86 Mio. USD) und 436 Mio. GBP (601,68 Mio. USD). Solche Investitionen in Rechenzentrumskonstruktionen würden den untersuchten Markt antreiben.
- Darüber hinaus hat sich das Land das Ziel gesetzt, seinen Verkehr bis 2040 vollelektrisch zu machen und den Verkauf neuer Diesel- und Benzinautos zu verbieten. Im Einklang mit diesem Ziel wächst der Markt für Elektrofahrzeuge (EV) im Land stetig, wobei die Zahl der Elektrofahrzeuge im Vereinigten Königreich im Jahr 2021 im Vergleich zu 2020 um 71 % gestiegen ist, so die Society of Motor Manufacturers and Traders (SMMT). Während sich das Vereinigte Königreich darauf vorbereitet, in den kommenden Jahren auf die Produktion von reinen Elektrofahrzeugen umzusteigen, wobei sich einige Hersteller und Marken verpflichten, bereits 2025 zu 100 % elektrisch zu werden, wird die Nachfrage nach kritischen leistungselektronischen Geräten und Systemen steigen. Dies wird das Marktwachstum weiter vorantreiben.
- Um den unterschiedlichen Anforderungen der Kunden gerecht zu werden, entwickeln die Firmen in der Region neue Produkte. Im März 2022 brachte beispielsweise ein britisches GaN-Unternehmen, Fabless, einfach ansteuerbare Leistungstransistoren mit Strommessung auf den Markt. Das Unternehmen nutzt die monolithische GaN-Integration, genannt ICeGaN, um das Gating-Verhalten von GaN-Leistungstransistoren ohne die Verwendung von Kaskadenpaarung anzupassen, sodass sie mit Treibern kompatibel sind, die für klassische Silizium-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) entwickelt wurden. Gleichzeitig wurde ein Strommessausgang hinzugefügt, der verwendet wird, indem ein externer Widerstand mit geringer Leistung und niedrigem Wert (10) vom CS-Ausgang an 0 V angeschlossen und die resultierende Spannung mit einem Operationsverstärker verstärkt wird.
- Leistungstransistoren werden in der Energie- und Energieindustrie häufig für verschiedene Anwendungen eingesetzt, darunter Leistungsumwandlung, Hochspannungsschalter und Signalverstärkung. Sie werden in leistungselektronischen Geräten wie Wechselrichtern und Wandlern verwendet, um elektrische Energie von einer Form in eine andere umzuwandeln. In Solarmodulen können Leistungstransistoren beispielsweise verwendet werden, um Gleichstrom in Wechselstrom umzuwandeln, der für den Heimgebrauch geeignet ist.
- Laut GOV.UK wird die Stromerzeugung aus erneuerbaren Energien in den kommenden Jahrzehnten wahrscheinlich zunehmen, da sich das Vereinigte Königreich allmählich von der Abhängigkeit von fossilen Brennstoffen entfernt. Prognosen zufolge wird bis 2040 mehr als die Hälfte der Stromerzeugungskapazität der großen Stromerzeuger aus erneuerbaren Quellen stammen, was 100 Gigawatt entspricht. Eine solche Zunahme der Stromerzeugungsaktivitäten in der Region würde den Marktteilnehmern lukrative Möglichkeiten bieten, ihre Produktdurchdringung zu erweitern.
Überblick über die europäische Leistungstransistorindustrie
Der europäische Markt für Leistungstransistoren ist mäßig fragmentiert, mit der Präsenz mehrerer Akteure wie Infineon Technologies, Renesas Electronics, Texas Instruments usw. Da der Markt hart umkämpft ist, sind die Marktteilnehmer ständig bestrebt, fortschrittliche Technologien einzuführen und umfassende Produkte zu entwickeln, um den sich entwickelnden Bedürfnissen ihrer Kunden gerecht zu werden.
Im März 2023 entschied sich LITEON Technology nach Angaben des Unternehmens für den hochintegrierten Galliumnitrid (GaN)-Feldeffekttransistor (FET) sowie C2000TM Echtzeit-Mikrocontroller (MCUs) von Texas Instruments. Das neu kommerzialisierte Netzteil, das den LMG3522R030 GaN-FET von TI und eine Echtzeit-MCU TMS320F28003x C2000 verwendet, hat eine Leistungsdichte von mehr als 95 W/in3 und erfüllt die 80 Plus Titanium-Kriterien.
Im April 2022 kündigte Mitsubishi Electric seine Pläne an, im nächsten Monat Muster seines 2,0-kV-Bipolartransistormoduls (IGBT) mit isoliertem Gate für den industriellen Einsatz auszuliefern. Das IGBT-Modul der T-Serie vom Typ LV100 soll die Größe und den Stromverbrauch von 1500-V-Wandlern für erneuerbare Energiequellen mit einer Schaltfrequenz von 1 bis 5 kHz reduzieren. 1500V ist die Obergrenze der EU-Niederspannungsrichtlinie, die mit 1700V-Geräten nur schwer zu erreichen sein könnte. Die Modulproben haben eine Sperrspannungsfähigkeit von 2,0 kV für Großleistungssysteme von mehreren hundert kW bis zu mehreren MW.
Marktführer für Leistungstransistoren in Europa
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Infineon Technologies AG
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Renesas Electronics Corporation
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Texas Instruments Inc.
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NXP Semiconductors N.V.
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Mitsubishi Electric Corporation
- *Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
Marktnachrichten für Leistungstransistoren in Europa
- März 2023 Die Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation stellt den diskreten 650-V-Bipolartransistor (IGBT) mit diskretem isoliertem Gate (IGBT) GT30J65MRB für PFC-Schaltungen (Power Factor Correction) in Klimaanlagen und großen Netzteilen für Industrieanlagen vor. Toshiba integriert die neueste Methode in seinen neuen IGBT. Eine optimierte Trench-Struktur erreicht eine branchenführend niedrige Schaltdämpfung (Abschaltdämpfung) von 0,35 mJ, etwa 42 % niedriger als das Vorgängerprodukt von Toshiba GT50JR22. Der neue IGBT enthält auch eine Diode mit einer Durchlassspannung von 1,20 V, die etwa 43 % niedriger ist als die GT50JR22.
- Januar 2023 NXP stellt den MMRF5018HS 125 W CW GaN auf SiC-HF-Leistungstransistor vor. Das MMRF5018HS ist in einem NI-400HS-Keramikgehäuse mit Lufthohlraum und niedrigem Rth. Der MMRF5018HS eignet sich aufgrund seiner hohen Verstärkung und Robustheit für CW-, Impuls- und Breitband-HF-Anwendungen. Die MMRF5018HS Multi-Oktaven-Breitbandleistung ist für 1-2700 MHz-Anwendungen optimiert. Die Thermik wird zu einem wichtigen Faktor, um die Wärme abzuleiten, während sie mit so großen Bandbreiten und hoher Leistung betrieben wird. Mit seinem niedrigen Wärmewiderstand von 1,21 °C / W (FEA-berechnet) Kanal-zu-Gehäuse-Wärmewiderstand bei 90 °C und 109 W Verlustleistung stärkt NXP sein Breitband-GaN-Portfolio weiter.
Segmentierung der europäischen Leistungstransistorindustrie
Die Leistungstransistoren dienen der Verstärkung und Regelung von Signalen. Sie bestehen aus Hochleistungs-Halbleitermaterialien wie Germanium und Silizium. Diese Transistoren können einen bestimmten Spannungspegel verstärken und regeln und bestimmte Bereiche von hohen und niedrigen Nennspannungen verarbeiten.
Der europäische Markt für Leistungstransistoren ist nach Produkt (Niederspannungs-FETs, IGBT-Module, HF- und Mikrowellentransistoren, Hochspannungs-FETs und IGBT-Transistoren), nach Typ (Bipolartransistor, Feldeffekttransistor, Heterojunction-Bipolartransistor und andere Typen), nach Endverbrauchern (Unterhaltungselektronik, Kommunikation und Technologie, Automobil, Fertigung, Energie und Strom und andere Endverbraucher) und Geografie (Vereinigtes Königreich, Deutschland, Frankreich, Italien, übriges Europa).
Die Marktgrößen und Prognosen werden für alle oben genannten Segmente wertmäßig (Mio. USD) angegeben.
Häufig gestellte Fragen
Wie groß ist der aktuelle europäische Markt für Leistungstransistoren?
Der europäische Markt für Leistungstransistoren wird im Prognosezeitraum (2024-2029) voraussichtlich eine CAGR von 3,30 % verzeichnen
Wer sind die Hauptakteure auf dem europäischen Markt für Leistungstransistoren?
Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Texas Instruments Inc., NXP Semiconductors N.V., Mitsubishi Electric Corporation sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem europäischen Leistungstransistormarkt tätig sind.
Welche Jahre deckt dieser europäische Leistungstransistormarkt ab?
Der Bericht deckt die historische Marktgröße des europäischen Leistungstransistormarktes für die Jahre ab 2019, 2020, 2021, 2022 und 2023. Der Bericht prognostiziert auch die Marktgröße für Leistungstransistoren in Europa für die Jahre 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 und 2029.
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Bericht über die europäische Leistungstransistorindustrie
Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate von Leistungstransistoren in Europa im Jahr 2024, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die Analyse von Leistungstransistoren in Europa enthält einen Marktprognoseausblick und einen historischen Überblick. Erhalten Ein Beispiel dieser Branchenanalyse als kostenloser Bericht als PDF-Download.