Marktgröße für Leistungstransistoren in Europa

Zusammenfassung des europäischen Leistungstransistormarktes
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Marktanalyse für Leistungstransistoren in Europa

Der europäische Markt für Leistungstransistoren wurde auf 3.973,64 Mio. USD geschätzt und wird im Prognosezeitraum voraussichtlich eine CAGR von 3,3 % verzeichnen und bis zum Ende des Prognosezeitraums 4828,258 Mio. USD erreichen.

  • Es wird erwartet, dass der Anstieg der Nachfrage nach vernetzten Geräten im Laufe des Prognosezeitraums einen erheblichen Einfluss auf das Wachstum des weltweiten Marktes für Leistungstransistoren haben wird. Leistungstransistoren helfen bei der schnellen Wärmeableitung, verhindern Überhitzung, reduzieren Kohlendioxidemissionen und sparen Stromkosten.
  • Laut Cisco wird die Zahl der vernetzten Geräte in Mittel- und Osteuropa von 1,2 Milliarden im Jahr 2018 auf 2,0 Milliarden im Jahr 2023 ansteigen. Bis 2023 wird es in Mittel- und Osteuropa 4,0 vernetzte Geräte pro Person geben, gegenüber 2,5 im Jahr 2018.
  • Leistungstransistoren werden in der Regel in Automobilanwendungen eingesetzt, da sie hohe Spannungs- und Strompegel effizient verarbeiten können. Sie werden in verschiedenen Bereichen des Fahrzeugs eingesetzt, darunter Motorsteuerungssysteme, Getriebesysteme, Energiemanagement, Batteriemanagement und Beleuchtungssysteme.
  • Leistungstransistoren für Kraftfahrzeuge sind so konzipiert, dass sie strenge Anforderungen an Zuverlässigkeit, Haltbarkeit und Sicherheit erfüllen. Sie werden in Motorsteuerkreisen eingesetzt, um die Drehzahl des Motors zu regeln. Sie werden auch in Elektro- und Hybridfahrzeugen verwendet, um den für den Antrieb verwendeten Motor zu steuern. Leistungstransistoren werden in Batteriemanagementsystemen verwendet, um den Batteriezustand und den Ladestatus zu überwachen, um den Ladestrom zu steuern, und in automatischen Getriebesystemen, um das Schalten von Gängen zu steuern.
  • Weitere Faktoren, die den untersuchten Markt voraussichtlich antreiben werden, sind Sicherheit, Infotainment, Navigation und Kraftstoffeffizienz in Automobilkomponenten sowie Sicherheit, Automatisierung, Festkörperbeleuchtung, Transport und Energiemanagement in Industriekomponenten. So wird beispielsweise erwartet, dass der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), ein Schlüsselelement des EV-Leistungselektroniksystems, eine hohe Nachfrage erfahren wird, da die Verkäufe von Elektrofahrzeugen international steigen.
  • Laut Kraftfahrt-Bundesamt waren in Deutschland im Jahr 2020 1,2 % aller Pkw elektrifiziert (batterieelektrische Fahrzeuge (BEVs) und Plug-in-Hybrid-Elektrofahrzeuge (PHEVs)). Die Prognose besagt, dass der Anteil bis 2030 auf 24,4 % oder über 11,55 Millionen Fahrzeuge steigen wird. Ein solcher Anstieg von Elektrofahrzeugen (EV) würde den Markt antreiben.
  • Die Region erlebt auch mehrere Innovationen, die auf die komplexen Anforderungen der Verbraucher zugeschnitten sind. So wurde beispielsweise im Juni 2022 der erste vertikale bipolare organische Hochleistungstransistor von Wissenschaftlern des Dresden Integrated Centre for Applied Physics and Photonic Materials (IAPP) in Deutschland entwickelt und damit den Weg für die Entwicklung anpassungsfähiger organischer Logiksysteme geebnet. In den letzten 20 Jahren wurden organische Feldeffekttransistoren (FET) für Anwendungen wie Bildschirmtreiber entwickelt; Aufgrund ihrer schlechten Ladungsträgermobilität können sie jedoch nur im niedrigen bis mittleren Megahertz-Bereich arbeiten. Der Bipolartransistor hingegen bietet eine niedrige Kapazität und einen niedrigen Übergangswiderstand, hat aber Schwierigkeiten bei der Miniaturisierung und Prozessintegration.
  • Auf der anderen Seite steht die Leistungstransistortechnologie vor einer Reihe von Herausforderungen. Einige dieser Herausforderungen hängen mit der Geräteleistung zusammen, z. B. der Verbesserung der Effizienz und Leistungsdichte. Weitere Herausforderungen beziehen sich auf die Zuverlässigkeit der Geräte, wie z. B. die Verringerung des Risikos thermischer Belastungen und die Verbesserung der Zuverlässigkeit bei hohen Spannungen. Leistungstransistoren erzeugen während des Betriebs viel Wärme, was zu Zuverlässigkeitsproblemen führen und die Leistungsdichte der Geräte einschränken kann. Die Verbesserung des Wärmemanagements von Leistungstransistoren ist eine wichtige Herausforderung.
  • Darüber hinaus wirkte sich der Ausbruch von COVID-19 auf die Produktionsstätten der Automobilindustrie auf der ganzen Welt aus. Der COVID-19-Ausbruch in den europäischen Ländern wirkte sich auf die Automobilindustrie in der Region aus. Nach Angaben der Foreign Car Manufacturers Association und der National Union Representatives Vehicles Foreign Affairs (UNRAE) haben der COVID-19-Ausbruch und die schwachen Wirtschaftsaussichten einen Nachfragerückgang im Automobilsektor ausgelöst. Solche Faktoren könnten das Wachstum des untersuchten Marktes in der Region hemmen.

Überblick über die europäische Leistungstransistorindustrie

Der europäische Markt für Leistungstransistoren ist mäßig fragmentiert, mit der Präsenz mehrerer Akteure wie Infineon Technologies, Renesas Electronics, Texas Instruments usw. Da der Markt hart umkämpft ist, sind die Marktteilnehmer ständig bestrebt, fortschrittliche Technologien einzuführen und umfassende Produkte zu entwickeln, um den sich entwickelnden Bedürfnissen ihrer Kunden gerecht zu werden.

Im März 2023 entschied sich LITEON Technology nach Angaben des Unternehmens für den hochintegrierten Galliumnitrid (GaN)-Feldeffekttransistor (FET) sowie C2000TM Echtzeit-Mikrocontroller (MCUs) von Texas Instruments. Das neu kommerzialisierte Netzteil, das den LMG3522R030 GaN-FET von TI und eine Echtzeit-MCU TMS320F28003x C2000 verwendet, hat eine Leistungsdichte von mehr als 95 W/in3 und erfüllt die 80 Plus Titanium-Kriterien.

Im April 2022 kündigte Mitsubishi Electric seine Pläne an, im nächsten Monat Muster seines 2,0-kV-Bipolartransistormoduls (IGBT) mit isoliertem Gate für den industriellen Einsatz auszuliefern. Das IGBT-Modul der T-Serie vom Typ LV100 soll die Größe und den Stromverbrauch von 1500-V-Wandlern für erneuerbare Energiequellen mit einer Schaltfrequenz von 1 bis 5 kHz reduzieren. 1500V ist die Obergrenze der EU-Niederspannungsrichtlinie, die mit 1700V-Geräten nur schwer zu erreichen sein könnte. Die Modulproben haben eine Sperrspannungsfähigkeit von 2,0 kV für Großleistungssysteme von mehreren hundert kW bis zu mehreren MW.

Marktführer für Leistungstransistoren in Europa

  1. Infineon Technologies AG

  2. Renesas Electronics Corporation

  3. Texas Instruments Inc.

  4. NXP Semiconductors N.V.

  5. Mitsubishi Electric Corporation

  6. *Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
Marktkonzentration für Leistungstransistoren in Europa
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Marktnachrichten für Leistungstransistoren in Europa

  • März 2023 Die Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation stellt den diskreten 650-V-Bipolartransistor (IGBT) mit diskretem isoliertem Gate (IGBT) GT30J65MRB für PFC-Schaltungen (Power Factor Correction) in Klimaanlagen und großen Netzteilen für Industrieanlagen vor. Toshiba integriert die neueste Methode in seinen neuen IGBT. Eine optimierte Trench-Struktur erreicht eine branchenführend niedrige Schaltdämpfung (Abschaltdämpfung) von 0,35 mJ, etwa 42 % niedriger als das Vorgängerprodukt von Toshiba GT50JR22. Der neue IGBT enthält auch eine Diode mit einer Durchlassspannung von 1,20 V, die etwa 43 % niedriger ist als die GT50JR22.
  • Januar 2023 NXP stellt den MMRF5018HS 125 W CW GaN auf SiC-HF-Leistungstransistor vor. Das MMRF5018HS ist in einem NI-400HS-Keramikgehäuse mit Lufthohlraum und niedrigem Rth. Der MMRF5018HS eignet sich aufgrund seiner hohen Verstärkung und Robustheit für CW-, Impuls- und Breitband-HF-Anwendungen. Die MMRF5018HS Multi-Oktaven-Breitbandleistung ist für 1-2700 MHz-Anwendungen optimiert. Die Thermik wird zu einem wichtigen Faktor, um die Wärme abzuleiten, während sie mit so großen Bandbreiten und hoher Leistung betrieben wird. Mit seinem niedrigen Wärmewiderstand von 1,21 °C / W (FEA-berechnet) Kanal-zu-Gehäuse-Wärmewiderstand bei 90 °C und 109 W Verlustleistung stärkt NXP sein Breitband-GaN-Portfolio weiter.

Table of Contents

1. EINFÜHRUNG

  • 1.1 Studienannahmen und Marktdefinition
  • 1.2 Umfang der Studie

2. FORSCHUNGSMETHODIK

3. ZUSAMMENFASSUNG

4. MARKTEINBLICKE

  • 4.1 Marktübersicht
  • 4.2 Attraktivität der Branche – Porters Fünf-Kräfte-Analyse
    • 4.2.1 Verhandlungsmacht der Lieferanten
    • 4.2.2 Verhandlungsmacht der Käufer
    • 4.2.3 Bedrohung durch Neueinsteiger
    • 4.2.4 Wettberbsintensität
    • 4.2.5 Bedrohung durch Ersatzprodukte
  • 4.3 Technologische Trends
  • 4.4 Wertschöpfungskettenanalyse
  • 4.5 Bewertung der Auswirkungen von COVID-19 auf den Markt

5. MARKTDYNAMIK

  • 5.1 Marktführer
    • 5.1.1 Steigende Nachfrage nach vernetzten Geräten
    • 5.1.2 Steigende Nachfrage nach energieeffizienten elektronischen Geräten
  • 5.2 Marktbeschränkungen
    • 5.2.1 Betriebseinschränkungen aufgrund von Einschränkungen wie Temperatur, Frequenz, Rückwärtssperrkapazität usw.

6. MARKTSEGMENAT

  • 6.1 Nach Produkt
    • 6.1.1 Niederspannungs-FETs
    • 6.1.2 IGBT-Module
    • 6.1.3 HF- und Mikrowellentransistoren
    • 6.1.4 Hochspannungs-FETs
    • 6.1.5 IGBT-Transistoren
  • 6.2 Nach Typ
    • 6.2.1 Bipolarer Sperrschichttransistor
    • 6.2.2 Feldeffekttransistor
    • 6.2.3 Heteroübergangs-Bipolartransistor
    • 6.2.4 Andere Typen (MOSFET, JFET, NPN-Transistor, PNP-Transistor, GaN-Transistor)
  • 6.3 Nach Endbenutzer
    • 6.3.1 Unterhaltungselektronik
    • 6.3.2 Kommunikation und Technologie
    • 6.3.3 Automobilindustrie
    • 6.3.4 Energie und Leistung
    • 6.3.5 Herstellung
    • 6.3.6 Andere Endverbraucherbranchen
  • 6.4 Nach Geografie
    • 6.4.1 Großbritannien
    • 6.4.2 Deutschland
    • 6.4.3 Frankreich
    • 6.4.4 Italien
    • 6.4.5 Rest von Europa

7. WETTBEWERBSLANDSCHAFT

  • 7.1 Firmenprofile
    • 7.1.1 Infineon Technologies AG
    • 7.1.2 Renesas Electronics Corporation
    • 7.1.3 Texas Instruments Inc.
    • 7.1.4 STMicroelectronics N.V.
    • 7.1.5 Mitsubishi Electric Corporation
    • 7.1.6 Toshiba Corporation
    • 7.1.7 Skyworks Solutions, Inc.
    • 7.1.8 ON Semiconductor
    • 7.1.9 NXP Semiconductors N.V.

8. INVESTITIONSANALYSE

9. ZUKUNFT DES MARKTES

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Segmentierung der europäischen Leistungstransistorindustrie

Die Leistungstransistoren dienen der Verstärkung und Regelung von Signalen. Sie bestehen aus Hochleistungs-Halbleitermaterialien wie Germanium und Silizium. Diese Transistoren können einen bestimmten Spannungspegel verstärken und regeln und bestimmte Bereiche von hohen und niedrigen Nennspannungen verarbeiten.

Der europäische Markt für Leistungstransistoren ist nach Produkt (Niederspannungs-FETs, IGBT-Module, HF- und Mikrowellentransistoren, Hochspannungs-FETs und IGBT-Transistoren), nach Typ (Bipolartransistor, Feldeffekttransistor, Heterojunction-Bipolartransistor und andere Typen), nach Endverbrauchern (Unterhaltungselektronik, Kommunikation und Technologie, Automobil, Fertigung, Energie und Strom und andere Endverbraucher) und Geografie (Vereinigtes Königreich, Deutschland, Frankreich, Italien, übriges Europa).

Die Marktgrößen und Prognosen werden für alle oben genannten Segmente wertmäßig (Mio. USD) angegeben.

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Häufig gestellte Fragen

Wie groß ist der aktuelle europäische Markt für Leistungstransistoren?

Der europäische Markt für Leistungstransistoren wird im Prognosezeitraum (2024-2029) voraussichtlich eine CAGR von 3,30 % verzeichnen

Wer sind die Hauptakteure auf dem europäischen Markt für Leistungstransistoren?

Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Texas Instruments Inc., NXP Semiconductors N.V., Mitsubishi Electric Corporation sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem europäischen Leistungstransistormarkt tätig sind.

Welche Jahre deckt dieser europäische Leistungstransistormarkt ab?

Der Bericht deckt die historische Marktgröße des europäischen Leistungstransistormarktes für die Jahre ab 2019, 2020, 2021, 2022 und 2023. Der Bericht prognostiziert auch die Marktgröße für Leistungstransistoren in Europa für die Jahre 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 und 2029.

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Bericht über die europäische Leistungstransistorindustrie

Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate von Leistungstransistoren in Europa im Jahr 2024, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die Analyse von Leistungstransistoren in Europa enthält einen Marktprognoseausblick und einen historischen Überblick. Erhalten Ein Beispiel dieser Branchenanalyse als kostenloser Bericht als PDF-Download.

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