| 調査期間 | 2019 - 2030 |
| 推定の基準年 | 2024 |
| 予測データ期間 | 2025 - 2030 |
| 市場規模 (2025) | 9.36 十億米ドル |
| 市場規模 (2030) | 12.14 十億米ドル |
| CAGR (2025 - 2030) | 7.29% |
| 市場集中度 | 低 |
主要プレーヤー
*免責事項:主要選手の並び順不同 |
米国のディスクリート半導体市場分析
米国のディスクリート半導体市場規模は、2024年にUSD 3.97 billionと推定され、2029年にはUSD 5.65 billionに達し、予測期間中（2024-2029）に7.29%の年平均成長率で成長すると予測されている。
- 米国は、ディスクリート半導体を消費する自動車産業やその他の産業が大きいため、顕著な市場のひとつである。半導体産業は、製造、設計、研究のハブとして米国に大きく依存している。同国の影響力は、電子機器の輸出を刺激し、さまざまなエンドユーザー産業の成長を促進する上で重要な役割を果たしている。家電、通信、自動車を含むこれらの産業は、必須部品としてディスクリート半導体に大きく依存している。
- 乗用車や先進的な自動車に対する需要の高まりは、国内の自動車産業の大幅な成長につながった。同市場を牽引しているのは、主に人口密度の高さであり、その結果、乗用車の利用が増加している。その結果、自動車分野では費用対効果の高い一流の部品が求められ続け、市場の成長を牽引している。
- Wolfspeed Inc.やMicrochip Technology Inc.など、市場の主要プレイヤーの本拠地である同国では、製品の技術革新も著しい。例えば、2024年6月、Navitas Semiconductorは、AIデータセンター電源、車載充電器（OBC）、高速EVロードサイド・スーパーチャージャー、太陽光/蓄電システム（ESS）向けに、高速スイッチング速度、高効率、電力密度の向上を実現するよう設計されたGen-3 Fast（G3F）650Vおよび1200V SiC MOSFETを発表した。
- いくつかの要因により、集積回路の需要は最近急増している。ICは、小型化、高機能化、高性能化など、ディスクリート半導体にはない数多くの利点を備えている。このため、自動車から家電、産業分野に至るまで、さまざまなアプリケーションで広く採用されている。ムーアの法則によるトランジスタの微細化など、半導体製造技術の進歩により、ますます複雑化するICを低コストで製造できるようになったことが、市場の成長を抑制している。
- 米中間の緊張の高まりといったマクロ経済的要因が、マイクロチップや原材料の供給不足につながっている。このようなエンジニアリング・サプライチェーンの混乱は、製品の供給力に大きな影響を与え、業界全体のコストを押し上げている。その結果、ディスクリート半導体メーカーはサプライチェーン戦略を見直し、リスクを軽減する必要に迫られている。
米国のディスクリート半導体市場動向
自動車産業が著しい成長を遂げる
- 自動車分野での電動化へのシフトが、先端半導体部品の必要性を高めている。米国はEV（電気自動車）市場の重要なプレーヤーとして台頭しており、米国では近年、EV販売が大幅に急増している。コックス・オートモーティブは、2023年に米国で約119万台のBEV（バッテリー電気自動車）が販売され、テスラ・モデルが総販売台数の55.1％を占めたと報告している。2位のフォードは、米国のバッテリー電気自動車販売台数の6.1％を占めるに過ぎなかった。
- 同国では自動車工場の拡張が進んでおり、市場の成長を牽引すると予想される。例えば、ルシッド・モーターズは2024年1月、アリゾナ州カサ・グランデの組立工場を約300万平方フィート拡張する計画を明らかにした。この拡張には、新しい製造施設、倉庫、垂直統合型スタンピング施設の追加が含まれる。その結果、拡張される工場の総面積は385万平方フィートを超えることになる。この重要な拡張により、同社は2024年後半に発売予定の待望のSUV「グラビティの製造が可能になる。
- 自動車業界では、電力需要の増大に伴い、従来の自動車用電源からより多くの電流を取り出す必要がある。その結果、高性能で効率的な車載用MOSFETの需要が急増している。さらに、米国ではCO2排出量を抑制するための規制が強化されており、車載用MOSFETの状況は楽観的である。
- 車載用MOSFET（金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ）の需要急増を支えているのは、高度な車両制御と燃焼技術に対するニーズの高まりである。これらの部品は、現代の自動車エレクトロニクス、特にパワートレイン制御やその他の車両システムにおいて極めて重要である。米国では電気自動車（EV）やハイブリッド車（HEV）の需要が急増しており、これが車載用ディスクリート半導体の成長を促し、技術革新と事業拡大の道を開いている。
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パワートランジスタが大きな市場シェアを占める
- MOSFETの設計や製造といったパワー・トランジスタの技術的進歩は、高性能MOSFETに対する需要の高まりに後押しされている。求められる機能には、低オン抵抗、高速スイッチング、熱管理の改善などがある。
- 例えば、2024年3月、インフィニオンは新しい先端MOSFET技術の最初の製品であるOptiMOS 7 80 Vを発表しました。この製品は、EVの車載用DC-DCコンバータ、48 Vモーター制御、例えば電動パワーステアリング（EPS）、48 Vバッテリースイッチ、電動2輪車および3輪車のような要求の厳しい車載アプリケーションに必要な高性能、高品質、および堅牢性のために特別に設計されています。
- 2023年12月、インフィニオンテクノロジーズAGは、4.5 kV XHP 3 IGBTモジュールを発表することで、小型化と統合化の要請に応えた。これらのモジュールは、中電圧駆動（MVD）および輸送アプリケーション、特に2レベルおよび3レベルのトポロジーでAC2000V～3300Vで動作するアプリケーションを変革します。
- 米国では、UPS、パワー・コンディショナー、エアコンなど、低電流用途にディスクリートIGBTを使用する家電製品の需要が増加しており、ディスクリートIGBT市場の成長を牽引しています。ディスクリートIGBTは、民生機器における電力損失が最も低いことが分かっており、これがこのセグメントの市場成長に影響を与える主要因になると予想される。
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米国ディスクリート半導体産業概要
米国のディスクリート半導体市場は断片化されており、Infineon Technologies AG、STMicroelectronics NV、On Semiconductor Corporation、Vishay Intertechnology Inc.、Microchip Technology Inc.などの大手企業が存在する。同市場のプレーヤーは、パートナーシップ、合併、技術革新、投資、買収などさまざまな市場戦略を採用し、製品ラインナップの充実と持続的な競争優位の獲得に努めている。
-2024年1月：Infineon Technologiesがエネルギー貯蔵企業のSinexcel Electricと提携。インフィニオンはこの提携で、Sinexcel に最新の 1200V CoolSiC MOSFET 半導体デバイスを供給する。これらはインフィニオンの小型1200Vシングルチャンネル絶縁ゲートドライブIC「EiceDRIVERによって補完され、エネルギー貯蔵システムの効率向上を目指す。SiCパワー・ソリューションは、今後のグリーン・エネルギー生産と蓄電アプリケーションにおいて極めて重要である。
-2023年11月ネクスぺリアBVは三菱電機と戦略的提携を結び、炭化ケイ素（SiC）MOSFETを共同開発する。この提携により、ネクスペリアと三菱電機は、SiCワイドバンドギャップ半導体のエネルギー効率と性能を次のレベルに押し上げると同時に、高効率ディスクリートパワー半導体の急成長する需要に応えるために力を合わせた。
米国のディスクリート半導体市場のリーダーたち
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Infineon Technologies AG
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STMicroelectronics NV
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On Semiconductor Corporation
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Vishay Intertechnology Inc.
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Microchip Technology Inc.
- *免責事項:主要選手の並び順不同
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米国ディスクリート半導体市場ニュース
- 2024年5月：インフィニオン・テクノロジーズは、SiC MOSFETの開発を650V以下の電圧まで拡大する計画を発表した。同社は、今年初めにデビューした第2世代（G2）技術をベースにした最新の製品、CoolSiCMOSFET 400Vファミリーを発表した。この新しいMOSFETラインアップは、AIサーバーのAC/DCステージ向けに設計されており、インフィニオンの最近のPSUロードマップと一致している。サーバー・アプリケーション以外にも、これらのデバイスはインバーター・モーター制御、ソーラー・エネルギー貯蔵システム、SMPS、さらには住宅環境でのソリッド・ステート・サーキット・ブレーカーなどでもニッチを見つけることができる。
- 2024年2月：東芝は、スーパージャンクション構造を採用した最新世代のDTMOSVIシリーズに、データセンターや太陽光発電用パワーコンディショナなどのスイッチング電源に適した高速ダイオードを搭載したパワーMOSFET「DTMOSVI(HSD)を追加した。新製品は、高速ダイオードを採用することで、ブリッジ回路やインバータ回路用途に重要な逆回復特性を向上させた。
米国のディスクリート半導体産業セグメント化
ディスクリート半導体は、他の部品とは区別されたパッケージに収められた個々のデバイスである。一つのパッケージに何千、何十億ものトランジスタを収容できる集積回路（IC）とは対照的に、ディスクリート半導体は単一の特定の機能を実行することに限定されている。
この調査では、米国の様々なプレーヤーによる様々なエンドユーザー産業でのディスクリート半導体製品の販売を通じて得られた収益を追跡しています。また、主要な市場パラメータ、根本的な成長の影響要因、業界で事業を展開する主要ベンダーを追跡し、予測期間中の市場推定と成長率をサポートします。さらに、COVID-19の後遺症やその他のマクロ経済要因が市場に与える全体的な影響についても分析しています。本レポートのスコープは、様々な市場セグメントの市場規模と予測を網羅しています。
米国のディスクリート半導体市場は、タイプ別（ダイオード、小信号トランジスタ、パワートランジスタ[MOSFETパワートランジスタ、IGBTパワートランジスタ、その他パワートランジスタ]、整流器、サイリスタ）とエンドユーザー産業別（自動車、家電、通信、産業、その他エンドユーザー産業）に区分されています。市場規模および予測は、上記のすべてのセグメントについて金額（米ドル）で提供される。
タイプ別
| ダイオード | |
| 小信号トランジスタ | |
| パワートランジスタ | MOSFET パワートランジスタ |
| IGBTパワートランジスタ | |
| その他のパワートランジスタ | |
| 整流器 | |
| サイリスタ |
エンドユーザー業界別
| 自動車 |
| 家電 |
| コミュニケーション |
| 産業 |
| その他のエンドユーザー産業 |
| タイプ別 | ダイオード | |
| 小信号トランジスタ | ||
| パワートランジスタ | MOSFET パワートランジスタ | |
| IGBTパワートランジスタ | ||
| その他のパワートランジスタ | ||
| 整流器 | ||
| サイリスタ | ||
| エンドユーザー業界別 | 自動車 | |
| 家電 | ||
| コミュニケーション | ||
| 産業 | ||
| その他のエンドユーザー産業 | ||
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米国ディスクリート半導体市場調査 よくある質問
米国のディスクリート半導体市場の規模は？
米国のディスクリート半導体市場規模は、2025年には42.6億ドルに達し、年平均成長率7.29%で成長し、2030年には60.6億ドルに達すると予測される。
現在の米国のディスクリート半導体市場規模は？
2025年、米国のディスクリート半導体市場規模は42.6億ドルに達すると予測される。
米国ディスクリート半導体市場のキープレイヤーは？
Infineon Technologies AG、STMicroelectronics NV、On Semiconductor Corporation、Vishay Intertechnology Inc.、Microchip Technology Inc.が、米国のディスクリート半導体市場で事業を展開している主要企業である。
この米国ディスクリート半導体市場は何年をカバーし、2024年の市場規模は？
2024年の米国ディスクリート半導体市場規模は39億5,000万米ドルと推定されます。本レポートでは、米国のディスクリート半導体市場の過去の市場規模を2019年、2020年、2021年、2022年、2023年、2024年の各年について調査しています。また、2025年、2026年、2027年、2028年、2029年、2030年の米国ディスクリート半導体市場規模を予測しています。
最終更新日:
米国ディスクリート半導体産業レポート
Mordor Intelligence™の産業レポートが作成した2025年の米国ディスクリート半導体市場シェア、規模、収益成長率の統計です。米国のディスクリート半導体の分析には、2025年から2030年までの市場予測展望と過去の概要が含まれます。この産業分析のサンプルを無料レポートPDFダウンロードで入手できます。
