次世代不揮発性メモリの市場分析
次世代不揮発性メモリ市場規模は、2025年に81億米ドルと推定され、予測期間中(2025-2030年)の年平均成長率は14.22%で、2030年には157.5億米ドルに達すると予測される。
- 次世代不揮発性メモリ(NVM)市場は、技術の進歩と高速でエネルギー効率の高いストレージに対する需要の急増に後押しされ、力強い成長を遂げている。
- 企業が膨大な量のデータを生成し、クラウドストレージが普及するにつれて、高速アクセスと低消費電力を実現するメモリソリューションへの需要が高まっています。抵抗変化型RAM(ReRAM)、磁気抵抗変化型RAM(MRAM)、相変化メモリ(PCM)といった新しいメモリ技術が台頭し、従来の不揮発性メモリ(特にフラッシュ)よりも速度、耐久性、エネルギー効率が向上しています。
- 特に相変化メモリ(PCM)とスピン転移トルク磁気RAM(STT-MRAM)における技術革新は、従来のフラッシュメモリを上回る性能と耐久性を実現しています。次世代NVM分野で傑出しているのは、サムスン電子の第8世代垂直NAND(V-NAND)技術である。2022年8月に発表されたこのチップは、エンタープライズ・サーバーのストレージ容量を向上させ、業界最高のビット密度を達成することを約束する。この飛躍は、急増するストレージ需要を満たすだけでなく、NVMの展望における重要なプレーヤーとしてのサムスンの地位を確固たるものにする。
- 3D NAND技術は、不揮発性メモリ(NVM)市場で波紋を広げている。旧来のメモリ技術を凌駕する3D NANDは、500MB/秒を超える読み出し/書き込み速度と、最大1000回の書き込みサイクルの耐久性を誇ります。これは、より迅速なデータアクセスと高い信頼性を意味し、クラウド・コンピューティングやAIのような迅速なデータ検索と処理が要求される分野にとって極めて重要である。
- しかし、次世代メモリの製造コストは、DRAMやフラッシュのような従来のメモリに比べて著しく高い。これは主に、複雑な製造プロセスと高価な材料の使用によるものです。標準化された製造工程がないため、設計コストが増大する。標準化がなければ、効率的に生産を拡大することは依然として困難である。
次世代不揮発性メモリの市場動向
IoTが市場の大きな需要を握る
- 次世代不揮発性メモリ(NVM)技術は、多様なアプリケーションにおける効率的で信頼性が高く、高性能なデータ・ストレージの需要に後押しされ、モノのインターネット(IoT)との交差がますます増えています。
- スマート家電から産業用センサーに至るまで、IoTデバイスが急増するにつれて、効率的なストレージと迅速なアクセスが必要となる膨大な量のデータが生成されます。従来のメモリ・ソリューションは、このような性能と耐久性の要求を満たすのに苦労することが多く、次世代NVM技術への関心が高まっています。
- SKハイニックスは、次世代NVM分野の主要プレーヤーとして、メモリ技術で顕著な進歩を遂げています。同社は、データセンターのAIプロセッサーに不可欠な広帯域メモリー(HBM)DRAMの開発で最先端を走っている。2024年、SKハイニックスはHBM DRAMの全受注を完了したと発表し、各分野のハイパフォーマンス・コンピューティング・ニーズに応える上で極めて重要な役割を担っていることを明らかにした。同社のイノベーションは、IoT、AIアプリケーション、および広範なデータ処理環境の需要に合わせて調整されています。
- 次世代NVMはスマートホームデバイスに革命をもたらしており、これは家電製品への影響の証です。次世代NVMはスマートホームデバイスに革命をもたらし、コンシューマーエレクトロニクスへの影響を実証しています。これらのデバイスは、バッテリー寿命を節約しながら、ユーザー設定、操作データ、ファームウェアアップデートを効率的に保存する高度なメモリーソリューションに依存しています。例えばReRAMは低消費電力と高速性能を提供するため、データを効率的に処理・保存する必要のあるバッテリー駆動のスマートホーム機器に適しています。
- 要約すると、次世代不揮発性メモリ技術の進歩は、IoTの展望を再構築し、より高速で効率的かつ安全なデータストレージ・ソリューションを促進している。コネクテッドデバイスの需要がますます高まる中、NVMが、さまざまな分野のIoTアプリケーションの進化するニーズに対応する上で極めて重要な役割を果たしていることは明らかです。
北米が市場の主要シェアを占めると予想される
- 次世代不揮発性メモリ(NVM)技術は、インフラ整備、技術革新、さまざまな分野での需要急増に後押しされ、北米で大きな成長を遂げようとしている。
- 米国のNVM業界を牽引しているのは、サムスン電子、マイクロン・テクノロジー、SKハイニックスといった大手企業です。これらの企業は、技術革新だけでなく、市場での存在感を積極的に拡大し、この速いペースで変化する分野で常に優位を保っています。
- 強固な研究開発エコシステムに支えられ、米国ではNVM技術の革新が急増している。この勢いは、官民双方からの多額の投資によって大きく後押しされ、さまざまな業界のダイナミックなニーズに合わせた画期的なメモリアーキテクチャや材料への道を開いています。
- カナダでは、コンシューマ・エレクトロニクス・セクターが次世代NVM技術を活用したデバイスに軸足を移しています。特に、スマートフォンやタブレットのような製品では、優れた記憶容量と高速データアクセス速度で知られる3D NANDの採用が進んでいます。
- カナダでは、Vantage Data Centersの野心的な9億カナダドル(6億2,490万米ドル)規模の拡張計画に象徴されるように、データセンター・インフラ・ブームが起きている。このような動きは、SSDやMRAMを含む高性能NVMソリューションの需要を増大させるでしょう。
- インフラの進歩、急成長するデジタル経済、研究開発への旺盛な投資により、北米は次世代不揮発性メモリ市場で大きな飛躍を遂げる態勢を整えている。各分野が大容量で効率的なメモリ・ソリューションを渇望する中、北米はNVM技術の革新とその応用に参加するだけでなく、主導的な役割を担っている。
次世代不揮発性メモリの業界概要
次世代不揮発性メモリ市場は競争が激しく、断片化されており、主に大手プレイヤーの存在がその原動力となっている。これらの主要プレーヤーは、競争力を維持し、世界的な足跡を広げるために、合併、買収、製品革新などの戦略を採用している。主要プレーヤーには、サムスン電子、マイクロン・テクノロジー、インテル・コーポレーションなどが含まれる。
次世代不揮発性メモリ市場は、現代のコンピューティング環境の需要に対応できる高度なストレージ・ソリューションの必要性に後押しされ、拡大基調にある。メモリ技術の継続的な進歩により、データ・ストレージの状況は大きく進化し、さまざまな業界にわたる幅広いアプリケーションをサポートするようになる。
次世代不揮発性メモリ市場のリーダーたち
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Samsung Electronics Co., Ltd.
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Micron Technology, Inc.
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Intel Corporation
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SK hynix Inc.
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
- *免責事項:主要選手の並び順不同
次世代不揮発性メモリ市場ニュース
- 2024年4月:韓国の研究チームが、既存のメモリを置き換えたり、次世代人工知能ハードウェアのニューロモーフィック・コンピューティングの実装に使用できる、低処理コストと超低消費電力の新しいメモリ・デバイスを開発。
- 2024年3月研究者らは、低温での高品質酸化膜の製造と効果的なパターニングを可能にする新しい製造技術を開発し、不揮発性抵抗ランダムアクセスメモリを製造。既存の製造技術の欠点を克服し、耐久性に優れたメモリを開発することで、次世代コンピューティングシステムへの応用が期待される。
次世代不揮発性メモリの業界セグメント化
次世代不揮発性メモリ(NVM)とは、電源を切ってもデータを保持し、高速性、高密度、不揮発性の利点を併せ持つ高度なメモリ技術を指す。
次世代不揮発性メモリ市場は、タイプ別(MRAM、FRAM、ReRAM、3D-X Point、Nano RAM、その他のタイプ)、ウェハサイズ別(200 mm、300 mm)、エンドユーザー別(BFSI、家電、政府、IT・通信、その他のエンドユーザー)、地域別(北米、欧州、アジア太平洋、中南米、中東、アフリカ)に区分されている。市場規模および予測は、上記のすべてのセグメントについて金額(米ドル)ベースで提供される。
| 磁気共鳴画像 |
| フォワード |
| リラム |
| 3D-Xポイント |
| ナノRAM |
| その他のタイプ |
| 200ミリメートル |
| 300ミリメートル |
| BFSI |
| 家電 |
| 政府 |
| ITおよび通信 |
| その他のエンドユーザー |
| 北米 |
| ヨーロッパ |
| アジア |
| オーストラリアとニュージーランド |
| ラテンアメリカ |
| 中東およびアフリカ |
| タイプ別 | 磁気共鳴画像 |
| フォワード | |
| リラム | |
| 3D-Xポイント | |
| ナノRAM | |
| その他のタイプ | |
| ウェーハサイズ別 | 200ミリメートル |
| 300ミリメートル | |
| エンドユーザー別 | BFSI |
| 家電 | |
| 政府 | |
| ITおよび通信 | |
| その他のエンドユーザー | |
| 地理別*** | 北米 |
| ヨーロッパ | |
| アジア | |
| オーストラリアとニュージーランド | |
| ラテンアメリカ | |
| 中東およびアフリカ |
次世代不揮発性メモリ市場に関する調査FAQ
次世代不揮発性メモリの市場規模は?
次世代不揮発性メモリ市場規模は、2025年に81億ドルに達し、年平均成長率14.22%で成長し、2030年には157.5億ドルに達すると予測される。
現在の次世代不揮発性メモリの市場規模は?
2025年、次世代不揮発性メモリ市場規模は81億ドルに達すると予測される。
次世代不揮発性メモリ市場の主要プレーヤーは?
Samsung Electronics Co., Ltd.、Micron Technology, Inc.、Intel Corporation、SK hynix Inc.、Toshiba Electronic Devices & Storage Corporationは、次世代不揮発性メモリー市場で事業を展開している主要企業である。
次世代不揮発性メモリ市場で最も成長している地域は?
アジア太平洋地域は、予測期間(2025-2030年)に最も高いCAGRで成長すると推定される。
次世代不揮発性メモリ市場で最大のシェアを占める地域は?
2025年、次世代不揮発性メモリ市場で最大のシェアを占めるのは北米である。
この次世代不揮発性メモリ市場は何年をカバーし、2024年の市場規模は?
2024年の次世代不揮発性メモリ市場規模は69.5億米ドルと推定される。本レポートでは、2019年、2020年、2021年、2022年、2023年、2024年の次世代不揮発性メモリ市場の過去の市場規模をカバーしています。また、2025年、2026年、2027年、2028年、2029年、2030年の次世代不揮発性メモリ市場規模を予測しています。
最終更新日:
次世代不揮発性メモリ産業レポート
Mordor Intelligence™ Industry Reportsが作成した2025年次世代不揮発性メモリ市場シェア、規模、収益成長率の統計。次世代不揮発性メモリの分析には、2025年から2030年までの市場予測展望と過去の概要が含まれます。この産業分析のサンプルを無料レポートPDFダウンロードで入手できます。