Marktgröße und Marktanteil für statischen Direktzugriffsspeicher (SRAM)
Marktübersicht
| Studienzeitraum | 2019 - 2030 |
|---|---|
| Marktgröße (2025) | 1.71 Milliarden US-Dollar |
| Marktgröße (2030) | 2.25 Milliarden US-Dollar |
| Wachstumsrate (2025 - 2030) | 5.60% CAGR |
| Schnellstwachsender Markt | Naher Osten und Afrika |
| Größter Markt | Asien-Pazifik |
| Marktkonzentration | Mittel |
Hauptakteure
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert Bild © Mordor Intelligence. Wiederverwendung erfordert Namensnennung gemäß CC BY 4.0. |
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Marktanalyse für statischen Direktzugriffsspeicher (SRAM) von Mordor Intelligence
Die globale Marktgröße für statischen Direktzugriffsspeicher betrug 1,71 Milliarden USD im Jahr 2025 und soll mit einer CAGR von 5,60% voraussichtlich auf 2,25 Milliarden USD bis 2030 steigen. Das Wachstum spiegelte den Übergang zu KI-zentriertem Computing, 5G-Einführungen und Echtzeit-Edge-Processing wider, die alle auf SRAMs ultrageringe Latenz für Cache-Hierarchien angewiesen sind. Halbleiterhersteller priorisierten die Verkleinerung von SRAM-Zellen bei 2 nm, um größere L2/L3-Caches zu unterstützen und dabei die Energiebudgets im Griff zu behalten. Die Modernisierung von Rechenzentren trieb die Nachfrage nach Hochgeschwindigkeitspuffern in Switches und Acceleratoren an, während Verbrauchergerät-Erneuerungszyklen eine konstante Grundlage beibehielten. Die Resilienz der Lieferkette wurde nach dem Taiwan-Erdbeben 2024, das die Foundry-Produktion störte, von zentraler Bedeutung und veranlasste geografische Diversifizierungsinitiativen. Gleichzeitig verstärkten aufkommende nichtflüchtige Speicher wie MRAM den Konkurrenzdruck auf konventionelle SRAM in batteriepufferbasierten Designs.[1]Everspin Technologies, "MRAM Replaces nvSRAM," everspin.com
Wichtige Erkenntnisse des Berichts
Nach Funktion hielt synchroner SRAM 58,4% des Marktanteils für statischen Direktzugriffsspeicher im Jahr 2024; asynchroner SRAM verzeichnete die schnellste CAGR von 6,4% bis 2030.
Nach Produkttyp führte Pseudo-SRAM mit 54,4% Umsatzanteil im Jahr 2024, während nichtflüchtiger SRAM voraussichtlich mit einer CAGR von 8,7% expandieren wird.
Nach Speicherdichte entfiel auf die 8-64 Mb-Kategorie 42,3% der Marktgröße für statischen Direktzugriffsspeicher im Jahr 2024; Dichten über 256 Mb werden voraussichtlich mit 7,5% CAGR wachsen.
Nach Endnutzer erzielte die Verbraucherelektronik 46,3% des Umsatzes im Jahr 2024; Automobil und Luft- und Raumfahrt verzeichnen eine CAGR von 9,1%.
Nach Geografie kommandierte Asien-Pazifik 61,4% Anteil des Marktes für statischen Direktzugriffsspeicher im Jahr 2024, während der Nahe Osten und Afrika die am schnellsten wachsenden Regionen mit 7,5% CAGR sind.
Globale Trends und Einblicke des Marktes für statischen Direktzugriffsspeicher (SRAM)
Analyse der Treiber-Auswirkungen
| Treiber | (~) % Auswirkung auf CAGR-Prognose | Geografische Relevanz | Auswirkungszeitrahmen |
|---|---|---|---|
| Steigende Nachfrage nach schnelleren Cache-Speichern | +1.2% | Global, konzentriert in Nordamerika und Asien-Pazifik | Mittelfristig (2-4 Jahre) |
| Aufbau von Rechenzentren und 5G-Netzwerken | +1.0% | Global, mit Schwerpunkt auf Asien-Pazifik und Nordamerika | Kurzfristig (≤ 2 Jahre) |
| Verbreitung von IoT- und Wearable-Geräten | +0.8% | Global, angeführt von asiatisch-pazifischen Fertigungszentren | Mittelfristig (2-4 Jahre) |
| 3D-integrierter SRAM für Chiplets | +0.6% | Nordamerika und Asien-Pazifik fortschrittliche Fabs | Langfristig (≥ 4 Jahre) |
| Strahlungsgehärteter SRAM für LEO-Satelliten | +0.4% | Global, konzentriert in Nordamerika und Europa | Langfristig (≥ 4 Jahre) |
| Einführung von In-Memory-KI-Beschleunigern | +0.7% | Global, mit Führung von Nordamerika und Asien-Pazifik | Mittelfristig (2-4 Jahre) |
| Quelle: Mordor Intelligence | |||
Steigende Nachfrage nach schnelleren Cache-Speichern
Fortschrittliche CPUs und GPUs, die 2025 ausgeliefert wurden, zeigten größere On-Chip-Caches zur Reduzierung der Inferenz-Latenz, wobei Intels Xeon 6 eine 1,4-fache Leistungssteigerung durch Cache-Optimierung zeigte. TSMCs 2-nm-Plattform lieferte eine höhere SRAM-Zelldichte als konkurrierende 18A-Knoten und bot Hyperscale-Kunden mehr L3-Cache pro Watt. Marvell stellte 2-nm-kundenspezifischen SRAM vor, der 6 Gb stromsparenden Speicher packt und den Energieverbrauch um 66% gegenüber vorherigen Knoten reduziert. Solche Innovationen ermöglichten es KI-Beschleunigern, Modellparameter näher an Recheneinheiten zu halten, den Durchsatz aufrechtzuerhalten und dabei den DRAM-Verkehr zu begrenzen. Folglich profitierte der Markt für statischen Direktzugriffsspeicher von wiederkehrenden Kapazitätssteigerungen in Rechenzentrum- und Edge-Silizium.
Aufbau von Rechenzentren und 5G-Netzwerken
Cloud-Betreiber verdoppelten Rack-Dichten zur Aufnahme von KI-Servern und förderten damit die breitere Nutzung von SRAM-basierten Paketpuffern in Top-of-Rack-Switches. Microsoft testete 246-275 GHz drahtlose Backplanes in Serverhallen, wo Mikrosekunden-Pufferung auf Hochgeschwindigkeits-SRAM angewiesen war. Ciscos konvergierter 5G-Transport förderte deterministische Latenz und erforderte tiefe SRAM-Warteschlangen in Routern. Corning prognostiziert einen 18-fachen Sprung in der Fasernachfrage pro KI-Rack, was die Skalierung von Switch-Puffern basierend auf synchronem SRAM widerspiegelt. Diese Infrastrukturwelle verstärkte die kurzfristige Umsatzsichtbarkeit für den Markt für statischen Direktzugriffsspeicher.
Verbreitung von IoT- und Wearable-Geräten
Ultra-stromsparende Edge-Chips für Gesundheits-Wearables übernahmen kundenspezifische SRAM-Blöcke, die Daten bei einstelligen Mikrowatt behielten; Syntiants neuronale Prozessoren exemplifizierten den Trend. Edge2LoRa-Gateways integrierten bescheidenen SRAM zur Vorverarbeitung von Sensordaten und reduzierten die Backhaul-Bandbreite um 90%. Automotive-MCUs wie Renesas R-Car integrieren deterministischen SRAM für Over-the-Air-Updates und ADAS-Arbeitslasten. Zusammengenommen erweiterten diese Implementierungen die Kundenbasis für asynchrone und Pseudo-SRAM-Produkte, die auf Energiebeschränkungen zugeschnitten sind.
Einführung von In-Memory-KI-Beschleunigern
Forschungsprototypen demonstrierten photonischen SRAM mit eingebetteter XOR-Logik, der bei >10 GHz ausgeführt wird und dabei 13,2 fJ pro Bit verbraucht, was auf zukünftige Compute-in-Memory-Architekturen hinweist. Ein 28-nm-36-Kb-Compute-in-Memory-SRAM reduzierte die Gewichtsaktualisierungsenergie und ebnete den Weg für eingebettete KI-Inferenz-Engines. Everspins PERSYST positionierte persistenten Speicher für sicherheitskritische KI-Arbeitslasten, bei denen Datenerhaltung nach Stromausfall erforderlich ist. Diese Fortschritte verstärkten das Interesse an Spezial-SRAM, der Geschwindigkeit mit Programmierbarkeit verbindet und den Markt für statischen Direktzugriffsspeicher weiter ausdehnt.
Analyse der Beschränkungen-Auswirkungen
| Beschränkung | (~) % Auswirkung auf CAGR-Prognose | Geografische Relevanz | Auswirkungszeitrahmen |
|---|---|---|---|
| Hohe Kosten pro Bit vs. DRAM/NAND | -0.9% | Global, besonders kostensensitive Anwendungen betreffend | Kurzfristig (≤ 2 Jahre) |
| Eskalierende Leistung bei ≤5 nm Knoten | -0.7% | Fortschrittliche Fabs in Asien-Pazifik und Nordamerika | Mittelfristig (2-4 Jahre) |
| Aufkommende NVM (MRAM/ReRAM) Verdrängung | -0.5% | Global, mit früher Adoption in Automobil und Industrie | Langfristig (≥ 4 Jahre) |
| Ertragsverlust durch Lithografie-Variabilität | -0.4% | Fortschrittliche Prozessknoten global | Mittelfristig (2-4 Jahre) |
| Quelle: Mordor Intelligence | |||
Hohe Kosten pro Bit vs. DRAM/NAND
SRAM blieb mehrfach teurer pro Bit als Commodity-DRAM und setzte Designer unter Druck, die Nutzung in Massenmarkt-Geräten zu reduzieren. DDR4-Modulpreise stiegen ungefähr 50% in H1 2025 und illustrierten die Volatilität über den gesamten Speicher-Stack. Samsung nutzte die sich verschärfende Versorgung, um LPDDR4-Preise zu steigern, aber diese Taktik riskierte, das OEM-Interesse an Hybrid-SRAM-DRAM-Architekturen zur Kostensenkung zu beschleunigen. Folglich sah sich der Markt für statischen Direktzugriffsspeicher Widerstand in Einstiegs-Verbrauchersegmenten gegenüber, bis sich Dichte-versus-Kosten-Kompromisse verbesserten.
Aufkommende NVM (MRAM/ReRAM) Verdrängung
Einzel-Nanometer CoFeB/MgO-Magnettunnelübergänge erreichten Sub-10-ns-Schaltung und zehnjährige Retention und ermöglichten es MRAM, nvSRAM in robusten Systemen zu ersetzen. Everspin vermarktete MRAM als Plug-in-Ersatz für batteriepufferbasierten SRAM und bot Nichtflüchtigkeit ohne externe Kondensatoren. Automotive-FPGA-Lieferanten wie Lattice wechselten von Flash zu MRAM-Konfigurationsspeicher und zeigten echte Adoption.[2]Jim Tavacoli, "From Flash to MRAM," Lattice Semiconductor, latticesemi.com Wenn die Produktionskosten weiter fallen, könnte ein Teil des Marktes für statischen Direktzugriffsspeicher zu persistenten Alternativen migrieren.
Segmentanalyse
Nach Funktion: Leistung hängt von synchronen Architekturen ab
Synchroner SRAM eroberte 58,4% des Marktanteils für statischen Direktzugriffsspeicher im Jahr 2024 und unterstrich seine Unentbehrlichkeit für deterministischen Cache-Betrieb in CPUs, GPUs und Netzwerk-ASICs. Automotive-MCUs verwendeten synchrone Arrays, um strenge Echtzeitanforderungen für Fahrerassistenz-Arbeitslasten zu erfüllen. Das Segment wird die Führung beibehalten, da fortschrittliche Knoten Frequenzbereiche erweitern und Kernspannungen reduzieren.
Asynchroner SRAM expandierte mit einer CAGR von 6,4% und bediente zunehmend IoT-Wearables und Edge-Gateways, bei denen Energiebudgets Latenz-Ziele übersteuern. Energieeffiziente Designs eliminierten Clock-Trees und vereinfachten Board-Layouts, ein Segen für batteriebetriebene Gesundheitsgeräte mit Syntiants neuronalen Coprozessoren. Diese Divergenz betonte den Trend des Marktes für statischen Direktzugriffsspeicher zur anwendungsspezifischen Optimierung statt One-Size-fits-all-Leistungsjagd.
Notiz: Segmentanteile aller einzelnen Segmente verfügbar beim Berichtkauf
Nach Produkttyp: Kostenoptimierter Pseudo-SRAM überwiegt
Pseudo-SRAM hielt 54,4% Anteil im Jahr 2024 durch Einbettung von DRAM-Zellen hinter einer SRAM-artigen Schnittstelle und erreichte höhere Dichte ohne Refresh-Management auf Systemebene. RAAAM Memory Technologies und NXP beanspruchten 50% Flächeneinsparung und 10-fache Energieeinsparungen gegenüber klassischem hochdichtem SRAM und appellierten an Massenmarkt-Mikrocontroller.
Nichtflüchtiger SRAM wuchs am schnellsten mit 8,7% CAGR, da Fabriken und Fahrzeuge Datenintegrität während Brownouts benötigten. Industrielle Automatisierungsakteure wählten nvSRAM-Module zum Schutz von Prozessvariablen und vermieden kostspielige Ausfallzeiten. Obwohl nischig, bereicherte diese Kohorte die Landschaft des Marktes für statischen Direktzugriffsspeicher mit wertschöpfenden Resilienz-Features.
Nach Speicherdichte: Mittelbereich bleibt Sweet Spot
Die 8-64-Mb-Kategorie entfiel auf 42,3% der Marktgröße für statischen Direktzugriffsspeicher im Jahr 2024 und passte zu typischen L2/L3-Cache-Footprints über Mainstream-CPUs. Alliance Memorys 32-Mb-Schnell-SRAM in FBGA-Packaging illustrierte kontinuierliche Verfeinerung in dieser Zone.
>256-Mb-Geräte verzeichneten robuste 7,5% CAGR, da KI-Beschleuniger größere On-Chip-Caches suchten, um DRAM-Fetches zu minimieren. Micron prognostizierte, dass Automobile bald 90 GB Gesamtspeicher tragen würden, was auf steigende Nachfrage nach hochdichtem SRAM in zonalen Controllern hinwies. Die Dichte-Evolution spiegelte daher das Wachstum rechenintensiver Arbeitslasten wider, das den Markt für statischen Direktzugriffsspeicher untermauert.
Nach Endnutzer: Verbrauchervolumen vs. Automobilgeschwindigkeit
Verbraucherelektronik generierte 46,3% des Umsatzes 2024 dank der enormen Größe von Smartphones, Tablets und PCs. Micron und Samsung integrierten LPDDR5X und On-Board-SRAM im Galaxy S24 und steigerten die mobile KI-Responsivität.
Automobil- und Luft- und Raumfahrtsegmente verzeichneten eine CAGR von 9,1%, da softwaredefinierte Fahrzeuge deterministischen Cache für Sensorfusion und Over-the-Air-Rekonfiguration benötigten. NXPs S32K5 MCU mit eingebettetem magnetischem RAM schreibt 15-mal schneller als Flash und demonstriert den Appetit auf hochzuverlässigen Speicher.[3]NXP Semiconductors, "S32K5 MCU," stocktitan.net Solche Dynamik erweiterte den Markt für statischen Direktzugriffsspeicher über traditionelle Verbraucher-Erneuerungszyklen hinaus.
Geografieanalyse
Asien-Pazifik behielt 61,4% des Marktanteils für statischen Direktzugriffsspeicher im Jahr 2024, angetrieben von Taiwans Foundry-Dominanz, Südkoreas Speicherinnovation und Chinas Skalierungsanstrengungen. SK Hynixs Aufstieg auf 36% der globalen DRAM-Produktion hob die Technologietiefe der Region hervor. Doch das Taiwan-Erdbeben 2024 enthüllte Konzentrationsrisiken und veranlasste Backup-Fabs in Japan und Singapur. Japan prognostizierte Halbleiterausrüstungsverkäufe von JPY 5,51 Billionen (USD 38,35 Milliarden) im GJ26 und unterstrich den anhaltenden Kapazitätsaufbau.
Naher Osten und Afrika verzeichneten die schnellste CAGR von 7,5%, verankert durch Sovereign-Fund-Ausgaben, um den Golf als Drei-Kontinente-Datenhub zu positionieren. Lagerautomatisierung in der Region war für 17,5% jährliches Wachstum auf USD 1,6 Milliarden bis 2025 ausgelegt und trieb die Nachfrage nach zuverlässigen On-Board-Caches an. Afrikas Energieprojekte reservierten USD 730 Milliarden in neuen Capex bis 2030 und erforderten industrielle Kontrollsysteme, die auf SRAM für deterministische Antwort angewiesen sind.
Nordamerika konzentrierte sich auf KI-Datacenter-Rollouts, während Europa mit dem EUR 43 Milliarden Chips Act auf Souveränität setzte. STMicroelectronics sicherte sich EUR 5 Milliarden (USD 5,4 Milliarden) für einen Siliziumkarbid-Campus in Italien und erweiterte regionale Kompetenz in Leistungselektronik, die auch spezialisierten SRAM verbraucht. Talentmangel bedrohte jedoch die Expansion, wobei ASML warnte, dass es Operationen verlagern könnte, wenn die Immigration verschärft würde. Diese Kontraste heben diverse regionale Hebel hervor, die den Markt für statischen Direktzugriffsspeicher prägen.
Wettbewerbslandschaft
Der Markt zeigte moderate Konsolidierung um integrierte Gerätehersteller und Foundry-orientierte Herausforderer. Samsung, SK Hynix und Micron stärkten Positionen durch Skalierung der HBM-Roadmaps; Samsung beschleunigte seine Pyeongtaek-Wafer-Fab, um HBM4-Geschäft zu ergreifen. SK Hynix ging Partnerschaft mit TSMC bei fortschrittlichem Packaging ein, um Bandbreitenführerschaft zu erhalten.[4]SK hynix, "Partners with TSMC to Strengthen HBM Leadership," skhynix.com
Auf der IP- und Spezialitätenebene zielten GSI Technology und Cypress auf latenzarme Netzwerkausrüstung, während Newcomer wie Numem MRAM-Chiplets planten, die HBM-Klassen-Durchsatz bis 2025 versprechen. Imec, TSMC und Samsung-IBM demonstrierten jeweils CFET-SRAM-Prototypen mit 40% Zellflächen-Reduktion und antizipierten 3D-gestapelte Logik-Speicher-Hybride.
Aufkommende Nischen umfassten strahlungsgehärtete 18T-Zellen für LEO-Satelliten, die Lesestabilität verbesserten und gleichzeitig Standby-Leistung senkten. Finanzierung vom European Innovation Council ermöglichte RAAAM, On-Chip-Pseudo-SRAM für MCU-Märkte voranzutreiben und illustrierte, wie regionale Politik neue Marktteilnehmer katalysierte. Wettbewerbsvorteile drehten sich daher um Packaging-Innovation, Spezial-Prozess-Know-how und Intellectual-Property-Breite, die alle die zukünftige Positionierung des Marktes für statischen Direktzugriffsspeicher prägten.
Branchenführer der statischen Direktzugriffsspeicher (SRAM) Industrie
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Renesas Electronics Corporation
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STMicroelectronics N.V.
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Toshiba Corporation
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Cypress Semiconductor
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Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
- *Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
Aktuelle Branchenentwicklungen
- Juli 2025: Samsung beschleunigte die Pyeongtaek-Wafer-Anlage, um HBM4-Kapazität zu sichern.
- Juni 2025: Marvell führte 2-nm-kundenspezifischen SRAM ein, der 6 Gb Kapazität bei 66% geringerer Leistung liefert.
- Juni 2025: SK Hynix verzeichnete einen KRW 9 Billionen Gewinnsprung durch HBM-Nachfrage.
- Mai 2025: Samsung und SK Hynix entwickelten Hybrid-Bonding für Next-Gen-HBM voran.
Globaler Berichtsumfang des Marktes für statischen Direktzugriffsspeicher (SRAM)
SRAM (statisches RAM) ist Direktzugriffsspeicher (RAM), der Datenbits in seinem Speicher behält, solange Strom zugeführt wird. Im Gegensatz zu dynamischem RAM (DRAM), das Bits in Zellen speichert, die aus einem Kondensator und einem Transistor bestehen, muss SRAM nicht periodisch aufgefrischt werden. Statisches RAM bietet schnelleren Zugang zu Daten und ist teurer als DRAM.
| Asynchroner SRAM |
| Synchroner SRAM |
| Pseudo SRAM (PSRAM) |
| Nichtflüchtiger SRAM (nvSRAM) |
| Andere Produkttypen |
| ≤8 Mb |
| 8 - 64 Mb |
| 64 - 256 Mb |
| >256 Mb |
| Verbraucherelektronik |
| Industrie |
| Kommunikationsinfrastruktur |
| Automobil und Luft- und Raumfahrt |
| Andere Endnutzer |
| Nordamerika | Vereinigte Staaten | |
| Kanada | ||
| Mexiko | ||
| Südamerika | Brasilien | |
| Argentinien | ||
| Rest Südamerika | ||
| Europa | Deutschland | |
| Vereinigtes Königreich | ||
| Frankreich | ||
| Italien | ||
| Russland | ||
| Rest Europa | ||
| Asien-Pazifik | China | |
| Japan | ||
| Südkorea | ||
| Indien | ||
| Taiwan | ||
| Rest Asien-Pazifik | ||
| Naher Osten und Afrika | Naher Osten | Türkei |
| Israel | ||
| GCC-Länder | ||
| Rest Naher Osten | ||
| Afrika | Südafrika | |
| Nigeria | ||
| Rest Afrika | ||
| Nach Funktion | Asynchroner SRAM | ||
| Synchroner SRAM | |||
| Nach Produkttyp | Pseudo SRAM (PSRAM) | ||
| Nichtflüchtiger SRAM (nvSRAM) | |||
| Andere Produkttypen | |||
| Nach Speicherdichte | ≤8 Mb | ||
| 8 - 64 Mb | |||
| 64 - 256 Mb | |||
| >256 Mb | |||
| Nach Endnutzer | Verbraucherelektronik | ||
| Industrie | |||
| Kommunikationsinfrastruktur | |||
| Automobil und Luft- und Raumfahrt | |||
| Andere Endnutzer | |||
| Nach Geografie | Nordamerika | Vereinigte Staaten | |
| Kanada | |||
| Mexiko | |||
| Südamerika | Brasilien | ||
| Argentinien | |||
| Rest Südamerika | |||
| Europa | Deutschland | ||
| Vereinigtes Königreich | |||
| Frankreich | |||
| Italien | |||
| Russland | |||
| Rest Europa | |||
| Asien-Pazifik | China | ||
| Japan | |||
| Südkorea | |||
| Indien | |||
| Taiwan | |||
| Rest Asien-Pazifik | |||
| Naher Osten und Afrika | Naher Osten | Türkei | |
| Israel | |||
| GCC-Länder | |||
| Rest Naher Osten | |||
| Afrika | Südafrika | ||
| Nigeria | |||
| Rest Afrika | |||
Im Bericht beantwortete Schlüsselfragen
Wie hoch ist der aktuelle Wert des Marktes für statischen Direktzugriffsspeicher?
Der Markt erreichte USD 1,71 Milliarden im Jahr 2025 und wird voraussichtlich auf USD 2,25 Milliarden bis 2030 steigen.
Welche Region dominiert den Umsatz des Marktes für statischen Direktzugriffsspeicher?
Asien-Pazifik entfiel auf 61,4% des globalen Umsatzes im Jahr 2024, verankert in Taiwans und Südkoreas Fertigungsökosystemen.
Welches Marktsegment für statischen Direktzugriffsspeicher wächst am schnellsten?
Automobil- und Luft- und Raumfahrtanwendungen expandieren mit einer CAGR von 9,1%, da Fahrzeuge softwaredefinierte Architekturen übernehmen, die latenzarme Caches erfordern.
Wie wirkt sich die aufkommende MRAM-Technologie auf die SRAM-Nachfrage aus?
MRAM bietet Nichtflüchtigkeit und geringere Standby-Leistung und fordert SRAM in batteriepufferbasierten und robusten Systemen heraus und könnte langfristig Anteile abziehen.
Welche Dichteklasse ist bei heutigen SRAM-Chips am häufigsten?
Der 8-64-Mb-Bereich eroberte 42,3% der Verkäufe 2024, weil er mit Mainstream-Prozessor-Cache-Größen übereinstimmt.
Warum überholte synchroner SRAM asynchrone Typen im Umsatzanteil?
Clock-synchronisierte Designs bieten deterministisches Timing, das für Hochleistungs-CPUs, GPUs und Netzwerk-ASICs wesentlich ist, und sicherten sich 58,4% Marktanteil im Jahr 2024.
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