
Analyse des chinesischen Marktes für dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM) von Mordor Intelligence
Die Größe des chinesischen Marktes für dynamischen Direktzugriffsspeicher wird im Jahr 2025 auf 22,68 Milliarden USD geschätzt und soll bis 2030 einen Wert von 27,53 Milliarden USD erreichen, bei einer CAGR von 3,95 % während des Prognosezeitraums (2025–2030).
Da Verbraucher heutzutage aufgrund der zunehmenden Verbreitung moderner Kommunikations- und fortschrittlicher digitaler Technologien sichere Datenspeichersysteme mit wachsenden Kapazitäten benötigen, steigt die Nachfrage nach fortschrittlichen Speicherlösungen wie DRAM.
- DRAM, oder dynamischer Direktzugriffsspeicher, ist eine spezifische Art von RAM (Direktzugriffsspeicher), der in modernen Desktop-Computern, Laptops und anderen Computersystemen weit verbreitet ist. DRAM fungiert als temporärer Speicher für einen Computer, in dem Daten für schnellen, kurzfristigen Zugriff gespeichert werden, da er deutlich schneller ist als Speichergeräte wie SSDs.
- China gehört zu den größten Verbrauchern von DRAMs, da das Land in den letzten Jahren ein rasantes infrastrukturelles Wachstum erlebt hat, das die Verbreitung fortschrittlicher digitaler Technologien und Computergeräte erheblich gefördert hat. Laut dem Nationalen Statistikamt Chinas erreichte der Anteil des E-Commerce am gesamten Einzelhandelsumsatz von Konsumgütern in China im Jahr 2022 27,2 %. Das Wachstum des E-Commerce hat die Verbreitung von Computergeräten positiv beeinflusst.
- Die wachsende Urbanisierungsrate beeinflusst auch das Marktwachstum in China positiv, da sie die Nachfrage nach mobilen Computergeräten wie Smartphones, Tablets und Laptops erheblich gesteigert hat. Da die Regierung darauf abzielt, die Urbanisierungsrate weiter zu erhöhen, wird die Nachfrage nach solchen Produkten voraussichtlich steigen und damit die Nachfrage nach DRAMs ankurbeln. Laut dem Nationalen Statistikamt Chinas lebten im Jahr 2022 etwa 65,2 % der Gesamtbevölkerung Chinas in Städten.
- Die IT- und Rechenzentrumsbranche floriert im Land angesichts der wachsenden Datenmenge, die jedes Jahr generiert wird. So hat beispielsweise die Nationale Entwicklungs- und Reformkommission Chinas (NDRC) kürzlich ihre Pläne zur Errichtung von vier weiteren Großrechenzentren im ganzen Land vorgestellt. Solche Trends begünstigen auch das Wachstum des untersuchten Marktes im Land.
- Technische Einschränkungen von DRAM, wie ein höherer Stromverbrauch als SRAM, da seine Kondensatoren häufig aufgeladen werden müssen, um ihre Ladung aufrechtzuerhalten, gehören jedoch zu den wesentlichen Faktoren, die das Wachstum des untersuchten Marktes im Land hemmen. Darüber hinaus schafft der Handelsstreit zwischen den USA und China Hindernisse für die Entwicklung des DRAM-Marktes in China.
Trends und Erkenntnisse des chinesischen Marktes für dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM)
Wachsende Investitionen in Rechenzentren als Wachstumstreiber
- China ist sowohl geografisch als auch bevölkerungsmäßig ein großes Land. Laut Schätzungen des Internationalen Währungsfonds (IWF) wird die Bevölkerung Chinas voraussichtlich im Jahr 2023 etwa 1.411,96 Millionen erreichen. Ein großer Teil dieser Bevölkerung ist digital gebildet und nutzt digitale Dienste in irgendeiner Form. Die Internetdurchdringung spielt bei diesem Trend eine wichtige Rolle. Laut CNNIC betrug die Internetdurchdringungsrate in China im Jahr 2022 etwa 75,6 %.
- Aufgrund solcher Trends florieren internetbasierte Dienste und Unternehmen im Land. So hat beispielsweise die E-Commerce-Branche im Land in den letzten Jahren erheblich expandiert. Laut den vom Handelsministerium im Jahr 2022 bereitgestellten Daten erreichte der gesamte inländische E-Commerce-Umsatz in China 13,79 Billionen CNY (ca. 2,04 Billionen USD), ein Anstieg von 4 % gegenüber dem Vorjahr.
- Die wachsende Zahl von Internetnutzern und der jüngste Trendwandel, bei dem Unternehmen im ganzen Land ihre Nutzung digitaler Lösungen verstärken, haben die Menge der generierten Daten erheblich erhöht und damit die Nachfrage nach Speicherplatz und Investitionen in Rechenzentren angetrieben.
- Laut Cloudscene belegte China im Jahr 2023 den vierten Platz in Bezug auf die Anzahl der Rechenzentren im Land, da es etwa 449 Rechenzentren hatte. Diese Zahl wird voraussichtlich steigen, da mehrere öffentliche und private Organisationen ihre Rechenzentrumsinvestitionen erhöhen. So startete beispielsweise im Februar 2023 CapitaLand einen neuen, auf China ausgerichteten Rechenzentrumsentwicklungsfonds. Die Organisation stellte auch ihre Pläne für zwei neue Einrichtungen außerhalb Pekings vor.
- Regierungsinitiativen spielen ebenfalls eine entscheidende Rolle beim Wachstum der Rechenzentrumsbranche im Land. So hat die chinesische Regierung kürzlich ein neues nationales Projekt zur Errichtung eines zentralisierten Rechenzentrumsystems in acht Regionen gestartet. Das Projekt zielt darauf ab, die wachsende Nachfrage des Landes nach Datenverarbeitung und Datenanalyse zu kanalisieren.

Nachfrage im Automobilsegment wird erheblich wachsen
- China gehört zu den größten Automobilmärkten in Bezug auf Produktion und Verbrauch. Aufgrund günstiger staatlicher Vorschriften und der Verfügbarkeit einer kostengünstigen Fachkraft haben fast alle globalen Automobilunternehmen ihre Produktionsstätten im Land.
- Laut dem Verband der chinesischen Automobilhersteller (CAAM) wurden im August 2023 im Land etwa 2.273 Tausend Einheiten Nutzfahrzeuge und 310 Tausend Personenkraftwagen hergestellt. Aufgrund der großen Verbraucherbasis gehört das Land auch zu den größten Verbrauchern von Automobilen.
- In den letzten Jahren haben sich die Anwendungen von IKT-Technologien in Automobilen schrittweise von der Unterhaltungs-Audio- und Videowiedergabe sowie dem Navigationssystem hin zu tiefgreifendem Lernen und Fahrzeug-zu-allem (V2X)-Kommunikation verlagert, um das letztendliche Ziel autonomer Fahrzeuge zu erreichen. Um dieses Ziel zu erreichen, werden Halbleiter und Speichergeräte eine entscheidende Rolle spielen.
- DRAM ist eine solche Komponente, die diese Fortschritte in der Automobilindustrie ermöglicht. Er wird beispielsweise in hochauflösenden Displays und Anzeigen wie Head-up-Displays und Instrumentenkonsolen eingesetzt, die dem Fahrer sicherheitskritische Informationen liefern. Darüber hinaus erzeugen die Fahrzeugsensoren und -kameras, die dem ADAS-System kritische Eingaben liefern, eine große Datenmenge und erfordern daher die Bandbreite und Kapazität von DRAM.

Wettbewerbslandschaft
Der Markt für dynamischen Direktzugriffsspeicher in China ist wettbewerbsintensiv und wird von etablierten Akteuren dominiert. Obwohl der Markt das Aufkommen neuer Akteure, insbesondere lokaler Akteure, beobachtet, wird erwartet, dass die globalen Akteure den Markt vorerst weiterhin dominieren werden. Anbieter verfolgen verschiedene Strategien, darunter Neuentwicklungen von Produkten, Partnerschaften, Fusionen und Übernahmen, um ihre Marktpräsenz weiter auszubauen. Zu den wichtigsten Marktteilnehmern gehören Samsung Electronics Co. Ltd, Micron Technology Inc., SK Hynix Inc. und ChangXin Memory Technologies Inc.
- Mai 2023 – SK Hynix, ein führender Hersteller von DRAMs, kündigte die Erweiterung seiner Legacy-Prozesse in seinem Werk in Wuxi, China, an, anstatt auf fortschrittlichere Produktionsprozesse mit Fokus auf DDR3- und DDR4-4-Gb-Produkte umzusteigen, aufgrund des von den USA verhängten Verbots für Halbleiterfertigungsanlagen im Land.
- Juli 2022 – Samsung, ein führender Anbieter von DRAM-Chips in China und weltweit, entwickelte einen neuen Grafikchip für dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM) mit verbesserter Energieeffizienz und höherer Geschwindigkeit. Laut dem Unternehmen bietet der 24-Gigabit-Grafik-Doppeldatenrate-6 (GDDR6) eine Datenverarbeitungsgeschwindigkeit, die mehr als 30 % schneller ist als bestehende Produkte, und verwendet die Technologie der dritten Generation mit 10-Nanometer-Technologie.
Marktführer der chinesischen Branche für dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM)
Samsung Electronics Co. Ltd
Micron Technology Inc.
SK Hynix Inc.
ChangXin Memory Technologies, Inc.
Winbond Electronics (Suzhou) Limited
- *Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert

Jüngste Branchenentwicklungen
- April 2024: Der südkoreanische Speicherchip-Riese SK Hynix (000660.KS) plant, 5,3 Billionen Won (ca. 3,86 Milliarden USD) in die Errichtung einer hochmodernen Chipfabrik in Südkorea zu investieren. Diese Anlage wird der Produktion einer neuen Generation von dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM)-Chips gewidmet sein. Das primäre Ziel von SK Hynix mit dieser Investition ist die Stärkung seiner DRAM-Kapazität, mit besonderem Schwerpunkt auf Hochbandbreitenspeichern (HBMs).
- November 2023: CXMT brachte DRAM LPDDR5 auf den Markt und markierte damit einen bedeutenden Meilenstein als erstes chinesisches Unternehmen, das eine solche Technologie entwickelt und produziert. LPDDR5, die neueste Iteration des synchronen dynamischen Direktzugriffsspeichers mit niedrigem Stromverbrauch und doppelter Datenrate, steht bei CXMT im Mittelpunkt. Das Unternehmen hat seine LPDDR5-Produktlinie eingeführt, die 12-Gb-LPDDR5-Chips, 12-GB-LPDDR5-Chips mit Package-on-Package (PoP)-Verpackung und 6-GB-LPDDR5-Chips mit Die-Stacking-Chip (DSC)-Verpackung umfasst.
Umfang des Berichts über den chinesischen Markt für dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM)
Dynamischer Direktzugriffsspeicher, oder DRAM, ist eine Art Direktzugriffsspeicher (RAM), der Daten auf einem separaten Kondensator speichert. Dieser Speichertyp ist deutlich schneller als andere Speichertypen wie Solid-State-Laufwerke (SSDs). Daher nimmt seine Verbreitung in modernen Computer- und Speichergeräten zu.
Die Studie analysiert umfassend die Nachfrage nach DRAMs, technologische Trends und Wachstumstrends in verschiedenen Endverbraucherbranchen in China. Die Studie analysiert auch die jüngsten Entwicklungen und sich verändernden Marktdynamiken, um einen ganzheitlichen Überblick über die Marktchancen zu geben. Die Studie segmentiert den Markt nach Architektur und Anwendung und enthält einen Abschnitt, der die Auswirkungen von COVID-19 auf die DRAM-Branche in China analysiert. Die Marktgrößen und Prognosen werden in Wert (Milliarden USD) und Volumen (Milliarden Einheiten) für alle oben genannten Segmente angegeben.
| DDR3 |
| DDR4 |
| DDR5 |
| DDR2/Sonstige |
| Smartphones/Tablets |
| PCs/Laptops |
| Rechenzentren |
| Grafik |
| Verbraucherprodukte |
| Automobil |
| Sonstige Anwendungen |
| Nach Architektur (Wert und Volumen) | DDR3 |
| DDR4 | |
| DDR5 | |
| DDR2/Sonstige | |
| Nach Anwendung (Wert und Volumen) | Smartphones/Tablets |
| PCs/Laptops | |
| Rechenzentren | |
| Grafik | |
| Verbraucherprodukte | |
| Automobil | |
| Sonstige Anwendungen |
Im Bericht beantwortete Schlüsselfragen
Wie groß ist der chinesische Markt für dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM)?
Die Größe des chinesischen Marktes für dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM) wird voraussichtlich im Jahr 2025 22,68 Milliarden USD erreichen und mit einer CAGR von 3,95 % auf 27,53 Milliarden USD bis 2030 wachsen.
Wie groß ist der aktuelle chinesische Markt für dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM)?
Im Jahr 2025 wird die Größe des chinesischen Marktes für dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM) voraussichtlich 22,68 Milliarden USD erreichen.
Wer sind die wichtigsten Akteure im chinesischen Markt für dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM)?
Samsung Electronics Co. Ltd, Micron Technology Inc., SK Hynix Inc., ChangXin Memory Technologies, Inc. und Winbond Electronics (Suzhou) Limited sind die wichtigsten Unternehmen, die im chinesischen Markt für dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM) tätig sind.
Welche Jahre deckt dieser Bericht über den chinesischen Markt für dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM) ab, und wie groß war der Markt im Jahr 2024?
Im Jahr 2024 wurde die Größe des chinesischen Marktes für dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM) auf 21,78 Milliarden USD geschätzt. Der Bericht deckt die historische Marktgröße des chinesischen Marktes für dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM) für die Jahre 2019, 2020, 2021, 2022, 2023 und 2024 ab. Der Bericht prognostiziert auch die Marktgröße des chinesischen Marktes für dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM) für die Jahre 2025, 2026, 2027, 2028, 2029 und 2030.
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Branchenbericht über den chinesischen Markt für dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM)
Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate des chinesischen Marktes für dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM) im Jahr 2025, erstellt von Mordor Intelligence™ Branchenberichten. Die Analyse des chinesischen Marktes für dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM) umfasst eine Marktprognose für 2025 bis 2030 sowie einen historischen Überblick. Laden Sie ein Muster dieser Branchenanalyse als kostenlosen Bericht im PDF-Format herunter.

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