China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Marktgrößen- und Anteilsanalyse - Wachstumstrends und Prognosen (2024 - 2029)

Der chinesische Markt für Dynamic Random Access Memory (DRAM) ist nach Architektur (DDR3, DDR4, DDR5 und DDR2) und Anwendung (Smartphones/Tablets, PCs/Laptops, Rechenzentren, Grafiken, Konsumgüter und Automobil) unterteilt. Die Marktgrößen und -prognosen werden in Bezug auf den Wert (Mrd. USD) und das Volumen (Mrd. Einheiten) für alle oben genannten Segmente bereitgestellt.

Marktgröße für Dynamic Random Access Memory (DRAM) in China

China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Marktanalyse

Der chinesische Markt für Dynamic Random Access Memory (DRAM) wird im laufenden Jahr auf 20,99 Milliarden US-Dollar geschätzt. Es wird erwartet, dass es eine CAGR von etwa 3,95 % verzeichnen und bis zum Ende des Prognosezeitraums 26,46 Mrd. USD erreichen wird. Da die Verbraucher heutzutage aufgrund der zunehmenden Einführung moderner Kommunikation und fortschrittlicher digitaler Technologien sichere Datenspeichersysteme mit zunehmenden Kapazitäten benötigen, wächst die Nachfrage nach fortschrittlichen Speicherlösungen wie DRAM.

  • DRAM oder Dynamic Random Access Memory ist eine bestimmte Art von RAM (Random Access Memory), die in modernen Desktops, Laptops und anderen Computersystemen weit verbreitet ist. DRAM fungiert als temporäre Speicherbank für einen Computer, auf dem Daten für einen schnellen, kurzfristigen Zugriff gespeichert werden, da sie deutlich schneller sind als Speichergeräte wie SSDs.
  • China gehört zu den Hauptverbrauchern von DRAMs, da das Land in den letzten Jahren ein schnelles infrastrukturelles Wachstum erlebt hat, das die Durchdringung fortschrittlicher digitaler Technologien und Computergeräte erheblich verbessert hat. Nach Angaben des Nationalen Statistikamtes Chinas erreichte der Anteil des E-Commerce am gesamten Einzelhandelsumsatz von Konsumgütern in China im Jahr 2022 27,2 %. Das Wachstum des E-Commerce hat sich positiv auf die Einführung von Computergeräten ausgewirkt.
  • Die wachsende Urbanisierungsrate wirkt sich auch positiv auf das Wachstum des Marktes in China aus, da sie die Nachfrage nach mobilen Computergeräten wie Smartphones, Tablets und Laptops erheblich erhöht hat. Da sich die Regierung darauf konzentriert, die Urbanisierungsrate weiter zu erhöhen, wird erwartet, dass die Nachfrage nach solchen Produkten steigen wird, was zu einer Nachfrage nach DRAMs führt. Nach Angaben des Nationalen Statistikamtes Chinas lebten beispielsweise im Jahr 2022 etwa 65,2 % der Gesamtbevölkerung in China in Städten.
  • Auch die IT- und Rechenzentrumsbranche floriert im Land angesichts der wachsenden Datenmenge, die jedes Jahr generiert wird. So hat beispielsweise Chinas Nationale Entwicklungs- und Reformkommission (NDRC) kürzlich ihre Pläne zur Einrichtung von vier weiteren Rechenzentrums-Megaclustern im ganzen Land vorgestellt. Solche Trends begünstigen auch das Wachstum des untersuchten Marktes im Land.
  • Technische Einschränkungen von DRAM, wie z. B. eine höhere Leistung als SRAM, da die Kondensatoren häufig aufgeladen werden müssen, um ihre Ladung aufrechtzuerhalten, gehören jedoch zu den Hauptfaktoren, die das Wachstum des untersuchten Marktes im Land herausfordern. Darüber hinaus schafft der Handelsstreit zwischen den USA und China Hindernisse für die Entwicklung des DRAM-Marktes in China.
  • Auf dem Markt wurden bemerkenswerte Auswirkungen des Ausbruchs von COVID-19 beobachtet. Im Gegensatz dazu wirkte sich der erste Ausbruch aufgrund von Lieferketten- und Produktionsunterbrechungen, die durch Lockdowns in verschiedenen Regionen verursacht wurden, nachteilig auf das Wachstum aus. Es wird jedoch erwartet, dass der Markt in der Zeit nach COVID aufgrund eines Nachfragewachstums in den wichtigsten Endverbraucherbranchen und des Aufkommens lokaler Akteure in der DRAM-Fertigungslandschaft wachsen wird.

China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Branchenübersicht

Der Markt für dynamische Direktzugriffsspeicher in China ist hart umkämpft und wird von etablierten Akteuren dominiert. Obwohl der Markt das Aufkommen neuer Akteure, insbesondere lokaler Akteure, erlebt, wird erwartet, dass die Global Player den Markt vorerst weiterhin dominieren werden. Die Anbieter verfolgen verschiedene Strategien, darunter neue Produktentwicklungen, Partnerschaften, Fusionen und Übernahmen, um ihre Marktpräsenz weiter auszubauen. Zu den wichtigsten Marktteilnehmern gehören Samsung Electronics Co. Ltd, Micron Technology Inc., Sk hynix Inc. und ChangXin Memory Technologies Inc.

  • Mai 2023 - SK hynix, ein führender Hersteller von DRAMs, kündigte die Erweiterung seiner Legacy-Prozesse in seiner Fabrik in Wuxi, China, an, anstatt aufgrund des US-Verbots für Halbleiterfertigungsanlagen im Land auf fortschrittlichere Produktionsprozesse mit Schwerpunkt auf DDR3- und DDR4-4-Gbit-Produkten umzusteigen.
  • Juli 2022 - Samsung, ein führender Anbieter von DRAM-Chips in China und weltweit, hat einen neuen DRAM-Chip (Dynamic Random Access Memory) mit verbesserter Energieeffizienz und höherer Geschwindigkeit entwickelt. Nach Angaben des Unternehmens verfügt die 24-Gigabit-Grafik mit doppelter Datenrate 6 (GDDR6) über eine Datenverarbeitungsgeschwindigkeit, die über 30 % schneller ist als bei bestehenden Produkten, und verwendet die 10-Nanometer-Technologie der dritten Generation.

China Marktführer für Dynamic Random Access Memory (DRAM)

  1. Samsung Electronics Co. Ltd

  2. Micron Technology Inc.

  3. SK Hynix Inc.

  4. ChangXin Memory Technologies, Inc.

  5. Winbond Electronics (Suzhou) Limited

  6. *Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
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China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Marktnachrichten

  • Juni 2022 - Ein staatlich unterstütztes chinesisches Start-up SwaySure, der Kürze halber auch als Sheng Weixu oder Shenzhen Sheng Weixu Technology Company bekannt, hat Yukio Sakamoto, einen japanischen Chipmanager, im Rahmen einer Strategie zur Gründung einer lokalen DRAM-Industrie eingestellt. Die wichtigsten börsennotierten Produkte des Unternehmens sind Allzweck-DRAM-Chips für Smartphones und Rechenzentren, die das Unternehmen weiter ausbauen will.
  • Januar 2022 - Micron Technology, ein US-amerikanischer Speicherchip-Riese, kündigte an, dass er seine DRAM-Design-Aktivitäten in Shanghai bis Ende des Jahres schließen wird. Nach Angaben des Unternehmens konzentriert sich die Änderung auf die Produktion von NAND-Speicher in Shanghai.

Table of Contents

1. EINFÜHRUNG

  • 1.1 Studienannahmen und Marktdefinition
  • 1.2 Umfang der Studie

2. FORSCHUNGSMETHODIK

3. ZUSAMMENFASSUNG

4. MARKTEINBLICKE

  • 4.1 Marktübersicht
  • 4.2 Branchen-Wertschöpfungskettenanalyse
  • 4.3 Attraktivität der Branche – Porters Fünf-Kräfte-Analyse
    • 4.3.1 Bedrohung durch Neueinsteiger
    • 4.3.2 Verhandlungsmacht der Käufer
    • 4.3.3 Verhandlungsmacht der Lieferanten
    • 4.3.4 Bedrohung durch Ersatzprodukte
    • 4.3.5 Wettberbsintensität
  • 4.4 Makroökonomische Analyse des Marktes

5. MARKTDYNAMIK

  • 5.1 Marktführer
    • 5.1.1 Steigende Nachfrage nach High-End-Smartphones und PCs
    • 5.1.2 Wachsende Investitionen in Rechenzentren
  • 5.2 Marktbeschränkungen
    • 5.2.1 Handelsstreit mit den USA

6. PREISANALYSE (globale Ebene)

  • 6.1 Spotpreis (pro GB) in USD Entwicklung nach Dram-Typ (DDR3, DDR4 usw.) von 2015-2020 und darüber hinaus
  • 6.2 Analyse der Preistrends

7. MARKTSEGMENTIERUNG

  • 7.1 Nach Architektur (Wert und Volumen)
    • 7.1.1 DDR3
    • 7.1.2 DDR4
    • 7.1.3 DDR5
    • 7.1.4 DDR2/Andere
  • 7.2 Nach Anwendung (Wert und Volumen)
    • 7.2.1 Smartphone/Tablets
    • 7.2.2 PCs/Laptops
    • 7.2.3 Daten Center
    • 7.2.4 Grafik
    • 7.2.5 Verbraucherprodukte
    • 7.2.6 Automobilindustrie
    • 7.2.7 Andere Anwendungen

8. WETTBEWERBSLANDSCHAFT

  • 8.1 Firmenprofile
    • 8.1.1 Samsung Electronics Co. Ltd
    • 8.1.2 Micron Technology Inc.
    • 8.1.3 SK Hynix Inc.
    • 8.1.4 ChangXin Memory Technologies Inc.
    • 8.1.5 Nanya Technology Corporation
    • 8.1.6 Winbond Electronics (Suzhou) Limited
    • 8.1.7 Kingston Technology
    • 8.1.8 Transcend Information
    • 8.1.9 Infineon Technologies AG

9. INVESTITIONSANALYSE

10. ZUKUNFT DES MARKTES

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China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Branchensegmentierung

Dynamic Random Access Memory (DRAM) ist eine Art RAM-Gerät (Random Access Memory), das Daten auf einem anderen Kondensator speichert. Diese Art von Speichergerät ist deutlich schneller als andere Speichertypen, wie z. B. Solid-State-Laufwerke (SSDs). Daher nimmt seine Akzeptanz in modernen Computer- und Speichergeräten zu.

Die Studie analysiert umfassend die Nachfrage, technologischen Trends und Wachstumstrends von DRAMs in verschiedenen Endverbraucherbranchen in China. Die Studie analysiert auch die jüngsten Entwicklungen und die sich ändernde Marktdynamik, um einen ganzheitlichen Überblick über die Marktchancen zu geben. Die Studie segmentiert den Markt nach Architektur und Anwendung und enthält einen Abschnitt, in dem die Auswirkungen von COVID-19 auf die chinesische DRAM-Industrie analysiert werden. Die Marktgrößen und Prognosen werden in Bezug auf Wert (Mrd. USD) und Volumen (Mrd. Einheiten) für alle oben genannten Segmente bereitgestellt.

Nach Architektur (Wert und Volumen) DDR3
DDR4
DDR5
DDR2/Andere
Nach Anwendung (Wert und Volumen) Smartphone/Tablets
PCs/Laptops
Daten Center
Grafik
Verbraucherprodukte
Automobilindustrie
Andere Anwendungen
Nach Architektur (Wert und Volumen)
DDR3
DDR4
DDR5
DDR2/Andere
Nach Anwendung (Wert und Volumen)
Smartphone/Tablets
PCs/Laptops
Daten Center
Grafik
Verbraucherprodukte
Automobilindustrie
Andere Anwendungen
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Häufig gestellte Fragen

Wie groß ist der aktuelle Markt für Dynamic Random Access Memory (DRAM) in China?

Der chinesische Markt für Dynamic Random Access Memory (DRAM) wird im Prognosezeitraum (2024-2029) voraussichtlich eine CAGR von 3,95 % verzeichnen

Wer sind die Hauptakteure auf dem chinesischen Markt für Dynamic Random Access Memory (DRAM)?

Samsung Electronics Co. Ltd, Micron Technology Inc., SK Hynix Inc., ChangXin Memory Technologies, Inc., Winbond Electronics (Suzhou) Limited sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem chinesischen DRAM-Markt (Dynamic Random Access Memory) tätig sind.

Welche Jahre deckt dieser chinesische Markt für Dynamic Random Access Memory (DRAM) ab?

Der Bericht deckt die historische Marktgröße des chinesischen DRAM-Marktes (Dynamic Random Access Memory) für die Jahre ab 2019, 2020, 2021, 2022 und 2023. Der Bericht prognostiziert auch die Marktgröße für Dynamic Random Access Memory (DRAM) in China für die Jahre 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 und 2029.

China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Branchenbericht

Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate von Dynamic Random Access Memory (DRAM) in China im Jahr 2024, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die Analyse von Dynamic Random Access Memory (DRAM) in China enthält einen Marktprognoseausblick für 2024 bis 2029 und einen historischen Überblick. Erhalten Ein Beispiel dieser Branchenanalyse als kostenloser Bericht als PDF-Download.

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Chinas Markt für Dynamic Random Access Memory (DRAM)