Speichermarktgröße der nächsten Generation
| Studienzeitraum | 2018 - 2028 |
| Basisjahr für die Schätzung | 2022 |
| CAGR | 29.70 % |
| Schnellstwachsender Markt | Asien-Pazifik |
| Größter Markt | Nordamerika |
| Marktkonzentration | Niedrig |
Hauptakteure
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert |
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Marktanalyse für Speicher der nächsten Generation
Der globale Speichermarkt der nächsten Generation wurde im Jahr 2020 auf 2935,1 Mio. USD geschätzt und wird voraussichtlich bis 2026 12833,1 Mio. USD erreichen und im Prognosezeitraum (2021–2026) mit einer CAGR von 29,7 % wachsen. Die aufkommenden nichtflüchtigen Speichertechnologien wie MRAM, STT-RAM, FRAM, Phasenwechselspeicher (PCM) und ReRAM kombinieren die Geschwindigkeit von SRAM, die Dichte von DRAM und die Nichtflüchtigkeit von Flash-Speichern. Dies sind also die möglichen Ergänzungen zu den zukünftigen Speichertechnologien. Darüber hinaus würde die Einführung von Infotainmentsystemen der nächsten Generation und ADAS die DRAM-Speichertechnologien verschmelzen, die eine viel höhere Leistung und einen geringen Stromverbrauch aufweisen würden.
- Die Nachfrage nach universellen Speichergeräten treibt den Markt an. Die meisten der neuen Speichertechnologien zielen darauf ab, universelle Speicher zu werden, um eines der Mitglieder der Hierarchie durch bessere Technologie zu ersetzen. Die High-End-Laptops verwenden Solid-State-Flash-Chips anstelle riesiger mechanischer Festplatten und nutzen die Cloud für Backups anstelle von Bandlaufwerken. Kürzlich kündigte Intel Optane an, das die 3D-XPoint-Technologie verwendet, die dem universellen Speicher nahe kommt. Dies ist in erster Linie ein Flash-Laufwerk mit nichtflüchtigem Speicher, der schnell genug ist, um als RAM zu fungieren.
- Die steigende Nachfrage nach Enterprise-Storage-Anwendungen treibt den Markt an. Die Endverbraucherbranchen wie BFSI investieren stark in IoT-Technologien und ernten große finanzielle Vorteile. So gilt Embedded MRAM als vielversprechende Technologie für Anwendungen wie IoT. Auch die anderen Speicher der nächsten Generation, wie z. B. 3D Xpoint, bieten 1.000-mal schnellere Übertragungsgeschwindigkeiten als die aktuellen SSDs, was den Markt effizient vorantreiben wird.
- Mangelnde Stabilität unter extremen Umweltbedingungen bremst den Markt. Es wird stark von extremen Umgebungsbedingungen in Bezug auf Haltbarkeit und Zuverlässigkeit von Speichergeräten beeinflusst. Je mehr thermischer Belastung ein Speichergerät ausgesetzt ist, desto größer ist beispielsweise das Risiko, es zu beschädigen, was das Wachstum eines Marktes herausfordert.
Informationstechnologie wird Speichertechnologie der nächsten Generation in erheblichem Umfang einsetzen
- Mit der wachsenden Größe von Unternehmen haben viele Unternehmen im IT-Sektor den Einsatz von Enterprise-Storage-Technologien übernommen. Diese Einführung war dafür verantwortlich, die Nachfrage nach Speicher der nächsten Generation zu steigern, um die Rechenleistung der Unternehmen zu bewältigen.
- Während viele Client-Geräte heutzutage Solid-State-Speichertechnologien verwenden, werden Festplattenlaufwerke (HDDs) immer noch von Hunderten von Millionen Menschen und in praktisch allen Rechenzentren weltweit verwendet. Die HAMR-Technologie (Heat-Assisted Magnetic Recording) verspricht, die Kapazitäten von Festplatten in den kommenden Jahren erheblich zu erhöhen.
- Obwohl HDD-Medien immer noch ein Top-Seller in der Speicherbranche sind, hat die Akzeptanz von Flash/SSD in den letzten Jahren schnell zugenommen. Aufgrund des schnellen Datenwachstums werden in diesem Sektor erheblicheMedieninvestitionen getätigt. Mit der allmählich zunehmenden Einführung von SSD-Speichertechnologien wird der Bedarf an kostengünstigen Speichertechnologien damit verflochten.
- Fadu Technologyist zum Beispiel ein Startup, das sich auf die Weiterentwicklung der Flash-Speichertechnologie konzentriert. Durch die Bereitstellung einer neuen Architektur für SSD-Controller (Solid State Drive) läutet Fadu Technology eine neue Ära des SSD-Speichers ein, indem es die Anforderungen erfüllt, die auf dem Flash Memory Summit 2019 an Enterprise- und Hyperscale-Rechenzentren gestellt werden.
- Diese neuesten Speichergeräte bieten auch eine bessere Architektur im Vergleich zu den bisher verwendeten Technologien. Es wird erwartet, dass Technologien wie MRAM eine bessere Architektur haben, die Effizienz für die Rechenzentren bietet, was das Marktwachstum im Segment der Informationstechnologie vorantreiben wird.
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Nordamerika wird einen großen Anteil haben
- Die nordamerikanische Region gehört zu den ersten Anwendern der Technologien und Infrastrukturen der nächsten Generation. Die IT-Branche treibt die Wirtschaft in den Vereinigten Staaten erheblich an. Die sich schnell verändernden Technologien und die hohe Datenerzeugung in allen Branchen schaffen einen Bedarf an effizienteren Verarbeitungssystemen. Dies sind einige der Faktoren, die die Nachfrage nach Speicher der nächsten Generation in der Region antreiben.
- Darüber hinaus hat die US-Regierung die Data Center Optimization Initiative (DCOI) ins Leben gerufen, um der Öffentlichkeit bessere Dienstleistungen zu bieten und gleichzeitig die Kapitalrendite für die Steuerzahler zu erhöhen, indem sie viele Rechenzentren im Land konsolidiert. Der Konsolidierungsprozess umfasst den Prozess für den Aufbau von Hyperscale-Rechenzentren und die Abschaltung der leistungsschwachen Rechenzentren. Bis heute hat die Regierung über 3.215 Rechenzentren im Land geschlossen.
- Darüber hinaus suchen die Speicherhersteller in Nordamerika nach Möglichkeiten für Produktionserweiterungen. So hat Intel beispielsweise bereits mit den Phasen seines neuen Fertigungswerks in Arizona für die Herstellung von Arbeitsspeicher- und Speicherlösungen der nächsten Generation begonnen. Für dieses Projekt gab das Unternehmen 1 Milliarde US-Dollar aus, da die erste Investitionsphase von insgesamt 7 Milliarden US-Dollar kostete.
- Darüber hinaus erweiterte Cyxtera Technologies im März 2019 seine Rechenzentrumseinrichtungen im Silicon Valley, in Phoenix, Atlanta, New York Metro und Toronto, wobei die Erweiterungen die Gesamtkapazität in diesen Märkten auf mehr als 1,5 Millionen Quadratfuß erhöhten, mit einer Gesamtfläche des Unternehmens von mehr als 2,9 Millionen Quadratfuß.
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Überblick über die Speicherbranche der nächsten Generation
Der Speichermarkt der nächsten Generation ist stark fragmentiert, da derMarkt hart umkämpft ist und aus mehreren Hauptakteuren besteht. Der Wettbewerbswettbewerb in dieser Branche hängt in erster Linie vom nachhaltigen Wettbewerbsvorteil durch Innovation, Marktdurchdringung und Kraft der Wettbewerbsstrategie ab. Da der Markt kapitalintensiv ist, sind auch die Hürden für einen Ausstieg hoch. Einige der Hauptakteure auf dem Markt sind Intel Corporation, Toshiba Corporation, Fujitsu Ltd usw. Einige der wichtigsten jüngsten Entwicklungen auf dem Markt sind:.
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Aug 2019 - Samsung kündigte seinen V-NAND-Speicher der 6. Generation mit 100 aktiven Schichten an, der eine neue Schaltungsdesign-Technologie verwendet. Es zeichnet sich durch 10 % geringere Latenzen aus und verbraucht 15 % weniger Strom im Vergleich zu den V-NAND-Produkten der vorherigen Generation von Samsung. DieserV-NAND zeichnet sich auch durch einen geringeren Stromverbrauch als seine Vorgänger aus.
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Juli 2019 - Fujitsu Semiconductor kündigte die Veröffentlichung des 8Mbit ReRAM MB85AS8MT an, der Berichten zufolge die weltweit größte Dichte in Massenproduktion aufweist Dieses ReRAM-Produkt, das für tragbare Geräte geeignet ist, wurde gemeinsam mit Panasonic SemiconductorSolutions Co. Ltd. entwickelt. Der MB85AS8MT ist ein EEPROM-kompatibler nichtflüchtiger Speicher mit SPI-Schnittstelle, der mit einem breiten Bereich von Versorgungsspannungen von 1,6 V bis 3,6 V arbeitet. Ein wesentliches Merkmal dieses Speichers ist ein extrem kleiner Durchschnittsstrom für Lesevorgänge von 0,15 mA bei einer Betriebsfrequenz von 5 MHz. Dies ermöglicht einen minimalen Batterieverbrauch bei der Montage in batteriebetriebenen Anwendungen mit häufigen Datenlesevorgängen.
Speichermarktführer der nächsten Generation
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Intel Corporation
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Toshiba Corporation
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Fujitsu Ltd
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Honeywell International Inc.
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Micron Technology Inc.
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
Next Generation Memory Market Report - Inhaltsverzeichnis
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1. EINFÜHRUNG
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1.1 Studienergebnisse
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1.2 Studienannahmen
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1.3 Umfang der Studie
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2. FORSCHUNGSMETHODIK
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3. ZUSAMMENFASSUNG
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4. MARKTDYNAMIK
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4.1 Marktübersicht
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4.2 Einführung in Markttreiber und -beschränkungen
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4.3 Marktführer
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4.3.1 Nachfrage nach universellen Speichergeräten
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4.3.2 Steigende Nachfrage nach Enterprise-Speicheranwendungen
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4.4 Marktbeschränkungen
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4.4.1 Mangelnde Stabilität unter extremen Umweltbedingungen
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4.5 Wertschöpfungsketten-/Lieferkettenanalyse
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4.6 Branchenattraktivität – Porters Fünf-Kräfte-Analyse
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4.6.1 Bedrohung durch neue Marktteilnehmer
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4.6.2 Verhandlungsmacht von Käufern/Verbrauchern
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4.6.3 Verhandlungsmacht der Lieferanten
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4.6.4 Bedrohung durch Ersatzprodukte
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4.6.5 Wettberbsintensität
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5. MARKTSEGMENTIERUNG
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5.1 Durch Technologie
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5.1.1 Nicht flüchtig
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5.1.1.1 Magnetoresistiver Direktzugriffsspeicher (MRAM)
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5.1.1.2 Ferroelektrischer RAM (FRAM)
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5.1.1.3 Resistiver Direktzugriffsspeicher (ReRAM)
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5.1.1.4 3D-Xpoint
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5.1.1.5 Nano-RAM
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5.1.1.6 Andere nichtflüchtige Technologien (Phase Change RAM, STT-RAM und SRAM)
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5.1.2 Flüchtig
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5.1.2.1 Hybrider Speicherwürfel (HMC)
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5.1.2.2 Speicher mit hoher Bandbreite (HBM)
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5.2 Auf Antrag
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5.2.1 BFSI
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5.2.2 Unterhaltungselektronik
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5.2.3 Regierung
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5.2.4 Telekommunikation
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5.2.5 Informationstechnologie
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5.2.6 Andere Anwendungen
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5.3 Erdkunde
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5.3.1 Nordamerika
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5.3.2 Europa
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5.3.3 Asien-Pazifik
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5.3.4 Lateinamerika
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5.3.5 Naher Osten und Afrika
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6. WETTBEWERBSFÄHIGE LANDSCHAFT
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6.1 Firmenprofile
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6.1.1 Intel Corporation
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6.1.2 Toshiba Corporation
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6.1.3 Fujitsu Ltd
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6.1.4 Honeywell International Inc.
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6.1.5 Micron Technologies Inc.
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6.1.6 IBM Corporation
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6.1.7 Sony Corporation
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6.1.8 Samsung Electronics Co. Ltd
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6.1.9 Crossbar Inc.
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6.1.10 Cypress Semiconductor Corporation
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6.1.11 Avalanche Technologies Inc.
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6.1.12 Adesto Technologies
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6.1.13 Everspin Technologies Inc.
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6.1.14 SK Hynix Inc.
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6.1.15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC)
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7. INVESTITIONSANALYSE
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8. MARKTCHANCEN UND ZUKÜNFTIGE TRENDS
Segmentierung der Speicherindustrie der nächsten Generation
Speicherder nächsten Generation kann als eine allgemeine Bezeichnung definiertwerden, die auf ein größeres Upgrade von Hardware oder einem Softwareprodukt angewendet wird. DerSpeichermarktder nächsten Generation ist in den letzten Jahren aufgrund der steigenden Nachfrage nach schnelleren, effizienteren und kostengünstigerenSpeicherlösungen gewachsen.Die aufkommenden Anwendungen von Big Data und künstlicher Intelligenz (KI), einschließlich maschinellem Lernen, treiben Innovationen in vielen Branchen voran, und dies geht einhermit neuen Speichertechnologienbei verschiedenen Endbenutzern wieBFSI, Unterhaltungselektronik usw.
| Durch Technologie | ||||||||||||||
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| Auf Antrag | ||
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| Erdkunde | ||
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Häufig gestellte Fragen zur Marktforschung für Speicher der nächsten Generation
Wie groß ist der aktuelle Markt für Speicher der nächsten Generation?
Es wird prognostiziert, dass der Speichermarkt der nächsten Generation im Prognosezeitraum (2023-2028) eine CAGR von 29,7 % verzeichnen wird.
Wer sind die Hauptakteure auf dem Speichermarkt der nächsten Generation?
Intel Corporation, Toshiba Corporation, Fujitsu Ltd, Honeywell International Inc., Micron Technology Inc. sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem Speichermarkt der nächsten Generation tätig sind.
Welches ist die am schnellsten wachsende Region auf dem Markt für Speicher der nächsten Generation?
Es wird geschätzt, dass der asiatisch-pazifische Raum im Prognosezeitraum (2023-2028) mit der höchsten CAGR wachsen wird.
Welche Region hat den größten Anteil am Speichermarkt der nächsten Generation?
Im Jahr 2023 entfällt auf Nordamerika der größte Marktanteil auf dem Speichermarkt der nächsten Generation.
Bericht über die Speicherindustrie der nächsten Generation
Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate von Next Generation Memory im Jahr 2023, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die Next Generation Memory-Analyse umfasst eine Marktprognose bis 2028 und einen historischen Überblick. Holen Sie sich ein Beispiel dieser Branchenanalyse als kostenlosen Bericht als PDF-Download.
