Tamanho do mercado Transistor de energia da Europa

Resumo do mercado Europa Power Transistor
Imagem © Mordor Intelligence. O reuso requer atribuição conforme CC BY 4.0.

Análise de Mercado de Transistor de Energia da Europa

O mercado Transistor de energia da Europa foi avaliado em USD 3.973.64 milhões e deve registrar um CAGR de 3.3% durante o período de previsão para se tornar USD 4828.258 milhões até o final do período de previsão.

  • Prevê-se que o aumento da demanda por dispositivos conectados tenha um impacto significativo no crescimento do mercado mundial de transistores de potência ao longo do período de previsão. Os transistores de potência ajudam na rápida dissipação de calor, evitam o superaquecimento, reduzem as emissões de dióxido de carbono e economizam custos de eletricidade.
  • De acordo com a Cisco, estima-se que o número de dispositivos em rede na Europa Central e Oriental aumente de 1,2 bilhão em 2018 para 2,0 bilhões em 2023. Em 2023, a Europa Central e Oriental teria 4,0 dispositivos em rede por pessoa, contra 2,5 em 2018.
  • Os transistores de potência são geralmente usados em aplicações automotivas devido à sua capacidade de lidar eficientemente com níveis de alta tensão e corrente. Eles são usados em várias áreas do veículo, incluindo sistemas de controle do motor, sistemas de transmissão, gerenciamento de energia, gerenciamento de bateria, sistemas de iluminação, entre outros.
  • Os transistores de potência automotivos são projetados para atender a requisitos rigorosos de confiabilidade, durabilidade e segurança. Eles são empregados em circuitos de controle do motor para regular a velocidade do motor. Eles também são utilizados em veículos elétricos e híbridos para controlar o motor usado para a propulsão. Os transistores de potência são usados em sistemas de gerenciamento de bateria para monitorar a saúde da bateria e o status de carregamento, para controlar a corrente de carregamento, e em sistemas de transmissão automática para controlar a mudança de marchas.
  • Fatores adicionais que devem impulsionar o mercado em estudo incluem segurança, infoentretenimento, navegação e eficiência de combustível em componentes automotivos, bem como segurança, automação, iluminação de estado sólido, transporte e gerenciamento de energia em componentes industriais. Por exemplo, espera-se que o Transistor Bipolar de Portão Isolado (IGBT), um elemento-chave do sistema eletrônico de potência de veículos elétricos, experimente alta demanda à medida que as vendas de veículos elétricos aumentam internacionalmente.
  • De acordo com a Autoridade Federal de Transportes Motorizados, na Alemanha, 1,2% de todos os carros de passageiros foram eletrificados (veículos elétricos a bateria (BEVs) e veículos elétricos híbridos plug-in (PHEVs)) em 2020. A previsão é que, até 2030, a participação aumente para 24,4% ou mais de 11,55 milhões de veículos. Esse aumento nos veículos elétricos (EV) impulsionaria o mercado.
  • A região também está testemunhando várias inovações que atendem às demandas complexas dos consumidores. Por exemplo, em junho de 2022, o primeiro transistor orgânico bipolar vertical de alto desempenho foi criado por cientistas do Centro Integrado de Física Aplicada e Materiais Fotônicos de Dresden (IAPP), na Alemanha, abrindo caminho para a criação de sistemas lógicos orgânicos adaptáveis. Nos últimos 20 anos, transistores orgânicos de efeito de campo (FET) foram criados para usos como drivers de tela; No entanto, devido à sua baixa mobilidade de carga, eles só podem operar na faixa de baixo a médio mega-hertz. O transistor de junção bipolar, por outro lado, fornece baixa capacitância e resistência de contato, mas enfrenta dificuldades com miniaturização e integração de processos.
  • Por outro lado, a tecnologia de transistor de potência enfrenta uma série de desafios. Alguns desses desafios estão relacionados ao desempenho do dispositivo, como melhorar a eficiência e a densidade de potência. Outros desafios estão relacionados à confiabilidade do dispositivo, como a redução do risco de estresse térmico e a melhoria da confiabilidade em altas tensões. Os transistores de potência geram muito calor durante a operação, o que pode causar problemas de confiabilidade e limitar a densidade de potência dos dispositivos. Melhorar o gerenciamento térmico de transistores de potência é um desafio importante.
  • Além disso, o surto de COVID-19 afetou as instalações de produção das indústrias automotivas em todo o mundo. O surto de COVID-19 em países europeus afetou a indústria automobilística na região. De acordo com a Associação de Fabricantes de Automóveis Estrangeiros e a União Nacional de Representantes de Veículos Estrangeiros (UNRAE), o surto de COVID-19 e as fracas perspectivas econômicas desencadearam uma queda na demanda no setor automotivo. Tais fatores podem restringir o crescimento do mercado estudado na região.

Visão geral da indústria de transistor de energia da Europa

O mercado de transistores de potência da Europa é moderadamente fragmentado, com a presença de vários players como Infineon Technologies, Renesas Electronics, Texas Instruments, etc. Uma vez que o mercado é altamente competitivo, os participantes do mercado se esforçam constantemente para adotar tecnologias avançadas e inovar produtos abrangentes para atender às necessidades em evolução de seus clientes.

Em março de 2023, a LITEON Technology escolheu o transistor de efeito de campo (FET) de nitreto de gálio (GaN) altamente integrado da Texas Instruments e C2000TM microcontroladores em tempo real (MCUs) para sua mais recente unidade de fonte de alimentação de servidor (PSU) de alto desempenho para o mercado norte-americano, de acordo com a empresa. A PSU recém-comercializada, que usa o LMG3522R030 GaN FET da TI e um MCU em tempo real TMS320F28003x C2000, tem uma densidade de potência de mais de 95 W/in3 e atende aos critérios do 80 Plus Titanium.

Em abril de 2022, a Mitsubishi Electric anunciou seus planos de enviar amostras de seu módulo de transistor bipolar de porta isolada (IGBT) de 2,0kV para uso industrial no próximo mês. Prevê-se que o módulo IGBT da série T do tipo LV100 reduza o tamanho e o consumo de energia dos conversores de 1500V para fontes de energia renováveis com uma frequência de comutação de 1 a 5kHz. 1500V é o limite superior da Diretiva de Baixa Tensão da UE, o que pode ser difícil de alcançar com dispositivos de 1700V. As amostras de módulo têm uma capacidade de tensão de bloqueio de 2,0kV para sistemas de energia de grande capacidade de várias centenas de kW a vários MW.

Líderes do mercado de transistores de energia da Europa

  1. Infineon Technologies AG

  2. Renesas Electronics Corporation

  3. Texas Instruments Inc.

  4. NXP Semiconductors N.V.

  5. Mitsubishi Electric Corporation

  6. *Isenção de responsabilidade: Principais participantes classificados em nenhuma ordem específica
Concentração do mercado de transistores de energia na Europa
Imagem © Mordor Intelligence. O reuso requer atribuição conforme CC BY 4.0.
Precisa de mais detalhes sobre jogadores e concorrentes de mercado?
Baixar amostra

Europa Power Transistor Mercado Notícias

  • Março de 2023 A Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation introduziu o transistor bipolar de porta isolada discreta (IGBT) GT30J65MRB de 650V para circuitos de correção de fator de potência (PFC) em condicionadores de ar e grandes fontes de alimentação para equipamentos industriais. A Toshiba incorpora o método mais recente em seu novo IGBT. Uma estrutura de trincheira otimizada alcança uma perda de comutação (perda de comutação de desligamento) de 0,35 mJ, cerca de 42% menor do que o produto anterior da Toshiba, GT50JR22. O novo IGBT também inclui um diodo com tensão de avanço de 1,20V, aproximadamente 43% menor que o GT50JR22.
  • Janeiro de 2023 A NXP apresentou o MMRF5018HS 125 W CW GaN no SiC RF Power Transistor. O MMRF5018HS está contido em um pacote cerâmico de cavidade de ar NI-400HS com um baixo Rth. O MMRF5018HS é apropriado para aplicações de CW, pulso e RF de banda larga devido ao seu alto ganho e robustez. O MMRF5018HS desempenho de banda larga de várias oitavas é otimizado para aplicações de 1-2700 MHz. As térmicas tornam-se um fator significativo em como obter o calor enquanto funcionam em larguras de banda tão amplas e de alta potência. Com sua baixa resistência térmica de 1,21° C/W (FEA calculada) resistência térmica canal-a-caso a 90°C e 109W dissipada, a NXP continua a fortalecer nosso portfólio de GaN de banda larga.

Table of Contents

1. INTRODUÇÃO

  • 1.1 Premissas do Estudo e Definição de Mercado
  • 1.2 Escopo do estudo

2. METODOLOGIA DE PESQUISA

3. SUMÁRIO EXECUTIVO

4. INFORMAÇÕES DE MERCADO

  • 4.1 Visão geral do mercado
  • 4.2 Atratividade da Indústria – Análise das Cinco Forças de Porter
    • 4.2.1 Poder de barganha dos fornecedores
    • 4.2.2 Poder de barganha dos compradores
    • 4.2.3 Ameaça de novos participantes
    • 4.2.4 Intensidade da rivalidade competitiva
    • 4.2.5 Ameaça de substitutos
  • 4.3 Tendências Tecnológicas
  • 4.4 Análise da Cadeia de Valor
  • 4.5 Avaliação do Impacto do COVID-19 no Mercado

5. DINÂMICA DE MERCADO

  • 5.1 Drivers de mercado
    • 5.1.1 Aumento da demanda por dispositivos conectados
    • 5.1.2 Aumento da demanda por dispositivos eletrônicos com eficiência energética
  • 5.2 Restrições de mercado
    • 5.2.1 Limitações nas Operações devido a restrições como temperatura, frequência, capacidade de bloqueio reverso, etc.

6. SEGMENAÇÃO DE MERCADO

  • 6.1 Por produto
    • 6.1.1 FETs de baixa tensão
    • 6.1.2 Módulos IGBT
    • 6.1.3 Transistores de RF e Microondas
    • 6.1.4 FETs de alta tensão
    • 6.1.5 Transistores IGBT
  • 6.2 Por tipo
    • 6.2.1 Transistor de junção bipolar
    • 6.2.2 Transistor de efeito de campo
    • 6.2.3 Transistor bipolar de heterojunção
    • 6.2.4 Outros tipos (MOSFET, JFET, transistor NPN, transistor PNP, transistor GaN)
  • 6.3 Por usuário final
    • 6.3.1 Eletrônicos de consumo
    • 6.3.2 Comunicação e Tecnologia
    • 6.3.3 Automotivo
    • 6.3.4 Energia e Potência
    • 6.3.5 Fabricação
    • 6.3.6 Outras indústrias de usuários finais
  • 6.4 Por geografia
    • 6.4.1 Reino Unido
    • 6.4.2 Alemanha
    • 6.4.3 França
    • 6.4.4 Itália
    • 6.4.5 Resto da Europa

7. CENÁRIO COMPETITIVO

  • 7.1 Perfis de empresa
    • 7.1.1 Infineon Technologies AG
    • 7.1.2 Renesas Electronics Corporation
    • 7.1.3 Texas Instruments Inc.
    • 7.1.4 STMicroelectronics N.V.
    • 7.1.5 Mitsubishi Electric Corporation
    • 7.1.6 Toshiba Corporation
    • 7.1.7 Skyworks Solutions, Inc.
    • 7.1.8 ON Semiconductor
    • 7.1.9 NXP Semiconductors N.V.

8. ANÁLISE DE INVESTIMENTO

9. FUTURO DO MERCADO

Você pode comprar partes deste relatório. Confira os preços para seções específicas
Obtenha o detalhamento de preços agora

Segmentação da indústria de transistores de energia da Europa

Os transistores de potência são usados para amplificar e regular sinais. Eles são feitos de materiais semicondutores de alto desempenho, como germânio e silício. Esses transistores podem amplificar e regular um determinado nível de tensão e lidar com faixas específicas de classificações de tensão de alto e baixo nível.

O mercado de transistores de potência da Europa é segmentado por produto (FETs de baixa tensão, módulos IGBT, transistores de RF e micro-ondas, FETs de alta tensão e transistores IGBT), por tipo (transistor de junção bipolar, transistor de efeito de campo, transistor bipolar de heterojunção e outros tipos), por usuário final (eletrônicos de consumo, comunicação e tecnologia, automotivo, manufatura, energia e energia e outros usuários finais) e geografia (Reino Unido, Alemanha, França, Itália, Resto da Europa).

Os tamanhos de mercado e previsões são fornecidos em termos de valor (milhões de dólares) para todos os segmentos acima.

Precisa de uma região ou segmento diferente?
Personalize agora

Perguntas mais frequentes

Qual é o tamanho atual do mercado Europa Transistor de energia?

Prevê-se que o mercado Transistor de energia da Europa registre um CAGR de 3.30% durante o período de previsão (2024-2029)

Quem são os chave players no mercado Europa Transistor de energia?

Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Texas Instruments Inc., NXP Semiconductors N.V., Mitsubishi Electric Corporation são as principais empresas que operam no mercado de transistor de energia da Europa.

Que anos cobre este mercado Europa Power Transistor?

O relatório cobre o tamanho histórico do mercado Transistor de energia Europa por anos 2019, 2020, 2021, 2022 e 2023. O relatório também prevê o tamanho do mercado Transistor de energia da Europa para os anos 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 e 2029.

Página atualizada pela última vez em:

Relatório da Indústria de Transistor de Energia da Europa

Estatísticas para a participação de mercado do Transistor de Energia da Europa 2024, tamanho e taxa de crescimento da receita, criadas pela Mordor Intelligence™ Industry Reports. A análise do Transistor de Energia da Europa inclui uma previsão de mercado, perspectivas e visão geral histórica. Obter uma amostra desta análise da indústria como um download PDF de relatório gratuito.