Análise de Mercado de Transistor de Energia da Europa
O mercado Transistor de energia da Europa foi avaliado em USD 3.973.64 milhões e deve registrar um CAGR de 3.3% durante o período de previsão para se tornar USD 4828.258 milhões até o final do período de previsão.
- Prevê-se que o aumento da demanda por dispositivos conectados tenha um impacto significativo no crescimento do mercado mundial de transistores de potência ao longo do período de previsão. Os transistores de potência ajudam na rápida dissipação de calor, evitam o superaquecimento, reduzem as emissões de dióxido de carbono e economizam custos de eletricidade.
- De acordo com a Cisco, estima-se que o número de dispositivos em rede na Europa Central e Oriental aumente de 1,2 bilhão em 2018 para 2,0 bilhões em 2023. Em 2023, a Europa Central e Oriental teria 4,0 dispositivos em rede por pessoa, contra 2,5 em 2018.
- Os transistores de potência são geralmente usados em aplicações automotivas devido à sua capacidade de lidar eficientemente com níveis de alta tensão e corrente. Eles são usados em várias áreas do veículo, incluindo sistemas de controle do motor, sistemas de transmissão, gerenciamento de energia, gerenciamento de bateria, sistemas de iluminação, entre outros.
- Os transistores de potência automotivos são projetados para atender a requisitos rigorosos de confiabilidade, durabilidade e segurança. Eles são empregados em circuitos de controle do motor para regular a velocidade do motor. Eles também são utilizados em veículos elétricos e híbridos para controlar o motor usado para a propulsão. Os transistores de potência são usados em sistemas de gerenciamento de bateria para monitorar a saúde da bateria e o status de carregamento, para controlar a corrente de carregamento, e em sistemas de transmissão automática para controlar a mudança de marchas.
- Fatores adicionais que devem impulsionar o mercado em estudo incluem segurança, infoentretenimento, navegação e eficiência de combustível em componentes automotivos, bem como segurança, automação, iluminação de estado sólido, transporte e gerenciamento de energia em componentes industriais. Por exemplo, espera-se que o Transistor Bipolar de Portão Isolado (IGBT), um elemento-chave do sistema eletrônico de potência de veículos elétricos, experimente alta demanda à medida que as vendas de veículos elétricos aumentam internacionalmente.
- De acordo com a Autoridade Federal de Transportes Motorizados, na Alemanha, 1,2% de todos os carros de passageiros foram eletrificados (veículos elétricos a bateria (BEVs) e veículos elétricos híbridos plug-in (PHEVs)) em 2020. A previsão é que, até 2030, a participação aumente para 24,4% ou mais de 11,55 milhões de veículos. Esse aumento nos veículos elétricos (EV) impulsionaria o mercado.
- A região também está testemunhando várias inovações que atendem às demandas complexas dos consumidores. Por exemplo, em junho de 2022, o primeiro transistor orgânico bipolar vertical de alto desempenho foi criado por cientistas do Centro Integrado de Física Aplicada e Materiais Fotônicos de Dresden (IAPP), na Alemanha, abrindo caminho para a criação de sistemas lógicos orgânicos adaptáveis. Nos últimos 20 anos, transistores orgânicos de efeito de campo (FET) foram criados para usos como drivers de tela; No entanto, devido à sua baixa mobilidade de carga, eles só podem operar na faixa de baixo a médio mega-hertz. O transistor de junção bipolar, por outro lado, fornece baixa capacitância e resistência de contato, mas enfrenta dificuldades com miniaturização e integração de processos.
- Por outro lado, a tecnologia de transistor de potência enfrenta uma série de desafios. Alguns desses desafios estão relacionados ao desempenho do dispositivo, como melhorar a eficiência e a densidade de potência. Outros desafios estão relacionados à confiabilidade do dispositivo, como a redução do risco de estresse térmico e a melhoria da confiabilidade em altas tensões. Os transistores de potência geram muito calor durante a operação, o que pode causar problemas de confiabilidade e limitar a densidade de potência dos dispositivos. Melhorar o gerenciamento térmico de transistores de potência é um desafio importante.
- Além disso, o surto de COVID-19 afetou as instalações de produção das indústrias automotivas em todo o mundo. O surto de COVID-19 em países europeus afetou a indústria automobilística na região. De acordo com a Associação de Fabricantes de Automóveis Estrangeiros e a União Nacional de Representantes de Veículos Estrangeiros (UNRAE), o surto de COVID-19 e as fracas perspectivas econômicas desencadearam uma queda na demanda no setor automotivo. Tais fatores podem restringir o crescimento do mercado estudado na região.
Tendências do mercado de transistor de energia da Europa
Espera-se que o segmento de eletrônicos de consumo impulsione o crescimento do mercado
- Os transistores de potência encontram ampla aplicação em eletrônicos de consumo. A crescente popularidade de eletrônicos de consumo, como fones de ouvido, laptops, smartphones, wearables e outros dispositivos portáteis contribui para a expansão do segmento. A crescente demanda de eletrônicos de consumo por áudio de alta definição, carregamento rápido e designs mais eficientes em termos de energia impulsionará o crescimento da tecnologia de nitreto de gálio (GaN). A tecnologia de transistor GaN dará a adaptação necessária para melhorar o mundo digital.
- O mercado de dispositivos habilitados para 5G crescerá no futuro na região devido ao aumento do consumo e dos requisitos de processamento de dados. Os fabricantes de chips para smartphones habilitados para 5G encontrarão uma demanda crescente por processadores 5G para satisfazer a crescente demanda por aparelhos habilitados para 5G. O aumento de chips semicondutores contribuirá para o desenvolvimento do semicondutor, eventualmente suportando a necessidade de transistores de potência. De acordo com a Ericsson, em 2022, houve 60,45 milhões de assinaturas móveis 5G na Europa Ocidental.
- Os smartwatches normalmente usam transistores de baixa potência, como transistores de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFETs), para ajudar a economizar energia e estender a vida útil da bateria. O gerenciamento de energia é uma parte crítica do design do smartwatch, pois esses dispositivos são projetados para serem usados por longos períodos e devem ser capazes de operar com uma única carga. A introdução de novos smartwatches impulsionaria o mercado.
- Nessa medida, em junho de 2022, a Montblanc apresentou a próxima onda de relógios Wear OS 3, incluindo o Summit 3, com preço de US$ 1.290. Esta versão representa uma atualização significativa para os relógios premium da Montblanc. Os novos relógios oferecem uma gama de recursos e funcionalidades. Por exemplo, alguns mostradores de relógio são projetados para imitar os icônicos modelos mecânicos da Montblanc, como o Geosphere de 1858. Além disso, os smartwatches vêm equipados com recursos avançados, como monitoramento de oxigênio no sangue, rastreamento de sono e suporte ao Google Pay.
- Os smartphones são os maiores consumidores de transistores de potência neste segmento. O smartphone tem sido um mercado muito competitivo nos últimos anos. As empresas incluíram vários novos sensores no passado que consomem muita bateria. Os fabricantes estão desenvolvendo carregadores de smartphones que poderiam carregar o dispositivo em uma duração mais curta, então a classificação atual para eles passou de 0,5 miliamperes para 5 miliamperes. O transistor de alimentação no adaptador desempenha um papel crítico na manutenção dos níveis de corrente e tensão necessários. Houve muitos casos em que um adaptador falsificado explodiu o dispositivo.
- De acordo com a Ericsson, até 2027, as assinaturas de smartphones da Europa Ocidental totalizarão 439 milhões. Em 2021, a Europa Ocidental tinha cerca de 404 milhões de assinantes de smartphones. Com base no desenvolvimento constante dos anos anteriores, o número de assinantes de smartphones na Europa Central e Oriental foi previsto para chegar a 427 milhões até 2027. Tal aumento na adoção de smartphones provavelmente impulsionará o crescimento do mercado estudado.
Espera-se que o Reino Unido testemunhe um alto crescimento do mercado
- No Reino Unido, transistores de potência de nitreto de gálio (GaN) estão sendo usados em data centers para criar fontes de alimentação e outras aplicações com tamanhos menores, maior eficiência e maior retorno sobre o investimento. Os transistores GaN de última geração estão permitindo que os data centers gerem ainda mais economia, bem como maior densidade de energia e eficiência.
- Por exemplo, de acordo com um relatório de estratégia digital do governo do Reino Unido, em média, os data centers apoiam a economia da Internet, que responde por quase 16% do PIB nacional, 10% do emprego e 24% de todas as exportações do Reino Unido, e está se expandindo mais rapidamente do que qualquer outra economia do G-20.
- Enquanto a contribuição anual do VAB de um data center existente é estimada entre 291 milhões de libras esterlinas (US$ 401,58 milhões) e 320 milhões de libras esterlinas (US$ 441,60 milhões), cada novo data center varia de 397 milhões de libras esterlinas (US$ 547,86 milhões) a 436 milhões de libras esterlinas (US$ 601,68 milhões). Tais investimentos em construções de data centers impulsionariam o mercado estudado.
- Além disso, o país estabeleceu a meta de tornar seu transporte totalmente elétrico até 2040, proibindo a venda de novos carros a diesel e gasolina. Em linha com este objetivo, o mercado de veículos elétricos (EV) no país está em constante expansão, com o número de veículos elétricos no Reino Unido a aumentar 71% em 2021, em comparação com 2020, de acordo com a Sociedade de Fabricantes e Comerciantes de Automóveis (SMMT). À medida que o Reino Unido se prepara para fazer a transição para a produção de veículos elétricos puros nos próximos anos, com alguns fabricantes e marcas se comprometendo a se tornar 100% elétricos já em 2025, a demanda por dispositivos e sistemas eletrônicos de potência crítica deve aumentar. Isso impulsionará ainda mais o crescimento do mercado.
- Para atender às diversas demandas dos clientes, as empresas da região estão desenvolvendo novos produtos. Por exemplo, em março de 2022, uma empresa de GaN do Reino Unido, a Fabless, lançou transistores de potência de fácil acionamento com detecção de corrente. A empresa está aproveitando a integração monolítica de GaN, apelidada de 'ICeGaN', para ajustar o comportamento de fechamento de transistores de potência de GaN sem o uso de emparelhamento em cascata, permitindo que eles sejam compatíveis com drivers projetados para transistor de efeito de campo (MOSFETs) clássico de silício metal-óxido-semicondutor. Simultaneamente, uma saída de sensor de corrente foi adicionada, que é usada conectando um resistor externo de baixa potência e baixo valor (10) da saída CS para 0V e amplificando a tensão resultante usando um op-amp.
- Os transistores de potência são amplamente utilizados na indústria de energia e energia para várias aplicações, incluindo conversão de energia, interruptores de alta tensão e amplificação de sinais. Eles são usados em dispositivos eletrônicos de potência, como inversores e conversores, para converter energia elétrica de uma forma para outra. Por exemplo, em painéis solares, transistores de energia podem ser usados para converter energia DC em energia CA que é adequada para uso doméstico.
- De acordo com GOV.UK, à medida que o Reino Unido se afasta gradualmente da dependência dos combustíveis fósseis, a geração de eletricidade a partir de fontes renováveis provavelmente aumentará nas próximas décadas. Projeções indicam que, até 2040, mais da metade da capacidade de geração de eletricidade dos grandes produtores de energia será de fontes renováveis, totalizando 100 gigawatts. Tal aumento nas atividades de geração de energia na região ofereceria oportunidades lucrativas para os participantes do mercado expandirem sua penetração de produtos.
Visão geral da indústria de transistor de energia da Europa
O mercado de transistores de potência da Europa é moderadamente fragmentado, com a presença de vários players como Infineon Technologies, Renesas Electronics, Texas Instruments, etc. Uma vez que o mercado é altamente competitivo, os participantes do mercado se esforçam constantemente para adotar tecnologias avançadas e inovar produtos abrangentes para atender às necessidades em evolução de seus clientes.
Em março de 2023, a LITEON Technology escolheu o transistor de efeito de campo (FET) de nitreto de gálio (GaN) altamente integrado da Texas Instruments e C2000TM microcontroladores em tempo real (MCUs) para sua mais recente unidade de fonte de alimentação de servidor (PSU) de alto desempenho para o mercado norte-americano, de acordo com a empresa. A PSU recém-comercializada, que usa o LMG3522R030 GaN FET da TI e um MCU em tempo real TMS320F28003x C2000, tem uma densidade de potência de mais de 95 W/in3 e atende aos critérios do 80 Plus Titanium.
Em abril de 2022, a Mitsubishi Electric anunciou seus planos de enviar amostras de seu módulo de transistor bipolar de porta isolada (IGBT) de 2,0kV para uso industrial no próximo mês. Prevê-se que o módulo IGBT da série T do tipo LV100 reduza o tamanho e o consumo de energia dos conversores de 1500V para fontes de energia renováveis com uma frequência de comutação de 1 a 5kHz. 1500V é o limite superior da Diretiva de Baixa Tensão da UE, o que pode ser difícil de alcançar com dispositivos de 1700V. As amostras de módulo têm uma capacidade de tensão de bloqueio de 2,0kV para sistemas de energia de grande capacidade de várias centenas de kW a vários MW.
Líderes do mercado de transistores de energia da Europa
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Infineon Technologies AG
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Renesas Electronics Corporation
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Texas Instruments Inc.
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NXP Semiconductors N.V.
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Mitsubishi Electric Corporation
- *Isenção de responsabilidade: Principais participantes classificados em nenhuma ordem específica
Europa Power Transistor Mercado Notícias
- Março de 2023 A Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation introduziu o transistor bipolar de porta isolada discreta (IGBT) GT30J65MRB de 650V para circuitos de correção de fator de potência (PFC) em condicionadores de ar e grandes fontes de alimentação para equipamentos industriais. A Toshiba incorpora o método mais recente em seu novo IGBT. Uma estrutura de trincheira otimizada alcança uma perda de comutação (perda de comutação de desligamento) de 0,35 mJ, cerca de 42% menor do que o produto anterior da Toshiba, GT50JR22. O novo IGBT também inclui um diodo com tensão de avanço de 1,20V, aproximadamente 43% menor que o GT50JR22.
- Janeiro de 2023 A NXP apresentou o MMRF5018HS 125 W CW GaN no SiC RF Power Transistor. O MMRF5018HS está contido em um pacote cerâmico de cavidade de ar NI-400HS com um baixo Rth. O MMRF5018HS é apropriado para aplicações de CW, pulso e RF de banda larga devido ao seu alto ganho e robustez. O MMRF5018HS desempenho de banda larga de várias oitavas é otimizado para aplicações de 1-2700 MHz. As térmicas tornam-se um fator significativo em como obter o calor enquanto funcionam em larguras de banda tão amplas e de alta potência. Com sua baixa resistência térmica de 1,21° C/W (FEA calculada) resistência térmica canal-a-caso a 90°C e 109W dissipada, a NXP continua a fortalecer nosso portfólio de GaN de banda larga.
Segmentação da indústria de transistores de energia da Europa
Os transistores de potência são usados para amplificar e regular sinais. Eles são feitos de materiais semicondutores de alto desempenho, como germânio e silício. Esses transistores podem amplificar e regular um determinado nível de tensão e lidar com faixas específicas de classificações de tensão de alto e baixo nível.
O mercado de transistores de potência da Europa é segmentado por produto (FETs de baixa tensão, módulos IGBT, transistores de RF e micro-ondas, FETs de alta tensão e transistores IGBT), por tipo (transistor de junção bipolar, transistor de efeito de campo, transistor bipolar de heterojunção e outros tipos), por usuário final (eletrônicos de consumo, comunicação e tecnologia, automotivo, manufatura, energia e energia e outros usuários finais) e geografia (Reino Unido, Alemanha, França, Itália, Resto da Europa).
Os tamanhos de mercado e previsões são fornecidos em termos de valor (milhões de dólares) para todos os segmentos acima.
Perguntas mais frequentes
Qual é o tamanho atual do mercado Europa Transistor de energia?
Prevê-se que o mercado Transistor de energia da Europa registre um CAGR de 3.30% durante o período de previsão (2024-2029)
Quem são os chave players no mercado Europa Transistor de energia?
Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Texas Instruments Inc., NXP Semiconductors N.V., Mitsubishi Electric Corporation são as principais empresas que operam no mercado de transistor de energia da Europa.
Que anos cobre este mercado Europa Power Transistor?
O relatório cobre o tamanho histórico do mercado Transistor de energia Europa por anos 2019, 2020, 2021, 2022 e 2023. O relatório também prevê o tamanho do mercado Transistor de energia da Europa para os anos 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 e 2029.
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Relatório da Indústria de Transistor de Energia da Europa
Estatísticas para a participação de mercado do Transistor de Energia da Europa 2024, tamanho e taxa de crescimento da receita, criadas pela Mordor Intelligence™ Industry Reports. A análise do Transistor de Energia da Europa inclui uma previsão de mercado, perspectivas e visão geral histórica. Obter uma amostra desta análise da indústria como um download PDF de relatório gratuito.