Tamanho do mercado de transistor de potência do Japão

Resumo do mercado de transistor de potência do Japão
Imagem © Mordor Intelligence. O reuso requer atribuição conforme CC BY 4.0.

Análise de Mercado do Transistor de Energia do Japão

O mercado japonês de transistor de energia foi avaliado em USD 2.986,3 milhões durante o ano atual e é antecipado a atingir USD 3670.9 milhões até o final do período de previsão, registrando um CAGR de 3.50% durante o período de previsão.

  • Devido à pandemia, a indústria automotiva testemunhou uma forte queda na demanda, levando a um crescimento negativo em 2020 e 2021. No início da pandemia, muitas montadoras estabeleceram metas agressivas de redução de custos. Eles anunciaram cortes nas despesas de capital para permanecerem rentáveis em meio à baixa produção e perspectivas de demanda incertas.
  • Por exemplo, a Toyota anunciou planos para cortar a produção global em setembro de 2021 em 40% em comparação com os planos anteriores, já que a COVID-19 restringiu o fornecimento de semicondutores. A empresa anunciou suspensões nas operações em várias fábricas japonesas naquele mês devido a uma escassez de peças resultante da disseminação da COVID-19 no Sudeste Asiático.
  • No Japão, a indústria automotiva responde por uma parcela significativa da demanda total por semicondutores no país, tendo surgido como o 5º maior mercado automobilístico em 2022, de acordo com a Associação Alemã da Indústria Automotiva (VDA). A migração da indústria automotiva de veículos movidos a combustíveis fósseis para veículos híbridos e elétricos impulsiona a demanda por dispositivos de energia.
  • De acordo com a colaboração, uma linha IGBT seria instalada na fábrica de wafers da USJC, que seria a primeira no Japão a produzir IGBTs em wafers de 300 mm. A DENSO contribuiria com suas tecnologias de processo e dispositivos IGBT orientados a sistemas.
  • Ao mesmo tempo, a USJC fornecerá suas capacidades de fabricação de wafer de 300 mm para trazer o processo IGBT de 300 mm para a produção em massa, programada para começar no primeiro semestre de 2023. Os IGBTs são percebidos como dispositivos centrais em placas de energia, servindo como interruptores de energia eficientes em inversores para converter correntes DC e AC para acionar e controlar motores de veículos elétricos.
  • Além disso, em fevereiro de 2022, a Toshiba Electronic Devices e Storage Corporation anunciou que construiria uma nova instalação de fabricação de wafer de 300 milímetros para semicondutores de energia, incluindo transistores na Kaga Toshiba Electronics Corporation na província de Ishikawa, sua principal base de produção de semicondutores discretos. A construção está prevista para ocorrer em duas fases, com o início da produção da Fase 1 previsto para 2024. Quando a Fase 1 atingir a capacidade total, a capacidade de produção de semicondutores de energia da Toshiba será 2,5 vezes maior do que a do ano fiscal de 2021.
  • Além disso, em janeiro de 2022, a Toshiba Electronic Devices &Storage Corporation lançou dois módulos duplos MOSFET de carboneto de silício (SiC) 'MG600Q2YMS3', com uma classificação de tensão de 1200V e uma classificação de corrente de drenagem de 600A e 'MG400V2YMS3', com uma classificação de tensão de 1700V e uma classificação de corrente de drenagem de 400A. Os primeiros produtos da Toshiba com essas classificações de tensão se juntaram aos MG800FXF2YMS3 lançados anteriormente em uma linha de dispositivos de 1200V, 1700V e 3300V.

Visão geral da indústria de transistor de energia do Japão

O mercado de transistor de potência do Japão está fragmentado e espera-se que cresça em concorrência durante o período de previsão devido à entrada de várias empresas multinacionais. Os fornecedores estão se concentrando no desenvolvimento de portfólios de soluções personalizadas para atender aos requisitos locais. Os principais participantes que operam no mercado incluem Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V., Texas Instruments Inc., STMicroelectronics N.V., Linear Integrated Systems Inc., Mitsubishi Electric Corporation, etc.

Em janeiro de 2023, a Toshiba Electronic Devices &Storage Corporation lançou MOSFETs automotivos de 40V N-channel power -'XPQR3004PB' e 'XPQ1R004PB' - que usam o novo pacote L-TOGL (grandes cabos de asa de gaivota de contorno de transistor) e apresentam uma alta classificação de corrente de drenagem com baixa resistência on-resistance.

Em junho de 2022, a Mitsubishi Electric Corporation revelou um novo módulo IGBT para aplicações em instalações fotovoltaicas de grande escala. A empresa afirma que o dispositivo ajuda a reduzir o número de inversores necessários em instalações fotovoltaicas conectadas à rede, proporcionando operação simultânea de alta tensão e baixas perdas de energia.

Líderes de mercado de transistor de potência do Japão

  1. Champion Microelectronics Corporation

  2. Fairchild Semiconductor International Inc.

  3. Infineon Technologies AG

  4. Renesas Electronics Corporation

  5. NXP Semiconductors N.V.

  6. *Isenção de responsabilidade: Principais participantes classificados em nenhuma ordem específica
Concentração do mercado de transistores de energia do Japão
Imagem © Mordor Intelligence. O reuso requer atribuição conforme CC BY 4.0.
Precisa de mais detalhes sobre jogadores e concorrentes de mercado?
Baixar amostra

Notícias do Mercado de Transistor de Energia do Japão

  • Agosto de 2022 A Toshiba Electronic Devices e a Storage Corporation lançaram novos dispositivos de energia sob a 'TWxxNxxxCseries'. Esta série é a sua terceira geração de MOSFETs de carboneto de silício (SiC) que podem oferecer baixa resistência e perda de comutação significativamente reduzida.
  • Fevereiro de 2022 A Vayyar Imaging, fornecedora de radares de imagem 4D, anunciou que abrirá um novo escritório em Tóquio, no Japão, à medida que a empresa intensifica seus compromissos avançados com empresas líderes. A VayyarImaging Japan LLC liderará a expansão contínua da empresa na região da APAC, principalmente nos setores de cuidados seniores e automotivo.

Table of Contents

1. INTRODUÇÃO

  • 1.1 Premissas do Estudo e Definição de Mercado
  • 1.2 Escopo do estudo

2. METODOLOGIA DE PESQUISA

3. SUMÁRIO EXECUTIVO

4. INFORMAÇÕES DE MERCADO

  • 4.1 Visão geral do mercado
  • 4.2 Atratividade da Indústria – Análise das Cinco Forças de Porter
    • 4.2.1 Ameaça de novos participantes
    • 4.2.2 Poder de barganha dos compradores
    • 4.2.3 Poder de barganha dos fornecedores
    • 4.2.4 Ameaça de produtos substitutos
    • 4.2.5 Intensidade da rivalidade competitiva
  • 4.3 Avaliação do Impacto do COVID-19 no Mercado

5. DINÂMICA DE MERCADO

  • 5.1 Drivers de mercado
    • 5.1.1 Aumento da demanda por dispositivos conectados
    • 5.1.2 O aumento do uso de combustíveis fósseis tem aumentado a demanda por dispositivos eletrônicos com eficiência energética
  • 5.2 Restrições de mercado
    • 5.2.1 Limitações nas operações devido a restrições como temperatura, frequência, capacidade de bloqueio reverso, etc.

6. SEGMENTAÇÃO DE MERCADO

  • 6.1 Por produto
    • 6.1.1 FETs de baixa tensão
    • 6.1.2 Módulos IGBT
    • 6.1.3 Transistores de RF e Microondas
    • 6.1.4 FETs de alta tensão
    • 6.1.5 Transistores IGBT
  • 6.2 Por tipo
    • 6.2.1 Transistor de junção bipolar
    • 6.2.2 Transistor de efeito de campo
    • 6.2.3 Transistor bipolar de heterojunção
    • 6.2.4 Outros (MOSFET, JFET, transistor NPN, transistor PNP, transistor GaN)
  • 6.3 Por indústria de usuário final
    • 6.3.1 Eletrônicos de consumo
    • 6.3.2 Comunicação e Tecnologia
    • 6.3.3 Automotivo
    • 6.3.4 Fabricação
    • 6.3.5 Poder elétrico
    • 6.3.6 Outras indústrias de usuários finais

7. CENÁRIO COMPETITIVO

  • 7.1 Perfis de empresa
    • 7.1.1 Champion Microelectronics Corporation
    • 7.1.2 Fairchild Semiconductor International Inc.
    • 7.1.3 Infineon Technologies AG
    • 7.1.4 Renesas Electronics Corporation
    • 7.1.5 NXP Semiconductors N.V.
    • 7.1.6 Texas Instruments Inc.
    • 7.1.7 STMicroelectronics N.V.
    • 7.1.8 Linear Integrated Systems Inc.
    • 7.1.9 Mitsubishi Electric Corporation
    • 7.1.10 Toshiba Corporation
    • 7.1.11 Vishay Intertechnology Inc.
    • 7.1.12 Analog Devices Inc.
    • 7.1.13 Broadcom Inc.

8. ANÁLISE DE INVESTIMENTO

9. FUTURO DO MERCADO

Você pode comprar partes deste relatório. Confira os preços para seções específicas
Obtenha o detalhamento de preços agora

Segmentação da indústria de transistor de potência do Japão

Os transistores de potência são usados para amplificar e regular sinais. Eles são feitos de materiais semicondutores de alto desempenho, como germânio e silício. Esses transistores podem amplificar e controlar um determinado nível de tensão e lidar com faixas específicas de classificações de tensão de alto e baixo nível.

O estudo inclui diferentes produtos FETs de baixa tensão, módulos IGBT, transistores de RF e micro-ondas, FETs de alta tensão, transistores IGBT e diferentes tipos, como transistores de junção bipolar, transistores de efeito de campo, transistores bipolares de heterojunção para várias indústrias de usuários finais, como eletrônica de consumo, comunicação e tecnologia, automotiva, manufatura e energia e energia. O cenário competitivo leva em consideração a penetração de mercado de várias empresas, bem como suas estratégias de crescimento orgânico e inorgânico. O estudo também considera o impacto de mercado da pandemia de COVID-19.

Para todos os segmentos acima, tamanhos de mercado e previsões são fornecidos em termos de valor (milhões de dólares).

Por produto
FETs de baixa tensão
Módulos IGBT
Transistores de RF e Microondas
FETs de alta tensão
Transistores IGBT
Por tipo
Transistor de junção bipolar
Transistor de efeito de campo
Transistor bipolar de heterojunção
Outros (MOSFET, JFET, transistor NPN, transistor PNP, transistor GaN)
Por indústria de usuário final
Eletrônicos de consumo
Comunicação e Tecnologia
Automotivo
Fabricação
Poder elétrico
Outras indústrias de usuários finais
Por produto FETs de baixa tensão
Módulos IGBT
Transistores de RF e Microondas
FETs de alta tensão
Transistores IGBT
Por tipo Transistor de junção bipolar
Transistor de efeito de campo
Transistor bipolar de heterojunção
Outros (MOSFET, JFET, transistor NPN, transistor PNP, transistor GaN)
Por indústria de usuário final Eletrônicos de consumo
Comunicação e Tecnologia
Automotivo
Fabricação
Poder elétrico
Outras indústrias de usuários finais
Precisa de uma região ou segmento diferente?
Personalize agora

Perguntas mais frequentes

Qual é o tamanho atual do mercado Transistor de energia do Japão?

Projeta-se que o mercado Transistor de energia do Japão registre um CAGR de 3.5% durante o período de previsão (2024-2029)

Quem são os chave players no mercado Japão Power Transistor?

Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V. são as principais empresas que operam no mercado de transistor de energia do Japão.

Em que anos este mercado Japão Power Transistor cobre?

O relatório cobre o tamanho histórico do mercado Japão Power Transistor por anos 2019, 2020, 2021, 2022 e 2023. O relatório também prevê o tamanho do mercado de Transistor de Energia do Japão para os anos 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 e 2029.

Página atualizada pela última vez em:

Relatório da Indústria de Transistor de Energia do Japão

Estatísticas para a participação de mercado do Japão Power Transistor 2024, tamanho e taxa de crescimento da receita, criadas pela Mordor Intelligence™ Industry Reports. A análise do Japão Power Transistor inclui uma previsão de mercado para 2024 a 2029) e visão geral histórica. Obter uma amostra desta análise da indústria como um download PDF de relatório gratuito.