Analyse de la taille et de la part du marché chinois de la mémoire flash - Tendances et prévisions de croissance (2024 - 2029)

Le marché chinois de la mémoire flash est segmenté par type (mémoire flash NOR (par densité (2 mégabits et moins, 4 mégabits et moins (plus de 2 Mo), 8 mégabits et moins (plus de 4 Mo), 16 mégabits et moins (plus de 8 Mo), 32 mégabits et moins (plus de 16 Mo), 64 mégabits et moins (plus de 32 Mo))), Mémoire flash NAND (par densité (128 Mo et moins, 512 Mo et moins, 2 GIGABIT ET MOINS (plus de 1 Go), 256 MO et moins, 1 GIGABIT et moins, 4 GIGABIT et MOINS (plus de 2 Go))), par utilisateur final (centre de données (entreprise et serveurs), automobile, mobile et tablette, client (PC, SSD client)). Le rapport propose la taille du marché en termes de valeur en USD pour tous les segments mentionnés ci-dessus.

Taille du marché de la mémoire flash en Chine

Analyse du marché de la mémoire flash en Chine

Le marché chinois de la mémoire flash était évalué à 13,90 milliards USD en 2022 et devrait atteindre 24,40 milliards USD dici 2028, enregistrant un TCAC de 9,91 % au cours de la période de prévision. De plus, lun des facteurs clés qui stimulent la croissance du marché chinois de la mémoire flash est la popularité croissante des appareils électroniques portables, combinée à la pénétration croissante de technologies avancées telles que lIoT parmi la population chinoise.

La mémoire flash, également connue sous le nom de stockage flash, est une mémoire non volatile qui efface et réécrit les données au niveau de loctet. En raison de leur vitesse et de leur fiabilité, les mémoires flash, telles que les SSD, remplacent progressivement les disques durs (HDD) dans divers appareils électroniques grand public. Lessor de lindustrie de lélectronique grand public dans la région devrait stimuler le marché.

Le ministère de lIndustrie et des Technologies de linformation a déclaré en septembre 2022 que la Chine se classait au premier rang mondial pour la production et la vente délectronique grand public en raison de lamélioration de la capacité dinnovation et de construction de la marque du pays. En outre, la Chine continue dêtre une base de fabrication mondiale essentielle pour lélectronique grand public, attirant les principaux producteurs électroniques mondiaux pour établir des bases de fabrication et des centres de R&D. De tels facteurs se traduiront par un marché important des dispositifs de mémoire.

De plus, la région connaît plusieurs investissements et initiatives pour améliorer ses capacités de production, lun des facteurs qui animent le marché. Par exemple, le gouvernement chinois a déclaré en janvier 2021 quil visait à augmenter le marché intérieur des composants électroniques à 2,1 billions de RMB (327 milliards USD) dici 2023. De telles initiatives gouvernementales devraient stimuler la demande de dispositifs de mémoire flash dans les produits électroniques.

En outre, les montres intelligentes et les bracelets de fitness intelligents gagnent en popularité en Chine, car les consommateurs se tournent vers ces appareils pour suivre leur santé à mesure que les mesures de prévention et de contrôle du COVID-19 sont optimisées. Les appareils auditifs True Wireless Stereo (TWS) devraient donner un élan significatif à la mémoire flash NOR parmi les différentes applications IoT. Le ministère chinois de lIndustrie et des Technologies de linformation (MIIT) a dévoilé un plan quinquennal pour la fabrication intelligente de lIoT en décembre 2021, les grands fabricants se concentrant sur la numérisation dici 2025. Une telle initiative devrait propulser le marché de lélectronique IoT grand public de la région en créant la nécessité dinstaller des composants de mémoire Flash.

Au cours de la période détude, les principaux acteurs du marché investissent continuellement dans le lancement de nouveaux produits et dautres initiatives tactiques qui stimulent lexpansion du marché. Par exemple, les fournisseurs chinois de flash NOR, tels que Giantec Semiconductor, GigaDevice Semiconductor et dautres, augmentent leur utilisation dans les applications automobiles pour compenser la baisse de la demande des consommateurs.

En outre, lindustrie automobile chinoise montre des signes vitaux de reprise dans la région, indiquant une forte demande pour les dispositifs de mémoire flash tels que les périphériques NOR Flash. Selon lAssociation chinoise des constructeurs automobiles (CAAM), les constructeurs automobiles chinois ont produit 27,02 millions dunités en 2022, soit une augmentation de 3,4 % par rapport à lannée précédente, tandis que les ventes ont augmenté de 2,1 % de 26,86 millions dunités. De telles avancées nécessiteront lutilisation de produits de mémoire flash tels que NOR Flash pour diverses applications telles que linfodivertissement et le contrôle du moteur.

Les substituts de mémoire flash NOR les plus courants sont la NAND et la DRAM. Par conséquent, lun des défis du marché qui limitera la croissance des ventes Flash NOR dans la région est la disponibilité de substituts. En outre, limpact des interdictions dexportation américaines a causé dimportants problèmes de production aux fabricants de puces chinois, limitant la croissance du marché.

Présentation de lindustrie de la mémoire flash en Chine

Le marché chinois de la mémoire flash est fragmenté, avec quelques fournisseurs contrôlant une partie importante. Les principaux acteurs sont Giga Device, YMTC, Macronix et dautres. Ces acteurs utilisent les lancements de produits, la collaboration et les partenariats, entre autres initiatives stratégiques, pour obtenir un avantage concurrentiel sur le marché régional.

En mars 2023, GigaDevice a introduit la série GD25UF de SPI NOR Flash dans sa feuille de route stratégique de produits Flash 1,2 V prenant en charge les systèmes sur puce (SoC) et les processeurs dapplications basés sur des nœuds de fonction avancés. Les produits GD25UF SPI NOR Flash sont optimisés pour les applications qui nécessitent une consommation dénergie ultra-faible ou un faible encombrement de la carte.

En juillet 2022, Micron Technology, Inc. a annoncé le début de la production en série de la première NAND à 232 couches au monde, qui est construite avec des innovations de pointe pour offrir des performances de stockage sans précédent. La NAND à 232 couches de Micron est un moment décisif dans linnovation en matière de stockage, car cest la première preuve que la NAND 3D peut être mise à léchelle sur plus de 200 couches en production.

En septembre 2022, Wuhan XinxinSemiconductor Manufacturing Co. Ltd (ci-après XMC), lun des principaux fournisseurs de NOR, a lancé XNOR-XM25LU128C, un produit Flash NOR SPI ultra-petit et à faible consommation qui sapplique largement à lIoT et aux appareils portables de plus en plus petits.

Leaders du marché chinois de la mémoire flash

  1. Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.

  2. GigaDevice Semiconductor Inc.

  3. Macronix International Co., Ltd

  4. Samsung Electronics Co., Ltd.

  5. Infineon Technologies AG

  6. *Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier
Concentration du marché chinois de la mémoire flash
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Nouvelles du marché chinois de la mémoire flash

  • Février 2023 : Selon Infineon, la Chine représentait 36 % du chiffre daffaires de lentreprise au cours de lexercice 2022. La société a introduit la mémoire flash SEMPER Nano NOR pour les appareils électroniques alimentés par batterie et à petit facteur de forme. Les applications portables et industrielles, telles que les appareils auditifs, les trackers de fitness, les moniteurs de santé, les trackers GPS et les drones, permettent un suivi plus précis, lenregistrement des informations critiques, la suppression du bruit, une sécurité renforcée et dautres avantages.
  • Mars 2022 : Winbond Electronics a présenté le W25Q64NE, un circuit intégré flash SpiFlash NOR de 1,2 V avec une densité de 64 Mo. La nouvelle mémoire flash NOR offrirait aux clients une grande capacité de stockage de code et des économies dénergie en mode actif conformément aux dernières exigences en matière dappareils mobiles et de wearables intelligents. Par rapport aux appareils 1,8 V équivalents, les pièces Winbond 1,2 V réduisent la consommation dénergie en mode actif dun tiers.
  • Août 2022 Macronix International Co. Ltd, lun des principaux fabricants dappareils intégrés sur le marché de la mémoire non volatile (NVM), a annoncé que son octa flash MX66UW1G45GXDI00 fournit une mémoire flash critique dans la plateforme de développement de Renesas. Les concepteurs peuvent utiliser la mémoire flash haute vitesse de Macronix et le dernier microprocesseur RZ/A3UL (MPU) rentable de Renesas sur la nouvelle carte dévaluation pour créer des produits de pointe.

Table of Contents

1. INTRODUCTION

  • 1.1 Hypothèses de l’étude et définition du marché
  • 1.2 Portée de l'étude

2. MÉTHODOLOGIE DE RECHERCHE

3. RÉSUMÉ EXÉCUTIF

4. APERÇU DU MARCHÉ

  • 4.1 Aperçu du marché
  • 4.2 Analyse de la chaîne d'approvisionnement
  • 4.3 Impact des tendances macroéconomiques (scénario post-COVID-19, perturbations de la chaîne d’approvisionnement et incertitudes économiques, entre autres) sur le marché
  • 4.4 Attractivité de l'industrie - Analyse des cinq forces de Porter
    • 4.4.1 La menace de nouveaux participants
    • 4.4.2 Pouvoir de négociation des acheteurs/consommateurs
    • 4.4.3 Pouvoir de négociation des fournisseurs
    • 4.4.4 Menace des produits de substitution
    • 4.4.5 Intensité de la rivalité concurrentielle

5. DYNAMIQUE DU MARCHÉ

  • 5.1 Facteurs de marché
    • 5.1.1 Demande croissante de centres de données dans la région
    • 5.1.2 Applications croissantes de l’IoT
  • 5.2 Restrictions du marché
    • 5.2.1 Disponibilité de substituts et interdiction américaine sur la fabrication de puces chinoises

6. SEGMENTATION DU MARCHÉ

  • 6.1 Par type
    • 6.1.1 Mémoire Flash NAND
    • 6.1.1.1 Par densité
    • 6.1.1.1.1 128 Mo et moins
    • 6.1.1.1.2 512 Mo et moins
    • 6.1.1.1.3 2 GIGABIT ET MOINS (supérieur à 1 Go)
    • 6.1.1.1.4 256 Mo et moins
    • 6.1.1.1.5 1 GIGABIT ET MOINS
    • 6.1.1.1.6 4 GIGABIT ET MOINS (supérieur à 2 Go)
    • 6.1.2 Mémoire flash NOR
    • 6.1.2.1 Par densité
    • 6.1.2.1.1 2 MÉGABITS ET MOINS
    • 6.1.2.1.2 4 MÉGABITS ET MOINS (supérieur à 2 Mo)
    • 6.1.2.1.3 8 MÉGABITS ET MOINS (supérieur à 4 Mo)
    • 6.1.2.1.4 16 MÉGABITS ET MOINS (supérieur à 8 Mo)
    • 6.1.2.1.5 32 MÉGABITS ET MOINS (supérieur à 16 Mo)
    • 6.1.2.1.6 64 MÉGABITS ET MOINS (supérieur à 32 Mo)
  • 6.2 Par utilisateur final
    • 6.2.1 Centre de données (entreprise et serveurs)
    • 6.2.2 Automobile
    • 6.2.3 Mobiles et tablettes
    • 6.2.4 Client (PC, SSD client)
    • 6.2.5 Autres applications pour utilisateurs finaux

7. PAYSAGE CONCURRENTIEL

  • 7.1 Profils d'entreprise
    • 7.1.1 Yangtze Memory Technologies Co., Ltd
    • 7.1.2 Infineon Technologies AG
    • 7.1.3 Micron Technology Inc.
    • 7.1.4 Samsung Electronics
    • 7.1.5 Xinxin Semiconductor Manufacturing Co., Ltd
    • 7.1.6 Intel Corporation
    • 7.1.7 Microchip Technology Inc.
    • 7.1.8 GigaDevice Semiconductor Inc.
    • 7.1.9 Winbond Electronics Corporation
    • 7.1.10 Macronix International Co., Ltd

8. ANALYSE D'INVESTISSEMENT

9. Opportunités de marché et tendances futures

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Segmentation de lindustrie de la mémoire flash en Chine

La mémoire flash est un support de stockage de mémoire informatique électronique non volatile qui peut être effacé et reprogrammé électriquement. La mémoire flash est largement utilisée dans les systèmes embarqués pour stocker des données et du code. Contrairement aux disques durs traditionnels, la mémoire flash peut stocker des données même après la coupure de lalimentation. Les deux utilisent la même conception de cellule, qui consiste en une porte flottante. Létude de marché comprend la valeur et le volume de la mémoire flash.

Le marché de la mémoire flash des Amériques est segmenté de type y (mémoire flash NOR (par densité (2 mégabits et moins, 4 mégabits et moins (plus de 2 Mo), 8 mégabits et moins (plus de 4 Mo), 16 mégabits et moins (plus de 8 Mo), 32 mégabits et moins (plus de 16 Mo), 64 mégabits et moins (plus de 32 Mo))), Mémoire flash NAND (par densité (128 Mo et moins, 512 Mo et moins, 2 GIGABIT ET MOINS (plus de 1 Go), 256 MO et moins, 1 GIGABIT et moins, 4 GIGABIT et MOINS (plus de 2 Go))), par utilisateur final (centre de données (entreprise et serveurs), automobile, mobile et tablette, client (PC, SSD client)). Le rapport propose la taille du marché en termes de valeur en USD pour tous les segments mentionnés ci-dessus.

Par type Mémoire Flash NAND Par densité 128 Mo et moins
512 Mo et moins
2 GIGABIT ET MOINS (supérieur à 1 Go)
256 Mo et moins
1 GIGABIT ET MOINS
4 GIGABIT ET MOINS (supérieur à 2 Go)
Mémoire flash NOR Par densité 2 MÉGABITS ET MOINS
4 MÉGABITS ET MOINS (supérieur à 2 Mo)
8 MÉGABITS ET MOINS (supérieur à 4 Mo)
16 MÉGABITS ET MOINS (supérieur à 8 Mo)
32 MÉGABITS ET MOINS (supérieur à 16 Mo)
64 MÉGABITS ET MOINS (supérieur à 32 Mo)
Par utilisateur final Centre de données (entreprise et serveurs)
Automobile
Mobiles et tablettes
Client (PC, SSD client)
Autres applications pour utilisateurs finaux
Par type
Mémoire Flash NAND Par densité 128 Mo et moins
512 Mo et moins
2 GIGABIT ET MOINS (supérieur à 1 Go)
256 Mo et moins
1 GIGABIT ET MOINS
4 GIGABIT ET MOINS (supérieur à 2 Go)
Mémoire flash NOR Par densité 2 MÉGABITS ET MOINS
4 MÉGABITS ET MOINS (supérieur à 2 Mo)
8 MÉGABITS ET MOINS (supérieur à 4 Mo)
16 MÉGABITS ET MOINS (supérieur à 8 Mo)
32 MÉGABITS ET MOINS (supérieur à 16 Mo)
64 MÉGABITS ET MOINS (supérieur à 32 Mo)
Par utilisateur final
Centre de données (entreprise et serveurs)
Automobile
Mobiles et tablettes
Client (PC, SSD client)
Autres applications pour utilisateurs finaux
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Foire aux questions

Quelle est la taille actuelle du marché chinois de la mémoire flash ?

Le marché chinois de la mémoire flash devrait enregistrer un TCAC de 9,91 % au cours de la période de prévision (2024-2029)

Qui sont les principaux acteurs du marché chinois de la mémoire flash ?

Yangtze Memory Technologies Co., Ltd., GigaDevice Semiconductor Inc., Macronix International Co., Ltd, Samsung Electronics Co., Ltd., Infineon Technologies AG sont les principales entreprises opérant sur le marché chinois de la mémoire flash.

Quelles sont les années couvertes par ce marché chinois de la mémoire flash ?

Le rapport couvre la taille historique du marché chinois de la mémoire flash pour les années suivantes 2019, 2020, 2021, 2022 et 2023. Le rapport prévoit également la taille du marché chinois de la mémoire flash pour les années suivantes 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 et 2029.

Dernière mise à jour de la page le: Juillet 25, 2023

Statistiques sur la part de marché, la taille et le taux de croissance des revenus de la mémoire flash en Chine en 2024, créées par Mordor Intelligence™ Industry Reports. Lanalyse de la mémoire flash en Chine comprend des prévisions de marché pour 2024 à 2029 et un aperçu historique. Avoir un échantillon de cette analyse de lindustrie sous forme de rapport gratuit à télécharger en format PDF.

Mémoire Flash Chine Instantanés du rapport

Marché chinois de la mémoire flash