Análisis de participación y tamaño del mercado de obleas epitaxiales de silicio tendencias de crecimiento y pronósticos (2024-2029)

El mercado de obleas epitaxiales de silicio está segmentado por aplicaciones (electrónica de potencia, MEMS, electrónica de RF y fotónica) y geografía.

Tamaño del mercado de obleas epitaxiales de silicio

mercado de obleas epitaxiales de silicio
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Período de Estudio 2019 - 2029
Año Base Para Estimación 2023
CAGR 4.42 %
Mercado de Crecimiento Más Rápido Asia Pacífico
Mercado Más Grande Asia Pacífico
Concentración del Mercado Bajo

Principales actores

Mercado de obleas epitaxiales de silicio

*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial

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Análisis de mercado de obleas epitaxiales de silicio

Se espera que el mercado de obleas epitaxiales de silicio registre una tasa compuesta anual del 4,42% durante el período previsto. La creciente demanda de semiconductores avanzados y el aumento de aplicaciones innovadoras para el usuario final impulsan el mercado estudiado. La epitaxial se realiza principalmente para mejorar la funcionalidad de las obleas. En los últimos años, la tecnología se ha vuelto esencial para la fabricación de elementos semiconductores (CI), sensores de imagen (CIS) y semiconductores de potencia específicos altamente integrados.

  • La oblea de silicio semiconductor sigue siendo el componente central de muchos dispositivos microelectrónicos y constituye la piedra angular de la industria electrónica. Dado que la digitalización y la movilidad electrónica son las tendencias tecnológicas actuales, estos productos están encontrando aplicaciones en muchos dispositivos.
  • Actualmente, la demanda de obleas de silicio en el mercado supera la oferta de la industria. Este factor crea un margen considerable para la expansión, ya que las empresas utilizan esta tendencia para ampliar sus cuotas de mercado aumentando la producción.
  • Además, la demanda de gadgets de pequeño tamaño ha aumentado la exigencia de más funcionalidades desde un solo dispositivo. Esto significa que un chip IC ahora debería albergar más transistores para admitir más funcionalidades. Por tanto, los avances en los dispositivos informáticos inalámbricos, como los teléfonos inteligentes y las tabletas, han ayudado a incrementar las actividades de diseño de los diseñadores de semiconductores. Además, se espera que la creciente necesidad de miniaturización de la electrónica (debido a la demanda de obleas más delgadas que consuman poca energía) impulse algunos avances en el mercado de obleas epitaxiales de silicio durante el período previsto.
  • Los precios medios en la industria están aumentando. Por ejemplo, la empresa japonesa Shin-Etsu Chemical Co. , que posee la mayor parte de la cuota de mercado, anunció un aumento de precios de todos los productos de obleas de silicio que pasará del 10 % al 20 % a partir de abril de 2021. Las empresas están aprovechando la creciente demanda, lo que impacta aún más en los ingresos acumulados. GlobalWafer Co. , el segundo mayor proveedor de obleas de silicio, dijo que sus líneas de producción de obleas de silicio están completamente cargadas, sumado al aumento de precios, lo que llevó a un aumento en los ingresos en marzo, que alcanzaron un aumento anual del 12,99%.
  • Las industrias de usuarios finales centradas en el consumidor, como la electrónica de consumo, tienen una fuerte demanda de obleas de silicio, lo que obliga a los proveedores de la industria a ampliar las instalaciones de producción mientras invierten en investigación para innovar.
  • Debido al COVID-19, China interrumpió la cadena de suministro y la producción del país. Las principales industrias de fabricación de semiconductores se han visto significativamente afectadas debido a que China se ha convertido en un centro de producción mundial en las últimas dos o tres décadas.

Tendencias del mercado de obleas epitaxiales de silicio

Se espera que la electrónica de potencia tenga una participación significativa

  • La creciente necesidad de productos energéticamente eficientes es uno de los principales factores que impulsan la demanda de oblea epitaxial para productos de electrónica de potencia en todas las industrias de usuarios finales. Por lo tanto, los proveedores del mercado se dirigen a una amplia gama de industrias para mitigar el riesgo y ampliar su base de clientes.
  • Es posible que los mercados de IGBT y MOSFET sigan aumentando, pero se espera que una parte del mercado se destine al SiC, especialmente cuando se habla de módulos para EV/HEV. Además, la demanda de MOSFET de potencia se ve respaldada por su creciente uso para reemplazar transistores bipolares, tiristores y puertas aisladas. Además, la importante ventaja de utilizar MOSFET de potencia para reforzar la eficiencia energética de los dispositivos a bajos voltajes impulsa aún más la demanda del mercado mundial de MOSFET de potencia.
  • El uso cada vez mayor de electrónica de potencia en dispositivos de consumo también alimenta la demanda. La creciente penetración de teléfonos inteligentes y dispositivos inteligentes, la creciente adopción de dispositivos IoT y el aumento del uso industrial también están desarrollando mercados para la electrónica de potencia. La gran demanda de dispositivos de electrónica de potencia también ha provocado una escasez de obleas de 200 mm en 2018 y 2019. La demanda de los clientes está cayendo porque los principales clientes todavía tienen un gran inventario de equipos. El crecimiento a largo plazo del mercado de la electrónica de potencia también está impulsando la producción basada en obleas de 300 mm. Más de siete proveedores mundiales de electrónica de potencia han anunciado una inversión en nuevas capacidades de fabricación que estarán en producción a partir de 2021.
  • Imec y Qromis han colaborado para desarrollar dispositivos de potencia IC, p-GaN discretos y modo de mejora en sustratos QST de 200 mm, con capas de epitaxia cultivadas en la plataforma MOVCD G5+ C de 200 mm de Aixtron. Ambas empresas han estado trabajando en la fabricación de dispositivos, desarrollando dispositivos de potencia GaN, formas de circuitos integrados monolíticamente integrados y sustratos QST de 200 mm en una línea piloto de silicio CMOS avanzada. Imec y Qromis han colaborado con el fabricante de equipos GaN MOCVD con sede en Alemania, Aixtron, en el desarrollo de la epitaxia GaN-on-QST. Muchos expertos industriales afirman que se espera que el número de plantas de fabricación de semiconductores de circuitos integrados (CI) que procesan obleas de 300 mm en todo el mundo crezca de 15 en 2002 a 138 en 2023.
Mercado de obleas epitaxiales de silicio

Se espera que Asia Pacífico tenga una participación importante

  • Se espera que el mercado de obleas semiconductoras aumente la fabricación de 200 mm entre 2021 y 2022. Se espera que la demanda de obleas de 300 mm crezca para 2025; el mercado estudiado también puede ser testigo de avances e innovaciones. Debido a su dominio en la fabricación de semiconductores, Asia-Pacífico también domina el mercado buscado. El alto precio de mercado del sustrato de SiC y la creciente demanda de LED obligaron a muchos fabricantes asiáticos a optar por obleas de GaN. Sin embargo, en 2019-2020, muchos fabricantes chinos de LED produjeron en exceso obleas de GaN. El mercado de deposición química de vapor metalorgánico (MOCVD) también está experimentando un importante exceso de capacidad de producción de LED de GaN en comparación con lo que se produce.
  • La industria de semiconductores de China ha mostrado una tendencia ascendente durante los últimos diez años. Según el Ministerio de Industria y Tecnología de la Información de China, las ventas de semiconductores de los fabricantes chinos alcanzaron los 97.300 millones de dólares en 2018, lo que representa alrededor del 20% de los ingresos mundiales de semiconductores del año. El país pretende producir el 40% de los semiconductores que utiliza para 2020 y el 70% para 2025.
  • El plan estratégico nacional Made in China 2025 del gobierno chino también ha sido un factor importante en el aumento de las publicaciones. El objetivo central del plan es el crecimiento de la industria de semiconductores. Además, el presupuesto de la Administración Nacional de Propiedad Intelectual (CNIP) de China para 2021 prevé 2 millones de presentaciones por año hasta 2023, lo que se espera que impulse el crecimiento del mercado estudiado.
  • Además, TSMC expresó su interés y finalizó su plan para construir una planta avanzada de obleas de 5 nanómetros en Arizona. El consejo de administración de la empresa también aprobó invertir 3.500 millones de dólares en una fundición de su propiedad en Arizona. También afirmó que gastará un total de 12 mil millones de dólares entre 2021 y 2029 para construir una planta de obleas de 12 pulgadas para producir chips utilizando el proceso avanzado de 5 nm.
Mercado de obleas epitaxiales de silicio

Descripción general de la industria de obleas epitaxiales de silicio

El mercado de obleas epitaxiales de silicio es moderadamente competitivo y está formado por muchos actores importantes SweGaN, GlobalWafers Japan CO. Ltd, Siltronic AG, II-VI Incorporated y Sumco Corporation. Ninguno de los principales actores domina actualmente el mercado en términos de cuota de mercado. Además de centrarse cada vez más en la innovación de productos, las empresas también participan en fusiones y adquisiciones para seguir siendo competitivas.

  • Agosto de 2022 II-VI Incorporated ha invertido en un contrato de 100 millones de dólares para suministrar a Tianyu sustratos de carburo de silicio para electrónica de potencia a fin de cumplir con los requisitos del suministro de Tianyu a sus clientes a largo plazo.
  • Junio ​​de 2022 SK Siltron Corporation. Ltd. anunció un plan para gastar 810 millones de dólares en ampliar su capacidad nacional para el primer semestre de 2024, a partir de la cual planea aumentar la producción.

Líderes del mercado de obleas epitaxiales de silicio

  1. SweGaN AB

  2. Sumco Corporation

  3. GlobalWafers Japan CO. Ltd

  4. Siltronic AG

  5. II-VI Incorporated

*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial

Mercado de obleas epitaxiales de silicio
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Noticias del mercado de obleas epitaxiales de silicio

  • Agosto de 2022 II-VI Incorporated ha anunciado la colaboración de un contrato plurianual para suministrar a Infineon Technologies AG (FSE IFX / OTCQX IFNNY) sustratos de carburo de silicio (SiC) de 150 mm para electrónica de potencia; Esto aumentaría el suministro de componentes electrónicos innovadores de Infineon a clientes cruciales en todo el mundo.
  • Junio ​​de 2022 GlobalWafers Taiwan CO. Ltd ha anunciado la inversión de 5 mil millones de dólares en una nueva planta que fabrica obleas de silicio de 300 milímetros utilizadas en semiconductores en Texas, que producirá y suministrará obleas localmente.

Informe de mercado de obleas epitaxiales de silicio índice

  1. 1. INTRODUCCIÓN

    1. 1.1 Supuestos de estudio y definición de mercado

      1. 1.2 Alcance del estudio

      2. 2. METODOLOGÍA DE INVESTIGACIÓN

        1. 3. RESUMEN EJECUTIVO

          1. 4. PERSPECTIVAS DEL MERCADO

            1. 4.1 Visión general del mercado

              1. 4.2 Atractivo de la industria: análisis de las cinco fuerzas de Porter

                1. 4.2.1 El poder de negociacion de los proveedores

                  1. 4.2.2 El poder de negociacion de los proveedores

                    1. 4.2.3 Amenaza de nuevos participantes

                      1. 4.2.4 La intensidad de la rivalidad competitiva

                        1. 4.2.5 Amenaza de sustitutos

                        2. 4.3 Análisis de la cadena de valor de la industria

                          1. 4.4 Impacto del COVID-19 en el Mercado

                          2. 5. DINÁMICA DEL MERCADO

                            1. 5.1 Indicadores de mercado

                              1. 5.1.1 Miniaturización de la tecnología

                                1. 5.1.2 Aumento de la demanda de iluminación de alto rendimiento

                                2. 5.2 Restricciones del mercado

                                  1. 5.2.1 Complejidades asociadas con el diseño

                                3. 6. SEGMENTACIÓN DE MERCADO

                                  1. 6.1 Por aplicaciones

                                    1. 6.1.1 Electrónica de potencia

                                      1. 6.1.2 MEMS

                                        1. 6.1.3 Electrónica de radiofrecuencia

                                          1. 6.1.4 fotónica

                                          2. 6.2 Por geografía

                                            1. 6.2.1 Porcelana

                                              1. 6.2.2 Taiwán

                                                1. 6.2.3 Corea

                                                  1. 6.2.4 América del norte

                                                    1. 6.2.5 Europa

                                                      1. 6.2.6 Resto del mundo

                                                    2. 7. MAPEO DETALLADO DEL TIPO DE WAFER EPITAXIAL CON APLICACIÓN PREFERIDA

                                                      1. 8. APLICACIONES Y OPORTUNIDADES DE CRECIMIENTO EPITAXIAL

                                                        1. 9. ATRIBUTOS CLAVE DE UNA OBLEA EPITAXIAL

                                                          1. 10. ANÁLISIS DETALLADO SOBRE OTROS TIPOS DE OBLEAS (GaAS, GaN/Sustrato, InP, etc.)

                                                            1. 11. PANORAMA COMPETITIVO

                                                              1. 11.1 Perfiles de empresa

                                                                1. 11.1.1 SweGaN AB

                                                                  1. 11.1.2 Sumco Corporation

                                                                    1. 11.1.3 GlobalWafers Japan CO. Ltd

                                                                      1. 11.1.4 Siltronic AG

                                                                        1. 11.1.5 MOSPEC Semiconductor Corporation

                                                                          1. 11.1.6 IQE PLC

                                                                            1. 11.1.7 II-VI Incorporated

                                                                              1. 11.1.8 SHOWA DENKO K.K.

                                                                            2. 12. ANÁLISIS DE PARTICIPACIÓN DE MERCADO DE PROVEEDORES MERCADO DE OBLEAS

                                                                              1. 13. ANÁLISIS DE INVERSIONES

                                                                                1. 14. FUTURO DEL MERCADO

                                                                                  **Sujeto a disponibilidad
                                                                                  bookmark Puedes comprar partes de este informe. Consulta los precios para secciones específicas
                                                                                  Obtenga un desglose de precios ahora

                                                                                  Segmentación de la industria de obleas epitaxiales de silicio

                                                                                  La epitaxia generalmente se realiza mediante deposición química de vapor, formando una película sólida no volátil sobre un sustrato a partir de reacciones de los vapores químicos apropiados. Existen cuatro fuentes sintéticas principales de silicio para la deposición epitaxial comercial tetracloruro de silicio (SiCl4), triclorosilano (SiHCl3); diclorosilano (SiH2Cl2); y silano (SiH4).

                                                                                  El mercado de obleas epitaxiales de silicio está segmentado por aplicación (electrónica de potencia, MEMS, electrónica de RF y fotónica) y geografía.

                                                                                  Por aplicaciones
                                                                                  Electrónica de potencia
                                                                                  MEMS
                                                                                  Electrónica de radiofrecuencia
                                                                                  fotónica
                                                                                  Por geografía
                                                                                  Porcelana
                                                                                  Taiwán
                                                                                  Corea
                                                                                  América del norte
                                                                                  Europa
                                                                                  Resto del mundo

                                                                                  Preguntas frecuentes sobre investigación de mercado de oblea epitaxial de silicio

                                                                                  Se proyecta que el mercado de obleas epitaxiales de silicio registrará una tasa compuesta anual del 4,42% durante el período de pronóstico (2024-2029).

                                                                                  SweGaN AB, Sumco Corporation, GlobalWafers Japan CO. Ltd, Siltronic AG, II-VI Incorporated son las principales empresas que operan en el mercado de obleas epitaxiales de silicio.

                                                                                  Se estima que Asia Pacífico crecerá a la CAGR más alta durante el período previsto (2024-2029).

                                                                                  En 2024, Asia Pacífico representa la mayor cuota de mercado en el mercado de obleas epitaxiales de silicio.

                                                                                  El informe cubre el tamaño histórico del mercado de Oblea epitaxial de silicio durante los años 2019, 2020, 2021, 2022 y 2023. El informe también pronostica el tamaño del mercado de Oblea epitaxial de silicio para los años 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 y 2029.

                                                                                  Informe de la industria de obleas epitaxiales de silicio

                                                                                  Estadísticas para la participación de mercado, el tamaño y la tasa de crecimiento de ingresos de obleas epitaxiales de silicio en 2024, creadas por Mordor Intelligence™ Industry Reports. El análisis de obleas epitaxiales de silicio incluye una perspectiva de previsión del mercado hasta 2029 y una descripción histórica. Obtenga una muestra de este análisis de la industria como descarga gratuita del informe en PDF.

                                                                                  close-icon
                                                                                  80% de nuestros clientes buscan informes hechos a la medida. ¿Cómo quieres que adaptemos el tuyo?

                                                                                  Por favor ingrese un ID de correo electrónico válido

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