Marktgröße und Marktanteil für Transistoren der nächsten Generation

Marktzusammenfassung für Transistoren der nächsten Generation
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Marktanalyse für Transistoren der nächsten Generation von Mordor Intelligence

Es wird erwartet, dass der Markt für Transistoren der nächsten Generation im Prognosezeitraum einen CAGR von 4% verzeichnet.

  • Halbleitermaterialien stellen eine der bedeutenden Innovationen in der Elektronikindustrie dar. Dies ist auf ihre hohe Elektronenbeweglichkeit, weite Temperaturgrenzen und den geringen Energieverbrauch zurückzuführen. Laut SEMI erreichten die weltweiten Verkäufe von Halbleiterfertigungsanlagen durch Originalgerätehersteller im Jahr 2022 mit 117,5 Milliarden USD einen Rekordwert, was einem Anstieg von 14,7% gegenüber dem bisherigen Branchenhöchststand von 102,5 Milliarden USD im Jahr 2021 entspricht, und es wurde prognostiziert, dass dieser Wert im Jahr 2023 auf 120,8 Milliarden USD steigen wird.
  • Der wachsende Umfang erweiterter Funktionen in Verbrauchergeräten treibt auch den Bedarf an schneller und echtzeitfähiger Verarbeitung an. Darüber hinaus werden mit dem Aufkommen des IoT Funktionen wie KI, Datenanalyse, Echtzeit-Datenübertragung und -verarbeitung zu einer grundlegenden Notwendigkeit für alle fortschrittlichen Geräte, was eine enorme Chance für die Anbieter des untersuchten Marktes schafft. Darüber hinaus präsentierte TSMC seine bevorstehende Fertigungsprozess-Technologie auf dem Technologie-Symposium des Unternehmens für Nordamerika 2022, wobei der Höhepunkt die Details seines nächsten 2-nm-Knotens der nächsten Generation waren, der intern als N2 bekannt ist. Das Unternehmen wird Ende 2022 mit dem 3-nm-Knoten in die Produktion gehen.
  • Darüber hinaus schufen Wissenschaftler im April 2022 das, was sie für den ersten magnetoelektrischen Transistor halten, der dazu beitragen könnte, Elektronik energieeffizienter zu machen. Neben der Reduzierung des Energieverbrauchs jeder Mikroelektronik, die ihn einbezieht, könnte das Design des Teams die Anzahl der Transistoren, die zur Speicherung bestimmter Daten benötigt werden, um bis zu 75 Prozent reduzieren, was zu kleineren Geräten führt. Es könnte dieser Mikroelektronik auch ein „stahlhartes Gedächtnis” verleihen, das sich genau merkt, wo seine Benutzer aufgehört haben, selbst nach dem Herunterfahren oder einem plötzlichen Stromausfall.
  • Darüber hinaus wechseln viele Marktteilnehmer dazu, Nanosheets in ihren Fertigungsprozess einzusetzen. So enthüllte beispielsweise im Juni 2022 der taiwanesische Chiphersteller TSMC Details seines mit Spannung erwarteten 2-nm-Produktionsprozess-Knotens – der 2025 erscheinen soll –, der eine Nanosheet-Transistorarchitektur und Verbesserungen seiner 3-nm-Technologie verwenden wird. Laut dem Unternehmen wird erwartet, dass die neueren Generationen von Silizium-Halbleiterchips die Geschwindigkeit erhöhen. Sie werden energieeffizienter sein, da die Prozessknoten schrumpfen und die Technologiebranche weiterhin darum kämpft, das Mooresche Gesetz aufrechtzuerhalten.
  • Darüber hinaus wirkt sich die Zeit nach Covid-19 auf die Produktions- und Fertigungskapazität der Halbleiter- und sonstigen Elektronikindustrie aus. So zwang beispielsweise im Juni 2022 laut Quellen der chinesischen Presse die Omikron-Abriegelung in Shenzhen Huaqiangbei, einen der weltgrößten Elektronikmärkte, erneut zur teilweisen Schließung. Huaqiangbei, ein Zentrum für die Versorgung mit Halbleitern, Mobiltelefonen und anderen Elektronikprodukten, befindet sich im Futian-Bezirk von Shenzhen. Laut dem Finanzmedium Cailianshe haben bestimmte Anbieter in Huaqiangbei ihren Betrieb vorübergehend eingestellt, da Shenzhen die Maßnahmen zur Eindämmung der Ausbreitung des hochansteckenden Omikron-Covid-19 verschärft hat. Zu diesen Anbietern gehören das erste und zweite Geschäft von Huaqiang Electronics World.

Wettbewerbslandschaft

Der Markt für Transistoren der nächsten Generation ist hart umkämpft. Die Halbleiterindustrie selbst durchläuft eine Phase der Spezialisierung. Historisch gesehen hat sich die Branche auf die Herstellung von Computerchips konzentriert, die mehrere allgemeine Funktionen ausführen konnten. Diese Chips waren in gewissem Maße miteinander verbunden. Heute sind die Anwendungen von Halbleitern jedoch nuancierter und differenzierter, was zur Verbreitung von Nischenakteuren mit spezialisiertem Fachwissen in verschiedenen Branchen geführt hat. Darüber hinaus lagern in dieser Branche viele Akteure ihre Funktionen aus, mit Ausnahme einiger weniger großer Akteure wie Intel, die Halbleiterprodukte entwerfen, herstellen und fertigen. Dies macht den Sektor tief mit globalen Lieferketten verbunden und hat diese Branche zu einem hart umkämpften und tief kollaborativen Sektor gemacht.

  • Juni 2022 – GaN Systems, der multinationale Akteur im Bereich GaN-Leistungshalbleiter (Galliumnitrid), stellte einen neuen Transistor im breitesten Portfolio von GaN-Leistungstransistoren der Branche vor. Der GS-065-018-2-L erweitert das Hochleistungs- und kostengünstige Transistorportfolio des Unternehmens und bietet einen niedrigeren Einschaltwiderstand, erhöhte Robustheit und thermische Leistung sowie eine 850-V-VDS-Bewertung (transient).

Branchenführer im Bereich Transistoren der nächsten Generation

  1. NXP Semiconductors N.V.

  2. Infineon Technologies AG

  3. STMicroelectronics N.V.

  4. Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.)

  5. Texas Instruments Incorporated

  6. *Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
Marktkonzentration für Transistoren der nächsten Generation
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Jüngste Branchenentwicklungen

  • September 2022 – EPC Power Conversion Corporation kündigte den EPC2050 an, einen 350-V-GaN-Transistor mit einem maximalen RDS(on) von 80 mΩ und einem gepulsten Ausgangsstrom von 26 A. Der EPC2050 misst nur 1,95 mm x 1,95 mm, wodurch EPC2050-basierte Lösungen zehnmal kleiner sind als Lösungen mit gleichwertigen Siliziumbauelementen.
  • Juli 2022 – Magnachip Semiconductor Corporation gab bekannt, dass das Unternehmen einen neuen 24-V-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) für kabellose Kopfhörerbatterien vorgestellt hat. Der neue 24-V-MOSFET erfüllt das Ziel der Batteriedesigner für eine verlängerte Batterielaufzeit nach einer Schnellladung durch Reduzierung des Leitungsverlusts. Die Kernzelldichte dieses neuen Produkts wurde im Vergleich zur Vorgängerversion um 30% erhöht, während das Design der Kernzelle, der Abschluss und die Quellpads verbessert wurden, um den RDS(on) um 24% zu reduzieren.
  • März 2022 – NXP Semiconductors kündigte neue HF-GaN-Leistungstransistoren für 32T32R-Aktivantennensysteme unter Verwendung der neuesten proprietären Galliumnitrid-Technologie (GaN) des Unternehmens an. Die einzigartige Serie ergänzt NXPs bestehendes Portfolio an diskreten GaN-Leistungsverstärkerlösungen für 64T64R-Radios und schützt alle Mobilfunkfrequenzbänder von 2,3 GHz bis 4,0 GHz.

Inhaltsverzeichnis des Branchenberichts über Transistoren der nächsten Generation

1. EINLEITUNG

  • 1.1 Studienlieferumfang
  • 1.2 Studienannahmen
  • 1.3 Umfang der Studie

2. FORSCHUNGSMETHODIK

3. ZUSAMMENFASSUNG FÜR DIE GESCHÄFTSFÜHRUNG

4. MARKTDYNAMIK

  • 4.1 Marktübersicht
  • 4.2 Einführung in die Marktdynamik
  • 4.3 Markttreiber
    • 4.3.1 Technologische Fortschritte, die zur Nachfrage nach zunehmenden Bauelementdichten führen
    • 4.3.2 Verbreitung von Unterhaltungselektronik
  • 4.4 Markthemmnisse
    • 4.4.1 Die Kosten für die Aufrechterhaltung des Mooreschens Gesetzes steigen bei geringen Erträgen
  • 4.5 Analyse der Branchenwertschöpfungskette
  • 4.6 Branchenattraktivität – Analyse der fünf Kräfte nach Porter
    • 4.6.1 Bedrohung durch neue Marktteilnehmer
    • 4.6.2 Verhandlungsmacht der Käufer
    • 4.6.3 Verhandlungsmacht der Lieferanten
    • 4.6.4 Bedrohung durch Ersatzprodukte
    • 4.6.5 Intensität des Wettbewerbsrivalität

5. MARKTSEGMENTIERUNG

  • 5.1 Nach Typ
    • 5.1.1 Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT)
    • 5.1.2 Bipolartransistor (BJT)
    • 5.1.3 Feldeffekttransistoren (FET)
    • 5.1.4 Mehrfachemittertransistor (MET)
    • 5.1.5 Doppelgate-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
  • 5.2 Nach Endverbraucherbranche
    • 5.2.1 Luft- und Raumfahrt & Verteidigung
    • 5.2.2 Industrie
    • 5.2.3 Telekommunikation
    • 5.2.4 Unterhaltungselektronik
  • 5.3 Nach Geografie
    • 5.3.1 Nordamerika
    • 5.3.2 Europa
    • 5.3.3 Asien-Pazifik
    • 5.3.4 Lateinamerika
    • 5.3.5 Naher Osten & Afrika

6. WETTBEWERBSLANDSCHAFT

  • 6.1 Unternehmensprofile
    • 6.1.1 NXP Semiconductors N.V.
    • 6.1.2 Infineon Technologies AG
    • 6.1.3 STMicroelectronics N.V.
    • 6.1.4 Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.)
    • 6.1.5 Texas Instruments Incorporated
    • 6.1.6 Intel Corporation
    • 6.1.7 GLOBALFOUNDRIES Inc.
    • 6.1.8 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company
    • 6.1.9 Samsung Electronics Co., Ltd
    • 6.1.10 Microchip Technology Inc.

7. INVESTITIONSANALYSE

8. ZUKUNFT DES MARKTES

Berichtsumfang des globalen Markts für Transistoren der nächsten Generation

Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das elektrische Signale und Leistung verstärkt oder schaltet. Der Transistor ist einer der grundlegenden Bausteine der modernen Elektronik. Die Studie analysiert den Markt für verschiedene Transistortypen, die sich weiterentwickeln und in ihrem Herstellungsprozess andere aufkommende Materialien als Silizium verwenden.

Der Markt für Transistoren der nächsten Generation ist segmentiert nach Typ (Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT), Bipolartransistor (BJT), Feldeffekttransistoren (FET), Mehrfachemittertransistor (MET), Doppelgate-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor), Endverbraucherbranche (Luft- und Raumfahrt & Verteidigung, Industrie, Telekommunikation, Unterhaltungselektronik) und Geografie. Die Marktgrößen und Prognosen werden für alle oben genannten Segmente in Werten (Millionen USD) angegeben. Die Auswirkungen von Covid-19 auf den Markt und seine betroffenen Komponenten werden ebenfalls im Rahmen der Studie behandelt. Darüber hinaus wurde die Störung der Faktoren, die die Marktexpansion beeinflussen, in der Umfrage zu Treibern und Hemmnissen behandelt.

Nach Typ
Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT)
Bipolartransistor (BJT)
Feldeffekttransistoren (FET)
Mehrfachemittertransistor (MET)
Doppelgate-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Nach Endverbraucherbranche
Luft- und Raumfahrt & Verteidigung
Industrie
Telekommunikation
Unterhaltungselektronik
Nach Geografie
Nordamerika
Europa
Asien-Pazifik
Lateinamerika
Naher Osten & Afrika
Nach TypTransistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT)
Bipolartransistor (BJT)
Feldeffekttransistoren (FET)
Mehrfachemittertransistor (MET)
Doppelgate-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Nach EndverbraucherbrancheLuft- und Raumfahrt & Verteidigung
Industrie
Telekommunikation
Unterhaltungselektronik
Nach GeografieNordamerika
Europa
Asien-Pazifik
Lateinamerika
Naher Osten & Afrika

Im Bericht beantwortete Schlüsselfragen

Wie groß ist der aktuelle Markt für Transistoren der nächsten Generation?

Es wird prognostiziert, dass der Markt für Transistoren der nächsten Generation im Prognosezeitraum (2025-2030) einen CAGR von 4% verzeichnet.

Wer sind die wichtigsten Akteure auf dem Markt für Transistoren der nächsten Generation?

NXP Semiconductors N.V., Infineon Technologies AG, STMicroelectronics N.V., Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.) und Texas Instruments Incorporated sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem Markt für Transistoren der nächsten Generation tätig sind.

Welche Region wächst am schnellsten auf dem Markt für Transistoren der nächsten Generation?

Es wird geschätzt, dass Asien-Pazifik im Prognosezeitraum (2025-2030) den höchsten CAGR verzeichnet.

Welche Region hat den größten Anteil am Markt für Transistoren der nächsten Generation?

Im Jahr 2025 entfällt auf Nordamerika der größte Marktanteil am Markt für Transistoren der nächsten Generation.

Welche Jahre deckt dieser Markt für Transistoren der nächsten Generation ab?

Der Bericht deckt die historische Marktgröße des Markts für Transistoren der nächsten Generation für die Jahre 2019, 2020, 2021, 2022, 2023 und 2024 ab. Der Bericht prognostiziert auch die Marktgröße für Transistoren der nächsten Generation für die Jahre 2025, 2026, 2027, 2028, 2029 und 2030.

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Branchenbericht über Transistoren der nächsten Generation

Statistiken zum Marktanteil, zur Marktgröße und zur Umsatzwachstumsrate des Markts für Transistoren der nächsten Generation für 2025, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die Analyse der Transistoren der nächsten Generation umfasst einen Marktprognoseausblick für 2025 bis 2030 sowie einen historischen Überblick. Laden Sie ein Muster dieser Branchenanalyse als kostenlosen Bericht im PDF-Format herunter.

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