Marktgröße für Transistoren der nächsten Generation
| Studienzeitraum | 2017-2027 |
| Basisjahr für die Schätzung | 2022 |
| CAGR | 4.00 % |
| Schnellstwachsender Markt | Asien-Pazifik |
| Größter Markt | Nordamerika |
| Marktkonzentration | Niedrig |
Hauptakteure
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert |
Wie können wir helfen?
Marktanalyse für Transistoren der nächsten Generation
Es wird erwartet, dass der Markt für Transistoren der nächsten Generation im Prognosezeitraum mit einer CAGR von 4 % wachsen wird. In erster Linie aufgrund des Anstiegs des Marktes für Unterhaltungselektronik. Eine Milliarde Transistoren sind in den neuesten Smartphones auf dem Markt enthalten und sorgen für eine schnellere Bedienung des Geräts. Laut IBEF überschritt der Umsatz des indischen Smartphone-Marktes kürzlich 38 Milliarden US-Dollar, was einem Wachstum von 27 % gegenüber dem Vorjahr entspricht. Darüber hinaus hat Xiaomi, ein führendes Smartphone-Unternehmen, im 2. Quartal 2022 39,5 Millionen Geräte ausgeliefert.
- Halbleitermaterialien stellen eine der wesentlichen Innovationen in der Elektronikindustrie dar. Dies ist auf die hohe Elektronenbeweglichkeit, die weiten Temperaturgrenzen und den geringen Energieverbrauch zurückzuführen. Laut SEMI erreichte der weltweite Umsatz der Erstausrüster mit Halbleiterfertigungsanlagen im Jahr 2022 einen Rekordwert von 117,5 Milliarden US-Dollar, was einem Anstieg von 14,7 % gegenüber dem bisherigen Branchenhoch von 102,5 Milliarden US-Dollar im Jahr 2021 entspricht und für 2023 ein Anstieg um 120,8 Milliarden US-Dollar prognostiziert wird.
- Der wachsende Umfang an fortschrittlichen Funktionen in Verbrauchergeräten erhöht auch den Bedarf an schneller Verarbeitung in Echtzeit. Darüber hinaus werden mit dem Aufkommen des IoT Funktionen wie KI, Datenanalyse, Echtzeit-Datenübertragung und -verarbeitung zu einer Grundvoraussetzung für alle fortschrittlichen Geräte, was eine enorme Chance für die untersuchten Marktanbieter darstellt. Darüber hinaus präsentierte TSMC auf dem North America Technology Symposium 2022 des Unternehmens seine kommende Fertigungsprozesstechnologie, wobei das Highlight die Details seines 2-nm-Knotens der nächsten Generation waren, der intern als N2 bekannt ist. Das Unternehmen wird Ende 2022 mit dem 3nm-Knoten in Produktion gehen.
- Darüber hinaus haben Wissenschaftler im April 2022 den ihrer Meinung nach ersten magnetoelektrischen Transistor entwickelt, der dazu beitragen könnte, die Elektronik energieeffizienter zu machen. Das Design des Teams könnte nicht nur den Energieverbrauch der Mikroelektronik senken, sondern auch die Anzahl der Transistoren, die zur Speicherung bestimmter Daten benötigt werden, um bis zu 75 Prozent reduzieren, was zu kleineren Geräten führen würde. Es könnte dieser Mikroelektronik auch einen Stahlfallenspeicher verleihen, der sich genau daran erinnert, wo seine Benutzer aufgehört haben, selbst wenn sie abgeschaltet wurden oder abrupt die Stromversorgung verloren haben.
- Darüber hinaus verlagern sich viele Marktteilnehmer auf den Einsatz von Nanoblättern in ihrem Herstellungsprozess. So gab beispielsweise der taiwanesische Chiphersteller TSMC im Juni 2022 Details zu seinem mit Spannung erwarteten 2-nm-Produktionsprozessknoten bekannt, der 2025 auf den Markt kommen soll und eine Nanoblatt-Transistorarchitektur und Verbesserungen seiner 3-nm-Technologie verwenden wird. Nach Angaben des Unternehmens. Es wird erwartet, dass die neueren Generationen von Silizium-Halbleiterchips die Geschwindigkeit erhöhen werden. Sie werden energieeffizienter sein, da die Prozessknoten schrumpfen und die Technologiebranche weiterhin darum kämpft, am Mooreschen Gesetz festzuhalten.
- Darüber hinaus wirkt sich Post Covid 19 auf die Produktions- und Fertigungskapazitäten der Halbleiter- und anderen Elektronikkomponentenindustrie aus. So zwang beispielsweise im Juni 2022 laut Quellen in der chinesischen Presse die Omikron-Aussperrung in Shenzhen Huaqiangbei, einen der größten Elektronikmärkte der Welt, erneut zur teilweisen Schließung. Huaqiangbei, ein Zentrum für die Versorgung mit Halbleitern, Mobiltelefonen und anderer Elektronik, befindet sich im Bezirk Futian in Shenzhen. Nach Angaben des Finanzmediums Cailianshe haben bestimmte Anbieter in Huaqiangbeiden vorübergehend den Betrieb eingestellt, da Shenzhen die Maßnahmen zur Eindämmung der Ausbreitung des hochansteckenden Omicron Covid-19 intensivierte. Zu diesen Anbietern gehören die erste und zweite Filiale von HuaqiangElectronics World.
Zunehmende Akzeptanz von High Electron Mobility Transistor (HEMT)
- Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit erzeugen eine hohe Verstärkung, was diese Transistoren als Verstärker sehr nützlich macht. Sie können schnell die Geschwindigkeit wechseln. Und es werden flache Rauschwerte erzeugt, da die Stromschwankungen in diesen Transistoren relativ gering sind.
- Viele Unternehmen entwickeln HEMT-Geräte, die mit höheren Frequenzen arbeiten als herkömmliche Transistoren. So kündigte Nanoscience Technology im November 2022 einen neuen 650-V-E-Mode-GaN-HEMT-Baustein mit niedrigem RDS(on) an. In einem standardmäßigen 8x8-DFN-Gehäuse haben INN650D080BS-Leistungstransistoren einen Durchlasswiderstand von 80 m (typisch 60 m) und ermöglichen Anwendungen mit höherer Leistung, wie z. B. Totempfahl-LLC-Architekturen oder schnelle Batterieladegeräte.
- Im September 2022 brachte Ampleon beispielsweise einen neuen GaN-SiC-Transistor CLL3H0914L-700 mit hoher Elektronenbeweglichkeit auf den Markt. Dieser robuste GaN-Transistor ist für Radaranwendungen optimiert, bei denen eine lange Pulsbreite und hohe Einschaltdauer erforderlich sind. Der Transistor wurde entwickelt, um eine Spitzenausgangsleistung von über 700 W aus einem einzigen Transistor zu erreichen, während er bei einer Spannung von 50 V mit einem branchenführenden Wirkungsgrad von über 70 % betrieben wird, und thermisch für Anwendungen mit langen Impulsen wie Pulsbreiten (~2 Millisekunden) und 20 % Tastverhältnis entwickelt.
- Darüber hinaus treiben die wachsende Nachfrage nach Unterhaltungselektronik und die Anwendbarkeit von Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit das Marktwachstum voran. Laut IBEF lag die indische Haushaltsgeräte- und Unterhaltungselektronikindustrie zuletzt bei 9,84 Mrd. USD und wird sich voraussichtlich mehr als verdoppeln und bis 2025 1,48 Lakh Cr. INR (21,18 Mrd. USD) erreichen. Solche Entwicklungen in der Unterhaltungselektronik werden das untersuchte Marktwachstum weiter vorantreiben.
- Darüber hinaus hat STMicroelectronics kürzlich eine neue Familie von GaN-Bauteilen mit der Bezeichnung STi2GaN angekündigt, was für ST Intelligent and Integrated GaN steht. Die Teile verwenden die bonddrahtfreie Verpackungstechnologie von ST, um Robustheit und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Die neue Produktfamilie zielt darauf ab, die hohe Leistungsdichte und Effizienz von GaN zu nutzen, um eine Reihe von 100- und 650-V-HEMT-Bauelementen (High-Electron-Mobility Transistor) anzubieten.
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Der asiatisch-pazifische Raum wird ein deutliches Marktwachstum verzeichnen
- Der asiatisch-pazifische Raum ist ein Elektronikzentrum mit Milliarden von elektronischen Geräten, die jährlich für den Verbrauch hergestellt werden, insbesondere in dieser Region. Der asiatisch-pazifische Raum spielt jedoch eine wichtige Rolle beim Export elektronischer Komponenten in die ganze Welt. Das schnelle Wachstum des Marktes für Unterhaltungselektronik in dieser Region ist der wichtigste Wachstumsfaktor für den asiatisch-pazifischen Raum im globalen Markt für Transistoren der nächsten Generation.
- Darüber hinaus verfügen die sich entwickelnden Volkswirtschaften der Region, wie China und Japan, über massive Elektronikfertigungsbasen und haben das Potenzial, bedeutende Akteure auf dem Transistormarkt zu werden. Darüber hinaus würden sich die Telefone der nächsten Generation ganz darauf konzentrieren, die Leistung von Telefonen mit besseren Spezifikationen zu verbessern. Es wird erwartet, dass die Integration von mehr Transistoren zu kleineren Telefonen mit schnellerer Verarbeitung führt, was perfekt auf die Bedürfnisse der Verbraucher zugeschnitten ist. Laut IBEF stiegen die Lieferungen von Made-in-India-Smartphones im 1. Quartal 2022 im Vergleich zum Vorjahr um 7 % auf über 48 Millionen Einheiten, während über 190 Millionen in Indien hergestellte Smartphones ausgeliefert wurden.
- Laut IBEF zielt die National Policy on Electronics 2019 darauf ab, bis 2025 eine Milliarde Mobiltelefone im Wert von 190 Milliarden US-Dollar zu produzieren, von denen 600 Millionen Mobiltelefone im Wert von 100 Milliarden US-Dollar exportiert werden sollen.
- Darüber hinaus hat China das Wachstum seiner Halbleiterindustrie zu einer Schlüsselkomponente seiner Made in China 2025-Agenda gemacht, um diese Situation zu ändern. China beabsichtigt, seinen Marktanteil in der Elektronik zu erhöhen und gleichzeitig 80 % der Inlandsnachfrage nach den zahlreichen Smartphones, PCs und anderen Geräten, die seine 1,4 Milliarden Bürger täglich nutzen, durch die lokale Chipproduktion zu decken. Es wird erwartet, dass all diese Elemente die Marktexpansion unterstützen werden.
- Darüber hinaus gibt es in der Region mehrere Akteure auf dem Halbleitermarkt, wie Samsung, Intel und TSMC. Diese Unternehmen haben eingeräumt, dass ab 2023 die Produktion von Logikbausteinen mit den 3-nm- oder 2-nm-Technologiegenerationen schrittweise von den FinFETtransistor-Architekturen auf Nanoblatt-ähnliche Architekturen umgestellt wird.
- Darüber hinaus wird der drittgrößte Mischkonzern Südkoreas, die SK Group, im April 2022 Yes Powertechnix übernehmen, den einzigen inländischen Hersteller von Leistungshalbleitern auf Basis eines Bestandteils aus Silizium und Karbid (SiC), die sich zu einer Schlüsselkomponente von Elektrofahrzeugen entwickeln, als Teil einer konzernweiten Anstrengung zur Stärkung seines Batteriegeschäfts. SK Inc. gab bekannt, dass es Managementrechte und weitere 120 Mrd. KRW (95 Mio. USD) erwerben wird, um 95,8 % von Yes Powertechnix zu erwerben. Darüber hinaus investierte das Unternehmen kürzlich 26,8 Mrd. KRW, um eine 33,6-prozentige Beteiligung an Yes Powertechnix zu erwerben. Eine solche Entwicklung könnte die Nachfrage in der Region ankurbeln.
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Branchenübersicht über Transistoren der nächsten Generation
Der Markt für Transistoren der nächsten Generation ist hart umkämpft. Die Halbleiterindustrie selbst befindet sich in einer Phase der Spezialisierung. In der Vergangenheit hat sich die Industrie auf die Herstellung von Computerchips konzentriert, die mehrere verallgemeinerte Funktionen ausführen konnten. Diese Chips waren bis zu einem gewissen Grad miteinander verwandt. Heute sind die Anwendungen von Halbleitern jedoch nuancierter und differenzierter, was zur Verbreitung von Nischenanbietern mit spezialisiertem Fachwissen in verschiedenen Branchen führt. Darüber hinaus lagern in dieser Branche viele Akteure ihre Funktionen aus, mit Ausnahme einiger weniger großer Akteure wie Intel, die Halbleiterprodukte entwerfen, herstellen und herstellen. Dies macht den Sektor eng mit globalen Lieferketten verbunden und hat diese Branche hart umkämpft und stark kooperativ gemacht.
- Juni 2022 - GaN Systems, der multinationale Anbieter von GaN-Leistungshalbleitern (Galliumnitrid), hat einen neuen Transistor im branchenweit breitesten Portfolio an GaN-Leistungstransistoren vorgestellt. Der GS-065-018-2-L erweitert das leistungsstarke, kostengünstige Transistorportfolio des Unternehmens und zeichnet sich durch einen geringeren On-Widerstand, eine erhöhte Robustheit und thermische Leistung sowie eine VDS-Nennleistung von 850 V (Transienten) aus.
Marktführer bei Transistoren der nächsten Generation
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NXP Semiconductors N.V.
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Infineon Technologies AG
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STMicroelectronics N.V.
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Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.)
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Texas Instruments Incorporated
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
Marktneuigkeiten zu Transistoren der nächsten Generation
- September 2022 - Die EPC Power Conversion Corporation kündigt den EPC2050 an, einen 350-V-GaN-Transistor mit einem maximalen RDS(on) von 80 mΩ und einem gepulsten Ausgangsstrom von 26 A. Der EPC2050 misst nur 1,95 mm x 1,95 mm, womit EPC2050-basierte Lösungen zehnmal kleiner sind als Lösungen mit gleichwertigen Siliziumbauelementen.
- Juli 2022 - Die Magnachip Semiconductor Corporation gab bekannt, dass das Unternehmen einen neuen 24-V-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) für drahtlose Kopfhörerbatterien vorgestellt hat. Der neue 24-V-MOSFET adressiert das Ziel von Batterieentwicklern, die Batterielebensdauer nach einer Schnellladung zu verlängern, indem er den Leitungsverlust reduziert. Die Kernzelldichte dieses neuen Produkts wurde im Vergleich zur Vorgängerversion um 30 % erhöht, während das Design der Kernzelle, des Abschlusses und der Source-Pads verbessert wurde, um den RDS(on) um 24 % zu reduzieren.
- März 2022 - NXP Semiconductors kündigt neue HF-GaN-Leistungstransistoren für aktive 32T32R-Antennensysteme an, die seine am weitesten verbreitete proprietäre Galliumnitrid (GaN)-Technologie verwenden. Die einzigartige Serie ergänzt das bestehende Portfolio an diskreten GaN-Leistungsverstärkerlösungen von NXP für 64T64R-Funkgeräte und schützt alle Mobilfunkfrequenzbänder von 2,3 GHz bis 4,0 GHz.
Marktbericht für Transistoren der nächsten Generation - Inhaltsverzeichnis
1. EINFÜHRUNG
1.1 Studienergebnisse
1.2 Studienannahmen
1.3 Umfang der Studie
2. FORSCHUNGSMETHODIK
3. ZUSAMMENFASSUNG
4. MARKTDYNAMIK
4.1 Marktübersicht
4.2 Einführung in die Marktdynamik
4.3 Marktführer
4.3.1 Technologische Fortschritte führen zu einer Nachfrage nach höheren Gerätedichten
4.3.2 Verbreitung von Unterhaltungselektronik
4.4 Marktbeschränkungen
4.4.1 Die Kosten für die Aufrechterhaltung des Mooreschen Gesetzes werden bei niedrigen Erträgen immer höher
4.5 Analyse der Branchenwertschöpfungskette
4.6 Branchenattraktivität – Porters Fünf-Kräfte-Analyse
4.6.1 Bedrohung durch neue Marktteilnehmer
4.6.2 Verhandlungsmacht der Käufer
4.6.3 Verhandlungsmacht der Lieferanten
4.6.4 Bedrohung durch Ersatzprodukte
4.6.5 Wettberbsintensität
5. MARKTSEGMENTIERUNG
5.1 Nach Typ
5.1.1 Transistor mit hoher Elektronenmobilität (HEMT)
5.1.2 Bipolarer Sperrschichttransistor (BJT)
5.1.3 Feldeffekttransistoren (FET)
5.1.4 Multiple-Emitter-Transistor (MET)
5.1.5 Dual-Gate-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
5.2 Nach Endverbraucherbranche
5.2.1 Luft- und Raumfahrt & Verteidigung
5.2.2 Industriell
5.2.3 Telekommunikation
5.2.4 Unterhaltungselektronik
5.3 Nach Geographie
5.3.1 Nordamerika
5.3.2 Europa
5.3.3 Asien-Pazifik
5.3.4 Lateinamerika
5.3.5 Naher Osten und Afrika
6. WETTBEWERBSFÄHIGE LANDSCHAFT
6.1 Firmenprofile
6.1.1 NXP Semiconductors N.V.
6.1.2 Infineon Technologies AG
6.1.3 STMicroelectronics N.V.
6.1.4 Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.)
6.1.5 Texas Instruments Incorporated
6.1.6 Intel Corporation
6.1.7 GLOBALFOUNDRIES Inc.
6.1.8 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company
6.1.9 Samsung Electronics Co., Ltd
6.1.10 Microchip Technology Inc.
7. INVESTITIONSANALYSE
8. ZUKUNFT DES MARKTES
Branchensegmentierung für Transistoren der nächsten Generation
Ein Transistor ist ein Halbleitergerät, das elektrische Signale und Leistung verstärkt oder schaltet. Der Transistor ist einer der Grundbausteine der modernen Elektronik. Die Studie analysiert den Markt für verschiedene Arten von Transistoren, die sich weiterentwickeln und neue Materialien als Silizium in ihrem Herstellungsprozess verwenden.
Der Markt für Transistoren der nächsten Generation ist nach Typ (High Electron Mobility Transistor (HEMT), Bipolartransistor (BJT), Feldeffekttransistoren (FET), Mehrfachemittertransistor (MET), feldeffektiver Dual-Gate-Metalloxid-Halbleitertransistor), Endbenutzerindustrie (Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Industrie, Telekommunikation, Unterhaltungselektronik) und Geografie unterteilt. Die Marktgrößen und Prognosen werden wertmäßig (Mio. USD) für alle oben genannten Segmente angegeben. Die Auswirkungen von Covid-19 auf den Markt und seine betroffenen Komponenten werden ebenfalls im Rahmen der Studie behandelt. Darüber hinaus wurde die Störung der Faktoren, die die Expansion des Marktes beeinflussen, in der Umfrage zu Fahrern und Einschränkungen behandelt.
| Nach Typ | ||
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| Nach Endverbraucherbranche | ||
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| Nach Geographie | ||
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Häufig gestellte Fragen zur Marktforschung für Transistoren der nächsten Generation
Wie groß ist der aktuelle Markt für Transistoren der nächsten Generation?
Der Markt für Transistoren der nächsten Generation wird im Prognosezeitraum (2023-2027) voraussichtlich eine CAGR von 4 % verzeichnen.
Wer sind die Hauptakteure auf dem Markt für Transistoren der nächsten Generation?
NXP Semiconductors N.V., Infineon Technologies AG, STMicroelectronics N.V., Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.), Texas Instruments Incorporated sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem Markt für Transistoren der nächsten Generation tätig sind.
Welches ist die am schnellsten wachsende Region auf dem Markt für Transistoren der nächsten Generation?
Es wird geschätzt, dass der asiatisch-pazifische Raum im Prognosezeitraum (2023-2027) mit der höchsten CAGR wachsen wird.
Welche Region hat den größten Anteil am Markt für Transistoren der nächsten Generation?
Im Jahr 2023 entfällt auf Nordamerika der größte Marktanteil auf dem Markt für Transistoren der nächsten Generation.
Branchenbericht zu Transistoren der nächsten Generation
Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate von Transistoren der nächsten Generation im Jahr 2023, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die Analyse von Next-Generation Transistors umfasst eine Marktprognose bis 2028 und einen historischen Überblick. Holen Sie sich ein Beispiel dieser Branchenanalyse als kostenlosen Bericht als PDF-Download.
