| Studienzeitraum | 2019 - 2029 |
| Basisjahr für die Schätzung | 2023 |
| CAGR | 22.89% |
| Schnellstwachsender Markt | Asien-Pazifik |
| Größter Markt | Asien-Pazifik |
| Marktkonzentration | Mittel |
Hauptakteure*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert |
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Marktanalyse für aufstrebende nichtflüchtige Speicher
Es wird erwartet, dass der aufstrebende Markt für nichtflüchtige Speicher im Prognosezeitraum (2022–2027) eine CAGR von etwa 22,8 % verzeichnen wird. Es wird erwartet, dass der aufstrebende Markt für nichtflüchtige Speicher aufgrund der Akzeptanz von Speichergeräten in einer Vielzahl von Endbenutzerbranchen, einschließlich Unterhaltungselektronik, Unternehmen, Industrie und anderen, ein erhebliches Wachstum verzeichnen wird.
- Die steigende Nachfrage nach Speichergeräten mit schnellem Zugriff und geringem Stromverbrauch sowie die steigende Nachfrage nach nichtflüchtigem Speicher in vernetzten und tragbaren Geräten sind einige der Hauptfaktoren, die das Marktwachstum vorantreiben. Es wird jedoch erwartet, dass die hohe Komplexität bei der Entwicklung und Herstellung neuer nichtflüchtiger Speichergeräte das Marktwachstum im Prognosezeitraum behindern wird.
- Nach mehreren Jahren der Entwicklung haben die aufkommenden nichtflüchtigen Embedded-Speichertechnologien eine beträchtliche Reife erlangt. Im Jahr 2021 gingen mehrere eingebettete MRAM-basierte Geräte in die Serienproduktion, darunter die KI-Prozessoren von GreenWave mit eMRAM (22 nm FDSOI) von GlobalFoundries und Edge-AI-Beschleuniger, die von Numen und Gyrfalcon (22 nm ULL bei TSMC) entworfen und entwickelt wurden.
- Die zunehmenden Forschungsaktivitäten in diesem Bereich treiben das Wachstum des Marktes voran. Beispielsweise kündigte Samsung im Jahr 2021 die Verbesserung der MTJ-Funktion seines MRAM zusammen mit der Weiterentwicklung seines 14-nm-Prozesses an, um sein eingebettetes MRAM vom Flash-Typ zu unterstützen, das die Schreibgeschwindigkeit und -dichte erhöhen soll. Darüber hinaus zielt das Unternehmen auf die aufstrebende nichtflüchtige Speicheranwendung des IC in Wearables, Mikrocontrollern und IoT-Geräten ab.
- Die COVID-19-Pandemie und ihre globalen Lockdowns wirkten sich zusammen auf den Speichermarkt aus. Die Nachfrage nach Laptops und Rechenzentren wuchs, während Smartphones und Automobil eine Verlangsamung verzeichneten. Das Nettoergebnis war ein vergleichsweise ausgewogener Speicherbedarf. Da das aufstrebende Geschäft mit nichtflüchtigen Speichern hauptsächlich auf dem Rechenzentrumsmarkt mit SCM-Anwendungen (Storage Class Memory) expandiert, die durch 3D XPoint erleichtert werden, gab es keine negativen Auswirkungen auf die gesamte Entwicklung des Marktes für nichtflüchtige Speicher. Obwohl die Pandemie in der ersten Jahreshälfte 2020 zu Unterbrechungen der Lieferkette führte, wurden diese zu Beginn der zweiten Jahreshälfte 2020 weitgehend behoben.
Neue Markttrends für nichtflüchtige Speicher
Wachsende Nachfrage nach Rechenzentren
- Es wird erwartet, dass die steigende Nachfrage nach Speichergeräten, die durch den Speicherbedarf von Rechenzentren angekurbelt wird, die Nachfrage nach neuen nichtflüchtigen Speichern ankurbeln wird.
- Diese Nachfrage nach Rechenzentren wird durch die steigende Nachfrage nach High-Performance-Computing-, Edge-Computing-, Big Data- und Cloud-Anwendungen angetrieben. Die zunehmende Einführung von maschinellem Lernen und künstlicher Intelligenz ermutigt die Anbieter, sich für schnellere und höhere Datenkapazitäten zu entscheiden. Die rasche Einführung von Fernarbeit, Online-Bildungskursen und medizinischer Online-Hilfe während der Pandemie ergänzte das Wachstum zusätzlich.
- Darüber hinaus haben Intel und AMD in den letzten Jahren als Reaktion auf die neuen Rechenzentrumsbauprojekte von Google, Amazon Web Service, Facebook und Microsoft Azure neue Serverprozessoren eingeführt. Es wird erwartet, dass ähnliche Trends den Markt antreiben werden.
- Der Markt für Rechenzentren im asiatisch-pazifischen Raum wird von den Entwicklungsländern China und Indien getragen. Es wird erwartet, dass das Wachstum des chinesischen Rechenzentrumsmarktes durch unterstützende Regierungsinitiativen und internationale Investitionen unterstützt wird. Der Vorstoß der Regierung für KI im Sicherheits- und Geheimdiensteinsatz stärkt die Nachfrage nach aufkommenden nichtflüchtigen Speichern weiter.
- Laut NASSCOM unterstützt Indien derzeit 80 Rechenzentren von Drittanbietern. Es werden Investitionen von lokalen und internationalen Akteuren erwartet, dass sie bis 2025 4,6 Milliarden US-Dollar pro Jahr erreichen werden.
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Der asiatisch-pazifische Raum wird im Prognosezeitraum einen bedeutenden Marktanteil verzeichnen
- Der asiatisch-pazifische Raum ist einer der größten Märkte für aufstrebende nichtflüchtige Speicher weltweit. Die Region hat eine hohe Nachfrage von fast allen Endbenutzeranwendungen, vor allem angeführt von der Nachfrage nach Smartphones in mehreren Entwicklungsländern wie China, Indien, Indonesien usw.
- Indien verfügt über eine große Verbraucherbasis für Mobiltelefone; daher soll der Wert der Produktion von Mobiltelefonen von 30 Mio. USD im GJ 21 auf 126 Mio. USD im GJ 26 weiter steigen, wie von Invest in India, der National Investment Promotion and Facilitation Agency der indischen Regierung, angegeben.
- Darüber hinaus hat die Entwicklung neuer Infrastrukturen, einschließlich Rechenzentren, in China zugenommen, angetrieben durch eine steigende Nachfrage nach Online-Unterhaltung, Telearbeit sowie Video- und Sprachanrufdiensten. Mit der rasanten Entwicklung der digitalen Wirtschaft wird der Bau großer, großer Rechenzentren im Land immer wichtiger. Dies hat zu einem Anstieg der aufkommenden nichtflüchtigen Speichernutzung in solchen Rechenzentren geführt, was dazu beiträgt, Ausfallzeiten zu reduzieren, die durch einen Stromausfall oder einen Systemabsturz verursacht werden, und somit einen erheblichen finanziellen Wert bietet.
- Die Halbleiterfertigungsanlagen in Ländern wie China, Korea und Singapur sind sehr aktiv. Mehrere multinationale Speicherhersteller lenken eine immense Menge an Kapital in den chinesischen Markt, insbesondere angekurbelt durch die Regierungsinitiativen des Landes, wie z. B. Made in China 2025. Das ehrgeizige Ziel des Landes ist es, bis zum Jahr 2030 einen Wert von 305 Milliarden US-Dollar an Halbleiterproduktion zu erreichen und etwa 80 % der Inlandsnachfrage nach Halbleitern zu decken. Es wird erwartet, dass dieser Faktor im Prognosezeitraum mehr Investitionen in das Land ziehen wird.
- Darüber hinaus entwickeln führende regionale Forschungsinstitute und Universitäten verschiedene Technologien im Zusammenhang mit aufkommenden nichtflüchtigen Speichern. So hat beispielsweise im Januar 2022 ein internationales Forschungsteam unter der Leitung von Associate Professor Pham Nam Hai vom Department of Electrical and Electronic Engineering des Tokyo Institute of Technology zusammen mit anderen Forschern der University of California magnetoresistive RAM-BAUELEMENTE (SOT-MRAM) entwickelt, die magnetische Tunnelübergänge (MTJs) und topologische Isolatoren integrieren. Es wurde eine Auslesung durch einen relativ hohen Tunnelmagnetowiderstandseffekt und das Schreiben mit geringer Stromdichte durch einen topologischen Isolator demonstriert.
- Aufgrund der oben genannten Faktoren wird daher erwartet, dass der Umsatzanteil aus dem asiatisch-pazifischen Raum im Prognosezeitraum schneller wachsen wird als in den anderen geografischen Regionen.
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Überblick über die aufstrebende nichtflüchtige Speicherbranche
Der globale Markt für aufstrebende nichtflüchtige Speicher ist mäßig wettbewerbsintensiv und besteht aus mehreren Hauptakteuren wie TSMC, Texas Instruments Inc., Intel Corporation, Microchip Technology Inc., Infineon Technologies AG, Fujitsu Ltd., GlobalFoundries Inc., CrossBar Inc. usw. In Bezug auf den Marktanteil dominieren derzeit nur wenige große Akteure den Markt. Mit Innovationen und technologischen Fortschritten erhöhen viele Unternehmen jedoch ihre Marktpräsenz durch organische und anorganische Wachstumsstrategien und erschließen neue Märkte. Einige der jüngsten Entwicklungen auf dem Markt sind:.
- März 2022 - Fujitsu Ltd. hat einen 12Mbit ReRAM (Resistive Random Access Memory) MB85AS12MT auf den Markt gebracht, der die größte Dichte in Fujitsus ReRAM-Produktfamilie darstellt. Bei diesem neuartigen Produkt handelt es sich um einen nichtflüchtigen Speicher mit einer großen Speicherdichte von 12 Mbit in einer sehr kleinen Gehäusegröße von etwa 2 mm x 3 mm. Darüber hinaus ist es für tragbare Geräte wie Smartwatches und Hörgeräte geeignet.
- Oktober 2021 - CrossBar Inc. kündigte neue Anwendungen seiner Resistive RAM (ReRAM)-Technologie für den Einsatz in einmalig programmierbaren (OTP) und zeitlich programmierbaren (FTP) nichtflüchtigen Speicheranwendungen (NVM) an.
Aufstrebende Marktführer für nichtflüchtige Speicher
-
TSMC
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Samsung Electronics Co. Ltd.
-
GlobalFoundries Inc.
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Texas Instruments Inc.
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Fujitsu Ltd.
- *Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
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Marktnachrichten für aufstrebende nichtflüchtige Speicher
- November 2021 - Fujitsu Ltd. hat einen neuen 8Mbit-FRAM-MB85R8M2TA mit paralleler Schnittstelle auf den Markt gebracht, der 100 Billionen Lese-/Schreibzyklen in Fujitsus FRAM-Produktfamilie garantiert. Das neue Produkt erreicht einen geringen Stromverbrauch, rund 10 % weniger Betriebsstrom und einen schnellen Betrieb, eine fast 30 % schnellere Zugriffsgeschwindigkeit im Vergleich zu den herkömmlichen Produkten von Fujitsu. Dieser Speicher-IC ist der beste Ersatz für SRAM in Industriemaschinen, die einen Hochgeschwindigkeitsbetrieb benötigen.
- Mai 2021 - Micross Components Inc. gab eine exklusive Partnerschaft mit Avalanche Technology bekannt. Micross ist der exklusive Lieferant von Die- und hermetisch abgedichteten Geräten im Rahmen dieser Zusammenarbeit und nutzt den Spin Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory (STT-MRAM) der nächsten Generation von Avalanche.
Aufstrebende Segmentierung der nichtflüchtigen Speicherbranche
Nichtflüchtiger Speicher ist ein Computerspeicher, der darauf gespeicherte Informationen auch im ausgeschalteten Zustand speichern kann. Neue nichtflüchtige Speichertechnologien versprechen fortschrittliche und neuartige Speicher zum Speichern von mehr Daten zu geringeren Kosten als die teuer zu bauenden Siliziumchips, die von renommierten Verbrauchergeräten wie Mobiltelefonen, Digitalkameras, tragbaren Musikplayern und anderen verwendet werden. Unter mehreren Alternativen sind Spin-Transfer-Torque-Direktzugriffsspeicher, Phasenwechselspeicher und resistiver Direktzugriffsspeicher (RRAM) wichtige neue Technologien.
Neue nichtflüchtige Speicher eignen sich am besten für neuromorphe Computeranwendungen, da sie klein sind und mehrere synaptische Gewichte speichern können. Zu den Endverbraucherbranchen, die Teil der Studie sind, gehören Unterhaltungselektronik, Industrie, Unternehmen und andere Sektoren in verschiedenen Regionen. Darüber hinaus ist der Markt nach Typ segmentiert, einschließlich Stand-Alone und Embedded. Die Studie umfasst auch die Auswirkungen von COVID-19 auf den Markt.
| Typ | Eigenständige |
| Eingebettet | |
| Endverbraucherindustrie | Industrie |
| Unterhaltungselektronik | |
| Unternehmen | |
| Andere | |
| Erdkunde | Nordamerika |
| Europa | |
| Asien-Pazifik | |
| Rest der Welt |
Typ
| Eigenständige |
| Eingebettet |
Endverbraucherindustrie
| Industrie |
| Unterhaltungselektronik |
| Unternehmen |
| Andere |
Erdkunde
| Nordamerika |
| Europa |
| Asien-Pazifik |
| Rest der Welt |
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Häufig gestellte Fragen zur Marktforschung für aufstrebende nichtflüchtige Speicher
Wie groß ist der aktuelle globale Markt für aufstrebende nichtflüchtige Speicher?
Der globale Markt für aufstrebende nichtflüchtige Speicher wird im Prognosezeitraum (2024-2029) voraussichtlich eine CAGR von mehr als 22,89 % verzeichnen
Wer sind die Hauptakteure auf dem globalen Markt für aufstrebende nichtflüchtige Speicher?
TSMC, Samsung Electronics Co. Ltd., GlobalFoundries Inc., Texas Instruments Inc., Fujitsu Ltd. sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem globalen Markt für aufstrebende nichtflüchtige Speicher tätig sind.
Welches ist die am schnellsten wachsende Region auf dem globalen Markt für aufstrebende nichtflüchtige Speicher?
Es wird geschätzt, dass der asiatisch-pazifische Raum im Prognosezeitraum (2024-2029) mit der höchsten CAGR wachsen wird.
Welche Region hat den größten Anteil am globalen Markt für aufstrebende nichtflüchtige Speicher?
Im Jahr 2024 hat der asiatisch-pazifische Raum den größten Marktanteil am globalen Markt für aufstrebende nichtflüchtige Speicher.
Welche Jahre deckt dieser globale Markt für aufstrebende nichtflüchtige Speicher ab?
Der Bericht deckt die historische Marktgröße des globalen Marktes für aufstrebende nichtflüchtige Speicher für die Jahre ab 2019, 2020, 2021, 2022 und 2023. Der Bericht prognostiziert auch die Größe des globalen Marktes für aufstrebende nichtflüchtige Speicher für Jahre 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 und 2029.
Seite zuletzt aktualisiert am: Mai 6, 2024
Branchenbericht für nichtflüchtige Speicher
Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate von nichtflüchtigen Speichern im Jahr 2024, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die Analyse des nichtflüchtigen Speichers umfasst einen Marktprognoseausblick für 2029 und einen historischen Überblick. Holen Sie sich eine Probe dieser Branchenanalyse als kostenlosen PDF-Download des Berichts.
