Marktgrößen- und Marktanteilsanalyse für integrierte Schaltkreise in Europa – Wachstumstrends und Prognose (2026–2031)

Trends und Erkenntnisse zum europäischen Markt für integrierte Schaltkreise

EU-Chips-Act – Kapazitätserweiterungsanreize

Die durch den Act freigesetzten öffentlichen Subventionen haben die Kostenstruktur Europas für Fabs neu gestaltet und es Infineon ermöglicht, eine Smart-Power-Fab im Wert von USD 5 Milliarden in Dresden nach Erhalt von EUR 1 Milliarde (USD 1,18 Milliarden) an staatlichen Beihilfen zu genehmigen. Das Drei-Säulen-Design der Gesetzgebung integriert Forschungsnetzwerke mit der Finanzierung von Pilotlinien und ermöglicht es Start-ups und Instituten, Prototypen schneller in die Serienproduktion zu überführen. Ein EU-weites Überwachungssystem verfolgt nun die Bestände entlang der gesamten Wertschöpfungskette und bietet eine Frühwarnung vor Störungen, die die Region in den Jahren 2021–2022 plagten. Zusammen verringern diese Hebel die Kostendifferenzen gegenüber asiatischen Wettbewerbern und unterstützen die Expansion des europäischen Marktes für integrierte Schaltkreise, indem sie strategische Autonomie mit offenem Handel in Einklang bringen.

Welle der Automobilelektrifizierung angeführt von deutschen OEMs

Elektrofahrzeuge benötigen 3–5 Mal mehr Halbleiter als Verbrennungsfahrzeuge; Volkswagen schloss daher einen mehrjährigen Leistungsbauelemente-Pakt mit onsemi ab, das die durchgängige Siliziumkarbid-Produktion in der Tschechischen Republik ausbaut, um europäische Werke zu beliefern. Die AURIX- und TRAVEO-Mikrocontroller-Linien von Infineon steigerten ihren globalen Automobilmikrocontroller-Anteil im Jahr 2024 auf 29 %, was unterstreicht, wie eingebettete Verarbeitung und Hochspannungssteuerung die Design-Wins dominieren. Zonensteuerungsarchitekturen und Over-the-Air-Update-Funktionen verstärken den Bedarf an sicheren Hochbandbreiten-Schnittstellen und treiben eine breit angelegte Nachfrage in den Kategorien Analog, Logik und Speicher innerhalb des europäischen Marktes für integrierte Schaltkreise an.

Einsatz von Edge-KI und IIoT in europäischen Fabriken

Industrieunternehmen in Deutschland und den Niederlanden installierten KI-gestützte Vibrations- und Temperaturmonitore, die Maschinenausfälle vorhersagen, und stützen sich dabei auf ultraenergiearme Mixed-Signal-Chipsätze wie die Voyager4-Sensorplattform von Analog Devices. Das EU-geförderte PREVAIL-Konsortium stellte EUR 156 Millionen (USD 183,63 Millionen) bereit, um On-Device-Intelligenz zu beschleunigen, und verband CEA-Leti und Fraunhofer mit fabless Start-ups zur gemeinsamen Entwicklung neuromorpher Kerne. Die zunehmende Digitalisierung der Fabriken treibt ein anhaltendes zweistelliges Stückzahlwachstum für industrielle Mikrocontroller, Konnektivitäts-ICs und hochwertige Speicher an und erweitert den europäischen Markt für integrierte Schaltkreise in mittelgroßen Fertigungswirtschaften.

Nachfrage nach Leistungselektronik für erneuerbare Energien in den nordischen Ländern

Massive Offshore-Windkomplexe wie Ørsted's 2,4-GW-Projekt Hornsea 4 benötigen schnell schaltende Leistungsmodule zur Stabilisierung der variablen Ausgangsleistung. Hitachi Energy lieferte das erste verbesserte STATCOM-System Europas unter Verwendung von Breitbandlücken-Halbleitern für das Projekt und rückte Galliumnitrid- und Siliziumkarbid-Bauelemente als Netzstabilisatoren in den Vordergrund. Gleichzeitig erfordern nordische Rechenzentren, die mit 100 % erneuerbarer Energie betrieben werden, wie der USD 3,2 Milliarden teure schwedische Campus von Microsoft, hocheffiziente Energieversorgungsketten, was die Nachfrage nach fortschrittlichen integrierten Schaltkreisen stärkt.

Begrenzte Foundry-Kapazität unter 10 nm in Europa

Das Dresdner Gemeinschaftsunternehmen von TSMC wird sich auf Knoten ab 28 nm konzentrieren, wodurch europäische Mobilfunk- und Hochleistungsrechenentwickler für fortschrittliche Logik auf asiatische Fabs angewiesen bleiben.^{[2]Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited, „ESMC legt Grundstein für Dresdner Fab,” pr.tsmc.com} Anlagen unter 10 nm erfordern Investitionen von über USD 20 Milliarden und erstklassige EUV-Ökosysteme, die nur eine Handvoll Unternehmen einsetzen kann. Die High-NA-EUV-Pilotlinie von IMEC wird vor 2028 keine kommerzielle Größenordnung erreichen, was die Technologielücke verlängert. Das Defizit schränkt die Beteiligung des europäischen Marktes für integrierte Schaltkreise an KI-Beschleunigern, 5G-Funk-Silizium und Flaggschiff-Mobilprozessoren ein.

Mangel an halbleiterfachkundigen Arbeitskräften und alternde Belegschaft

Das Vereinigte Königreich meldete, dass 39 % seiner Halbleiterbeschäftigten innerhalb von 15 Jahren in den Ruhestand treten könnten, während die Universitäten nicht genügend Prozessingenieurtalente ausbilden, um dies zu kompensieren. SEMI prognostiziert einen Bedarf von 1 Million zusätzlicher Arbeitskräfte in ganz Europa bis 2030, eine Lücke, die die Fab-Auslastung begrenzen und Hochläufe verzögern könnte. Ausbildungsprogramme und grenzüberschreitende Mobilitätsprogramme sind vorhanden, doch die Vorlaufzeit zur Kultivierung von Nischenexpertise beträgt fünf bis sieben Jahre, was die Wachstumstrajektorie des europäischen Marktes für integrierte Schaltkreise dämpft.

*Unsere Prognosen behandeln die Auswirkungen von Treibern und Einschränkungen als richtungsweisend und nicht additiv. Die Wirkungsprognosen berücksichtigen Basiswachstum, Mischungseffekte und Wechselwirkungen zwischen Variablen.

Segmentanalyse

Nach IC-Typ: Speicher gewinnt an Dynamik

Analogkomponenten hielten im Jahr 2025 einen dominierenden Umsatzanteil von 31,85 %, was ihre Allgegenwärtigkeit in Energieverwaltungs- und Sensorschaltkreisen in Fahrzeugen und der Industrieautomatisierung widerspiegelt. Speicherbauelemente skalieren jedoch am schnellsten mit einer CAGR von 9,08 %, da Edge-KI-Workloads und In-Vehicle-Infotainment hochbandbreitige, latenzarme Speicher erfordern. Diese Verschiebung deutet auf heterogene Architekturen hin, bei denen Processing-in-Memory und neuromorphe Arrays den Datenübertragungsaufwand reduzieren. Die Marktgröße für integrierte Schaltkreise in Europa für Speicherchips, die für Fahrerassistenzsysteme im Automobilbereich bestimmt sind, soll bis 2030 jährlich zweistellig wachsen, angetrieben durch Infotainment-Upgrades und Sensorfusionsmodule. Logikbauelemente bleiben für die funktionale Sicherheit entscheidend und bilden die Grundlage für Automobil-Mikrocontroller und industrielle speicherprogrammierbare Steuerungen. Die AURIX-Familie von Infineon veranschaulicht Europas Vorteil, indem sie Echtzeit-Steuerkerne mit Cybersicherheitsblöcken kombiniert, die den funktionalen Sicherheitsstandards ISO 26262 entsprechen.

Der Speicherboom geht einher mit Europas strategischer Ausrichtung auf dezentrales Computing: Fabrikroboter, Smart-Grid-Knoten und autonome Shuttles benötigen alle On-Board-Inferenz-Engines. Neuartige nichtflüchtige Speicher, die Ausdauer mit niedrigem Energieverbrauch kombinieren, werden gemeinsam von CEA-Leti und STMicroelectronics entwickelt und entsprechen den EU-Forderungen nach souveräner Edge-KI-Hardware. Daher setzt der europäische Markt für integrierte Schaltkreise seine Neuausrichtung auf datenzentrische Architekturen fort, ohne die grundlegende Rolle der Analogtechnik zu untergraben.

Nach Technologieknoten: Legacy dominiert, führende Kante beschleunigt

Knoten über 90 nm machten 45,08 % des Umsatzes im Jahr 2025 aus, was Europas Ausrichtung auf „More-than-Moore”-Sektoren wie Antriebsstrangsteuerung und Smart-Grid-Messung unterstreicht, wo hohe Spannungstoleranz und robuste Qualifikation die bloße Transistordichte überwiegen. Chips unter 10 nm verzeichneten die steilste CAGR-Prognose von 15,62 % – jedoch von einer bescheidenen Basis aus –, angetrieben durch KI-Beschleuniger und Premium-Mobilfunk-SoCs. Das Segment 28–90 nm bietet den optimalen Kosten-Leistungs-Kompromiss für Automobil-Radarprozessoren und Industriesteuerungen und hält ein hohes Volumen an Legacy-Fabs aufrecht. Das Wachstum der Marktgröße für integrierte Schaltkreise in Europa im Segment 10–28 nm wird von der neuen Dresdner Kapazität abhängen, die auf 28-nm-FinFET-Linien abzielt, die für die Sicherheitsintegrität im Automobilbereich optimiert sind.

Der monolithische CFET-Machbarkeitsnachweis von imec mit gestapelten komplementären Transistoren signalisiert Europas Fähigkeit, die Skalierungsparadigmen des nächsten Jahrzehnts zu beeinflussen. Die kommerzielle Umsetzung hängt jedoch von weiteren Kapitalzuflüssen und der Ökosystemausrichtung rund um die High-NA-EUV-Lithografie ab.

Nach Wafer-Größe: 300 mm Standard, 450 mm am Horizont

300-mm-Linien erwirtschafteten 50,14 % des Umsatzes im Jahr 2025 und positionieren sich damit als wirtschaftliches Rückgrat der Fertigung im europäischen Markt für integrierte Schaltkreise. Unternehmen haben Wafer mit ≥ 450 mm im Blick, die voraussichtlich mit einer CAGR von 14,75 % wachsen werden, als Hebel für niedrigere Chip-Kosten in Leistungs- und Mixed-Signal-Anwendungen. Die erste 200-mm-Siliziumkarbid-Produktveröffentlichung von Infineon stellt einen Zwischenmeilenstein auf dem Weg zur Produktion von Breitbandlücken-Halbleitern mit größerem Durchmesser dar. Kleinere Formate, insbesondere 150-mm-Galliumnitrid-Linien im Vereinigten Königreich, werden für Nischen-Hochmix-Niedrigvolumen-Läufe bestehen bleiben, die schnell umsetzbare Luft- und Raumfahrtprogramme unterstützen.

Die Einführung von 450-mm-Substraten erfordert gleichzeitige Investitionen in Lithografie- und Messtechnikwerkzeuge; die Marktführerschaft von ASML in den Niederlanden positioniert Europa günstig, sobald die Nachfrage den Übergang rechtfertigt. Kosteneinsparungen durch größere Wafer werden in wettbewerbsfähige Preise für Automobil-Wechselrichter und Server-Netzteile einfließen und die Skalenvorteile des europäischen Marktes für integrierte Schaltkreise stärken.

Nach Endverbraucherbranche: Automobilindustrie beschleunigt

Die Unterhaltungselektronik behielt den größten Anteil von 39,92 % am Umsatz im Jahr 2025, der Smartphones, Wearables und Smart-Home-Knoten umfasst, die in Westeuropa verteilt sind. Dennoch eilen Halbleiter für die Automobilindustrie mit einer CAGR von 13,12 % voraus, da die Elektrofahrzeugdurchdringung auf das Null-Emissions-Mandat der EU für 2035 zusteuert. Software-definierte Architekturen mit zentralisierten Domänensteuerungen erfordern Hochgeschwindigkeits-Netzwerk-Switches und zonale Gateways, was die Nachfrage nach Logik-, Analog- und Speicherchips gleichzeitig steigert. Die Marktgröße für integrierte Schaltkreise in Europa für Automobil-Leistungsmodule soll sich zwischen 2025 und 2030 in etwa verdoppeln, da Siliziumkarbid-Traktionswechselrichter in Mainstream-Fahrzeugsegmenten skalieren.

Die Industrieautomatisierung, angetrieben durch IIoT-Nachrüstungen, fügt eine stetige Wachstumsschicht hinzu, während Rechenzentrum-Silizium in den nordischen Ländern von reichlich erneuerbarer Energie profitiert. Käufer aus der Luft- und Raumfahrt sowie der Verteidigung treiben die Margen durch hochzuverlässige Galliumnitrid- und strahlungsgehärtete Designs an, die durch Satellitenprogramme der Europäischen Weltraumorganisation finanziert werden.

Geografische Analyse

Die Marktführerschaft Deutschlands im europäischen Markt für integrierte Schaltkreise resultierte aus einem Umsatzanteil von 28,95 % im Jahr 2025, gestützt durch die Nähe zu Automobil-OEMs und umfangreiche Fab-Investitionen wie das EUR 10 Milliarden (USD 11,77 Milliarden) schwere Dresdner Gemeinschaftsunternehmen von TSMC. Die Smart-Power-Fab von Infineon – unterstützt durch EUR 1 Milliarde (USD 1,18 Milliarden) an EU-Chips-Act-Zuschüssen – erweiterte die regionale Versorgungskapazität für Leistungsbauelemente und Mikrocontroller. Trotz hoher industrieller Stromkosten nutzte Deutschland eine ausgereifte Ingenieurtalentbasis und eine enge OEM-Lieferanten-Integration und festigte damit seinen Hub-Status. Forschungseinrichtungen wie das Fraunhofer IIS beschleunigten die Entwicklung fortschrittlicher In-Car-Netzwerkchips und sorgten für technologische Spillover-Effekte in angrenzende Segmente.

Italien entwickelte sich mit einer CAGR-Prognose von 8,34 % bis 2031 zum am schnellsten wachsenden Standort, katalysiert durch die Genehmigung der Europäischen Kommission in Höhe von EUR 1,3 Milliarden (USD 1,53 Milliarden) für die Chiplet-Integrationsfabrik von Silicon Box in Catania. Die Initiative erschließt führende Verpackungsdienstleistungen, die bisher in Europa nicht verfügbar waren, und positioniert Italien als Anker für heterogene Integration in KI-, Rechenzentrum- und Automobil-Workloads. STMicroelectronics steigerte den lokalen Schwung weiter, indem es die Produktion von 200-mm-Siliziumkarbid-Wafern für Traktionswechselrichter hochfuhr und sich damit an Italiens beträchtlicher Automobilzulieferbasis ausrichtete.

Frankreich, das Vereinigte Königreich und die nordischen Länder zusammen machen einen wachsenden Anteil der Nachfrage aus. Frankreich nutzte die Forschungs- und Entwicklungsressourcen von CEA-Leti, um GaN-auf-Silizium-HF-Bauelemente in Weltraumplattformen zu integrieren, während der Standort Tours von ST weiterhin hochzuverlässige Leistungsmodule an Airbus und Safran lieferte. Der Verbundhalbleiter-Cluster des Vereinigten Königreichs in Newport nutzte GaN-Expertise für 5G-Makrozellen-Basisstationen und sicherte die europäische Wettbewerbsposition auch nach dem Brexit. Die nordischen Länder – insbesondere Schweden und Dänemark – zogen Leistungselektronik-Investitionen an, die mit Offshore-Wind und erneuerbaren Energien betriebenen Rechenzentren verbunden sind, und ermöglichten so einen positiven Kreislauf zwischen grüner Energie und dem Bedarf an Halbleiterfertigung.