| Période d'étude | 2019 - 2029 |
| Année de Base Pour l'Estimation | 2023 |
| CAGR | 6.75% |
| Marché à la Croissance la Plus Rapide | Asie-Pacifique |
| Plus Grand Marché | Amérique du Nord |
| Concentration du Marché | Bas |
Acteurs majeurs*Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier |
Analyse du marché des transistors de puissance RF et micro-ondes
Le marché des transistors de puissance RF et micro-ondes devrait croître à un TCAC de 6,75 % au cours de la période de prévision (2022-2027). Les transistors RF sont utilisés dans des appareils tels que les amplificateurs stéréo, les émetteurs radio, les moniteurs de télévision, etc. pour traiter les signaux de radiofréquence (RF) de haute puissance. Dans des applications telles que le radar, les télécommunications et la technologie sans fil, les transistors RF et micro-ondes sont utilisés pour amplifier ou commuter les signaux électroniques et la puissance. Ces transistors jouent un rôle dans le bon fonctionnement des appareils.
Les principaux moteurs du marché mondial des transistors de puissance RF / micro-ondes pour la 5G comprennent une demande croissante, des investissements accrus dans la recherche et le développement et une approbation rapide des nouvelles technologies. Le transistor de puissance micro-ondes RF amplifie ou commute des signaux de haute puissance dans laérospatiale et larmée. Les systèmes radar, les systèmes de communication, les systèmes de guerre électronique et les systèmes de guidage de missiles lutilisent tous comme émetteur ou récepteur. Le transistor de puissance micro-ondes RF augmente lefficacité tout en réduisant la taille et le poids de ces systèmes.
Dans la communication, le transistor de puissance micro-ondes RF est utilisé pour amplifier ou commuter la puissance de transmission micro-ondes. Il peut également être utilisé pour contrôler la direction du signal et comme amplificateur ou oscillateur. Il peut également être utilisé comme dispositif de commutation pour diriger des signaux entre différentes zones dun circuit. Le transistor de puissance micro-ondes RF est un composant important dans la conception de systèmes micro-ondes.
En raison de laugmentation récente de la vitesse et de la capacité de linformation, la production de modules semi-conducteurs de haute puissance utilisés dans les domaines de la communication de linformation et de lénergie, ainsi que le nombre de puces semi-conductrices montées par unité de surface, augmentent, et la surchauffe est devenue un problème important. Afin de produire une conductivité thermique élevée et des caractéristiques de faible dilatation thermique, les matériaux composites métal-diamant attirent lattention.
The Good System a réussi à produire les meilleurs attributs de dissipation thermique au monde, avec une conductivité thermique de classe 800 W/mK et un coefficient de dilatation thermique de 8 PPM, en tant que matériau de dissipation thermique pour les transistors de puissance radiofréquence (RF) pour la communication sans fil 56G et les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) haute puissance pour les véhicules électriques.
De plus, la pandémie de covid-19 a eu un impact significatif sur le marché des transistors de puissance. En raison du ralentissement et du manque de disponibilité de la main-dœuvre dans le monde, les installations de fabrication de semi-conducteurs et délectronique se sont arrêtées. COVID-19 a entraîné une baisse importante et soutenue de lutilisation des usines, des interdictions de voyager et des fermetures de sites de production, entraînant un ralentissement de la croissance de lindustrie de la transmission dénergie.
Tendances du marché des transistors de puissance RF et micro-ondes
Le secteur de la communication devrait stimuler le marché
Comme la déclaré Ericsson, la 5G devrait être la technologie de communication mobile la plus largement déployée de lhistoire, couvrant environ 75 % de la population mondiale dici 2027.
Le marché des appareils compatibles 5G devrait croître rapidement dans les années à venir, en raison des exigences croissantes en matière de traitement des données et de laugmentation de la consommation. Pour répondre à la demande croissante dappareils compatibles 5G, les fabricants de semi-conducteurs pour smartphones compatibles 5G connaîtront une demande accrue de puces 5G. Laugmentation des puces à semi-conducteurs contribuera à faire progresser lindustrie des semi-conducteurs, en stimulant la demande de transistors de puissance.
Pour les infrastructures 5G et 6G, le GaN-sur-silicium RF a un potentiel important. Les amplificateurs de puissance RF de première génération étaient dominés par la technologie de puissance RF à long terme, les semi-conducteurs à oxyde métallique à diffusion latérale (LDMOS) (PA). Le GaN peut fournir des caractéristiques RF améliorées et une puissance de sortie beaucoup plus élevée pour ces PA RF que les LDMOS. De plus, il peut être fabriqué sur des plaquettes de silicium ou de carbure de silicium (SiC).
En décembre 2021, Microchip Technology Inc. a ajouté des MMIC et des transistors discrets supplémentaires à son portefeuille de dispositifs dalimentation à radiofréquence (RF) en nitrure de gallium (GaN), couvrant des fréquences allant jusquà 20 gigahertz (GHz). Les dispositifs combinent une efficacité énergétique élevée (PAE) et une linéarité élevée pour atteindre de nouveaux niveaux de performance dans un large éventail dapplications, notamment la 5G, la guerre électronique, les communications par satellite, les systèmes radar commerciaux et de défense et les équipements de test.
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LAsie-Pacifique devrait enregistrer le taux de croissance le plus rapide
LAsie-Pacifique est la région à la croissance la plus rapide sur le marché mondial des transistors de puissance en raison de la présence de grandes entreprises telles que Toshiba Corporation et Mitsubishi Electric Corporation. La Chine, le Japon, Taïwan et la Corée du Sud font partie des quelques pays qui dominent lindustrie de la fabrication de semi-conducteurs, ce qui a un impact sur le marché. La région dispose également dun marché important pour les smartphones et les technologies 5G et dune augmentation des dépenses de fabrication.
En raison du transfert continu de divers équipements électroniques vers la Chine, la consommation de semi-conducteurs au Japon, en Corée du Sud et en Chine augmente rapidement par rapport aux autres pays de la région. En outre, lAsie abrite les cinq principaux secteurs de lélectronique grand public au monde, ce qui présente dénormes perspectives dadoption des semi-conducteurs dans la région au cours de la période de prévision.
Selon un plan triennal publié en juillet 2021 par dix entités gouvernementales, la Chine prévoyait davoir 560 millions de clients mobiles 5G dici la fin de 2023 et un taux de pénétration de 35 % de la technologie sans fil rapide parmi les grandes entreprises industrielles. Il a déclaré que lutilisation de la 5G dans diverses industries est importante pour stimuler la transformation numérique, en réseau et intelligente de léconomie et de la société.
Le marché des semi-conducteurs à Taïwan est également en croissance grâce au soutien du gouvernement. En avril 2021, le Fonds national de développement a annoncé quentre 2021 et 2025, les entreprises taïwanaises prévoyaient dinvestir 107 milliards de dollars pour la croissance de lindustrie des semi-conducteurs. Le gouvernement aide également à développer de nouvelles technologies de semi-conducteurs avec un soutien financier ainsi que des programmes de recrutement de talents.
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Présentation de lindustrie des transistors de puissance RF et micro-ondes
Le marché des transistors de puissance RF et micro-ondes est un marché hautement concurrentiel en raison de la présence dacteurs importants tels que Onsemi Corporation, Renesas Electronics Corporation, Infineon Technologies AG, Texas Instruments Inc., NXP Semiconductors N.V., STMicroelectronics N.V., Mitsubishi Electric Corporation, Linear Integrated Systems Inc. et Toshiba Corporation.
Mai 2022 - STMicroelectronics et MACOM Technology Solutions Holdings Inc. ont annoncé que des prototypes de nitrure de gallium radiofréquence sur Si (RF GaN-on-Si) avaient été produits avec succès. ST et MACOM continueront de collaborer et de renforcer la relation à la suite de cette réalisation.
Juillet 2021 - STMicroelectronics a élargi la famille STPOWER de transistors de puissance RF LDMOS avec un certain nombre de produits supplémentaires. Trois séries de produits de transistors ont été développées pour les amplificateurs de puissance RF (PA) dans une variété dapplications industrielles et commerciales. Les dispositifs RF LDMOS de la société combinent une courte longueur de canal de conduction avec une tension de claquage élevée, offrant un rendement élevé et une faible résistance thermique tout en étant emballés pour résister à une puissance RF élevée.
Leaders du marché des transistors de puissance RF et micro-ondes
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Infineon Technologies AG
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Renesas Electronics Corporation
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NXP Semiconductors N.V
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ST Microelectronics
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Microchip Technology Inc.
- *Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier
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Nouvelles du marché des transistors de puissance RF et micro-ondes
Mars 2022 - NXP lance la famille de solutions discrètes 32T32R, qui vise à permettre des radios 5G plus petites et plus légères pour un déploiement plus facile dans les zones urbaines et suburbaines. Les solutions discrètes de puissance RF pour les systèmes dantennes actives 32T32R sont basées sur la dernière technologie exclusive de nitrure de gallium (GaN) de la société et complètent le portefeuille de produits damplificateurs de puissance GaN. Par rapport aux solutions 64T64R, les solutions de la société fournissent deux fois plus de puissance, ce qui se traduit par une solution de connexion 5G globale plus légère et plus petite. Les opérateurs de réseau peuvent évoluer rapidement sur les niveaux de fréquence et de puissance grâce à cette compatibilité des broches.
Juillet 2021 - Integra, lun des principaux fournisseurs de solutions RF et dalimentation micro-ondes innovantes, a lancé une technologie 100V RF GaN/SiC avec des applications dans les systèmes radar, avionique, guerre électronique, industriels, scientifiques et médicaux. Ce dispositif surmonte les limites de performance de la puissance RF en générant 3,6 kilowatts (kW) de puissance de sortie dans un seul transistor GaN tout en fonctionnant à 100 V.
Segmentation de lindustrie des transistors de puissance RF et micro-ondes
Le transistor de puissance est un composant essentiel dans le secteur de la communication. Il améliore les performances et la convivialité de ces appareils en augmentant lefficacité énergétique, en réduisant la taille et le coût du système, en permettant des conceptions plus petites et plus élégantes et en ajoutant de nouvelles fonctionnalités telles quune qualité audio de niveau professionnel. Le marché est segmenté par type (LDMOS, GaN, GaAs et autres), application (communication, industrie, aérospatiale et défense, et autres) et géographie.
| Par type | LDMOS |
| GaN | |
| GaAs | |
| Autres (GaN-sur-Si) | |
| Par candidature | Communication |
| Industriel | |
| Aéronautique et Défense | |
| Autres (scientifiques, médicaux) | |
| Géographie | Amérique du Nord |
| L'Europe | |
| Asie-Pacifique | |
| l'Amérique latine | |
| Moyen-Orient et Afrique |
Par type
| LDMOS |
| GaN |
| GaAs |
| Autres (GaN-sur-Si) |
Par candidature
| Communication |
| Industriel |
| Aéronautique et Défense |
| Autres (scientifiques, médicaux) |
Géographie
| Amérique du Nord |
| L'Europe |
| Asie-Pacifique |
| l'Amérique latine |
| Moyen-Orient et Afrique |
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FAQ sur les études de marché des transistors de puissance RF et micro-ondes
Quelle est la taille actuelle du marché mondial des transistors de puissance RF et micro-ondes ?
Le marché mondial des transistors de puissance RF et micro-ondes devrait enregistrer un TCAC de 6,75 % au cours de la période de prévision (2024-2029)
Qui sont les principaux acteurs du marché mondial des transistors de puissance RF et micro-ondes ?
Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V, ST Microelectronics, Microchip Technology Inc. sont les principales entreprises opérant sur le marché mondial des transistors de puissance RF et micro-ondes.
Quelle est la région à la croissance la plus rapide sur le marché mondial des transistors de puissance RF et micro-ondes ?
On estime que lAsie-Pacifique connaîtra le TCAC le plus élevé au cours de la période de prévision (2024-2029).
Quelle région détient la plus grande part du marché mondial des transistors de puissance RF et micro-ondes ?
En 2024, lAmérique du Nord représente la plus grande part de marché du marché mondial des transistors de puissance RF et micro-ondes.
Quelles années couvre ce marché mondial des transistors de puissance RF et micro-ondes ?
Le rapport couvre la taille historique du marché mondial des transistors de puissance RF et micro-ondes pour les années 2019, 2020, 2021, 2022 et 2023. Le rapport prévoit également la taille du marché mondial des transistors de puissance RF et micro-ondes pour les années 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 et 2029.
Dernière mise à jour de la page le:
Rapport sur lindustrie mondiale des transistors de puissance RF et micro-ondes
Statistiques sur la part de marché, la taille et le taux de croissance des revenus des transistors de puissance RF et micro-ondes en 2024, créées par Mordor Intelligence™ Industry Reports. Lanalyse mondiale des transistors de puissance RF et micro-ondes comprend des prévisions de marché jusquen 2029 et un aperçu historique. Obtenez un échantillon de cette analyse de lindustrie sous forme de rapport PDF gratuit à télécharger.
