Analyse de la taille et de la part du marché des transistors de nouvelle génération – Tendances de croissance et prévisions (2024-2029)

Le rapport sur le marché couvre les sociétés mondiales de transistors et est segmenté par type (transistor à haute mobilité électronique (HEMT), transistor à jonction bipolaire (BJT), transistors à effet de champ (FET), transistor à émetteurs multiples (MET), transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique à double grille. ), l'industrie de l'utilisateur final (aérospatiale et défense, industrie, télécommunications, électronique grand public) et la géographie. La taille du marché et les prévisions sont fournies en termes de valeur (en millions de dollars) pour tous les segments ci-dessus.

Taille du marché des transistors de nouvelle génération

Résumé du marché des transistors de nouvelle génération
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Période d'étude 2019 - 2029
Année de Base Pour l'Estimation 2023
TCAC 4.00 %
Marché à la Croissance la Plus Rapide Asie-Pacifique
Plus Grand Marché Amérique du Nord
Concentration du marché Faible

Acteurs majeurs

Acteurs majeurs du marché des transistors de nouvelle génération

*Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier

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Analyse du marché des transistors de nouvelle génération

Le marché des transistors de nouvelle génération devrait croître à un TCAC de 4 % au cours de la période de prévision. Principalement en raison de la croissance du marché de l'électronique grand public. Un milliard de transistors sont présents dans les smartphones les plus récents du marché, garantissant un fonctionnement plus rapide du gadget. Selon l'IBEF, les revenus du marché indien des smartphones ont récemment dépassé les 38 milliards de dollars, avec une croissance de 27 % sur un an. De plus, Xiaomi, l'un des principaux fabricants de smartphones, a expédié 39,5 millions d'appareils au deuxième trimestre 2022.

  • Les matériaux semi-conducteurs représentent lune des innovations significatives de lindustrie électronique. Cela peut être attribué à leur grande mobilité électronique, à leurs larges limites de température et à leur faible consommation dénergie. Selon SEMI, les ventes mondiales d'équipements de fabrication de semi-conducteurs par les fabricants d'équipement d'origine ont atteint un record de 117,5 milliards de dollars en 2022, en hausse de 14,7 % par rapport au précédent sommet du secteur de 102,5 milliards de dollars en 2021 et devraient augmenter de 120,8 milliards de dollars en 2023.
  • Létendue croissante des fonctionnalités avancées des appareils grand public alimente également le besoin dun traitement rapide et en temps réel. De plus, avec lavènement de lIoT, des fonctionnalités telles que lIA, lanalyse des données, le transfert et le traitement des données en temps réel deviennent une nécessité fondamentale pour tout appareil avancé, créant ainsi une énorme opportunité pour les fournisseurs du marché étudié. En outre, TSMC a présenté sa prochaine technologie de processus de fabrication lors du Symposium technologique nord-américain 2022 de l'entreprise, le point culminant étant les détails de son nœud 2 nm de nouvelle génération, connu en interne sous le nom de N2. Lentreprise entrera en production avec le nœud 3 nm fin 2022.
  • De plus, en avril 2022, des scientifiques ont créé ce quils pensent être le premier transistor magnétoélectrique qui pourrait contribuer à rendre lélectronique plus économe en énergie. En plus de réduire la consommation d'énergie de tout système microélectronique qui l'intègre, la conception de l'équipe pourrait réduire le nombre de transistors nécessaires au stockage de données spécifiques jusqu'à 75 %, conduisant à des appareils plus petits. Il pourrait également prêter à ces microélectroniques une mémoire à piège en acier qui se souvient exactement de l'endroit où leurs utilisateurs s'arrêtent, même après un arrêt ou une coupure brusque de courant.
  • En outre, de nombreux acteurs du marché sorientent vers lutilisation de nanofeuilles dans leur processus de fabrication. Par exemple, en juin 2022, le fabricant de puces taïwanais TSMC a révélé les détails de son très attendu nœud de processus de production en 2 nm – qui devrait arriver en 2025 – qui utilisera une architecture de transistors à nanofeuilles et des améliorations apportées à sa technologie 3 nm. Selon l'entreprise. Les nouvelles générations de puces semi-conductrices en silicium devraient augmenter la vitesse. Ils seront plus économes en énergie à mesure que les nœuds de processus rétrécissent et que l'industrie technologique continue de se battre pour s'accrocher à la loi de Moore.
  • De plus, Post Covid 19 affecte la capacité de production et de fabrication de lindustrie des semi-conducteurs et autres composants électroniques. Par exemple, en juin 2022, selon des sources de la presse chinoise, le lock-out d'Omicron à Shenzhen a contraint Huaqiangbei, l'un des plus grands marchés d'électronique au monde, à fermer à nouveau partiellement. Huaqiangbei, un centre de fourniture de semi-conducteurs, de téléphones portables et d'autres produits électroniques, est situé dans le district de Futian à Shenzhen. Selon le média financier Cailianshe, certains vendeurs de Huaqiangbei ont temporairement cessé leurs activités alors que Shenzhen a intensifié ses mesures pour contrôler la propagation du très contagieux Omicron Covid-19. Ces fournisseurs comprennent les premier et deuxième magasins de HuaqiangElectronics World.

Tendances du marché des transistors de nouvelle génération

Adoption croissante du transistor à haute mobilité électronique (HEMT)

  • Les transistors à haute mobilité électronique produisent un gain élevé, ce qui rend ces transistors très utiles comme amplificateurs. Ils peuvent changer rapidement de vitesse. Et des valeurs de bruit peu profondes sont produites car les variations de courant dans ces transistors sont relativement faibles.
  • De nombreuses entreprises développent des dispositifs HEMT fonctionnant à des fréquences plus élevées que les transistors conventionnels. Par exemple, en novembre 2022, Nanoscience Technology a annoncé un nouveau dispositif GaN HEMT en mode E à faible RDS(on) 650 V. Dans un boîtier DFN standard 8x8, les transistors de puissance INN650D080BS ont une résistance à l'état passant de 80 m (60 m typique), permettant des applications à puissance plus élevée telles que les architectures totem LLC ou les chargeurs de batterie rapides.
  • Par exemple, en septembre 2022, Ampleon a lancé un nouveau transistor GaN-SiC à haute mobilité électronique CLL3H0914L-700. Ce transistor GaN robuste est optimisé pour les exécutions de radar où une longue largeur d'impulsion et des cycles de service élevés sont nécessaires. Le transistor a été conçu pour atteindre plus de 700 W de puissance de sortie maximale à partir d'un seul transistor tout en fonctionnant à une tension de 50 V avec un rendement de pointe de plus de 70 %, et a également été développé thermiquement pour les applications à impulsions longues, telles que les largeurs d'impulsion (~ 2 millisecondes) et des cycles de service de 20 %.
  • De plus, la demande croissante délectronique grand public et lapplicabilité des transistors à haute mobilité électronique stimulent la croissance du marché. Selon l'IBEF, l'industrie indienne de l'électroménager et de l'électronique grand public s'élevait récemment à 9,84 milliards de dollars et devrait plus que doubler pour atteindre 1,48 lakh crore INR (21,18 milliards de dollars) d'ici 2025. De tels développements dans l'électronique grand public stimuleront davantage la croissance du marché étudié..
  • De plus, STMicroelectronics a récemment annoncé une nouvelle famille de composants GaN appelée STi2GaN, qui signifie ST Intelligent and Integrated GaN. Les pièces utilisent la technologie d'emballage sans fil de liaison de ST pour offrir robustesse et fiabilité. La nouvelle famille de produits vise à tirer parti de la densité de puissance élevée et de l'efficacité du GaN pour offrir une gamme de dispositifs à transistors à haute mobilité électronique (HEMT) de 100 et 650 V.
Marché des transistors de nouvelle génération – Revenus de lindustrie de la fabrication de diodes, de transistors et de dispositifs semi-conducteurs, en milliards USD, Corée du Sud, 2020-2024

LAsie-Pacifique connaîtra une croissance significative du marché

  • La région Asie-Pacifique est une plaque tournante de l'électronique avec des milliards d'appareils électroniques fabriqués chaque année pour la consommation, en particulier dans cette région. Cependant, la région Asie-Pacifique joue un rôle important dans lexportation de composants électroniques à travers le monde. La croissance rapide du marché de lélectronique grand public dans cette région est le facteur de croissance clé pour la région Asie-Pacifique sur le marché mondial des transistors de nouvelle génération.
  • En outre, les économies en développement de la région, comme la Chine et le Japon, disposent dimmenses bases de fabrication de produits électroniques et ont le potentiel de devenir des acteurs importants sur le marché des transistors. De plus, les téléphones de nouvelle génération seraient entièrement axés sur lamélioration des performances des téléphones dotés de meilleures spécifications. L'intégration d'un plus grand nombre de transistors devrait permettre d'obtenir des téléphones plus petits avec un traitement plus rapide, ce qui répond parfaitement aux besoins des consommateurs. Selon l'IBEF, les expéditions de smartphones fabriqués en Inde ont augmenté de 7 % en glissement annuel au premier trimestre 2022 pour atteindre plus de 48 millions d'unités, tandis que plus de 190 millions de smartphones fabriqués en Inde ont été expédiés.
  • Selon l'IBEF, la politique nationale en matière d'électronique 2019 vise la production d'un milliard de téléphones mobiles d'une valeur de 190 milliards de dollars d'ici 2025, dont 600 millions de téléphones, d'une valeur de 100 milliards de dollars, devraient être exportés.
  • En outre, la Chine a fait de la croissance de son industrie des semi-conducteurs un élément clé de son programme Made in China 2025 pour remédier à cette situation. La Chine a lintention daugmenter sa part de marché dans lélectronique tout en permettant à la production locale de puces de répondre à 80 % de la demande intérieure pour les nombreux smartphones, PC et autres appareils que ses 1,4 milliard de citoyens utilisent quotidiennement. Tous ces éléments devraient soutenir lexpansion du marché.
  • De plus, la région compte plusieurs acteurs sur le marché des semi-conducteurs, comme Samsung, Intel et TSMC. Ces entreprises ont reconnu quà partir de 2023, la production de dispositifs logiques utilisant les générations technologiques 3 nm ou 2 nm passera progressivement des architectures de transistor FinFET aux architectures de type nanofeuille.
  • Par ailleurs, en avril 2022, le troisième plus grand conglomérat de Corée du Sud, SK Group, va acquérir Yes Powertechnix, le seul fabricant national de semi-conducteurs de puissance basés sur un composant de silicium et de carbure (SiC), qui émergent comme un composant clé du marché. véhicules électriques, dans le cadre d'un effort à l'échelle du groupe visant à renforcer son activité liée aux batteries. SK Inc. a annoncé qu'elle achèterait des droits de gestion ainsi qu'un montant supplémentaire de 120 milliards KRW (95 millions USD) pour acquérir 95,8 % de Yes Powertechnix. En outre, l'entreprise a récemment investi 26,8 milliards KRW pour acquérir une participation de 33,6 % dans Yes Powertechnix. Un tel développement pourrait alimenter la demande de la région.
Marché des transistors de nouvelle génération – Taux de croissance par région

Aperçu du marché des transistors de nouvelle génération

Le marché des transistors de nouvelle génération est très concurrentiel. Lindustrie des semi-conducteurs elle-même traverse une phase de spécialisation. Historiquement, lindustrie sest concentrée sur la production de puces informatiques capables de remplir plusieurs fonctions généralisées. Ces puces étaient liées les unes aux autres dans une certaine mesure. Mais aujourdhui, les applications des semi-conducteurs sont plus nuancées et différenciées, conduisant à la prolifération dacteurs de niche possédant une expertise spécialisée dans divers secteurs verticaux. De plus, dans cette industrie, de nombreux acteurs externalisent leurs fonctionnalités, à l'exception de quelques acteurs majeurs comme Intel, qui conçoivent, fabriquent et fabriquent des produits semi-conducteurs. Cela rend le secteur profondément connecté aux chaînes dapprovisionnement mondiales et a rendu cette industrie extrêmement compétitive et profondément collaborative.

  • Juin 2022 – GaN Systems, l'acteur multinational des semi-conducteurs de puissance GaN (nitrure de gallium), a introduit un nouveau transistor dans le portefeuille le plus large de transistors de puissance GaN du secteur. Le GS-065-018-2-L élargit la gamme de transistors hautes performances et à faible coût de l'entreprise et présente une résistance à l'état passant plus faible, une robustesse et des performances thermiques améliorées, ainsi qu'une valeur nominale VDS (transitoire) de 850 V.

Leaders du marché des transistors de nouvelle génération

  1. NXP Semiconductors N.V.

  2. Infineon Technologies AG

  3. STMicroelectronics N.V.

  4. Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.)

  5. Texas Instruments Incorporated

*Avis de non-responsabilité : les principaux acteurs sont triés sans ordre particulier

Concentration du marché des transistors de nouvelle génération
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Actualités du marché des transistors de nouvelle génération

  • Septembre 2022 - EPC Power Conversion Corporation a annoncé l'EPC2050, un transistor GaN de 350 V avec un RDS(on) maximum de 80 mΩ et un courant de sortie pulsé de 26 A. L'EPC2050 ne mesure que 1,95 mm x 1,95 mm, ce qui en fait des solutions basées sur l'EPC2050. dix fois plus petit que les solutions utilisant des dispositifs en silicium équivalents.
  • Juillet 2022 – Magnachip Semiconductor Corporation a annoncé que la société a dévoilé un nouveau transistor à effet de champ (MOSFET) métal-oxyde-semiconducteur 24 V pour les batteries d'écouteurs sans fil. Le nouveau MOSFET 24 V répond à l'objectif des concepteurs de batteries d'étendre la durée de vie de la batterie après une charge rapide en réduisant la perte de conduction. La densité des cellules centrales de ce nouveau produit a été augmentée de 30% par rapport à la version précédente, tandis que la conception de la cellule centrale, des terminaisons et des plots sources a été améliorée pour réduire le RDS(on) de 24%.
  • Mars 2022 – NXP Semiconductors a annoncé de nouveaux transistors de puissance RF GaN pour les systèmes d'antenne active 32T32R utilisant sa technologie propriétaire de nitrure de gallium (GaN) la plus délinquante. Cette série unique complète le portefeuille existant de NXP de solutions d'amplificateurs de puissance GaN discrets pour les radios 64T64R, protégeant toutes les bandes de fréquences cellulaires de 2,3 GHz à 4,0 GHz.

Rapport sur le marché des transistors de nouvelle génération – Table des matières

  1. 1. INTRODUCTION

    1. 1.1 Livrables de l’étude

      1. 1.2 Hypothèses de l'étude

        1. 1.3 Portée de l'étude

        2. 2. MÉTHODOLOGIE DE RECHERCHE

          1. 3. RÉSUMÉ EXÉCUTIF

            1. 4. DYNAMIQUE DU MARCHÉ

              1. 4.1 Aperçu du marché

                1. 4.2 Introduction à la dynamique du marché

                  1. 4.3 Facteurs de marché

                    1. 4.3.1 Les progrès technologiques conduisent à une demande d’augmentation des densités d’appareils

                      1. 4.3.2 Prolifération de l’électronique grand public

                      2. 4.4 Restrictions du marché

                        1. 4.4.1 Le coût du maintien de la loi de Moore augmente avec de faibles rendements

                        2. 4.5 Analyse de la chaîne de valeur de l'industrie

                          1. 4.6 Attractivité de l'industrie - Analyse des cinq forces de Porter

                            1. 4.6.1 La menace de nouveaux participants

                              1. 4.6.2 Le pouvoir de négociation des acheteurs

                                1. 4.6.3 Pouvoir de négociation des fournisseurs

                                  1. 4.6.4 Menace des produits de substitution

                                    1. 4.6.5 Intensité de la rivalité concurrentielle

                                  2. 5. SEGMENTATION DU MARCHÉ

                                    1. 5.1 Par type

                                      1. 5.1.1 Transistor à haute mobilité électronique (HEMT)

                                        1. 5.1.2 Transistor à jonction bipolaire (BJT)

                                          1. 5.1.3 Transistors à effet de champ (FET)

                                            1. 5.1.4 Transistor à émetteurs multiples (MET)

                                              1. 5.1.5 Transistor efficace sur le terrain à semi-conducteur à oxyde métallique à double porte

                                              2. 5.2 Par secteur d'activité des utilisateurs finaux

                                                1. 5.2.1 Aérospatial et Défense

                                                  1. 5.2.2 Industriel

                                                    1. 5.2.3 Télécommunications

                                                      1. 5.2.4 Electronique grand public

                                                      2. 5.3 Par géographie

                                                        1. 5.3.1 Amérique du Nord

                                                          1. 5.3.2 L'Europe

                                                            1. 5.3.3 Asie-Pacifique

                                                              1. 5.3.4 l'Amérique latine

                                                                1. 5.3.5 Moyen-Orient et Afrique

                                                              2. 6. PAYSAGE CONCURRENTIEL

                                                                1. 6.1 Profils d'entreprise

                                                                  1. 6.1.1 NXP Semiconductors N.V.

                                                                    1. 6.1.2 Infineon Technologies AG

                                                                      1. 6.1.3 STMicroelectronics N.V.

                                                                        1. 6.1.4 Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.)

                                                                          1. 6.1.5 Texas Instruments Incorporated

                                                                            1. 6.1.6 Intel Corporation

                                                                              1. 6.1.7 GLOBALFOUNDRIES Inc.

                                                                                1. 6.1.8 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company

                                                                                  1. 6.1.9 Samsung Electronics Co., Ltd

                                                                                    1. 6.1.10 Microchip Technology Inc.

                                                                                  2. 7. ANALYSE D'INVESTISSEMENT

                                                                                    1. 8. AVENIR DU MARCHÉ

                                                                                      bookmark Vous pouvez acheter des parties de ce rapport. Consultez les prix pour des sections spécifiques
                                                                                      Obtenir la rupture de prix maintenant

                                                                                      Segmentation de lindustrie des transistors de nouvelle génération

                                                                                      Un transistor est un dispositif semi-conducteur qui amplifie ou commute les signaux électriques et l'alimentation. Le transistor est lun des éléments de base de lélectronique moderne. Létude analyse le marché de différents types de transistors qui évoluent et utilisent des matériaux émergents autres que le silicium dans leur processus de fabrication.

                                                                                      Le marché des transistors de nouvelle génération est segmenté par type (transistor à haute mobilité électronique (HEMT), transistor à jonction bipolaire (BJT), transistors à effet de champ (FET), transistor à émetteurs multiples (MET), transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique à double grille), Industrie de l'utilisateur final (aérospatiale et défense, industrie, télécommunications, électronique grand public) et géographie. Les tailles et prévisions du marché sont fournies en termes de valeur (en millions de dollars) pour tous les segments ci-dessus. Limpact du Covid-19 sur le marché et ses composants impactés sont également couverts dans le cadre de létude. En outre, la perturbation des facteurs affectant lexpansion du marché a été couverte dans lenquête sur les facteurs déterminants et les contraintes.

                                                                                      Par type
                                                                                      Transistor à haute mobilité électronique (HEMT)
                                                                                      Transistor à jonction bipolaire (BJT)
                                                                                      Transistors à effet de champ (FET)
                                                                                      Transistor à émetteurs multiples (MET)
                                                                                      Transistor efficace sur le terrain à semi-conducteur à oxyde métallique à double porte
                                                                                      Par secteur d'activité des utilisateurs finaux
                                                                                      Aérospatial et Défense
                                                                                      Industriel
                                                                                      Télécommunications
                                                                                      Electronique grand public
                                                                                      Par géographie
                                                                                      Amérique du Nord
                                                                                      L'Europe
                                                                                      Asie-Pacifique
                                                                                      l'Amérique latine
                                                                                      Moyen-Orient et Afrique

                                                                                      FAQ sur les études de marché sur les transistors de nouvelle génération

                                                                                      Le marché des transistors de nouvelle génération devrait enregistrer un TCAC de 4 % au cours de la période de prévision (2024-2029)

                                                                                      NXP Semiconductors N.V., Infineon Technologies AG, STMicroelectronics N.V., Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.), Texas Instruments Incorporated sont les principales sociétés opérant sur le marché des transistors de nouvelle génération.

                                                                                      On estime que lAsie-Pacifique connaîtra la croissance du TCAC le plus élevé au cours de la période de prévision (2024-2029).

                                                                                      En 2024, lAmérique du Nord représente la plus grande part de marché sur le marché des transistors de nouvelle génération.

                                                                                      Le rapport couvre la taille historique du marché des transistors de nouvelle génération pour les années  2019, 2020, 2021, 2022 et 2023. Le rapport prévoit également la taille du marché des transistors de nouvelle génération pour les années  2024, 2025, 2026, 2027, 2028 et 2029..

                                                                                      Rapport sur l'industrie des transistors de nouvelle génération

                                                                                      Statistiques sur la part de marché, la taille et le taux de croissance des revenus des transistors de nouvelle génération 2024, créées par Mordor Intelligence™ Industry Reports. Lanalyse des transistors de nouvelle génération comprend des perspectives de marché jusquen 2029 et un aperçu historique. Obtenez un échantillon de cette analyse de lindustrie sous forme de rapport PDF gratuit à télécharger.

                                                                                      close-icon
                                                                                      80% de nos clients recherchent des rapports sur mesure. Comment voulez-vous que nous adaptions le vôtre?

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