| Período de Estudio | 2019 - 2029 |
| Año Base Para Estimación | 2023 |
| CAGR | 6.75% |
| Mercado de Crecimiento Más Rápido | Asia-Pacífico |
| Mercado Más Grande | América del Norte |
| Concentración del Mercado | Bajo |
Jugadores principales*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial |
Análisis de mercado de transistores de potencia de RF y microondas
Se espera que el mercado de transistores de potencia de RF y microondas crezca a una CAGR del 6,75 % durante el período de pronóstico (2022-2027). Los transistores de RF se utilizan en dispositivos como amplificadores estéreo, transmisores de radio, monitores de televisión, etc., para manejar señales de radiofrecuencia (RF) de alta potencia. En aplicaciones como el radar, las telecomunicaciones y la tecnología inalámbrica, los transistores de RF y microondas se utilizan para amplificar o conmutar las señales electrónicas y la energía. Estos transistores juegan un papel en el buen funcionamiento de los dispositivos.
Los principales impulsores del mercado global de transistores de potencia de RF / microondas para 5G incluyen el aumento de la demanda, el aumento de la inversión en investigación y desarrollo y la rápida aprobación de nuevas tecnologías. El transistor de potencia de microondas RF amplifica o conmuta señales de alta potencia en la industria aeroespacial y militar. Los sistemas de radar, los sistemas de comunicación, los sistemas de guerra electrónica y los sistemas de guía de misiles lo emplean como transmisor o receptor. El transistor de potencia de microondas RF aumenta la eficiencia al tiempo que reduce el tamaño y el peso en estos sistemas.
En la comunicación, el transistor de potencia de microondas RF se utiliza para amplificar o cambiar la potencia de la transmisión de microondas. También se puede utilizar para controlar la dirección de la señal y como amplificador u oscilador. También se puede utilizar como dispositivo de conmutación para dirigir señales entre diferentes áreas de un circuito. El transistor de potencia de microondas RF es un componente importante en el diseño de sistemas de microondas.
Debido al reciente aumento de la velocidad y la capacidad de la información, la salida de los módulos semiconductores de alta potencia utilizados en la comunicación de la información y los campos de energía, así como el número de chips semiconductores montados por unidad de área, están aumentando, y el sobrecalentamiento se ha convertido en un problema importante. Con el fin de producir características de alta conductividad térmica y baja expansión térmica, los materiales compuestos de metal y diamante están atrayendo la atención.
The Good System ha logrado producir los mejores atributos de disipación de calor del mundo, con una conductividad térmica de clase 800W/mK y un coeficiente de expansión térmica de 8PPM, como material de disipación de calor para transistores de potencia de radiofrecuencia (RF) para comunicación inalámbrica 56G y transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de alta potencia para vehículos eléctricos.
Además, la pandemia de covid-19 afectó significativamente al mercado de transistores de potencia. Debido a la desaceleración y la falta de disponibilidad de mano de obra en todo el mundo, las instalaciones de fabricación de semiconductores y productos electrónicos se paralizaron. El COVID-19 provocó una caída importante y sostenida en la utilización de las fábricas, prohibiciones de viaje y cierres de sitios de producción, lo que resultó en una desaceleración en el crecimiento de la industria de transmisión de energía.
Tendencias del mercado de transistores de potencia de RF y microondas
Se espera que el sector de la comunicación impulse el mercado
Según lo declarado por Ericsson, se prevé que 5G sea la tecnología de comunicación móvil más ampliamente implementada en la historia, cubriendo aproximadamente el 75% de la población mundial para 2027.
Se analiza que el mercado de dispositivos habilitados para 5G crecerá rápidamente en los próximos años, debido al aumento de los requisitos de procesamiento de datos y el aumento del consumo. Para satisfacer la creciente demanda de dispositivos habilitados para 5G, los fabricantes de semiconductores para teléfonos inteligentes habilitados para 5G experimentarán una mayor demanda de chips 5G. El aumento de los chips semiconductores ayudará a avanzar en la industria de los semiconductores, impulsando la demanda de transistores de potencia.
Para la infraestructura 5G y 6G, RF GaN-on-Silicon tiene un potencial significativo. Los amplificadores de potencia de RF de primera generación estaban dominados por la tecnología de potencia de RF establecida a largo plazo, los semiconductores de óxido metálico difuso lateralmente (LDMOS) (PA). El GaN puede proporcionar características de RF mejoradas y una potencia de salida mucho mayor para estos PA de RF que los LDMOS. Además, se puede fabricar en obleas de silicio o carburo de silicio (SiC).
En diciembre de 2021, Microchip Technology Inc. agregó MMIC y transistores discretos adicionales a su cartera de dispositivos de potencia de radiofrecuencia (RF) de nitruro de galio (GaN), que abarcan frecuencias de hasta 20 gigahercios (GHz). Los dispositivos combinan una alta eficiencia de potencia agregada (PAE) y una alta linealidad para lograr nuevos niveles de rendimiento en una amplia gama de aplicaciones, incluidas 5G, guerra electrónica, comunicaciones satelitales, sistemas de radar comerciales y de defensa y equipos de prueba.
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Se espera que Asia-Pacífico registre la tasa de crecimiento más rápida
Asia-Pacífico es el área de más rápido crecimiento en el mercado mundial de transistores de potencia debido a la presencia de grandes empresas como Toshiba Corporation y Mitsubishi Electric Corporation. China, Japón, Taiwán y Corea del Sur se encuentran entre los pocos países que dominan la industria de fabricación de semiconductores, lo que afecta al mercado. La región también tiene un mercado importante para teléfonos inteligentes y tecnologías 5G y un aumento en los gastos de fabricación.
Debido a la continua transferencia de diversos equipos electrónicos a China, el consumo de semiconductores en Japón, Corea del Sur y China está aumentando rápidamente en comparación con otras naciones de la zona. Además, Asia alberga los cinco principales sectores de electrónica de consumo del mundo, lo que presenta enormes perspectivas para la adopción de semiconductores en toda la región en el período de pronóstico.
Según un plan de tres años publicado en julio de 2021 por diez entidades gubernamentales, China planeaba tener 560 millones de clientes móviles 5G para fines de 2023 y una tasa de penetración del 35 por ciento de la tecnología inalámbrica rápida entre las grandes empresas industriales. Afirmó que el uso de 5G en diversas industrias es importante para impulsar la transformación digital, en red e inteligente de la economía y la sociedad.
El mercado de semiconductores en Taiwán también está creciendo debido al apoyo del gobierno. En abril de 2021, el Fondo Nacional de Desarrollo anunció que entre 2021 y 2025, las empresas de Taiwán planearon una inversión de USD 107 mil millones para el crecimiento de la industria de semiconductores. El gobierno también está ayudando en el desarrollo de nuevas tecnologías de semiconductores con apoyo financiero, así como programas de reclutamiento de talentos.
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Visión general de la industria de transistores de potencia de RF y microondas
El mercado de transistores de potencia de RF y microondas es un mercado altamente competitivo debido a la presencia de actores importantes como Onsemi Corporation, Renesas Electronics Corporation, Infineon Technologies AG, Texas Instruments Inc., NXP Semiconductors NV, STMicroelectronics NV, Mitsubishi Electric Corporation, Linear Integrated Systems Inc. y Toshiba Corporation.
Mayo de 2022 - STMicroelectronics y MACOM Technology Solutions Holdings Inc. anunciaron que se habían producido con éxito prototipos de nitruro de galio sobre si (RF GaN-on-Si) por radiofrecuencia. ST y MACOM continuarán colaborando y fortaleciendo la relación como resultado de este logro.
Julio de 2021 - STMicroelectronics amplió la familia STPOWER de transistores de potencia RF LDMOS con una serie de productos adicionales. Se han desarrollado tres series de productos de transistores para amplificadores de potencia (PA) de RF en una variedad de aplicaciones industriales y comerciales. Los dispositivos LDMOS de RF de la compañía combinan una longitud de canal de conducción corta con un alto voltaje de ruptura, lo que ofrece una alta eficiencia y una baja resistencia térmica, a la vez que están empaquetados para soportar una alta potencia de RF.
Líderes del mercado de transistores de potencia de RF y microondas
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Infineon Technologies AG
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Renesas Electronics Corporation
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NXP Semiconductors N.V
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ST Microelectronics
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Microchip Technology Inc.
- *Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial
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Noticias del mercado de transistores de potencia de RF y microondas
Marzo de 2022 - NXP lanzó la familia de soluciones discretas 32T32R, que está destinada a permitir radios 5G más pequeñas y livianas para una implementación más fácil en ubicaciones urbanas y suburbanas. Las soluciones discretas de potencia de RF para los sistemas de antenas activas 32T32R se basan en la última tecnología patentada de nitruro de galio (GaN) de la compañía y complementan la cartera de productos de amplificadores de potencia de GaN. En comparación con las soluciones 64T64R, las soluciones de la compañía proporcionan el doble de potencia, lo que da como resultado una solución de conexión 5G general más liviana y pequeña. Los operadores de red pueden escalar rápidamente a través de los niveles de frecuencia y potencia debido a esta compatibilidad de pines.
Julio de 2021 - Integra, uno de los principales proveedores de soluciones innovadoras de energía de RF y microondas, lanzó una tecnología de GaN/SiC de RF de 100 V con aplicaciones en radar, aviónica, guerra electrónica, sistemas industriales, científicos y médicos. Este dispositivo supera las limitaciones de rendimiento de potencia de RF al generar 3,6 kilovatios (kW) de potencia de salida en un solo transistor GaN mientras funciona a 100 V.
Segmentación de la industria de transistores de potencia de RF y microondas
El transistor de potencia es un componente esencial en el sector de la comunicación. Mejora el rendimiento y la facilidad de uso de estos dispositivos al aumentar la eficiencia energética, reducir el tamaño y el costo del sistema, permitir diseños más pequeños y elegantes y agregar nuevas capacidades, como la calidad de audio de nivel profesional. El mercado está segmentado por tipo (LDMOS, GaN, GaAs y otros), aplicación (comunicación, industrial, aeroespacial y defensa, y otros) y geografía.
| Por tipo | LDMOS |
| GaN | |
| GaAs | |
| Otros (GaN-on-Si) | |
| Por aplicación | Comunicación |
| Industrial | |
| Aeroespacial y Defensa | |
| Otros (científicos, médicos) | |
| Geografía | América del norte |
| Europa | |
| Asia-Pacífico | |
| América Latina | |
| Medio Oriente y África |
Por tipo
| LDMOS |
| GaN |
| GaAs |
| Otros (GaN-on-Si) |
Por aplicación
| Comunicación |
| Industrial |
| Aeroespacial y Defensa |
| Otros (científicos, médicos) |
Geografía
| América del norte |
| Europa |
| Asia-Pacífico |
| América Latina |
| Medio Oriente y África |
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Preguntas frecuentes sobre la investigación de mercado de transistores de potencia de RF y microondas
¿Cuál es el tamaño actual del mercado global de transistores de potencia de RF y microondas?
Se proyecta que el mercado global de transistores de potencia de RF y microondas registre una CAGR del 6,75 % durante el período de pronóstico (2024-2029)
¿Quiénes son los actores clave en el mercado global de transistores de potencia de RF y microondas?
Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V, ST Microelectronics, Microchip Technology Inc. son las principales empresas que operan en el mercado global de transistores de potencia de RF y microondas.
¿Cuál es la región de más rápido crecimiento en el mercado global de transistores de potencia de RF y microondas?
Se estima que Asia-Pacífico crecerá a la CAGR más alta durante el período de pronóstico (2024-2029).
¿Qué región tiene la mayor participación en el mercado global de transistores de potencia de RF y microondas?
En 2024, América del Norte representa la mayor participación de mercado en el mercado global de transistores de potencia de microondas y RF.
¿Qué años cubre este mercado global de transistores de potencia de RF y microondas?
El informe cubre el tamaño histórico del mercado global de transistores de potencia de RF y microondas durante años 2019, 2020, 2021, 2022 y 2023. El informe también pronostica el tamaño del mercado global de transistores de potencia de RF y microondas para los años 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 y 2029.
Última actualización de la página el:
Informe global de la industria de transistores de potencia de RF y microondas
Estadísticas para la cuota de mercado, el tamaño y la tasa de crecimiento de ingresos de Transistores de potencia de microondas y RF globales de 2024, creadas por Mordor Intelligence™ Industry Reports. El análisis global de transistores de potencia de RF y microondas incluye una perspectiva de pronóstico del mercado hasta 2029 y una descripción histórica. Obtenga una muestra de este análisis de la industria como descarga gratuita del informe en PDF.
