Объем рынка силовых транзисторов в Европе

Обзор рынка силовых транзисторов в Европе
Изображение © Mordor Intelligence. Повторное использование требует указания авторства в соответствии с CC BY 4.0.

Анализ рынка силовых транзисторов в Европе

Европейский рынок силовых транзисторов оценивался в 3 973,64 млн. долларов США и, как ожидается, будет демонстрировать среднегодовой темп роста 3,3% в течение прогнозируемого периода и составит 4828,258 млн. долларов США к концу прогнозного периода.

  • Ожидается, что рост спроса на подключенные устройства окажет значительное влияние на рост мирового рынка силовых транзисторов в течение прогнозируемого периода. Силовые транзисторы способствуют быстрому отводу тепла, предотвращают перегрев, снижают выбросы углекислого газа и экономят затраты на электроэнергию.
  • По оценкам Cisco, количество сетевых устройств в Центральной и Восточной Европе, по оценкам, увеличится с 1,2 млрд в 2018 году до 2,0 млрд к 2023 году. К 2023 году в Центральной и Восточной Европе на человека будет приходиться 4,0 сетевых устройства по сравнению с 2,5 в 2018 году.
  • Силовые транзисторы обычно используются в автомобильной промышленности из-за их способности эффективно справляться с высокими уровнями напряжения и тока. Они используются в различных областях автомобиля, в том числе в системах управления двигателем, трансмиссии, управлении питанием, аккумуляторной батареей и системах освещения.
  • Автомобильные силовые транзисторы разработаны с учетом строгих требований к надежности, долговечности и безопасности. Они используются в цепях управления двигателем для регулирования скорости двигателя. Они также используются в электрических и гибридных транспортных средствах для управления двигателем, используемым для движения. Силовые транзисторы используются в системах управления батареями для контроля состояния батареи и состояния зарядки, для управления током зарядки, а также в системах автоматических трансмиссий для управления переключением передач.
  • Дополнительные факторы, которые, как ожидается, будут стимулировать исследуемый рынок, включают безопасность, информационно-развлекательную систему, навигацию и топливную экономичность в автомобильных компонентах, а также безопасность, автоматизацию, твердотельное освещение, транспорт и управление энергопотреблением в промышленных компонентах. Например, ожидается, что биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), ключевой элемент системы силовой электроники электромобилей, будет пользоваться большим спросом по мере увеличения продаж электромобилей во всем мире.
  • По данным Федерального управления автомобильного транспорта, в Германии в 2020 году было электрифицировано 1,2% всех легковых автомобилей (аккумуляторные электромобили (BEV) и подключаемые гибридные электромобили (PHEV)). В прогнозе указано, что к 2030 году доля увеличится до 24,4% или свыше 11,55 млн автомобилей. Такой рост числа электромобилей (EV) будет стимулировать рынок.
  • В регионе также наблюдается ряд инноваций, отвечающих сложным запросам потребителей. Так, в июне 2022 года учеными Дрезденского интегрированного центра прикладной физики и фотонных материалов (IAPP) в Германии был создан первый высокоэффективный вертикальный биполярный органический транзистор, что открыло путь к созданию адаптируемых органических логических систем. За последние 20 лет были созданы органические полевые транзисторы (FET) для таких применений, как драйверы экранов; Однако из-за плохой подвижности носителей заряда они могут работать только в диапазоне низких и средних мегагерц. Биполярный переходный транзистор, с другой стороны, обеспечивает низкую емкость и контактное сопротивление, но сталкивается с трудностями при миниатюризации и интеграции процесса.
  • С другой стороны, технология силовых транзисторов сталкивается с рядом проблем. Некоторые из этих проблем связаны с производительностью устройства, например, с повышением эффективности и плотности мощности. Другие проблемы связаны с надежностью устройства, например, с повышением риска теплового напряжения и повышением надежности при высоких напряжениях. Силовые транзисторы выделяют много тепла во время работы, что может вызвать проблемы с надежностью и ограничить удельную мощность устройств. Улучшение управления температурным режимом силовых транзисторов является важной задачей.
  • Кроме того, вспышка COVID-19 повлияла на производственные мощности автомобильной промышленности по всему миру. Вспышка COVID-19 в европейских странах повлияла на автомобильную промышленность региона. По данным Ассоциации производителей иностранных автомобилей и Национального профсоюза представителей транспортных средств по иностранным делам (UNRAE), вспышка COVID-19 и слабые экономические перспективы спровоцировали падение спроса в автомобильном секторе. Такие факторы могут сдерживать рост исследуемого рынка в регионе.

Обзор отрасли силовых транзисторов в Европе

Европейский рынок силовых транзисторов умеренно фрагментирован, с присутствием нескольких игроков, таких как Infineon Technologies, Renesas Electronics, Texas Instruments и т.д. Поскольку рынок отличается высокой конкуренцией, участники рынка постоянно стремятся внедрять передовые технологии и создавать инновационные комплексные продукты для удовлетворения растущих потребностей своих клиентов.

По данным компании, в марте 2023 года LITEON Technology выбрала высокоинтегрированный полевой транзистор (FET) на основе нитрида галлия (GaN) и C2000TM микроконтроллеров (MCU) реального времени для своего новейшего высокопроизводительного серверного блока питания (PSU) для североамериканского рынка. Недавно выпущенный в серийное производство блок питания, в котором используется LMG3522R030 GaN FET от TI и микроконтроллер реального времени TMS320F28003x C2000, имеет плотность мощности более 95 Вт/дюйм3 и соответствует критериям 80 Plus Titanium.

В апреле 2022 года Mitsubishi Electric объявила о своих планах в следующем месяце отправить образцы своего биполярного транзистора (IGBT) с изолированным затвором (IGBT) для промышленного использования. Ожидается, что модуль IGBT серии T типа LV100 уменьшит размер и энергопотребление преобразователей 1500 В для возобновляемых источников энергии с частотой переключения от 1 до 5 кГц. 1500 В — это верхний предел Директивы ЕС по низковольтному напряжению, которого может быть трудно достичь с устройствами на 1700 В. Образцы модулей имеют блокировочное напряжение 2,0 кВ для энергосистем большой мощности от нескольких сотен кВт до нескольких МВт.

Лидеры рынка силовых транзисторов в Европе

  1. Infineon Technologies AG

  2. Renesas Electronics Corporation

  3. Texas Instruments Inc.

  4. NXP Semiconductors N.V.

  5. Mitsubishi Electric Corporation

  6. *Отказ от ответственности: основные игроки отсортированы в произвольном порядке
Концентрация рынка силовых транзисторов в Европе
Изображение © Mordor Intelligence. Повторное использование требует указания авторства в соответствии с CC BY 4.0.
Нужны дополнительные сведения о игроках и конкурентах на рынке?
Скачать образец

Новости рынка силовых транзисторов в Европе

  • Март 2023 г. Корпорация Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation представила биполярный транзистор (IGBT) GT30J65MRB с дискретным изолированным затвором (IGBT) напряжением 650 В для схем коррекции коэффициента мощности (PFC) в кондиционерах и крупных источниках питания для промышленного оборудования. Компания Toshiba внедрила новейший метод в свой новый IGBT. Оптимизированная траншейная структура обеспечивает лучшие в отрасли низкие потери при переключении (потери при выключении) 0,35 мДж, что примерно на 42% ниже, чем у предыдущего продукта от Toshiba, GT50JR22. Новый IGBT также включает в себя диод с прямым напряжением 1,20 В, что примерно на 43% ниже, чем у GT50JR22.
  • Январь 2023 г. NXP представила MMRF5018HS 125 Вт CW GaN на силовом ВЧ транзисторе SiC. MMRF5018HS содержится в керамическом корпусе с воздушной полостью NI-400HS с низким Rth. MMRF5018HS подходит для непрерывных, импульсных и широкополосных ВЧ-приложений благодаря высокому коэффициенту усиления и надежности. Многооктавные широкополосные характеристики MMRF5018HS оптимизированы для приложений в диапазоне 1–2700 МГц. Тепловые характеристики становятся важным фактором в том, как отводить тепло при работе в такой широкой полосе пропускания и на высокой мощности. Благодаря низкому тепловому сопротивлению 1,21 °C/W (расчетное FEA) тепловое сопротивление от канала к корпусу при 90 °C и рассеиваемом давлении 109 Вт NXP продолжает укреплять наш портфель широкополосных GaN-компонентов.

Table of Contents

1. ВВЕДЕНИЕ

  • 1.1 Допущения исследования и определение рынка
  • 1.2 Объем исследования

2. МЕТОДОЛОГИЯ ИССЛЕДОВАНИЯ

3. УПРАВЛЯЮЩЕЕ РЕЗЮМЕ

4. РЫНОЧНАЯ ИНФОРМАЦИЯ

  • 4.1 Обзор рынка
  • 4.2 Привлекательность отрасли: анализ пяти сил Портера
    • 4.2.1 Рыночная власть поставщиков
    • 4.2.2 Переговорная сила покупателей
    • 4.2.3 Угроза новых участников
    • 4.2.4 Интенсивность конкурентного соперничества
    • 4.2.5 Угроза заменителей
  • 4.3 Технологические тенденции
  • 4.4 Анализ цепочки создания стоимости
  • 4.5 Оценка влияния COVID-19 на рынок

5. ДИНАМИКА РЫНКА

  • 5.1 Драйверы рынка
    • 5.1.1 Рост спроса на подключенные устройства
    • 5.1.2 Растущий спрос на энергоэффективные электронные устройства
  • 5.2 Рыночные ограничения
    • 5.2.1 Ограничения в работе из-за таких ограничений, как температура, частота, способность обратной блокировки и т. д.

6. СЕГМЕНАЦИЯ РЫНКА

  • 6.1 По продукту
    • 6.1.1 Низковольтные полевые транзисторы
    • 6.1.2 БТИЗ-модули
    • 6.1.3 ВЧ и СВЧ транзисторы
    • 6.1.4 Высоковольтные полевые транзисторы
    • 6.1.5 БТИЗ-транзисторы
  • 6.2 По типу
    • 6.2.1 Биполярный переходной транзистор
    • 6.2.2 Полевой транзистор
    • 6.2.3 Биполярный транзистор с гетеропереходом
    • 6.2.4 Другие типы (MOSFET, JFET, NPN-транзистор, PNP-транзистор, GaN-транзистор)
  • 6.3 Конечным пользователем
    • 6.3.1 Бытовая электроника
    • 6.3.2 Коммуникации и технологии
    • 6.3.3 Автомобильная промышленность
    • 6.3.4 Энергия и мощность
    • 6.3.5 Производство
    • 6.3.6 Другие отрасли конечных пользователей
  • 6.4 По географии
    • 6.4.1 Великобритания
    • 6.4.2 Германия
    • 6.4.3 Франция
    • 6.4.4 Италия
    • 6.4.5 Остальная Европа

7. КОНКУРЕНТНАЯ СРЕДА

  • 7.1 Профили компании
    • 7.1.1 Infineon Technologies AG
    • 7.1.2 Renesas Electronics Corporation
    • 7.1.3 Texas Instruments Inc.
    • 7.1.4 STMicroelectronics N.V.
    • 7.1.5 Mitsubishi Electric Corporation
    • 7.1.6 Toshiba Corporation
    • 7.1.7 Skyworks Solutions, Inc.
    • 7.1.8 ON Semiconductor
    • 7.1.9 NXP Semiconductors N.V.

8. ИНВЕСТИЦИОННЫЙ АНАЛИЗ

9. БУДУЩЕЕ РЫНКА

Вы можете приобрести части этого отчета. Проверьте цены для конкретных разделов
Получить разбивку цен прямо сейчас

Сегментация отрасли силовых транзисторов в Европе

Силовые транзисторы используются для усиления и регулирования сигналов. Они изготовлены из высокоэффективных полупроводниковых материалов, таких как германий и кремний. Эти транзисторы могут усиливать и регулировать определенный уровень напряжения и работать с определенными диапазонами номинального напряжения высокого и низкого уровня.

Европейский рынок силовых транзисторов сегментирован по продуктам (низковольтные полевые транзисторы, IGBT-модули, ВЧ- и СВЧ-транзисторы, высоковольтные транзисторы и транзисторы IGBT), по типу (транзистор с биполярным переходом, полевой транзистор, гетеропереходный биполярный транзистор и другие типы), по конечному пользователю (бытовая электроника, связь и технологии, автомобилестроение, производство, энергетика и энергетика и другие конечные пользователи) и географии (Великобритания, Германия, Франция, Италия, остальная Европа).

Объем рынка и прогнозы приведены в стоимостном выражении (млн. долл. США) по всем вышеперечисленным сегментам.

Нужен другой регион или сегмент?
Настроить сейчас

Часто задаваемые вопросы

Каков текущий объем рынка силовых транзисторов в Европе?

Прогнозируется, что среднегодовой темп роста рынка силовых транзисторов в Европе составит 3,30% в течение прогнозируемого периода (2024-2029 гг.)

Кто является ключевыми игроками на европейском рынке силовых транзисторов?

Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, Texas Instruments Inc., NXP Semiconductors N.V., Mitsubishi Electric Corporation являются основными компаниями, работающими на европейском рынке силовых транзисторов.

На какие годы распространяется этот европейский рынок силовых транзисторов?

Отчет охватывает исторический объем рынка силовых транзисторов в Европе за годы 2019, 2020, 2021, 2022 и 2023 годы. В отчете также прогнозируется объем рынка силовых транзисторов в Европе на годы 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 и 2029 годы.

Последнее обновление страницы:

Отчет об индустрии силовых транзисторов в Европе

Статистические данные о доле рынка силовых транзисторов в Европе в 2024 году, размере и темпах роста выручки, созданные Mordor Intelligence™ Industry Reports. Анализ европейских силовых транзисторов включает в себя прогноз рынка, перспективы и исторический обзор. Получить образец этого отраслевого анализа в виде бесплатного отчета для скачивания в формате PDF.