| Период исследования | 2019 - 2029 |
| Базовый Год Для Оценки | 2023 |
| Период Прогнозных Данных | 2024 - 2029 |
| Период Исторических Данных | 2019 - 2022 |
| CAGR | 3.50% |
| Концентрация Рынка | Низкий |
Ключевые игроки
*Отказ от ответственности: основные игроки отсортированы в произвольном порядке |
Анализ рынка силовых транзисторов в Японии
Японский рынок силовых транзисторов оценивался в 2 986,3 млн. долларов США в текущем году и, как ожидается, достигнет 3670,9 млн. долларов США к концу прогнозируемого периода, регистрируя среднегодовой темп роста 3,50% в течение прогнозируемого периода.
- Из-за пандемии в автомобильной промышленности наблюдался серьезный спад спроса, что привело к отрицательному росту в 2020 и 2021 годах. В начале пандемии многие автопроизводители установили агрессивные цели по сокращению затрат. Они объявили о сокращении капитальных расходов, чтобы оставаться прибыльными на фоне низкого объема производства и неопределенных перспектив спроса.
- Например, Toyota объявила о планах сократить мировое производство в сентябре 2021 года на 40% по сравнению с предыдущими планами, поскольку COVID-19 ограничил поставки полупроводников. В этом месяце компания объявила о приостановке работы нескольких японских заводов из-за нехватки запчастей в результате распространения COVID-19 в Юго-Восточной Азии.
- В Японии автомобильная промышленность составляет значительную долю от общего спроса на полупроводники в стране, став 5-м по величине автомобильным рынком в 2022 году, по данным Немецкой ассоциации автомобильной промышленности (VDA). Переход автомобильной промышленности от автомобилей, работающих на ископаемом топливе, к гибридным и электрическим транспортным средствам стимулирует спрос на силовые устройства.
- В соответствии с сотрудничеством, линия IGBT будет установлена на фабрике USJC, которая станет первой в Японии, производящей IGBT на 300-миллиметровых пластинах. Компания DENSO предоставит свои системно-ориентированные устройства и технологические процессы IGBT.
- В то же время USJC предоставит свои мощности по производству 300-миллиметровых пластин для запуска 300-миллиметрового процесса IGBT в массовое производство, начало которого запланировано на первую половину 2023 года. IGBT воспринимаются как основные устройства в платах питания, служащие эффективными силовыми переключателями в инверторах для преобразования постоянного и переменного тока для привода и управления двигателями электромобилей.
- Кроме того, в феврале 2022 года Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation объявила о строительстве нового завода по производству 300-миллиметровых пластин для силовых полупроводников, включая транзисторы, на предприятии Kaga Toshiba Electronics Corporation в префектуре Исикава, на своей основной базе по производству дискретных полупроводников. Ожидается, что строительство будет проходить в два этапа, а начало производства Фазы 1 запланировано на 2024 год. Когда Фаза 1 выйдет на полную мощность, производственные мощности Toshiba по производству силовых полупроводников будут в 2,5 раза больше, чем в 2021 финансовом году.
- Кроме того, в январе 2022 года Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation выпустила два сдвоенных модуля MOSFET из карбида кремния (SiC) MG600Q2YMS3 с номинальным напряжением 1200 В и номинальным током стока 600 А и MG400V2YMS3 с номинальным напряжением 1700 В и номинальным током стока 400 А. Первые продукты Toshiba с таким номинальным напряжением присоединились к ранее выпущенным MG800FXF2YMS3 в линейке устройств на 1200 В, 1700 В и 3300 В.
Тенденции рынка силовых транзисторов в Японии
Ожидается, что потребительская электроника займет значительную долю рынка
- Силовые транзисторы в первую очередь предназначены для быстрого переключения электрических токов при наименьших потерях при переключении. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) используются в различных приложениях бытовой электроники. Для больших применений, таких как кондиционеры, холодильники, стиральные машины, микроволновые печи, индукционные варочные панели и посудомоечные машины, подходят схемы на основе IGBT.
- В связи с растущим использованием инверторов в кондиционерах и необходимостью снижения энергопотребления в крупномасштабных источниках питания для бытовой техники, растет спрос на высокоэффективные коммутационные устройства в бытовой технике, потребляющей значительное количество электроэнергии. Потребность в IGBT растет из-за возросшего спроса на коммутационные устройства с малыми потерями и более высокие частоты коммутации в цепях PFC.
- Например, в марте 2023 года Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation представила GT30J65MRB — биполярный транзистор (IGBT) с дискретным изолированным затвором (IGBT) напряжением 650 В для схем коррекции коэффициента мощности (PFC) в кондиционерах и достаточных источниках питания для промышленного оборудования. GT30J65MRB от Toshiba — это первый IGBT для PFC, предназначенный для использования на частотах ниже 60 кГц. Это было достигнуто за счет снижения коммутационных потерь (потерь при выключении) для обеспечения работы на более высоких частотах.
- Кроме того, в домах часто используются электрические автоматические стиральные машины для стирки домашнего белья. Мощность, подаваемая силовым транзистором, может быть использована для управления скоростью двигателя и направлением вращения в стиральных машинах. Количество воды и крутящий момент двигателя можно регулировать в соответствии с загрузкой стирки благодаря инверторному управлению с помощью силовых транзисторов, что снижает шум и вибрацию при стирке/отжиме.
- Кроме того, большинство потребителей сегодня ищут расширенные функции, которые отвечают их потребностям в области здоровья и гигиены, но при этом являются энергоэффективными. Из-за всплеска спроса, вызванного недавней аномальной жарой, которая затронула многие регионы мира, и отложенным спросом предыдущих двух лет, на который повлияли локдауны, вызванные COVID-19, производители кондиционеров и холодильников увеличили производство до полной мощности. Ожидается, что увеличение продаж кондиционеров и холодильников подстегнет спрос на силовые транзисторы.
Чтобы понять ключевые тенденции, скачайте образец отчета
Скачать PDF
Ожидается, что автомобильный сектор будет драйвером рынка
- На автомобильную промышленность приходится значительная доля общего спроса на полупроводники в стране. Переход автомобильной промышленности от автомобилей, работающих на ископаемом топливе, к гибридным и электрическим транспортным средствам обуславливает высокий спрос на силовые транзисторы. Ведущие производители силовых транзисторов соревнуются в разработке более производительных устройств на основе новых материалов, таких как SiC и GaN.
- В апреле 2022 года DENSO Corporation, поставщик мобильных устройств, и United Semiconductor Japan Co., Ltd., дочерняя компания глобального полупроводникового литейного завода United Microelectronics Corporation, объявили, что компании договорились о сотрудничестве в производстве силовых полупроводников на 300-миллиметровом заводе USJC для удовлетворения растущего спроса на автомобильном рынке.
- Кроме того, в регионе продолжает развиваться научно-исследовательская деятельность, что будет способствовать развитию инноваций в области продукции. Например, в июле 2022 года США и Япония приняли решение о создании нового совместного международного исследовательского центра в области полупроводников. Они договорились работать над совместными исследованиями полупроводников следующего поколения, которые будут стимулировать исследуемый рынок в стране.
- В декабре 2022 года корпорация Nidec-Read объявила о выпуске NATS-1000, полностью автоматического встраиваемого оборудования для контроля полупроводников, для тестирования функций автомобильных модулей IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) / SiC (карбид кремния).
- Кроме того, в сентябре 2022 года компания onsemi, поставщик интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий, объявила о выпуске трех модулей силовых транзисторов на основе карбида кремния (SiC) в технологии трансферного формования, предназначенной для использования в бортовой зарядке и преобразовании постоянного постоянного тока высокого напряжения (HV) во всех типах электромобилей (xEV). Серия APM32 является первой в своем роде, в которой технология SiC используется в корпусе для трансферного формования для повышения эффективности и сокращения времени зарядки электромобилей, и специально разработана для мощных бортовых зарядных устройств (OBC) мощностью 11-22 кВт.
Чтобы понять тенденции в географии, скачайте образец отчета
Скачать PDF
Обзор отрасли силовых транзисторов в Японии
Японский рынок силовых транзисторов фрагментирован и, как ожидается, будет расти в конкурентной борьбе в течение прогнозируемого периода благодаря выходу на рынок нескольких ТНК. Поставщики сосредоточены на разработке индивидуальных портфелей решений для удовлетворения местных требований. Основными игроками, работающими на рынке, являются Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V., Texas Instruments Inc., STMicroelectronics N.V., Linear Integrated Systems Inc., Mitsubishi Electric Corporation и др.
В январе 2023 года компания Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation выпустила автомобильные 40-вольтовые N-канальные силовые МОП-транзисторы XPQR3004PB и XPQ1R004PB, в которых используется новый корпус L-TOGL (большие транзисторные контурные провода крыла чайки) и высокий номинальный ток стока при низком сопротивлении во включенном состоянии.
В июне 2022 года корпорация Mitsubishi Electric представила новый модуль IGBT для применения в крупномасштабных фотоэлектрических установках. Компания утверждает, что устройство помогает сократить количество инверторов, необходимых в подключенных к сети фотоэлектрических установках, обеспечивая при этом одновременную работу с высоким напряжением и низкие потери мощности.
Лидеры рынка силовых транзисторов в Японии
-
Champion Microelectronics Corporation
-
Fairchild Semiconductor International Inc.
-
Infineon Technologies AG
-
Renesas Electronics Corporation
-
NXP Semiconductors N.V.
- *Отказ от ответственности: основные игроки отсортированы в произвольном порядке
Нужны дополнительные сведения о игроках и конкурентах на рынке?
Скачать образец
Новости рынка силовых транзисторов в Японии
- Август 2022 г. Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation выпустила новые устройства питания в рамках серии TWxxNxxxC. Эта серия представляет собой третье поколение МОП-транзисторов из карбида кремния (SiC), которые могут обеспечить низкое сопротивление во включенном состоянии и значительно снизить потери при переключении.
- Февраль 2022 г. Vayyar Imaging, поставщик радаров 4D-визуализации, объявил об открытии нового офиса в Токио, Япония, поскольку компания активизирует свое передовое взаимодействие с ведущими предприятиями. VayyarImaging Japan LLC возглавит дальнейшую экспансию компании в Азиатско-Тихоокеанском регионе, в первую очередь в сфере ухода за пожилыми людьми и автомобильной промышленности.
Сегментация отрасли силовых транзисторов в Японии
Силовые транзисторы используются для усиления и регулирования сигналов. Они изготовлены из высокоэффективных полупроводниковых материалов, таких как германий и кремний. Эти транзисторы могут усиливать и контролировать определенный уровень напряжения и работать с определенными диапазонами номинального напряжения высокого и низкого уровня.
Исследование включает в себя различные продукты низковольтные полевые транзисторы, модули IGBT, радиочастотные и микроволновые транзисторы, высоковольтные полевые транзисторы, транзисторы IGBT, а также различные типы, такие как транзисторы с биполярным переходом, полевые транзисторы, гетеропереходные биполярные транзисторы для различных отраслей конечного пользователя, таких как бытовая электроника, связь и технологии, автомобилестроение, производство, энергетика и энергетика. Конкурентная среда учитывает проникновение на рынок нескольких компаний, а также их стратегии органического и неорганического роста. В исследовании также рассматривается влияние пандемии COVID-19 на рынок.
По всем вышеперечисленным сегментам представлены объемы рынка и прогнозы в стоимостном выражении (млн долл. США).
По продукту
| Низковольтные полевые транзисторы |
| БТИЗ-модули |
| ВЧ и СВЧ транзисторы |
| Высоковольтные полевые транзисторы |
| БТИЗ-транзисторы |
По типу
| Биполярный переходной транзистор |
| Полевой транзистор |
| Биполярный транзистор с гетеропереходом |
| Другие (MOSFET, JFET, NPN-транзистор, PNP-транзистор, GaN-транзистор) |
По отраслям конечных пользователей
| Бытовая электроника |
| Коммуникации и технологии |
| Автомобильная промышленность |
| Производство |
| Энергия и мощность |
| Другие отрасли конечных пользователей |
| По продукту | Низковольтные полевые транзисторы |
| БТИЗ-модули | |
| ВЧ и СВЧ транзисторы | |
| Высоковольтные полевые транзисторы | |
| БТИЗ-транзисторы | |
| По типу | Биполярный переходной транзистор |
| Полевой транзистор | |
| Биполярный транзистор с гетеропереходом | |
| Другие (MOSFET, JFET, NPN-транзистор, PNP-транзистор, GaN-транзистор) | |
| По отраслям конечных пользователей | Бытовая электроника |
| Коммуникации и технологии | |
| Автомобильная промышленность | |
| Производство | |
| Энергия и мощность | |
| Другие отрасли конечных пользователей |
Нужен другой регион или сегмент?
Настроить сейчас
Часто задаваемые вопросы
Каков текущий объем рынка силовых транзисторов в Японии?
Прогнозируется, что среднегодовой темп роста рынка силовых транзисторов в Японии составит 3,5% в течение прогнозируемого периода (2024-2029 гг.)
Кто является ключевыми игроками на рынке силовых транзисторов в Японии?
Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V. являются основными компаниями, работающими на японском рынке силовых транзисторов.
На какие годы распространяется этот рынок силовых транзисторов в Японии?
Отчет охватывает исторический объем рынка силовых транзисторов в Японии за годы 2019, 2020, 2021, 2022 и 2023 годы. В отчете также прогнозируется объем рынка силовых транзисторов в Японии на годы 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 и 2029 годы.
Последнее обновление страницы:
Отчет об индустрии силовых транзисторов в Японии
Статистические данные о доле рынка силовых транзисторов в Японии в 2024 году, размере и темпах роста выручки, подготовленные Mordor Intelligence™ Industry Reports. Анализ японских силовых транзисторов включает в себя прогноз рынка на 2024–2029 гг. и исторический обзор. Получить образец этого отраслевого анализа в виде бесплатного отчета для скачивания в формате PDF.
