Объем рынка силовых транзисторов в Северной и Южной Америке

Обзор рынка силовых транзисторов в Северной и Южной Америке
Изображение © Mordor Intelligence. Повторное использование требует указания авторства в соответствии с CC BY 4.0.

Анализ рынка силовых транзисторов в Северной и Южной Америке

Рынок силовых транзисторов в Северной и Южной Америке оценивался в 2 198,9 млн. долларов США в текущем году и, как ожидается, достигнет 2 880,1 млн. долларов США к концу прогнозируемого периода, регистрируя среднегодовой темп роста 4,60% в течение прогнозируемого периода.

  • COVID-19 оказал значительное влияние на рынок на начальном этапе. Нехватка рабочей силы повлияла на производственные мощности силовых транзисторов и рост рынка. Из-за вынужденного локдауна автопроизводители по всему миру сократили заказы, поскольку продажи автомобилей снизились. Однако в 2021 году многие ограничения в регионе были нормализованы, и спрос на силовые транзисторы пришел в норму. В ближайшие годы ожидается возобновление роста рынка в связи с усилением тенденций цифровизации, вызванных пандемией.
  • Силовые транзисторы, такие как полевые транзисторы (МОП-транзисторы) и биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT), помогают в быстром рассеивании тепла, предотвращают перегрев и минимизируют выбросы углекислого газа и затраты на электроэнергию. Эти преимущества делают их важнейшим компонентом некоторых электронных продуктов. В связи с ростом населения и использованием ископаемого топлива во всем мире растет спрос на энергоэффективные электронные устройства.
  • Повышенный спрос на МОП-транзисторы по сравнению с BJT обусловлен тем, что он генерирует значительно меньшие потери тепла при высоких токах, чем BJT. Кроме того, он имеет более высокую эффективность, чем другие устройства, что стимулирует спрос на МОП-транзисторы в силовой электронике. Поставщики сосредоточены на внедрении мощных и высокочастотных МОП-транзисторов для использования в силовой электронике, усилителях мощности и других.
  • Например, в июле 2022 года корпорация Mitsubishi Electric выпустила мощный кремниевый радиочастотный MOS-транзистор мощностью 50 Вт для использования в усилителях мощности коммерческих радиостанций. Кремниевый ВЧ мощный МОП-транзистор (RA50H7687M1) обеспечивает высокий общий КПД и непревзойденную выходную мощность для коммерческих радиостанций, хорошо подходящих для полосы частот 700 МГц. Предполагается, что это увеличит дальность связи и снизит энергопотребление радиостанций.
  • Кроме того, потеря мощности в обычных усилителях мощности создает спрос на радиочастотные (РЧ) мощные MOSFET-модули, которые предлагают встроенную схему согласования входного или выходного импеданса и проверенные характеристики выходной мощности. Ключевые вендоры, такие как Mitsubishi Electric, планируют расширить частотный диапазон, выпустив в следующем году модуль 900 МГц, оснащенный новым МОП-транзистором. По данным компании, модель с выходной мощностью 50 Вт в диапазоне от 763 МГц до 870 МГц и общим КПД 40% поможет снизить энергопотребление и увеличить дальность радиосвязи.
  • Более того, с ускорением рынка электромобилей (EV) в исследуемых регионах многие автопроизводители в настоящее время используют системы привода 800 В для повышения эффективности, достижения более быстрой зарядки и расширения ассортимента таких транспортных средств при одновременном снижении веса и стоимости. Устройства с широкой запрещенной зоной, такие как SiCMOSFET, помогают автопроизводителям совершенствовать современные силовые устройства для силовых агрегатов электромобилей и других приложений, где такие факторы важны.
  • Так, в декабре 2022 года компания STMicroelectronics выпустила новые модули большой мощности из карбида кремния (SiC), предназначенные для увеличения производительности и запаса хода электромобилей. Пять новых силовых модулей на основе SiC-MOSFET были выбраны Hyundai для использования в платформе электромобилей E-GMP, которую используют KIA EV6 и несколько моделей.
  • Кроме того, в сентябре 2022 года SemiQ объявила о выпуске своего силового переключателя 2-го поколения из карбида кремния, МОП-транзистора SiC 1200 В, 40 мОм, расширив свой портфель силовых устройств на основе карбида кремния. МОП-транзисторы на основе карбида кремния обеспечивают высокую эффективность высокопроизводительных приложений, включая электромобили и источники питания, и специально разработаны и протестированы для надежной работы в экстремальных условиях.

Обзор отрасли силовых транзисторов в Северной и Южной Америке

Рынок силовых транзисторов в Северной и Южной Америке фрагментирован и, как ожидается, будет расти в конкуренции в течение прогнозируемого периода благодаря выходу на рынок нескольких ТНК. Поставщики сосредоточены на разработке индивидуальных портфелей решений для удовлетворения местных требований. Основными игроками, работающими на рынке, являются Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V., Texas Instruments Inc., STMicroelectronics N.V., Linear Integrated Systems Inc., Mitsubishi Electric Corporation и др.

  • Февраль 2023 г. - Microchip Technology Inc. объявила о планах инвестировать 880 миллионов долларов США в течение следующих нескольких лет в увеличение производственных мощностей по производству карбида кремния (SiC) и кремния (Si) на своем производственном предприятии в Колорадо-Спрингс, штат Колорадо. Ожидается, что такие инвестиции увеличат возможности компании по расширению ассортимента МОП-транзисторов на основе карбида кремния.
  • Март 2022 г. - Microchip Technology Inc. объявила о расширении своего портфеля карбида кремния за счет выпуска МОП-транзисторов SiC с самым низким в отрасли сопротивлением [RDS(on)] 3,3 кВ и SBD из карбида кремния с самым высоким номинальным током, доступных на рынке. Ожидается, что с расширением портфеля SiC от Microchip разработчики получат инструменты для разработки более компактных, легких и эффективных решений для электрифицированного транспорта, возобновляемых источников энергии, аэрокосмической и промышленной промышленности.

Лидеры рынка силовых транзисторов в Северной и Южной Америке

  1. Champion Microelectronics Corporation

  2. Fairchild Semiconductor International Inc.

  3. Infineon Technologies AG

  4. Renesas Electronics Corporation

  5. NXP Semiconductors N.V.

  6. *Отказ от ответственности: основные игроки отсортированы в произвольном порядке
Концентрация рынка силовых транзисторов в Северной и Южной Америке
Изображение © Mordor Intelligence. Повторное использование требует указания авторства в соответствии с CC BY 4.0.
Нужны дополнительные сведения о игроках и конкурентах на рынке?
Скачать образец

Новости рынка силовых транзисторов в Северной и Южной Америке

  • Июнь 2022 г. - GaN Systems, мировой поставщик силовых полупроводников на основе нитрида галлия, представила новый транзистор в самом широком в отрасли портфеле силовых транзисторов на основе GaN. GS-065-018-2-L расширяет линейку высокопроизводительных и недорогих транзисторов компании, отличается более низким сопротивлением во включенном состоянии, повышенной надежностью и тепловыми характеристиками, а также номинальным значением 850 В VDS (переходные процессы).
  • Март 2022 г. - Transphorm, Inc. и TDK-Lambda, входящая в группу TDK, объявили о расширении линейки PFH500F продуктов AC-DC на основе GaN. Линейка продуктов включает в себя 500-ваттные блоки питания переменного и постоянного тока TDK PFH500F-12 и PFH500F-48. В этой серии используются полевые транзисторы на GaN (TP65H070LDG) с сопротивлением 72 мОм, 8x8 PQFN от компании Transphorm. Высокая плотность мощности силовых транзисторов позволила TDK охлаждать блоки питания GaN через тонкие базовые платы.

Table of Contents

1. ВВЕДЕНИЕ

  • 1.1 Допущения исследования и определение рынка
  • 1.2 Объем исследования

2. МЕТОДОЛОГИЯ ИССЛЕДОВАНИЯ

3. УПРАВЛЯЮЩЕЕ РЕЗЮМЕ

4. РЫНОЧНАЯ ИНФОРМАЦИЯ

  • 4.1 Обзор рынка
  • 4.2 Привлекательность отрасли — анализ пяти сил Портера
    • 4.2.1 Угроза новых участников
    • 4.2.2 Переговорная сила покупателей
    • 4.2.3 Рыночная власть поставщиков
    • 4.2.4 Угроза продуктов-заменителей
    • 4.2.5 Интенсивность конкурентного соперничества
  • 4.3 Оценка влияния COVID-19 на рынок

5. ДИНАМИКА РЫНКА

  • 5.1 Драйверы рынка
    • 5.1.1 Рост спроса на подключенные устройства
    • 5.1.2 Рост использования ископаемого топлива приводит к увеличению спроса на энергоэффективные электронные устройства
  • 5.2 Рыночные ограничения
    • 5.2.1 Ограничения в работе из-за таких ограничений, как температура, частота, способность обратной блокировки и т. д.

6. СЕГМЕНТАЦИЯ РЫНКА

  • 6.1 По продукту
    • 6.1.1 Низковольтные полевые транзисторы
    • 6.1.2 БТИЗ-модули
    • 6.1.3 ВЧ и СВЧ транзисторы
    • 6.1.4 Высоковольтные полевые транзисторы
    • 6.1.5 БТИЗ-транзисторы
  • 6.2 По типу
    • 6.2.1 Биполярный переходной транзистор
    • 6.2.2 Полевой транзистор
    • 6.2.3 Биполярный транзистор с гетеропереходом
    • 6.2.4 Другие (MOSFET, JFET, NPN-транзистор, PNP-транзистор, GaN-транзистор)
  • 6.3 По отраслям конечных пользователей
    • 6.3.1 Бытовая электроника
    • 6.3.2 Коммуникации и технологии
    • 6.3.3 Автомобильная промышленность
    • 6.3.4 Производство
    • 6.3.5 Энергия и мощность
    • 6.3.6 Другие отрасли конечных пользователей
  • 6.4 По регионам
    • 6.4.1 Северная Америка
    • 6.4.2 Латинская Америка

7. КОНКУРЕНТНАЯ СРЕДА

  • 7.1 Профили компании
    • 7.1.1 Champion Microelectronics Corporation
    • 7.1.2 Fairchild Semiconductor International Inc.
    • 7.1.3 Infineon Technologies AG
    • 7.1.4 Renesas Electronics Corporation
    • 7.1.5 NXP Semiconductors N.V.
    • 7.1.6 Texas Instruments Inc.
    • 7.1.7 STMicroelectronics N.V.
    • 7.1.8 Linear Integrated Systems Inc.
    • 7.1.9 Mitsubishi Electric Corporation
    • 7.1.10 Toshiba Corporation
    • 7.1.11 Vishay Intertechnology Inc.
    • 7.1.12 Analog Devices Inc.
    • 7.1.13 Broadcom Inc.

8. ИНВЕСТИЦИОННЫЙ АНАЛИЗ

9. БУДУЩЕЕ РЫНКА

Вы можете приобрести части этого отчета. Проверьте цены для конкретных разделов
Получить разбивку цен прямо сейчас

Сегментация отрасли силовых транзисторов в Северной и Южной Америке

Силовые транзисторы используются для усиления и регулирования сигналов. Они изготовлены из высокоэффективных полупроводниковых материалов, таких как германий и кремний. Эти транзисторы могут усиливать и контролировать определенный уровень напряжения и работать с определенными диапазонами номинального напряжения высокого и низкого уровня.

Исследование включает в себя различные продукты низковольтные полевые транзисторы, модули IGBT, радиочастотные и микроволновые транзисторы, высоковольтные полевые транзисторы, транзисторы IGBT, а также различные типы, такие как транзисторы с биполярным переходом, полевые транзисторы, гетеропереходные биполярные транзисторы для различных отраслей конечного пользователя, таких как бытовая электроника, связь и технологии, автомобилестроение, производство, энергетика и энергетика в регионе Северной и Латинской Америки. Конкурентная среда учитывает проникновение на рынок нескольких компаний, а также их стратегии органического и неорганического роста. В исследовании также рассматривается влияние пандемии COVID-19 на рынок.

По всем вышеперечисленным сегментам представлены объемы рынка и прогнозы в стоимостном выражении (млн долл. США).

По продукту
Низковольтные полевые транзисторы
БТИЗ-модули
ВЧ и СВЧ транзисторы
Высоковольтные полевые транзисторы
БТИЗ-транзисторы
По типу
Биполярный переходной транзистор
Полевой транзистор
Биполярный транзистор с гетеропереходом
Другие (MOSFET, JFET, NPN-транзистор, PNP-транзистор, GaN-транзистор)
По отраслям конечных пользователей
Бытовая электроника
Коммуникации и технологии
Автомобильная промышленность
Производство
Энергия и мощность
Другие отрасли конечных пользователей
По регионам
Северная Америка
Латинская Америка
По продукту Низковольтные полевые транзисторы
БТИЗ-модули
ВЧ и СВЧ транзисторы
Высоковольтные полевые транзисторы
БТИЗ-транзисторы
По типу Биполярный переходной транзистор
Полевой транзистор
Биполярный транзистор с гетеропереходом
Другие (MOSFET, JFET, NPN-транзистор, PNP-транзистор, GaN-транзистор)
По отраслям конечных пользователей Бытовая электроника
Коммуникации и технологии
Автомобильная промышленность
Производство
Энергия и мощность
Другие отрасли конечных пользователей
По регионам Северная Америка
Латинская Америка
Нужен другой регион или сегмент?
Настроить сейчас

Часто задаваемые вопросы

Каков текущий объем рынка силовых транзисторов в Северной и Южной Америке?

Прогнозируется, что среднегодовой темп роста рынка силовых транзисторов в Северной и Южной Америке составит 4,60% в течение прогнозируемого периода (2024-2029 гг.)

Кто является ключевыми игроками на рынке силовых транзисторов в Северной и Южной Америке?

Champion Microelectronics Corporation, Fairchild Semiconductor International Inc., Infineon Technologies AG, Renesas Electronics Corporation, NXP Semiconductors N.V. являются основными компаниями, работающими на рынке силовых транзисторов в Северной и Южной Америке.

На какие годы распространяется этот рынок силовых транзисторов в Северной и Южной Америке?

Отчет охватывает исторический объем рынка силовых транзисторов в Северной и Южной Америке за годы 2019, 2020, 2021, 2022 и 2023 годы. В отчете также прогнозируется объем рынка силовых транзисторов в Северной и Южной Америке на годы 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 и 2029 годы.

Последнее обновление страницы:

Отчет об индустрии силовых транзисторов в Северной и Южной Америке

Статистические данные о доле рынка силовых транзисторов в Северной и Южной Америке в 2024 году, размере и темпах роста выручки, подготовленные Mordor Intelligence™ Industry Reports. Анализ силовых транзисторов в Северной и Южной Америке включает в себя прогноз рынка на 2024–2029 гг. и исторический обзор. Получить образец этого отраслевого анализа в виде бесплатного отчета для скачивания в формате PDF.