RF & Micro-ondas Transistores de Sinal Pequeno Tamanho do Mercado

CAGR
Imagem © Mordor Intelligence. O reuso requer atribuição conforme CC BY 4.0.

RF & Micro-ondas Transistores de Sinal Pequeno Análise de Mercado

Espera-se que o mercado global Transistores de pequeno sinal de RF e micro-ondas cresça registrando um CAGR de cerca de 3.61% durante o período de previsão (2022-2027). A crescente adoção de sistemas eletrônicos avançados em automóveis e a crescente demanda por produtos eletrônicos de consumo são alguns dos principais fatores que impulsionam o crescimento do mercado estudado.

Os transistores de pequeno sinal de RF são semicondutores feitos principalmente de Si e Ge. Esses dispositivos são dopados com impurezas para mudar seu comportamento elétrico. Além disso, esses dispositivos são projetados para lidar com sinais de radiofrequência e micro-ondas.

Os módulos de RF estão sendo cada vez mais utilizados na indústria automotiva. Algumas das principais aplicações dos módulos de RF em automóveis incluem monitoramento de veículos, telemetria, controle remoto e sistemas de controle de acesso. Como a indústria está se aproximando rapidamente de sua meta de desenvolver veículos autônomos, novos casos de uso para módulos de RF devem ser identificados durante o período de previsão.

Além disso, o recente avanço na tecnologia IoT apoia ainda mais o crescimento do mercado estudado. Por exemplo, de acordo com a Ericsson, o número total de conexões IoT de curto alcance deve aumentar para 24,3 bilhões até 2027.

As tecnologias de micro-ondas e RF facilitam a conectividade entre os dispositivos e são usadas principalmente no módulo de antena de dispositivos habilitados para IoT, como RF e Micro-ondas, transistores de pequenos sinais são predominantemente usados para amplificar esses sinais, sua demanda deve crescer significativamente.

No entanto, a miniaturização de produtos baseados em semicondutores de acordo com a lei de Moore torna cada vez mais difícil para os fabricantes reduzir o tamanho dos transistores, mantendo o alto desempenho. A exigência de tecnologias avançadas para conseguir isso está impactando ainda mais o custo de produção desses dispositivos, o que pode impactar negativamente o crescimento do mercado.

A COVID-19 teve um grande impacto no mercado estudado, pois devido à imposição de várias restrições interrompeu a cadeia de suprimentos e reduziu a demanda por um pequeno período. No entanto, com a condição voltando à normalidade, o mercado deve testemunhar um crescimento semelhante ao nível pré-pandemia e muito mais.

Visão geral da indústria de transistores de sinal pequeno de micro-ondas

O mercado global de transistores de micro-ondas de RF é moderadamente competitivo e espera-se que cresça em concorrência durante o período de previsão devido à crescente demanda por esses dispositivos em várias verticais de usuário final. Espera-se que os fornecedores aumentem seu investimento em inovação de produtos e expansão de instalações para fortalecer sua presença no mercado. Alguns dos principais players que operam no mercado incluem Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, STMicroelectronics, NXP Semiconductors, Infineon Technologies, etc.

  • Maio de 2022 - A STMicroelectronics e a MACOM Technology Solutions Holdings Inc., fornecedora líder de produtos semicondutores para as indústrias Industrial, de Telecomunicações, Industrial, de Defesa e de Datacenter, anunciaram a produção bem-sucedida de protótipos de radiofrequência de gálio-nitreto sobre silício (RF GaN-on-Si). Com esse progresso, espera-se que a ST e a MACOM expandam ainda mais seus esforços para acelerar a entrega de produtos avançados de RF GaN-on-Si ao mercado.
  • Fevereiro de 2022 - A United Monolithic Semiconductors anunciou o lançamento do CHK8101-SYC, um transistor GaN Power de 15W montado em um pacote de energia de flange metalocerâmico totalmente hermético. Segundo a empresa, esses transistores de GaN podem ser usados para aplicações de energia de RF de até 6GHz com alto desempenho.

RF & Líderes de mercado de transistores de sinal pequenos de micro-ondas

  1. Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

  2. STMicroelectronics

  3. Semiconductor Components Industries, LLC

  4. NXP Semiconductors

  5. Infineon Technologies AG

  6. *Isenção de responsabilidade: Principais participantes classificados em nenhuma ordem específica
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RF & Micro-ondas Transistores de Sinal Pequeno Notícias do Mercado

  • Dezembro de 2021 - A Microchip Technology anunciou uma extensão de seu portfólio de dispositivos de energia de radiofrequência (RF) de nitreto de gálio (GaN) com novos ICs de micro-ondas monolíticos (MMICs) e transistores discretos que, de acordo com a empresa, cobrirão frequências de até 20 giga-hertz (GHz). O lançamento do produto está alinhado com a estratégia da empresa para seus produtos de RF GaN para suportar aplicações em todas as frequências, de micro-ondas a comprimentos de onda milimétricos, de baixa potência a 2,2 kW.
  • Julho de 2021 - A STMicroelectronics anunciou a adição de uma ampla gama de novos dispositivos à família STPOWER de transistores LDMOS, que já compreende três séries de produtos diferentes otimizadas para amplificadores de potência de RF em uma variedade de aplicações industriais e comerciais.

RF & Micro-ondas Transistores de Sinal Pequeno Relatório de Mercado - Índice

1. INTRODUÇÃO

  • 1.1 Premissas do Estudo e Definição de Mercado
  • 1.2 Escopo do estudo

2. METODOLOGIA DE PESQUISA

3. SUMÁRIO EXECUTIVO

4. INFORMAÇÕES DE MERCADO

  • 4.1 Visão geral do mercado
  • 4.2 Atratividade da Indústria – Análise das Cinco Forças de Porter
    • 4.2.1 Ameaça de novos participantes
    • 4.2.2 Poder de barganha dos compradores/consumidores
    • 4.2.3 Poder de barganha dos fornecedores
    • 4.2.4 Ameaça de produtos substitutos
    • 4.2.5 Intensidade da rivalidade competitiva
  • 4.3 Análise da cadeia de valor da indústria
  • 4.4 Avaliação do Impacto do COVID-19 no Mercado

5. DINÂMICA DE MERCADO

  • 5.1 Drivers de mercado
    • 5.1.1 Proliferação de eletrônicos de consumo e aumento do uso de eletrônicos no setor industrial
    • 5.1.2 Aumento da adoção de dispositivos habilitados para IoT
  • 5.2 Restrições de mercado
    • 5.2.1 Complexidades tecnológicas decorrentes da miniaturização

6. SEGMENTAÇÃO DE MERCADO

  • 6.1 Por usuário final vertical
    • 6.1.1 Fabricação
    • 6.1.2 Aplicações automotivas
    • 6.1.3 Eletrônicos de consumo
    • 6.1.4 Comunicação
    • 6.1.5 Outros
  • 6.2 Por país
    • 6.2.1 América do Norte
    • 6.2.2 Europa
    • 6.2.3 Ásia-Pacífico
    • 6.2.4 Resto do mundo

7. CENÁRIO COMPETITIVO

  • 7.1 Perfis de empresa
    • 7.1.1 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    • 7.1.2 STMicroelectronics
    • 7.1.3 Semiconductor Components Industries, LLC
    • 7.1.4 ASI Semiconductor Inc.
    • 7.1.5 Rectron Semiconductor
    • 7.1.6 NXP Semiconductors
    • 7.1.7 Micro Commercial Components Corp.
    • 7.1.8 Infineon Technologies AG
    • 7.1.9 Microchip Technology Inc.
    • 7.1.10 Nexperia

8. ANÁLISE DE INVESTIMENTO

9. FUTURO DO MERCADO

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RF & Micro-ondas Transistores de Pequeno Sinal Segmentação da Indústria

A principal diferença entre um sinal pequeno e um transistor de potência é baseada principalmente na classificação máxima da dissipação de energia do coletor. Os transistores de pequeno sinal de RF & Micro-ondas são predominantemente usados para amplificar sinais de RF e Micro-ondas de baixo nível. O relatório oferece uma análise abrangente do mercado com base nos segmentos de usuário final e geografia.

Por usuário final vertical
Fabricação
Aplicações automotivas
Eletrônicos de consumo
Comunicação
Outros
Por país
América do Norte
Europa
Ásia-Pacífico
Resto do mundo
Por usuário final vertical Fabricação
Aplicações automotivas
Eletrônicos de consumo
Comunicação
Outros
Por país América do Norte
Europa
Ásia-Pacífico
Resto do mundo
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RF & Micro-ondas Transistores de Sinal Pequeno Pesquisa de Mercado FAQs

Qual é o tamanho atual do mercado global de Transistores de Sinal Pequeno de RF e Micro-ondas?

Prevê-se que o mercado global Transistores de pequeno sinal de RF e micro-ondas registre um CAGR de 3.61% durante o período de previsão (2024-2029)

Quem são os chave chave no mercado global RF e Transistores de pequeno sinal de micro-ondas?

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, STMicroelectronics, Semiconductor Components Industries, LLC, NXP Semiconductors, Infineon Technologies AG são as principais empresas que operam no mercado global de transistores de sinal pequeno de RF e micro-ondas.

Qual é a região de crescimento mais rápido no mercado global RF &Micro-ondas Transistores de pequeno sinal?

Estima-se que a Ásia-Pacífico cresça no CAGR mais alto durante o período de previsão (2024-2029).

Qual região tem a maior participação no mercado global de RF e Transistores de Pequeno Sinal de Micro-ondas?

Em 2024, a Ásia-Pacífico responde pela maior participação de mercado no mercado global de transistores de pequeno sinal de RF e micro-ondas.

Em que anos este mercado global RF & Transistores de sinal pequeno cobre o mercado?

O relatório cobre o tamanho histórico do mercado global de Transistores de Sinal Pequeno de RF e Micro-ondas por anos 2019, 2020, 2021, 2022 e 2023. O relatório também prevê o tamanho do mercado global de Transistores de Sinal Pequeno de RF e Micro-ondas para os anos 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 e 2029.

Página atualizada pela última vez em:

Relatório da indústria global de transistores de sinal pequeno de RF e micro-ondas

Estatísticas para o 2024 Global RF & Micro-ondas Small Signal Transistors participação de mercado, tamanho e taxa de crescimento da receita, criado pela Mordor Intelligence™ Industry Reports. A análise global de Transistores de Micro-ondas de Pequeno Sinal inclui uma previsão de mercado, perspectivas para 2029 e visão geral histórica. Obtenha uma amostra desta análise da indústria como um download gratuito do relatório em PDF.